JP2003270687A - 周期分極反転構造の形成方法、周期分極反転構造および光導波路素子 - Google Patents
周期分極反転構造の形成方法、周期分極反転構造および光導波路素子Info
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Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けられた第
一の電極と、この第一の電極と対向するように基板に設
けられた第二の電極との間に電圧を印加することによ
り、基板内に周期分極反転構造を形成するのに際して、
電圧印加の際に強誘電体単結晶にダメージが発生するの
を抑制する。 【解決手段】第一の電極が、周期的に配列された複数の
電極片２からなる電極片配列体３２、電極片２に対して
給電するための給電電極１、および給電電極１に対して
接続されているプロービングパッドを備えている。給電
電極１のプロービングパッドとは反対側の終端部１ｂ
に、電極片２の幅よりも大きい幅を有する拡幅片部７を
備えている。
一の電極と、この第一の電極と対向するように基板に設
けられた第二の電極との間に電圧を印加することによ
り、基板内に周期分極反転構造を形成するのに際して、
電圧印加の際に強誘電体単結晶にダメージが発生するの
を抑制する。 【解決手段】第一の電極が、周期的に配列された複数の
電極片２からなる電極片配列体３２、電極片２に対して
給電するための給電電極１、および給電電極１に対して
接続されているプロービングパッドを備えている。給電
電極１のプロービングパッドとは反対側の終端部１ｂ
に、電極片２の幅よりも大きい幅を有する拡幅片部７を
備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば擬似位相整
合方式の第二高調波発生デバイスに適した光導波路素子
の製造に利用できる、周期分極反転構造の形成に関する
ものである。
合方式の第二高調波発生デバイスに適した光導波路素子
の製造に利用できる、周期分極反転構造の形成に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】光情報処理技術全般において、高密度光
記録を実現するためには、波長４００−４３０ｎｍ程度
の青色光を，３０ｍＷ以上の出力で安定的に発振する青
色光レーザーが要望されており、開発競争が行われてい
る。青色光光源としては、赤色光を基本波として発振す
るレーザーと、疑似位相整合方式の第二高調波発生素子
とを組み合わせた光導波路型の波長変換素子が期待され
ている。
記録を実現するためには、波長４００−４３０ｎｍ程度
の青色光を，３０ｍＷ以上の出力で安定的に発振する青
色光レーザーが要望されており、開発競争が行われてい
る。青色光光源としては、赤色光を基本波として発振す
るレーザーと、疑似位相整合方式の第二高調波発生素子
とを組み合わせた光導波路型の波長変換素子が期待され
ている。
【０００３】このような素子を製造するためには、所定
の周期を有する周期分極反転構造を素子内に形成するこ
とが必要である。この方法としては、いわゆる電圧印加
法が知られている。図１７は、電圧印加法によって、強
誘電体単結晶基板４内に周期分極反転構造を形成するプ
ロセスを模式的に示す斜視図である。
の周期を有する周期分極反転構造を素子内に形成するこ
とが必要である。この方法としては、いわゆる電圧印加
法が知られている。図１７は、電圧印加法によって、強
誘電体単結晶基板４内に周期分極反転構造を形成するプ
ロセスを模式的に示す斜視図である。
【０００４】この方法においては、強誘電体単結晶から
なるオフカット基板４を使用する。基板４の表面４ａに
第一の電極３０および第三の電極３１を形成し、裏面４
ｂに第二の電極（一様電極）８Ａを形成する。第一の電
極３０は、複数の周期的に配列された細長い電極片２
と、多数の電極片を接続する細長い給電電極１とからな
る。第三の電極３１は細長い対向電極片５からなってお
り、対向電極片５は、電極片２の先端に対向するように
設けられている。
なるオフカット基板４を使用する。基板４の表面４ａに
第一の電極３０および第三の電極３１を形成し、裏面４
ｂに第二の電極（一様電極）８Ａを形成する。第一の電
極３０は、複数の周期的に配列された細長い電極片２
と、多数の電極片を接続する細長い給電電極１とからな
る。第三の電極３１は細長い対向電極片５からなってお
り、対向電極片５は、電極片２の先端に対向するように
設けられている。
