JPH06196421A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
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- JPH06196421A JPH06196421A JP4357467A JP35746792A JPH06196421A JP H06196421 A JPH06196421 A JP H06196421A JP 4357467 A JP4357467 A JP 4357467A JP 35746792 A JP35746792 A JP 35746792A JP H06196421 A JPH06196421 A JP H06196421A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベルジャからのパーティクルの発生を抑制
し、また温度変化を緩和してベルジャ及び防着板からの
パーティクルの発生を抑制するプラズマ装置を提供する
こと。 【構成】 マイクロ波導入窓1a及びプラズマ引出窓1bを
備えるプラズマ生成室１にはフロスト処理して粗面加工
されたベルジャ４が配設してあり、またプラズマ生成室
１に連接し、試料Ｓを載置台する載置台８が配置された
試料室３にはガス導入管９及び排気管11が接続してあ
り、試料室３，載置台８及び排気管11の一端部にわたっ
て防着板５が配設してある。プラズマ生成室１の側壁及
び試料室３の側壁，底壁，排気管11の端部の外面には上
部加温壁６及び下部加温壁７がそれぞれ配設してある。
また上部加温壁６の周囲には及びプラズマ生成室１に接
続した導波管２の一端部にわたって励磁コイル12を配設
してある。そして上部加温壁６及び下部加温壁７に温流
体を循環させてベルジャ４及び防着板５を加温しつつ試
料Ｓをプラズマ処理する。
し、また温度変化を緩和してベルジャ及び防着板からの
パーティクルの発生を抑制するプラズマ装置を提供する
こと。 【構成】 マイクロ波導入窓1a及びプラズマ引出窓1bを
備えるプラズマ生成室１にはフロスト処理して粗面加工
されたベルジャ４が配設してあり、またプラズマ生成室
１に連接し、試料Ｓを載置台する載置台８が配置された
試料室３にはガス導入管９及び排気管11が接続してあ
り、試料室３，載置台８及び排気管11の一端部にわたっ
て防着板５が配設してある。プラズマ生成室１の側壁及
び試料室３の側壁，底壁，排気管11の端部の外面には上
部加温壁６及び下部加温壁７がそれぞれ配設してある。
また上部加温壁６の周囲には及びプラズマ生成室１に接
続した導波管２の一端部にわたって励磁コイル12を配設
してある。そして上部加温壁６及び下部加温壁７に温流
体を循環させてベルジャ４及び防着板５を加温しつつ試
料Ｓをプラズマ処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマを利用して半導
体素子または電子材料を加工するプラズマ装置に関す
る。
体素子または電子材料を加工するプラズマ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子サイクロトロン共鳴（以下ＥＣＲと
いう）を利用したプラズマ装置は、低いガス圧で電離度
が高いプラズマを生成でき、イオンエネルギの広範な選
択が可能であり、イオンの指向性及び均一性に優れる等
の利点を有していることから、高集積半導体素子の製造
における薄膜形成またはエッチング等のプロセスには欠
かせないものとして研究，開発が行われている。
いう）を利用したプラズマ装置は、低いガス圧で電離度
が高いプラズマを生成でき、イオンエネルギの広範な選
択が可能であり、イオンの指向性及び均一性に優れる等
の利点を有していることから、高集積半導体素子の製造
における薄膜形成またはエッチング等のプロセスには欠
かせないものとして研究，開発が行われている。
【０００３】図６は従来のＥＣＲプラズマ装置を示す模
式的断面図であり、図中１はプラズマを生成するプラズ
マ生成室である。プラズマ生成室１の下方には試料室３
が連接されており、プラズマ生成室１の上部壁中央には
ここを封止する石英ガラスのマイクロ波導入窓1aが、ま
た試料室３との間を仕切る下部壁中央には前記マイクロ
波導入窓1aと対向する位置に円形のプラズマ引出窓1bが
それぞれ備えられている。そしてプラズマ生成室１内に
は上部壁から側壁にわたって重金属汚染を防止するため
に透明な石英ガラスの容器であるベルジャ14が配設され
ている。
式的断面図であり、図中１はプラズマを生成するプラズ
マ生成室である。プラズマ生成室１の下方には試料室３
が連接されており、プラズマ生成室１の上部壁中央には
