JP2003264169A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

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    • H—ELECTRICITY
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    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジシ
ョンの堆積を低減することができるプラズマ処理装置を
提供する。 【解決手段】 プラズマエッチング処理装置１は、中に
処理室２を画成すべく直径が下部において大きく上部に
おいて小さいプラズマ処理容器３を備える。処理室２が
所定の真空雰囲気に減圧され、ＣＦ系ガスを含む処理ガ
スが処理室２に導入されると、処理ガスがプラズマ化さ
れ、半導体ウエハ３４に所望の微細加工が施される。プ
ラズマによるＣＦ系ガスの分解成分から生成されるＣＦ
系ポリマーの固体粒子が飛散して内壁部３ｂ及び処理室
内部品の表面に固着してＣＦ系ポリマーのデポジション
が堆積するのを防止するためプラズマ処理容器３の内壁
部３ｂの表面には所定面積に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜４１
が被覆されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ処理装置、例えばプラズマエッ
チング処理装置は、半導体製造工程において被処理体で
ある半導体ウェハ等の表面の微細加工を行うために使用
されている。
【０００３】従来のプラズマエッチング処理装置は、エ
ッチング反応ガスが導入される処理容器と、処理容器内
において互いに対向して平行に配された処理室内部品と
しての上部電極及び下部電極とを備える。下部電極の上
には半導体ウェハが配置され、この電極に高周波電力を
印加することにより励起されて上部電極及び下部電極間
に発生したプラズマによってエッチング反応ガスを解離
させ、これにより生じたラジカル成分によって半導体ウ
ェハをエッチングする。一般的に、下部電極はアルミニ
ウムで構成され、上部電極はカーボンによって構成され
る。
【０００４】処理容器の内壁や処理室内部品の材料とし
ては、Ａｌ2Ｏ3（アルミナ）製セラミック、ＳｉＯ2、
Ｑｚ（石英）、Ｃ（カーボン）等が用いられているのに
対して、処理容器内に導入される処理ガスとしては、Ｃ
Ｆ（フロロカーボン）系ガスが広く使用されている。こ
の場合、処理容器の内壁や処理室内部品の表面には、Ｃ
Ｆ系ガスのプラズマ処理による反応副生成物であるＣＦ
2系ポリマーが生成される。
【０００５】斯かるＣＦ2系ポリマーの堆積により形成
されたデポジションは、処理容器の内壁からパーティク
ルとして剥離して飛散し、ついには被処理物としての半
導体ウェハに固着し、その結果、製品歩留まり率を低下
させる。
【０００６】上記デポジションの堆積を抑制するために
は、従来は処理容器の内壁を２００〜３００℃に加熱し
たり、堆積したデポジションを除去するために処理容器
の内壁の定期クリーニングの頻度を増すことが行われて
いた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、処理容
器の内壁の２２０〜３００℃への加熱は、断熱構造化に
よる処理装置の大型化、加熱のための電力使用量の増
大、コスト高をもたらし、さらには、定期クリーニング
の頻度の増大は、労力の増大やそのために時間がかかる
という問題がある。
【０００８】本発明の目的は、処理室内におけるＣＦ系
ポリマーのデポジションの堆積を低減することができる
プラズマ処理装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載のプラズマ処理装置は、処理容器内で
プラズマを励起して被処理物の表面を微細加工するプラ
ズマ処理装置において、前記処理容器の内壁の表面及び
前記処理容器内に配された処理室内部品の表面の少なく
とも一方の表面が所定面積に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被
覆されていることを特徴とする。
【００１０】請求項１記載のプラズマ処理装置によれ
ば、処理容器の内壁の表面及び処理容器内に配された処
理室内部品の表面の少なくとも一方の表面が所定面積に
亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されているので、Ｙ2Ｏ3溶