【０００５】この基板を構成する強誘電体単結晶の分極
方向Ｂは、主面４ａ、４ｂに対して所定角度、例えば５
°傾斜しているので、オフカット基板と呼ばれている。
最初に基板４の全体を１５Ｂの方向に分極させておく。
そして、例えば電極３０と３１との間にＶ１の電圧を印
加し、電極３０と電極８Ａとの間にＶ２の電圧を印加す
ると、各電極片２の先端から分極反転部３３が矢印Ｂと
平行に徐々に進展する。分極反転部３３における分極方
向１５Ａは、１５Ｂとは正反対になる。
方向Ｂは、主面４ａ、４ｂに対して所定角度、例えば５
°傾斜しているので、オフカット基板と呼ばれている。
最初に基板４の全体を１５Ｂの方向に分極させておく。
そして、例えば電極３０と３１との間にＶ１の電圧を印
加し、電極３０と電極８Ａとの間にＶ２の電圧を印加す
ると、各電極片２の先端から分極反転部３３が矢印Ｂと
平行に徐々に進展する。分極反転部３３における分極方
向１５Ａは、１５Ｂとは正反対になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、電圧印加
法によって、例えばニオブ酸リチウムやタンタル酸リチ
ウム単結晶基板に周期分極反転構造を形成しようと試み
てきた。しかし、この過程で、電極片の先端から十分な
深さの分極反転部を形成できるようなパルス電圧を印加
すると、強誘電体単結晶基板（あるいはウエハー）にダ
メージが発生することがあった。このダメージは、例え
ば図１６に丸印中に示すようなダメージである。こうし
た強誘電体単結晶のダメージは、素子特性や他のプロセ
スに悪影響を及ぼす。具体的には、第二高調波発生素子
（ＳＨＧ素子）を作製すると、第二高調波出力の低下お
よび歩留りの低下が生ずる。また、光導波路を加工によ
って形成した後には、ＫＯＨなどによってエッチング洗
浄を行う。この際、ダメージ個所からＫＯＨエッチャン
トがしみ込み、アンダークラッドであるＳｉＯ２層を侵
食することがあった。
法によって、例えばニオブ酸リチウムやタンタル酸リチ
ウム単結晶基板に周期分極反転構造を形成しようと試み
てきた。しかし、この過程で、電極片の先端から十分な
深さの分極反転部を形成できるようなパルス電圧を印加
すると、強誘電体単結晶基板（あるいはウエハー）にダ
メージが発生することがあった。このダメージは、例え
ば図１６に丸印中に示すようなダメージである。こうし
た強誘電体単結晶のダメージは、素子特性や他のプロセ
スに悪影響を及ぼす。具体的には、第二高調波発生素子
（ＳＨＧ素子）を作製すると、第二高調波出力の低下お
よび歩留りの低下が生ずる。また、光導波路を加工によ
って形成した後には、ＫＯＨなどによってエッチング洗
浄を行う。この際、ダメージ個所からＫＯＨエッチャン
トがしみ込み、アンダークラッドであるＳｉＯ２層を侵
食することがあった。
【０００７】本発明の課題は、強誘電体単結晶基板の一
表面上に設けられた第一の電極と、この第一の電極と対
向するように基板に設けられた第二の電極との間に電圧
を印加することにより、強誘電体単結晶基板内に周期分
極反転構造を形成するのに際して、電圧印加の際に強誘
電体単結晶にダメージが発生するのを抑制することであ
る。
表面上に設けられた第一の電極と、この第一の電極と対
向するように基板に設けられた第二の電極との間に電圧
を印加することにより、強誘電体単結晶基板内に周期分
極反転構造を形成するのに際して、電圧印加の際に強誘
電体単結晶にダメージが発生するのを抑制することであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】以下、各態様の発明につ
いて、図面を参照しつつ順次説明する。
いて、図面を参照しつつ順次説明する。
【０００９】第一の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との
間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転
構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的に
配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極片
に対して給電するための給電電極、および給電電極に対
して接続されているプロービングパッドを備えており、
給電電極のプロービングパッドとは反対側の終端部に電
極片の幅よりも大きい幅を有する拡幅片部を備えている