ここを封止する石英ガラスのマイクロ波導入窓1aが、ま
た試料室３との間を仕切る下部壁中央には前記マイクロ
波導入窓1aと対向する位置に円形のプラズマ引出窓1bが
それぞれ備えられている。そしてプラズマ生成室１内に
は上部壁から側壁にわたって重金属汚染を防止するため
に透明な石英ガラスの容器であるベルジャ14が配設され
ている。
【０００４】前記マイクロ波導入窓1aには他端を図示し
ない高周波発振器に接続した導波管２の一端を接続して
あり、またプラズマ生成室１の周囲及びこれに接続した
導波管２の一端部にわたってこれらを取り囲むようにこ
れらと同心状に励磁コイル12を配設してある。
ない高周波発振器に接続した導波管２の一端を接続して
あり、またプラズマ生成室１の周囲及びこれに接続した
導波管２の一端部にわたってこれらを取り囲むようにこ
れらと同心状に励磁コイル12を配設してある。
【０００５】一方試料室３の側壁には反応ガスを供給す
るためのガス供給管９及びガスを排出する排気管11が接
続されている。また試料室３内にはプラズマ引出窓1bに
対向して載置台８が配設されており、載置台８上には試
料室３の側壁に開口されたウェハ等の試料Ｓを搬入する
搬入口10から搬入された試料Ｓが静電吸着等の手段にて
着脱可能に載置されている。そして前記プラズマ引出窓
1bが開口された試料室３の上部壁を除く試料室３の内
面，載置台８の表面及び排気管11の内面には、高圧，高
速の砂を吹き付けるフロスト処理によってその内面を粗
面加工された石英製の防着板５が配設されている。
るためのガス供給管９及びガスを排出する排気管11が接
続されている。また試料室３内にはプラズマ引出窓1bに
対向して載置台８が配設されており、載置台８上には試
料室３の側壁に開口されたウェハ等の試料Ｓを搬入する
搬入口10から搬入された試料Ｓが静電吸着等の手段にて
着脱可能に載置されている。そして前記プラズマ引出窓
1bが開口された試料室３の上部壁を除く試料室３の内
面，載置台８の表面及び排気管11の内面には、高圧，高
速の砂を吹き付けるフロスト処理によってその内面を粗
面加工された石英製の防着板５が配設されている。
【０００６】このような装置にて試料Ｓ表面を加工する
には、排気管11にて所要の真空度に設定したプラズマ生
成室１及び試料室３にガス供給管９より反応ガスを供給
し、励磁コイル12にて磁界を形成しつつプラズマ生成室
１内にマイクロ波を導入してプラズマを生成し、生成し
たプラズマを励磁コイル12にて形成される発散磁界によ
って試料室３内の載置台８上の試料Ｓ周辺に導き、試料
Ｓ表面に成膜またはエッチング等の処理を施す。
には、排気管11にて所要の真空度に設定したプラズマ生
成室１及び試料室３にガス供給管９より反応ガスを供給
し、励磁コイル12にて磁界を形成しつつプラズマ生成室
１内にマイクロ波を導入してプラズマを生成し、生成し
たプラズマを励磁コイル12にて形成される発散磁界によ
って試料室３内の載置台８上の試料Ｓ周辺に導き、試料
Ｓ表面に成膜またはエッチング等の処理を施す。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところでＥＣＲプラズ
マ装置では、試料表面を加工するのと並行してプラズマ
中のイオン及び試料が反応してその生成物が試料室の壁
面に堆積し、これが剥離して微小異物であるパーティク
ルとなって試料上に落下し、試料の加工不良を引き起こ
す。これに対して従来の装置では、前述した防着板の表
面の凹凸に生成物を強固に付着させることにより、生成
物の剥離を防止してパーティクルの発生を抑制してい
る。
マ装置では、試料表面を加工するのと並行してプラズマ
中のイオン及び試料が反応してその生成物が試料室の壁
面に堆積し、これが剥離して微小異物であるパーティク
ルとなって試料上に落下し、試料の加工不良を引き起こ
す。これに対して従来の装置では、前述した防着板の表
面の凹凸に生成物を強固に付着させることにより、生成
物の剥離を防止してパーティクルの発生を抑制してい
る。
【０００８】しかしこの生成物はベルジャにも堆積す
る。図７は従来のベルジャの表面粗さを測定した結果を
示すグラフである。図７から明らかな如く従来のベルジ
ャの表面粗さは０〜0.6 ｋÅと滑らかであり、この範囲
に非常にゆるやかな凹凸が存在している。従ってベルジ
ャに堆積した生成物は、ここから容易に剥離してパーテ
ィクルを発生する。
る。図７は従来のベルジャの表面粗さを測定した結果を
示すグラフである。図７から明らかな如く従来のベルジ
ャの表面粗さは０〜0.6 ｋÅと滑らかであり、この範囲
に非常にゆるやかな凹凸が存在している。従ってベルジ
ャに堆積した生成物は、ここから容易に剥離してパーテ
ィクルを発生する。