射被膜とＣＦ系ポリマーとを反応させることができ、も
って処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの
堆積を低減することができる。
【００１１】請求項２記載のプラズマ処理装置は、請求
項１記載のプラズマ処理装置において、前記所定面積は
０．６５ｍ2以上であることを特徴とする。
【００１２】請求項２記載のプラズマ処理装置によれ
ば、所定面積が０．６５ｍ2以上であるので、装置が直
径２００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内に
おけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を確実に低
減することができる。
【００１３】請求項３記載のプラズマ処理装置は、請求
項２記載のプラズマ処理装置において、前記所定面積は
０．９１ｍ2以上であることを特徴とする。
【００１４】請求項３記載のプラズマ処理装置によれ
ば、所定面積が０．９１ｍ2以上であるので、装置が直
径３００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内に
おけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を確実に低
減することができる。
【００１５】請求項４記載のプラズマ処理装置は、請求
項１乃至３のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置に
おいて、前記処理室内部品は上部電極又は下部電極から
成ることを特徴とする。
【００１６】請求項４記載のプラズマ処理装置によれ
ば、処理室内部品は上部電極又は下部電極から成るの
で、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを有効に反応さ
せることができ、もって処理室内におけるＣＦ系ポリマ
ーのデポジションの堆積を有効に低減することができ
る。
【００１７】請求項５記載のプラズマ処理装置は、請求
項１乃至４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置に
おいて、コンタクトプロセスに用いられることを特徴と
する。
【００１８】請求項５記載のプラズマ処理装置によれ
ば、コンタクトプロセスに用いられるので、シリコンナ
イトライド及び下地シリコンに対する選択比を向上させ
ることができる。
【００１９】請求項６記載のプラズマ処理装置は、請求
項５記載のプラズマ処理装置において、セルフアライン
コンタクトプロセスに用いられることを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明者は、上記目的を達成すべ
く鋭意研究を行った結果、処理容器内でプラズマを励起
して被処理物の表面を微細加工するプラズマ処理装置に
おいて、処理容器の内壁の表面及び処理容器内に配され
た処理室内部品の表面の少なくとも一方の表面が所定面
積、好ましくは０．６５ｍ2以上、さらに好ましくは
０．９１ｍ2以上に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されて
いると、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを反応させ
ることができ、もって処理室内におけるＣＦ系ポリマー
のデポジションの堆積を低減することができることを見
出した。
【００２１】また、本発明者は、上部電極又は下部電極
の表面がＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていると、Ｙ2Ｏ3溶
射被膜とＣＦ系ポリマーとを有効に反応させることがで
き、もって処理室内におけるＣＦ系ポリマーのデポジシ
ョンの堆積を有効に低減することができることを見出し
た。
【００２２】本発明は、上記研究の結果に基づいてなさ
れたものである。
【００２３】以下、本発明の実施の形態に係るプラズマ
処理装置を詳述する。
【００２４】図１は、本発明の実施の形態に係るプラズ
マ処理装置の概略構成を示す図である。
【００２５】図１において、プラズマエッチング処理装
置１は、中に処理室２を画成すべく直径が下部において
大きく上部において小さいプラズマ処理容器３を備え
る。プラズマ処理容器３は、その上部において環状の永
久磁石４が外嵌されている。
【００２６】プラズマ処理容器３は、その頂部内側に下