ことを特徴とする。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との
間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転
構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的に
配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極片
に対して給電するための給電電極、および給電電極に対
して接続されているプロービングパッドを備えており、
給電電極のプロービングパッドとは反対側の終端部に電
極片の幅よりも大きい幅を有する拡幅片部を備えている
ことを特徴とする。
【００１０】この態様において好ましくは、拡幅片部の
末端のコーナー部の輪郭が湾曲している。
末端のコーナー部の輪郭が湾曲している。
【００１１】最初に、本発明者は、図１５に示すような
設計の電極を用い、電圧印加法によって周期分極反転構
造を形成した。ここで、強誘電体単結晶基板の裏面側の
第二の電極は、裏面全体に設けられた一様電極８Ａであ
る（図１７参照）。第一の電極３０および第三の電極３
１の平面的パターンを図１５に示す。第一の電極３０に
おいては、複数列、例えば３列の細長い給電電極１Ａ、
１Ｂ、１Ｃの各終端部が、共通のプロービングパッド６
に対して接続されている。各給電電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃ
には、それぞれ多数の細長い電極片２が形成されてい
る。これらの電極片２は、目的とする周期分極反転構造
の周期に合わせて一定周期で形成されており、給電電極
の長手方向へと向かって多数配列されており、これによ
って電極片配列体３２を構成している。３２ａは、電極
片配列体３２の一方の終端部であり、３２ｂは、電極片
配列体３２の他方の終端部である。
設計の電極を用い、電圧印加法によって周期分極反転構
造を形成した。ここで、強誘電体単結晶基板の裏面側の
第二の電極は、裏面全体に設けられた一様電極８Ａであ
る（図１７参照）。第一の電極３０および第三の電極３
１の平面的パターンを図１５に示す。第一の電極３０に
おいては、複数列、例えば３列の細長い給電電極１Ａ、
１Ｂ、１Ｃの各終端部が、共通のプロービングパッド６
に対して接続されている。各給電電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃ
には、それぞれ多数の細長い電極片２が形成されてい
る。これらの電極片２は、目的とする周期分極反転構造
の周期に合わせて一定周期で形成されており、給電電極
の長手方向へと向かって多数配列されており、これによ
って電極片配列体３２を構成している。３２ａは、電極
片配列体３２の一方の終端部であり、３２ｂは、電極片
配列体３２の他方の終端部である。
【００１２】第三の電極３１は、複数列、例えば４列の
対向電極片５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄと、これらの対向電
極片に接続されている共通の給電電極１０とを備えてい
る。各対向電極片５Ａ、５Ｂ、５Ｃは、それぞれ、各電
極片配列体３２と所定間隔をおいて対向している。対向
電極片５Ｄは給電電極１Ｃと対向している。
対向電極片５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄと、これらの対向電
極片に接続されている共通の給電電極１０とを備えてい
る。各対向電極片５Ａ、５Ｂ、５Ｃは、それぞれ、各電
極片配列体３２と所定間隔をおいて対向している。対向
電極片５Ｄは給電電極１Ｃと対向している。
【００１３】本発明者は、第三の電極３１を浮動状態と
し、第一の電極と第二の電極との間に数ｋＶのパルス状
の電圧を印加し、周期分極反転構造の形成を試みた。と
ころが、強誘電体単結晶内にダメージが発生することが
あった。例えば図１６に示すように、電極片配列体３２
のプロービングパッド６と反対側の終端部３２ｂ付近、
給電電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃのプロービングパッド６側と
反対側の終端部１ｂにおいて、ウエハーにダメージが生
じることがあった。
し、第一の電極と第二の電極との間に数ｋＶのパルス状
の電圧を印加し、周期分極反転構造の形成を試みた。と
ころが、強誘電体単結晶内にダメージが発生することが
あった。例えば図１６に示すように、電極片配列体３２