【０００９】またベルジャに堆積した生成物及び防着板
に付着された生成物は、プラズマ加工の開始時及び終了
時の温度変化によって剥離し、パーティクルを発生する
といった問題があった。本発明はかかる問題に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところはベルジャ
からのパーティクルの発生を抑制し、また温度変化を緩
和してベルジャ及び防着板からのパーティクルの発生を
抑制するプラズマ装置を提供することにある。
に付着された生成物は、プラズマ加工の開始時及び終了
時の温度変化によって剥離し、パーティクルを発生する
といった問題があった。本発明はかかる問題に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところはベルジャ
からのパーティクルの発生を抑制し、また温度変化を緩
和してベルジャ及び防着板からのパーティクルの発生を
抑制するプラズマ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係るプラズ
マ装置にあっては、その内面を防護するベルジャを配設
したプラズマ生成室にて生成したプラズマを、その内面
への堆積物の付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試
料に導いてこれを加工するプラズマ装置において、前記
プラズマ生成室は前記堆積物を付着させるべく内面が粗
面加工されたベルジャを配設してあることを特徴とす
る。
マ装置にあっては、その内面を防護するベルジャを配設
したプラズマ生成室にて生成したプラズマを、その内面
への堆積物の付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試
料に導いてこれを加工するプラズマ装置において、前記
プラズマ生成室は前記堆積物を付着させるべく内面が粗
面加工されたベルジャを配設してあることを特徴とす
る。
【００１１】また第２の発明に係るプラズマ装置にあっ
ては、その内面を防護するベルジャを配設したプラズマ
生成室にて生成したプラズマを、その内面への堆積物の
付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に導いてこ
れを加工するプラズマ装置において、前記ベルジャ及び
防着板を加温する手段を備えることを特徴とする。
ては、その内面を防護するベルジャを配設したプラズマ
生成室にて生成したプラズマを、その内面への堆積物の
付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に導いてこ
れを加工するプラズマ装置において、前記ベルジャ及び
防着板を加温する手段を備えることを特徴とする。
【００１２】更に第３の発明に係るプラズマ装置にあっ
ては、その内面を防護するベルジャを配設したプラズマ
生成室にて生成したプラズマを、その内面への堆積物の
付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に導いてこ
れを加工するプラズマ装置において、前記プラズマ生成
室は前記粗面加工されたベルジャを配設してあり、かつ
該ベルジャ及び前記防着板を加温する手段を備えること
を特徴とする。
ては、その内面を防護するベルジャを配設したプラズマ
生成室にて生成したプラズマを、その内面への堆積物の
付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に導いてこ
れを加工するプラズマ装置において、前記プラズマ生成
室は前記粗面加工されたベルジャを配設してあり、かつ
該ベルジャ及び前記防着板を加温する手段を備えること
を特徴とする。
【００１３】
【作用】第１の発明のプラズマ装置は、プラズマ生成室
に堆積物をその内面に付着させる粗面加工されたベルジ
ャを配設してあるため、堆積物を付着し、付着した堆積
物がベルジャから剥離することを防止してパーティクル
の発生を抑制する。また第２の発明のプラズマ装置は、
プラズマ生成室内に配設されたベルジャ及び試料室内に
配設された防着板を加温する手段を備えるため、プラズ
マ処理の開始前から終了後のまでの間ベルジャ及び防着
板を加温することによって、プラズマ処理の開始時及び
終了時にあってはこれらの温度変化を緩和して堆積物の
剥離を防止し、またプラズマ処理時にあっては堆積物の
付着を抑制する。更に第３の発明のプラズマ装置は、第
１の発明に係る粗面加工されたベルジャと第２の発明に
係るベルジャ及び防着板を加温する手段とを備えるた
め、前記両作用を営んで更にパーティクルの発生を抑制
する。
に堆積物をその内面に付着させる粗面加工されたベルジ
ャを配設してあるため、堆積物を付着し、付着した堆積