向きの凹部５を有し、底部の中央部において開口１２を
有する。プラズマ処理容器３は、アルマイト処理された
アルミニウム製の外壁部３ａ、及びＡｌ2Ｏ3セラミック
製の内壁部３ｂの２層構造をなす。
【００２７】プラズマ処理容器３において、頂部の凹部
５は複数の孔１０があけられた上部電極１１で閉鎖さ
れ、底部の開口１２は、該底部から立設されたステンレ
ス等の導電性材料製のベローズ１４を介して排気リング
１６等によって閉鎖されている。ベローズ１４は、プラ
ズマ処理容器３の底部に立設された第１のベローズカバ
ー１５と、第１のベローズカバー１５に嵌合するように
排気リング１６に固定された第２のベローズカバー１７
によって保護されている。
【００２８】排気リング１６はその中央部に下部電極２
１を有し、下部電極２１の下面には、プラズマ処理容器
３の下方から延びると共に、酸化処理されたＡｌ等の導
電性材料製の管状部材２２と、管状部材２２内に収容さ
れていると共に下部電極２１を図中Ａ方向に昇降させる
昇降軸２３が固定されている。下部電極２１は、その下
面及び側面が電極保護部材２４で保護され、さらに電極
保護部材２４は、その下面及び側面が導電性部材２５で
覆われている。昇降軸２３には、整合器２６を介して高
周波電源２７が接続されている。
【００２９】下部電極２１の上面周囲にはインシュレー
タリング３１が配され、インシュレータリング３１の内
側において下部電極２１の上面には、静電チャック３２
が配されている。また、インシュレータリング３１の上
にはフォーカスリング３３が配され、フォーカスリング
３３の内側において静電チャック３２の上には、被処理
物としての半導体ウェハ３４が載置される。
【００３０】上部電極１１、第１のベローズカバー１
５、第２のベローズカバー１７、排気リング１６、下部
電極２１、電極保護部材２４、インシュレータリング３
１、静電チャック３２、及びフォーカスリング３３は、
処理室内部品を構成する。
【００３１】プラズマ処理容器３は、その頂部にガス供
給口５１を有し、このガス供給口には流量調整弁５２及
び開閉弁５３を介して処理室２内への処理ガス供給のた
めのガス供給源５４が接続され、且つその底部に排気口
５５を有し、この排気口５５には、処理室２内を真空引
きする真空ポンプ５６が接続されている。プラズマ処理
容器３は、さらに、その下部側部に、半導体ウェハ３４
を搬入出するための被処理物搬送口５７を備える。
【００３２】また、プラズマ処理容器３の内壁部３ｂの
表面にはＹ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆されており、このＹ
2Ｏ3溶射被膜４１は接地されている。
【００３３】このように構成されたプラズマエッチング
処理装置１は、不図示の駆動機構によって昇降軸２３を
矢印Ａ方向に移動させて半導体ウエハ３４の位置調整を
行う。高周波電源２７により昇降軸２３を介して、例え
ば、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を下部電極２１に印
加する。
【００３４】さらに、真空ポンプ５６により処理室２を
所定の真空雰囲気に減圧し、ガス供給源５４からガス供
給口５１を介してＣＦ系ガスを含む処理ガスを処理室２
に導入すると、上部電極１１と下部電極２１との間にグ
ロー放電が生じて処理ガスがプラズマ化される。これに
より、マスキングされている半導体ウエハ３４に所望の
微細加工が施される。この際、プラズマによるＣＦ系ガ
スの分解成分から生成されるＣＦ系ポリマーの固体粒子
が飛散するが、プラズマ処理容器３の内部壁３ｂの表面
にはＹ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆されているので、内壁部
３ｂ及び処理室内部品の表面へのＣＦ系ポリマーのデポ
ジションの堆積は防止される。
【００３５】以下、Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１が処理室２内に
おけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を抑制する
メカニズムを詳述する。
【００３６】プラズマ処理においてＣ4Ｆ6，Ｃ4Ｆ8，Ｃ
5Ｆ8をＣＦ系ガスとして用いる場合には、必ずＯ2を併
用するのでデポジションたるＣＦ2ポリマーは以下の式
（１）〜（３）で示されるように生成される。