のプロービングパッド６と反対側の終端部３２ｂ付近、
給電電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃのプロービングパッド６側と
反対側の終端部１ｂにおいて、ウエハーにダメージが生
じることがあった。
【００１４】なお、図１６においては、電極片配列体の
終端部３２ｂ付近の写真を示す。この写真を撮影する際
には、周期分極反転構造を形成した後に、フッ硝酸によ
ってウエハーの表面をエッチングし、電極３０、３１を
取り除いてある。また、強誘電体単結晶は、ＭｇＯが５
％添加されたLiNbO3である。この写真において、丸印の
黒く観察されているところがダメージである。
終端部３２ｂ付近の写真を示す。この写真を撮影する際
には、周期分極反転構造を形成した後に、フッ硝酸によ
ってウエハーの表面をエッチングし、電極３０、３１を
取り除いてある。また、強誘電体単結晶は、ＭｇＯが５
％添加されたLiNbO3である。この写真において、丸印の
黒く観察されているところがダメージである。
【００１５】第一の態様においては、例えば図１に示す
ように、第一の電極において、周期的に配列された複数
の電極片２からなる電極片配列体３２、電極片２に対し
て給電するための給電電極１、および給電電極１に対し
て接続されているプロービングパッドを設ける。この
際、給電電極１のプロービングパッドとは反対側の終端
部１ｂに、電極片２の幅ａよりも大きい幅ｂを有する拡
幅片部７を設ける。好ましくは、拡幅片部のコーナー部
７ａ、７ｂの輪郭を湾曲させ、角をとった。
ように、第一の電極において、周期的に配列された複数
の電極片２からなる電極片配列体３２、電極片２に対し
て給電するための給電電極１、および給電電極１に対し
て接続されているプロービングパッドを設ける。この
際、給電電極１のプロービングパッドとは反対側の終端
部１ｂに、電極片２の幅ａよりも大きい幅ｂを有する拡
幅片部７を設ける。好ましくは、拡幅片部のコーナー部
７ａ、７ｂの輪郭を湾曲させ、角をとった。
【００１６】このような形状とすることで、電圧印加の
際に、電極片配列体３２の終端部３２ｂおよび給電電極
１の終端部１ｂ付近における電荷の集中が緩和され、ダ
メージを回避することが可能となった。
際に、電極片配列体３２の終端部３２ｂおよび給電電極
１の終端部１ｂ付近における電荷の集中が緩和され、ダ
メージを回避することが可能となった。
【００１７】図２には、図１６と同様の写真を示す。こ
こで、図１に示すような形態の第一の電極を使用してお
り、強誘電体単結晶は、ＭｇＯが５％添加されたLiNbO3
である。図１６において観察された黒いダメージが生じ
ていないことを確認できる。なお、この実施例において
は、各電極片２の幅ａを０．３μｍとし、周期Λを２．
８μｍとし、長さを１００μｍとした。また、拡幅片部
７の幅ｂを５０μｍとした。コーナー部７ａ、７ｂの輪
郭は、長径１００μｍ、短径５０μｍの楕円状とした。
拡幅片部７の長さは１００μｍであり、電極片２の長さ
と同じである。
こで、図１に示すような形態の第一の電極を使用してお
り、強誘電体単結晶は、ＭｇＯが５％添加されたLiNbO3
である。図１６において観察された黒いダメージが生じ
ていないことを確認できる。なお、この実施例において
は、各電極片２の幅ａを０．３μｍとし、周期Λを２．
８μｍとし、長さを１００μｍとした。また、拡幅片部
７の幅ｂを５０μｍとした。コーナー部７ａ、７ｂの輪
郭は、長径１００μｍ、短径５０μｍの楕円状とした。
拡幅片部７の長さは１００μｍであり、電極片２の長さ
と同じである。
【００１８】第一の態様の発明においては、拡幅片部７
の幅ｂと電極片２の幅ａとの比率ｂ／ａは、ダメージ防
止という観点からは30以上であることが好ましく、100
以上であることが更に好ましい。ｂ／ａの上限は特にな
いが、拡幅片部７の幅をある程度以上大きくしても、ダ
メージ防止の効果への寄与は少なく、かえって材料の無
駄が生ずるので、この観点からはｂ／ａは1000以下であ
ることが好ましい。
の幅ｂと電極片２の幅ａとの比率ｂ／ａは、ダメージ防
止という観点からは30以上であることが好ましく、100
以上であることが更に好ましい。ｂ／ａの上限は特にな
いが、拡幅片部７の幅をある程度以上大きくしても、ダ
メージ防止の効果への寄与は少なく、かえって材料の無
駄が生ずるので、この観点からはｂ／ａは1000以下であ
ることが好ましい。
【００１９】コーナー部７ａ、７ｂの輪郭の形態は、湾