物がベルジャから剥離することを防止してパーティクル
の発生を抑制する。また第２の発明のプラズマ装置は、
プラズマ生成室内に配設されたベルジャ及び試料室内に
配設された防着板を加温する手段を備えるため、プラズ
マ処理の開始前から終了後のまでの間ベルジャ及び防着
板を加温することによって、プラズマ処理の開始時及び
終了時にあってはこれらの温度変化を緩和して堆積物の
剥離を防止し、またプラズマ処理時にあっては堆積物の
付着を抑制する。更に第３の発明のプラズマ装置は、第
１の発明に係る粗面加工されたベルジャと第２の発明に
係るベルジャ及び防着板を加温する手段とを備えるた
め、前記両作用を営んで更にパーティクルの発生を抑制
する。
【００１４】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づい
て具体的に説明する。図１は本発明に係るＥＣＲプラズ
マ装置の例を示す模式的断面図であり、図中１は円筒状
のプラズマ生成室である。プラズマ生成室１の下方には
試料室３が連接されており、プラズマ生成室１の上部壁
中央にはここを封止する石英ガラスのマイクロ波導入窓
1aが、また試料室３との間を仕切る下部壁中央には前記
マイクロ波導入窓1aと対向する位置に円形のプラズマ引
出窓1bがそれぞれ備えられている。プラズマ生成室１内
には、その上部壁から側壁にわたって石英ガラス容器の
内面をフロスト処理して粗面加工されたベルジャ４が配
設されており、またプラズマ生成室１の外側にはこれを
加温する上部加温壁６が周設されている。上部加温壁６
は２重構造となっており、上端に接続された供給管6a及
び排出管6bから温流体を給排してプラズマ生成室１の外
面及びベルジャ４を加温すべくなされている。
て具体的に説明する。図１は本発明に係るＥＣＲプラズ
マ装置の例を示す模式的断面図であり、図中１は円筒状
のプラズマ生成室である。プラズマ生成室１の下方には
試料室３が連接されており、プラズマ生成室１の上部壁
中央にはここを封止する石英ガラスのマイクロ波導入窓
1aが、また試料室３との間を仕切る下部壁中央には前記
マイクロ波導入窓1aと対向する位置に円形のプラズマ引
出窓1bがそれぞれ備えられている。プラズマ生成室１内
には、その上部壁から側壁にわたって石英ガラス容器の
内面をフロスト処理して粗面加工されたベルジャ４が配
設されており、またプラズマ生成室１の外側にはこれを
加温する上部加温壁６が周設されている。上部加温壁６
は２重構造となっており、上端に接続された供給管6a及
び排出管6bから温流体を給排してプラズマ生成室１の外
面及びベルジャ４を加温すべくなされている。
【００１５】前記マイクロ波導入窓1aには他端を図示し
ない高周波発振器に接続した導波管２の一端を接続して
あり、また上部加温壁６の周囲及びプラズマ生成室１に
接続した導波管２の一端部にわたってこれらを取り囲む
ようにこれらと同心状に励磁コイル12を配設してある。
ない高周波発振器に接続した導波管２の一端を接続して
あり、また上部加温壁６の周囲及びプラズマ生成室１に
接続した導波管２の一端部にわたってこれらを取り囲む
ようにこれらと同心状に励磁コイル12を配設してある。
【００１６】試料室３の側壁には反応ガスを供給するた
めのガス供給管９及びガスを排気するための排気管11が
接続されている。また試料室３内にはプラズマ引出窓1b
に対向して載置台８が配設されており、載置台８上には
試料室３の側壁に開口されたウェハ等の試料Ｓを搬入す
る搬入口10から搬入された試料Ｓが静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置されている。
めのガス供給管９及びガスを排気するための排気管11が
接続されている。また試料室３内にはプラズマ引出窓1b
に対向して載置台８が配設されており、載置台８上には
試料室３の側壁に開口されたウェハ等の試料Ｓを搬入す
る搬入口10から搬入された試料Ｓが静電吸着等の手段に
て着脱可能に載置されている。
【００１７】プラズマ引出窓1bが開口された試料室３の
上部壁を除く試料室３の内面，載置台８の表面及び排気
管11の端部の内面には、フロスト処理を施された石英製
の防着板５が配設されており、試料室３の側壁，底壁及
び排気管11の端部の外面には、２重構造となった下部加
温壁７が配設されている。そして下部加温壁７に接続さ
れた供給管7a及び排出管7bから温流体を給排してこれら
を加温すべくなされている。
上部壁を除く試料室３の内面，載置台８の表面及び排気
管11の端部の内面には、フロスト処理を施された石英製
の防着板５が配設されており、試料室３の側壁，底壁及
び排気管11の端部の外面には、２重構造となった下部加