【００３７】 ａ（Ｃ4Ｆ6）+ｂ（Ｏ2）→ （ＣＦ2）X+ｃ（ＣＯＦ2）+ｄ（ＣＯ） …（１） ａ（Ｃ4Ｆ8）+ｂ（Ｏ2）→ （ＣＦ2）X+ｃ（ＣＯＦ2）+ｄ（Ｆ2） …（２） ａ（Ｃ5Ｆ8）+ｂ（Ｏ2）→ （ＣＦ2）X+ｃ（ＣＯＦ2）+ｄ（Ｆ2）+ｅ(Ｏ2) …（３） 但し、Ｘ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは自然数である。
【００３８】上記のように生成したＣＦ2ポリマーは、
内部壁３ｂに溶射被膜４１として被覆されたＹ2Ｏ3と以
下に示すように反応する。
【００３９】 （ＣＦ2）X+ｆ（Ｙ2Ｏ3）→ｇ（ＹＦ3）+ｈ（ＣＯ） …（４） 但し、Ｘ，ｆ，ｇ，ｈは自然数である。
【００４０】式（４）で示したＣＦ2ポリマーとＹ2Ｏ3
との反応により、内部壁３ｂ及び処理室内部品における
ＣＦ2ポリマーのデポジションの堆積を低減することが
できる。
【００４１】図２は、Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆された
内壁部３ｂの表面積とＣＦ系ガス流量との関係を示した
グラフである。
【００４２】図２のグラフの関係式は、以下のように得
られた。
【００４３】処理室２内を流れるＣＦ系ガスの流量がＡ
（ｓｃｃｍ）、即ち７．４４×１０ -7Ａ（ｍｏｌ／ｓｅ
ｃ）であるとき、真空ポンプ５６の排気能力と処理室２
内を流れるＣＦ系ガスのＦに相当する質量との関係か
ら、ＣＦ系ガスの流量の２０％である ７．４４×１０-7Ａ×０．２＝１．４９×１０-7Ａ（ｍ
ｏｌ／ｓｅｃ） の流量に相当するモル数のＣＦ系ガスが処理室２に残
る。
【００４４】また、式（１）〜（３）中のＣＦ2ポリマ
ーの重合度Ｘに対するａの比がＣＦ系ガスがＣＦ2ポリ
マーに全て変換されたとしても２であること、及び式
（４）中のＣＦ2ポリマーの重合度Ｘに対するｆの比は
３であることから、単位時間当りに必要なＹ2Ｏ3溶射被
膜４１のモル数は、処理室２に残るＣＦ系ガスの流量に
相当するモル数の６６％（２×１／３）にあたる、 １．４９×０．６６＝９．９２×１０-8Ａ（ｍｏｌ／ｓ
ｅｃ） である。
【００４５】また、ＣＦ2ポリマーがＹ2Ｏ3溶射被膜４
１にデポジションする割合は、（側壁６０の表面積）／
（（上下部電極１１，２１の表面積）+（側壁６０の表
面積））で表わされ、最小でも８％（上部電極１１と下
部電極２１の距離２０ｍｍ）であること及びＹ2Ｏ3溶射
被膜４１の寿命として側壁６０の構成部品の寿命に相当
する１０００時間は少なくとも必要であることから、Ｃ
Ｆ2ポリマーのデポジションを回避するためのＹ2Ｏ3溶
射被膜４１の必要モル数は、 ９．９２×１０-8Ａ×０．０８×１０００×３６００＝
０．０２９Ａ（ｍｏｌ） となる。
【００４６】また、Ｙ2Ｏ3の分子量は約２２６であるこ
とから、ＣＦ2ポリマーのデポジションを回避するため
のＹ2Ｏ3溶射被膜４１の必要質量は、 ０．０２９Ａ×２２６＝ ６．５５４Ａ（ｇ） となる。
【００４７】さらに、Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１の厚さが０．
０１ｃｍであること及びＹ2Ｏ3の比重が５（ｇ／ｃ
ｍ3）であることから、Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆され
た内壁部３ｂの表面積Ｓは Ｓ＝６．５５４Ａ／（０．０１×５）（ｃｍ2） となり、図２の関係式Ｓ＝１３１Ａが得られる。
【００４８】図２において、直径２００ｍｍ程度以下の
半導体ウェハ用装置の場合、ＣＦ系ガス流量は最大５０
ｓｃｃｍ程度（ｓｃｃｍは基準温度における体積流量ｃ
ｍ3／ｍｉｎである）であることから、Ｙ2Ｏ3溶射被膜
４１が被覆される内壁部１ｂの表面積は、０．６５ｍ2
以上であるのが好ましい。
【００４９】また、直径３００ｍｍ程度以下の半導体ウ
ェハ用装置の場合、ＣＦ系ガス流量は最大７０ｓｃｃｍ
程度であることから、Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆される
内壁部１ｂの表面積は、０．９１ｍ2以上であるのが好
ましい。
【００５０】本実施の形態によれば、処理室２の内壁部
３ｂがプラズマに曝される領域の広い面積に亘ってＹ2
Ｏ3溶射被膜４１で被覆されているので、内壁部３ｂの
Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１とＣＦ系ポリマーとを反応させるこ
とができ、もって処理室２内におけるＣＦ系ポリマーの
デポジションの堆積を低減することができる。
【００５１】本実施の形態では、Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１を