曲していれば特に限定されない。しかし、真円形、楕円
形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線（余弦曲
線）であることが好ましい。また、この輪郭の曲率半径
は、2〜50μｍとすることが好ましい。
曲していれば特に限定されない。しかし、真円形、楕円
形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線（余弦曲
線）であることが好ましい。また、この輪郭の曲率半径
は、2〜50μｍとすることが好ましい。
【００２０】第二の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との
間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転
構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的に
配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極片
に対して給電するための給電電極、および給電電極に対
して接続されているプロービングパッドを備えており、
給電電極のプロービングパッドとは反対側の終端部の外
側に、給電電極と接続されていない浮動電極を備えてい
ることを特徴とする。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との
間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転
構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的に
配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極片
に対して給電するための給電電極、および給電電極に対
して接続されているプロービングパッドを備えており、
給電電極のプロービングパッドとは反対側の終端部の外
側に、給電電極と接続されていない浮動電極を備えてい
ることを特徴とする。
【００２１】好適な実施形態においては、複数の浮動電
極が、電極片の配列方向に向かって配列されている。
極が、電極片の配列方向に向かって配列されている。
【００２２】図３は、この実施形態において、給電電極
１のプロービングパッドとは反対側の終端部１ｂおよび
その周辺の平面的パターンを示す。本例においては、電
極片配列体３２の終端部３２ｂの外側に、給電電極１に
対して接続されていない細長い浮動電極３Ａ〜３Ｆが形
成され、配列されている。各浮動電極は細長いストライ
プ状である。そして、複数の浮動電極３Ａ、３Ｆが、電
極片２の配列方向Ａに向かって配列されている。
１のプロービングパッドとは反対側の終端部１ｂおよび
その周辺の平面的パターンを示す。本例においては、電
極片配列体３２の終端部３２ｂの外側に、給電電極１に
対して接続されていない細長い浮動電極３Ａ〜３Ｆが形
成され、配列されている。各浮動電極は細長いストライ
プ状である。そして、複数の浮動電極３Ａ、３Ｆが、電
極片２の配列方向Ａに向かって配列されている。
【００２３】このようなパターンであっても、給電電極
の終端部１ｂおよび電極片配列体３２の終端部３２ｂの
周辺の電気抵抗が大きくなり、電荷の集中が緩和され、
ダメージを回避することが可能となった。
の終端部１ｂおよび電極片配列体３２の終端部３２ｂの
周辺の電気抵抗が大きくなり、電荷の集中が緩和され、
ダメージを回避することが可能となった。
【００２４】図４には、図１６と同様の写真を示す。こ
こで、図３に示すような形態の第一の電極を使用してお
り、強誘電体単結晶は、ＭｇＯが５％添加されたLiNbO3
である。図１６において観察された黒いダメージが生じ
ていないことを確認できる。なお、この実施例において
は、各電極片２の幅ａを０．３μｍとし、周期Λを２．
８μｍとし、長さを１００μｍとした。また、浮動電極
３Ａ〜３Ｆの幅を０．３μｍとし、周期を２．８μｍと
した。浮動電極３Ａの長さｄｍを150μｍとし、最も外
側の浮動電極３Ｆの長さｄｅを50μｍとした。ただし、
浮動電極３Ａから最も外側の浮動電極３Ｆまでの合計距
離は100μｍであり、従って浮動電極の本数は６本では
ないことを注意する。
こで、図３に示すような形態の第一の電極を使用してお
り、強誘電体単結晶は、ＭｇＯが５％添加されたLiNbO3
である。図１６において観察された黒いダメージが生じ