温壁７が配設されている。そして下部加温壁７に接続さ
れた供給管7a及び排出管7bから温流体を給排してこれら
を加温すべくなされている。
【００１８】このような装置にて試料Ｓ表面を加工する
場合は、供給管6a,7a 及び排出管6b,7b から温流体を上
部加温壁６及び下部加温壁７内に循環させて、ベルジャ
４及び防着板５を所定温度に加温した後、排気管11から
の吸引にて所要の真空度に設定したプラズマ生成室１及
び試料室３にガス供給管９より反応ガスを供給し、励磁
コイル12にて磁界を形成しつつプラズマ生成室１内にマ
イクロ波を導入してプラズマを生成し、生成したプラズ
マを励磁コイル12にて形成される発散磁界によって試料
室３内の載置台８上の試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面に
成膜及びエッチング等の処理を施す。
場合は、供給管6a,7a 及び排出管6b,7b から温流体を上
部加温壁６及び下部加温壁７内に循環させて、ベルジャ
４及び防着板５を所定温度に加温した後、排気管11から
の吸引にて所要の真空度に設定したプラズマ生成室１及
び試料室３にガス供給管９より反応ガスを供給し、励磁
コイル12にて磁界を形成しつつプラズマ生成室１内にマ
イクロ波を導入してプラズマを生成し、生成したプラズ
マを励磁コイル12にて形成される発散磁界によって試料
室３内の載置台８上の試料Ｓ周辺に導き、試料Ｓ表面に
成膜及びエッチング等の処理を施す。
【００１９】図２は本発明に係るベルジャの表面の粗さ
を測定した結果を示すグラフであり、その表面を段差計
にて測定したものである。図２から明らかな如く本発明
に係るフロスト処理したベルジャの表面粗さは、前述し
た従来の処理していないベルジャの場合の０〜0.6 ｋÅ
（図７参照）と比べて±80ｋÅと大幅に粗くなってお
り、また大きな凹凸及びその間にある細かい凹凸が共に
密に存在している。従ってフロスト処理したベルジャ４
は、プラズマ生成室１で生じる生成物をこの表面の凹凸
に強固に付着させることができるため、付着した生成物
の剥離を防止してパーティクルの発生を抑制する。
を測定した結果を示すグラフであり、その表面を段差計
にて測定したものである。図２から明らかな如く本発明
に係るフロスト処理したベルジャの表面粗さは、前述し
た従来の処理していないベルジャの場合の０〜0.6 ｋÅ
（図７参照）と比べて±80ｋÅと大幅に粗くなってお
り、また大きな凹凸及びその間にある細かい凹凸が共に
密に存在している。従ってフロスト処理したベルジャ４
は、プラズマ生成室１で生じる生成物をこの表面の凹凸
に強固に付着させることができるため、付着した生成物
の剥離を防止してパーティクルの発生を抑制する。
【００２０】また上部加温壁及び下部加温壁は、ベルジ
ャ及び防着板を反応生成物の沸点を越える所定温度に加
温する。反応生成物は用いた試料及び反応ガスによって
異なるが、例えばシリコンウェハの試料をCl2 ガスのプ
ラズマで処理した場合反応生成物としてSiCl4 が生成さ
れ、このSiCl4 の沸点は57.6℃であるため、前記ベルジ
ャ及び防着板の温度がこの温度を越えるように上部加温
壁及び下部加温壁に通流する流体の温度を設定する。こ
のようにすることによってベルジャ及び防着板におい
て、プラズマ加工の開始時及び終了時の温度変化を緩和
して温度変化による生成物の剥離を抑制し、また加工中
は生成物の付着量を減少させることができる。
ャ及び防着板を反応生成物の沸点を越える所定温度に加
温する。反応生成物は用いた試料及び反応ガスによって
異なるが、例えばシリコンウェハの試料をCl2 ガスのプ
ラズマで処理した場合反応生成物としてSiCl4 が生成さ
れ、このSiCl4 の沸点は57.6℃であるため、前記ベルジ
ャ及び防着板の温度がこの温度を越えるように上部加温
壁及び下部加温壁に通流する流体の温度を設定する。こ
のようにすることによってベルジャ及び防着板におい
て、プラズマ加工の開始時及び終了時の温度変化を緩和
して温度変化による生成物の剥離を抑制し、また加工中
は生成物の付着量を減少させることができる。
【００２１】次に本発明装置及び従来装置によって発生
するパーティクル数を測定した比較試験の結果について
説明する。図８は従来装置によって試料をプラズマ処理
した場合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増
加数を示すグラフである。試料にはレジストを堆積した
６インチウェハを、また反応ガスにはCl2 ／Ｏ2 混合ガ
スを用いた。またパーティクルの増加数は、予め0.3 μ
ｍ以上のパーティクル数を測定した試料を試料室の載置
台上に載置し、２分間プラズマ処理した後測定された0.