内部壁３ｂの表面に被覆したが、これに限定されること
はなく、処理室内部品、特に、ＣＦ系ガスをプラズマ化
する上部電極１１、下部電極２１の表面にＹ2Ｏ3溶射被
膜４１を被覆すると、生成したＣＦ系ポリマーとＹ2Ｏ3
とをより有効に反応させることができ、もって処理室２
内におけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積をより
有効に低減することができる。
【００５２】また、本実施の形態では、プラズマエッチ
ング処理容器３の外周に永久磁石４を配設した磁場アシ
スト方式のプラズマエッチング処理装置１を例に説明し
たが、これに限定されるものではなく、他の方式、例え
ば、永久磁石４を設ける代わりに、上部電極１１及び下
部電極２１の双方に高周波電力を印加してプラズマを発
生させるイオンアシスト方式のプラズマエッチング処理
装置１についても同様に適用できることができるのはい
うまでもない。
【００５３】
【実施例】以下、プラズマ処理容器３の内壁部３ｂの表
面にＹ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆された本発明のプラズマ
エッチング処理装置１及び従来のプラズマエッチング処
理装置を用いたときの処理室２内のパーティクルの数と
高周波電源２７による高周波電力印加時間との関係の比
較検討結果を示す。
【００５４】この検討は、真空ポンプ５６として排気速
度が１．３ｍ2／ｓｅｃのターボ分子ポンプを用いて行
い、処理室２の内壁部３ｂの表面に表面積０．７ｍ2に
亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜４１を被覆して行った。
【００５５】本実施例では、処理室２のＧＮＤ電位の部
位、即ち内壁部３ｂに上記Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１を被覆す
るように構成しているが、少なくとも上部電極１１と下
部電極２１に挟まれる処理空間及びその近傍空間のＧＮ
Ｄ電位の部位、即ち側壁６０付近にＹ2Ｏ3溶射被膜４１
を形成することが好ましい。
【００５６】図３は、図１における処理室２内のパーテ
ィクルの数と高周波電源２７による高周波電力印加時間
との関係を示すグラフである。
【００５７】図３において、折れ線Ａは、従来のプラズ
マエッチング処理装置の場合、折れ線Ｂは、内壁部３ｂ
にＹ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆された本発明のプラズマエ
ッチング処理装置１の場合を夫々示す。
【００５８】折れ線Ａで示されるように、従来のプラズ
マエッチング処理装置の場合は、高周波電力印加時間が
経過すると共に、パーティクルの数が急激に増加し、５
時間経過時に約３０個、１０時間経過時に約２２０個、
１５時間経過時には約３３０個となる。１５時間経過時
以降の測定は行っていないが、さらに増加すると予想さ
れる。
【００５９】これに対して、折れ線Ｂで示されるよう
に、内壁部３ｂにＹ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆された本発
明のプラズマエッチング処理装置１の場合は、高周波電
力印加時間が経過してもパーティクルの数が急激に増加
せず、１７５時間に亘ってほぼ２０個以下であり、最高
でも４０個以下に抑えられている。
【００６０】この検討結果に示されるように、処理室２
の内壁部３ｂにＹ2Ｏ3溶射被膜４１を被覆することによ
り、処理室２内のパーティクルの数を低減すること、即
ち、内部壁３ｂ及び処理室内部品におけるＣＦ系ポリマ
ーのデポジションの堆積を低減することができることが
分かる。
【００６１】また、本発明のプラズマエッチング処理装
置１は、処理室２内におけるデポジションの堆積が低減
されたことにより、定期クリーニングを行う間隔を従来
の３０時間から１５０時間に延長することができる。
【００６２】さらに、排気速度がより大きい大型化され
たターボ分子ポンプ、例えば排気速度が２．２ｍ2／ｓ
ｅｃのターボ分子ポンプを用いると、処理室２内に浮遊
するＣＦ系の微小なデポジションや分解されたＣＯ等を
処理室２内に滞留させることなく、速やかに処理室２の
外へ排出することができるので、処理室２内におけるＣ
Ｆ系ポリマーのデポジションの堆積をさらに低減するこ
とができる。
【００６３】上述した本発明のプラズマエッチング処理
装置１をコンタクトプロセス、特にセルフアラインコン