ていないことを確認できる。なお、この実施例において
は、各電極片２の幅ａを０．３μｍとし、周期Λを２．
８μｍとし、長さを１００μｍとした。また、浮動電極
３Ａ〜３Ｆの幅を０．３μｍとし、周期を２．８μｍと
した。浮動電極３Ａの長さｄｍを150μｍとし、最も外
側の浮動電極３Ｆの長さｄｅを50μｍとした。ただし、
浮動電極３Ａから最も外側の浮動電極３Ｆまでの合計距
離は100μｍであり、従って浮動電極の本数は６本では
ないことを注意する。
【００２５】第二の態様の発明においては、浮動電極の
長さｄが、給電電極に最も近い浮動電極３Ａから末端の
浮動電極３Ｆへと向かって小さくなっていることが好ま
しい。これによって、末端の浮動電極３Ｆに近づくのに
つれて電気抵抗が増大し、電荷の局部的な集中を抑制す
るのに効果的である。
長さｄが、給電電極に最も近い浮動電極３Ａから末端の
浮動電極３Ｆへと向かって小さくなっていることが好ま
しい。これによって、末端の浮動電極３Ｆに近づくのに
つれて電気抵抗が増大し、電荷の局部的な集中を抑制す
るのに効果的である。
【００２６】この場合には、給電電極１に最も近い浮動
電極３Ａの長さｄｍと、末端の浮動電極３Ｆの長さｄｅ
との比率ｄｍ／ｄｅは、電荷の局部的な集中を抑制する
という観点からは1.2以上であることが好ましく、3.0以
上であることが更に好ましい。
電極３Ａの長さｄｍと、末端の浮動電極３Ｆの長さｄｅ
との比率ｄｍ／ｄｅは、電荷の局部的な集中を抑制する
という観点からは1.2以上であることが好ましく、3.0以
上であることが更に好ましい。
【００２７】また、好適な実施形態においては、複数の
浮動電極の各端部を結ぶ仮想線が、給電電極に最も近い
浮動電極から最も遠い浮動電極へと向かって湾曲してい
る。例えば、図５に示す例では、浮動電極３Ａ〜３Ｇの
各端部を結ぶ仮想線３５が、給電電極１に最も近い浮動
電極３Ａから末端の浮動電極３Ｇへと向かって湾曲して
いる。この湾曲形状は特に限定されない。しかし、真円
形、楕円形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線
（余弦曲線）であることが好ましい。この場合には、浮
動電極における電気抵抗値が末端の浮動電極へと向かっ
て段階的に増大するので、電荷の局部的な集中を抑制す
るという観点からは一層好ましい。
浮動電極の各端部を結ぶ仮想線が、給電電極に最も近い
浮動電極から最も遠い浮動電極へと向かって湾曲してい
る。例えば、図５に示す例では、浮動電極３Ａ〜３Ｇの
各端部を結ぶ仮想線３５が、給電電極１に最も近い浮動
電極３Ａから末端の浮動電極３Ｇへと向かって湾曲して
いる。この湾曲形状は特に限定されない。しかし、真円
形、楕円形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線
（余弦曲線）であることが好ましい。この場合には、浮
動電極における電気抵抗値が末端の浮動電極へと向かっ
て段階的に増大するので、電荷の局部的な集中を抑制す
るという観点からは一層好ましい。
【００２８】また、好適な実施形態においては、複数の
浮動電極の幅が、給電電極に最も近い浮動電極から末端
の浮動電極へと向かって小さくなっている。この場合に
も、浮動電極における電気抵抗値が末端の浮動電極へと
向かって増大するので、電荷の局部的な集中を抑制する
という観点から好ましい。例えば、図６に示す例におい
ては、浮動電極の幅ｅが、給電電極１に最も近い浮動電
極から末端の浮動電極へと向かって小さくなっている。
浮動電極の幅が、給電電極に最も近い浮動電極から末端
の浮動電極へと向かって小さくなっている。この場合に
も、浮動電極における電気抵抗値が末端の浮動電極へと
向かって増大するので、電荷の局部的な集中を抑制する
という観点から好ましい。例えば、図６に示す例におい
ては、浮動電極の幅ｅが、給電電極１に最も近い浮動電
極から末端の浮動電極へと向かって小さくなっている。
【００２９】本実施形態においては、給電電極１に最も
近い浮動電極３Ａの幅ｅｍと、末端の浮動電極３Ｇの幅
ｅｅとの比率ｅｍ／ｅｅは、電荷の局部的な集中を抑制
するという観点からは1.5以上であることが好ましく、
3.0以上であることが更に好ましい。
近い浮動電極３Ａの幅ｅｍと、末端の浮動電極３Ｇの幅
ｅｅとの比率ｅｍ／ｅｅは、電荷の局部的な集中を抑制
するという観点からは1.5以上であることが好ましく、
3.0以上であることが更に好ましい。
【００３０】また、好適な実施形態においては、隣接す
る浮動電極の間隔が、給電電極に最も近い浮動電極から