3 μｍ以上のパーティクル数より求めた。図８から明ら
かな如く従来装置では、パーティクルの増加数は最大で
略1,000 個、また平均で略100 個であった。
するパーティクル数を測定した比較試験の結果について
説明する。図８は従来装置によって試料をプラズマ処理
した場合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増
加数を示すグラフである。試料にはレジストを堆積した
６インチウェハを、また反応ガスにはCl2 ／Ｏ2 混合ガ
スを用いた。またパーティクルの増加数は、予め0.3 μ
ｍ以上のパーティクル数を測定した試料を試料室の載置
台上に載置し、２分間プラズマ処理した後測定された0.
3 μｍ以上のパーティクル数より求めた。図８から明ら
かな如く従来装置では、パーティクルの増加数は最大で
略1,000 個、また平均で略100 個であった。
【００２２】図３，４及び５は本発明装置によって前記
試料を同様にプラズマ処理した場合の処理枚数に対する
発生したパーティクルの増加数を示すグラフであり、図
３はフロスト処理していないベルジャを配設して上部加
温壁及び下部加温壁にて加温を行った場合を、図４はフ
ロスト処理したベルジャを配設して上部加温壁及び下部
加温壁にて加温を行わなかった場合を、また図５はフロ
スト処理したベルジャを配設して上部加温壁及び下部加
温壁にて加温を行った場合をそれぞれ示している。
試料を同様にプラズマ処理した場合の処理枚数に対する
発生したパーティクルの増加数を示すグラフであり、図
３はフロスト処理していないベルジャを配設して上部加
温壁及び下部加温壁にて加温を行った場合を、図４はフ
ロスト処理したベルジャを配設して上部加温壁及び下部
加温壁にて加温を行わなかった場合を、また図５はフロ
スト処理したベルジャを配設して上部加温壁及び下部加
温壁にて加温を行った場合をそれぞれ示している。
【００２３】図３から明らかな如く上部加温壁及び下部
加温壁にて加温を行った場合、パーティクルの増加数は
最大で略100 個、また平均で略50個であり、従来装置の
場合よりそれぞれ１／10及び１／２に減少している。ま
た図４から明らかな如くフロスト処理したベルジャを配
設した場合、パーティクルの増加数は最大で略50個、ま
た平均で略30個であり、それぞれ従来装置の場合より更
に減少している。更に図５から明らかな如く両者を共に
実施した場合、パーティクルの増加数は平均して低く、
その数は略30個以下であり、従来装置の場合よりパーテ
ィクルの増加数が大幅に減少している。
加温壁にて加温を行った場合、パーティクルの増加数は
最大で略100 個、また平均で略50個であり、従来装置の
場合よりそれぞれ１／10及び１／２に減少している。ま
た図４から明らかな如くフロスト処理したベルジャを配
設した場合、パーティクルの増加数は最大で略50個、ま
た平均で略30個であり、それぞれ従来装置の場合より更
に減少している。更に図５から明らかな如く両者を共に
実施した場合、パーティクルの増加数は平均して低く、
その数は略30個以下であり、従来装置の場合よりパーテ
ィクルの増加数が大幅に減少している。
【００２４】このように本発明装置は、フロスト処理し
たベルジャを用いた場合又は上部加温壁及び下部加温壁
を用いた場合だけでも良く、また両者を併用しても良
い。両者を併用した場合、パーティクルの発生を最も抑
制する。
たベルジャを用いた場合又は上部加温壁及び下部加温壁
を用いた場合だけでも良く、また両者を併用しても良
い。両者を併用した場合、パーティクルの発生を最も抑
制する。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明のプラズマ装置
にあっては、パーティクルの発生を抑制して製品の信頼
性及び歩留まりを向上する等、本発明は優れた効果を奏
する。
にあっては、パーティクルの発生を抑制して製品の信頼
性及び歩留まりを向上する等、本発明は優れた効果を奏
する。
【図１】本発明に係るＥＣＲプラズマ装置の例を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】本発明に係るベルジャの表面の粗さを測定した
結果を示すグラフである。
結果を示すグラフである。
【図３】本発明装置によって試料をプラズマ処理した場
合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を
示すグラフである。
合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を
示すグラフである。
【図４】本発明装置によって試料をプラズマ処理した場
合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を
示すグラフである。
合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を
示すグラフである。
【図５】本発明装置によって試料をプラズマ処理した場
合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を
示すグラフである。
合の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を
示すグラフである。
【図６】従来のＥＣＲプラズマ装置を示す模式的断面図
である。
である。
【図７】従来のベルジャの表面粗さを測定した結果を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】従来装置によって試料をプラズマ処理した場合
の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を示
すグラフである。