タクトプロセスに用いた場合、式（４）で発生するＣＯ
は、ＣＦ系ガスがプラズマによって解離した際生じる活
性種のフッ素ラジカル（Ｆ*）を失活させ、ＳｉＮ（シ
リコンナイトライド）及び下地Ｓｉ（シリコン）に対す
る選択比を向上させることができる。
【００６４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、請求項１記
載のプラズマ処理装置によれば、処理容器の内壁の表面
及び処理容器内に配された処理室内部品の表面の少なく
とも一方の表面が所定面積に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被
覆されているので、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーと
を反応させることができ、もって処理室内におけるＣＦ
系ポリマーのデポジションの堆積を低減することができ
る。
【００６５】請求項２記載のプラズマ処理装置によれ
ば、所定面積が０．６５ｍ2以上であるので、装置が直
径２００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内に
おけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を確実に低
減することができる。
【００６６】請求項３記載のプラズマ処理装置によれ
ば、所定面積が０．９１ｍ2以上であるので、装置が直
径３００ｍｍ程度以下の被処理物用の場合に処理室内に
おけるＣＦ系ポリマーのデポジションの堆積を確実に低
減することができる。
【００６７】請求項４記載のプラズマ処理装置によれ
ば、処理室内部品は上部電極又は下部電極から成るの
で、Ｙ2Ｏ3溶射被膜とＣＦ系ポリマーとを有効に反応さ
せることができ、もって処理室内におけるＣＦ系ポリマ
ーのデポジションの堆積を有効に低減することができ
る。
【００６８】請求項５記載のプラズマ処理装置によれ
ば、コンタクトプロセスに用いられるので、シリコンナ
イトライド及び下地シリコンに対する選択比を向上させ
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
概略構成を示す図である。
【図２】Ｙ2Ｏ3溶射被膜４１が被覆された内壁部３ｂの
表面積とＣＦ系ガス流量との関係を示したグラフであ
る。
【図３】図１における処理室２内のパーティクルの数と
高周波電源２７による高周波電力印加時間との関係を示
すグラフである。
【符号の説明】
１ プラズマエッチング処理装置 ２ 処理室 ３ プラズマ処理容器 ３ｂ 内壁部 ３４ 半導体ウエハ ４１ Ｙ2Ｏ3溶射被膜

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理容器内でプラズマを励起して被処理
    物の表面を微細加工するプラズマ処理装置において、前
    記処理容器の内壁の表面及び前記処理容器内に配された
    処理室内部品の表面の少なくとも一方の表面が所定面積
    に亘ってＹ2Ｏ3溶射被膜で被覆されていることを特徴と
    するプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 前記所定面積は０．６５ｍ2以上である
    ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記所定面積は０．９１ｍ2以上である
    ことを特徴とする請求項２記載のプラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記処理室内部品は上部電極又は下部電
    極から成ることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
    １項に記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 コンタクトプロセスに用いられることを
    特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプラ
    ズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 セルフアラインコンタクトプロセスに用
    いられることを特徴とする請求項５記載のプラズマ処理
    装置。
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