最も遠い浮動電極へと向かって大きくなっている。この
場合にも、浮動電極における電気抵抗値が末端の浮動電
極へと向かって増大するので、電荷の局部的な集中を抑
制するという観点から好ましい。例えば、図７に示す例
においては、隣接する浮動電極の間隔ｆが、給電電極に
最も近い浮動電極から末端の浮動電極へと向かって大き
くなっている。
る浮動電極の間隔が、給電電極に最も近い浮動電極から
最も遠い浮動電極へと向かって大きくなっている。この
場合にも、浮動電極における電気抵抗値が末端の浮動電
極へと向かって増大するので、電荷の局部的な集中を抑
制するという観点から好ましい。例えば、図７に示す例
においては、隣接する浮動電極の間隔ｆが、給電電極に
最も近い浮動電極から末端の浮動電極へと向かって大き
くなっている。
【００３１】本実施形態においては、給電電極１に最も
近い浮動電極３Ａと隣接の浮動電極３Ｂとの間隔ｆｍ
と、末端の浮動電極３Ｅと隣接の浮動電極３Ｄとの間隔
ｆｅとの比率ｆｍ／ｆｅは、電荷の局部的な集中を抑制
するという観点からは1.2以上であることが好ましく、2
以上であることが更に好ましい。
近い浮動電極３Ａと隣接の浮動電極３Ｂとの間隔ｆｍ
と、末端の浮動電極３Ｅと隣接の浮動電極３Ｄとの間隔
ｆｅとの比率ｆｍ／ｆｅは、電荷の局部的な集中を抑制
するという観点からは1.2以上であることが好ましく、2
以上であることが更に好ましい。
【００３２】第三の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、基板の裏面
上に設けられた第二の電極との間に電圧を印加すること
により、基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片
からなる電極片配列体、電極片に対して給電するための
給電電極、および給電電極に対して接続されているプロ
ービングパッドを備えており、一表面に第一の電極と第
二の電極とを投影したときに、第二の電極の少なくとも
一方の終端部が電極片配列体の終端の内側に配置されて
いることを特徴とする。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、基板の裏面
上に設けられた第二の電極との間に電圧を印加すること
により、基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片
からなる電極片配列体、電極片に対して給電するための
給電電極、および給電電極に対して接続されているプロ
ービングパッドを備えており、一表面に第一の電極と第
二の電極とを投影したときに、第二の電極の少なくとも
一方の終端部が電極片配列体の終端の内側に配置されて
いることを特徴とする。
【００３３】図８、図９を参照しつつ、本態様の発明に
ついて更に説明する。本例では、強誘電体単結晶からな
るオフカット基板４を使用する。基板４の表面４ａに第
一の電極３０および第三の電極３１を形成し、裏面４ｂ
に第二の電極（一様電極）８を形成する。第一の電極３
０は、複数の周期的に配列された細長い電極片２と、多
数の電極片を接続する細長い給電電極１と、給電電極１
の終端部に接続されたプロービングパッド６とを備えて
いる。第三の電極は細長い対向電極片５からなってお
り，対向電極片５は、電極片２の先端に対向するように
設けられている。
ついて更に説明する。本例では、強誘電体単結晶からな
るオフカット基板４を使用する。基板４の表面４ａに第
一の電極３０および第三の電極３１を形成し、裏面４ｂ
に第二の電極（一様電極）８を形成する。第一の電極３
０は、複数の周期的に配列された細長い電極片２と、多
数の電極片を接続する細長い給電電極１と、給電電極１
の終端部に接続されたプロービングパッド６とを備えて
いる。第三の電極は細長い対向電極片５からなってお
り，対向電極片５は、電極片２の先端に対向するように
設けられている。
【００３４】ここで、裏面上の第二の電極８の形態を図
９に点線で示す。そして、第一の電極および第二の電極
を共通の平面４ａに投影すると、第二の電極８の終端部
８ａ、８ｂが、電極片配列体３２の終端部３２ａ、３２
ｂの内側に配置されている。なお、この要件は、第二の
電極８の終端部８ａで満足されているか、あるいは、終
端部８ｂで満足されていれば良い。
９に点線で示す。そして、第一の電極および第二の電極
を共通の平面４ａに投影すると、第二の電極８の終端部
８ａ、８ｂが、電極片配列体３２の終端部３２ａ、３２
ｂの内側に配置されている。なお、この要件は、第二の