の処理枚数に対する発生したパーティクルの増加数を示
すグラフである。
１ プラズマ生成室 ２ 導波管 ３ 試料室 ４ ベルジャ ５ 防着板 ６ 上部加温壁 ７ 下部加温壁 ８ 載置台 １１ 排気管 Ｓ 試料
Claims (3)
- 【請求項１】 その内面を防護するベルジャを配設した
プラズマ生成室にて生成したプラズマを、その内面への
堆積物の付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に
導いてこれを加工するプラズマ装置において、 前記プラズマ生成室は前記堆積物を付着させるべく内面
が粗面加工されたベルジャを配設してあることを特徴と
するプラズマ装置。 - 【請求項２】 その内面を防護するベルジャを配設した
プラズマ生成室にて生成したプラズマを、その内面への
堆積物の付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に
導いてこれを加工するプラズマ装置において、 前記ベルジャ及び防着板を加温する手段を備えることを
特徴とするプラズマ装置。 - 【請求項３】 その内面を防護するベルジャを配設した
プラズマ生成室にて生成したプラズマを、その内面への
堆積物の付着を防ぐ防着板を配設した試料室内の試料に
導いてこれを加工するプラズマ装置において、 前記プラズマ生成室は前記粗面加工されたベルジャを配
設してあり、かつ該ベルジャ及び前記防着板を加温する
手段を備えることを特徴とするプラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357467A JPH06196421A (ja) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4357467A JPH06196421A (ja) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196421A true JPH06196421A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18454278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4357467A Pending JPH06196421A (ja) | 1992-12-23 | 1992-12-23 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196421A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6007673A (en) * | 1996-10-02 | 1999-12-28 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method of producing an electronic device |
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| US6215087B1 (en) | 1996-11-14 | 2001-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma film forming method and plasma film forming apparatus |
| JP2001102365A (ja) * | 1999-07-29 | 2001-04-13 | Kyocera Corp | 真空容器及びその製造方法 |
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| JP2007012560A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Tateyama Machine Kk | プラズマ処理装置 |
| CN100440452C (zh) * | 2004-07-20 | 2008-12-03 | 夏普株式会社 | 等离子体处理装置 |
| US7494723B2 (en) | 2005-07-29 | 2009-02-24 | Tocalo Co., Ltd. | Y2O3 spray-coated member and production method thereof |
| US7648782B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-01-19 | Tokyo Electron Limited | Ceramic coating member for semiconductor processing apparatus |
| US7767268B2 (en) | 2005-09-08 | 2010-08-03 | Tocalo Co., Ltd. | Spray-coated member having an excellent resistance to plasma erosion and method of producing the same |
| US7850864B2 (en) | 2006-03-20 | 2010-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma treating apparatus and plasma treating method |
-
1992
- 1992-12-23 JP JP4357467A patent/JPH06196421A/ja active Pending
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