電極８の終端部８ａで満足されているか、あるいは、終
端部８ｂで満足されていれば良い。
【００３５】このように構成することで、表面電極３０
と裏面電極８との間で電圧を印加したときに、電極片配
列体３２の終端部３２ａ、３２ｂにおいて裏面の電極８
との重複がないので、終端部３２ａ、３２ｂに電荷が集
中しにくく、ダメージを回避することが可能である。
と裏面電極８との間で電圧を印加したときに、電極片配
列体３２の終端部３２ａ、３２ｂにおいて裏面の電極８
との重複がないので、終端部３２ａ、３２ｂに電荷が集
中しにくく、ダメージを回避することが可能である。
【００３６】終端部３２ａと８ａとの間隔、あるいは、
終端部３２ｂと８ｂとの間隔ｇは、終端部における電荷
の集中を抑制し、ダメージを防止するという観点から
は、０．６ｍｍ以上が好ましく、１．０ｍｍ以上が更に
好ましい。
終端部３２ｂと８ｂとの間隔ｇは、終端部における電荷
の集中を抑制し、ダメージを防止するという観点から
は、０．６ｍｍ以上が好ましく、１．０ｍｍ以上が更に
好ましい。
【００３７】第四の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、基板の裏面
上に設けられた第二の電極との間に電圧を印加すること
により、基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片
からなる電極片配列体、電極片に対して給電するための
給電電極、および給電電極に対して接続されているプロ
ービングパッドを備えており、一表面に第三の電極が設
けられており、この第三の電極が、電極片配列体と対向
する対向電極片を備えており、対向電極片の少なくとも
一方の終端が電極片配列体の終端の内側に配置されてい
る。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、基板の裏面
上に設けられた第二の電極との間に電圧を印加すること
により、基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片
からなる電極片配列体、電極片に対して給電するための
給電電極、および給電電極に対して接続されているプロ
ービングパッドを備えており、一表面に第三の電極が設
けられており、この第三の電極が、電極片配列体と対向
する対向電極片を備えており、対向電極片の少なくとも
一方の終端が電極片配列体の終端の内側に配置されてい
る。
【００３８】この態様において好ましくは、第三の電極
が、対向電極片に接続されている導電性接続部を備えて
いる。
が、対向電極片に接続されている導電性接続部を備えて
いる。
【００３９】このような構成することで、電極片配列体
の終端部およびその周辺における電荷の集中を抑制で
き、これによって強誘電体単結晶のダメージを防止でき
る。
の終端部およびその周辺における電荷の集中を抑制で
き、これによって強誘電体単結晶のダメージを防止でき
る。
【００４０】図１０は、この態様の実施例の電極パター
ンを示す。第一の電極３０が、周期的に配列された複数
の電極片２からなる電極片配列体３２、電極片２に対し
て給電するための給電電極１Ａ、１Ｂ、および給電電極
１Ａ、１Ｂに対して接続されているプロービングパッド
６を備えている。また、第三の電極３１が、電極片配列
体３２と対向する対向電極片５Ａ、５Ｂと、対向電極片
に接続されている導電性接続部１０を備えている。対向
電極片５Ａ、５Ｂの少なくとも一方の終端部５ａが電極
片配列体３２の終端部３２ａの内側に配置されている。
これによって、電極片配列体３２の終端部３２ａにおい
て電荷が集中しにくく、ダメージを回避することが可能
である。
ンを示す。第一の電極３０が、周期的に配列された複数
の電極片２からなる電極片配列体３２、電極片２に対し
て給電するための給電電極１Ａ、１Ｂ、および給電電極
１Ａ、１Ｂに対して接続されているプロービングパッド
６を備えている。また、第三の電極３１が、電極片配列
体３２と対向する対向電極片５Ａ、５Ｂと、対向電極片
に接続されている導電性接続部１０を備えている。対向
電極片５Ａ、５Ｂの少なくとも一方の終端部５ａが電極
片配列体３２の終端部３２ａの内側に配置されている。
これによって、電極片配列体３２の終端部３２ａにおい
て電荷が集中しにくく、ダメージを回避することが可能
である。
【００４１】終端部３２ａと５ａとの間隔ｈは、終端部
における電荷の集中を抑制し、ダメージを防止するとい
う観点からは、０．６ｍｍ以上が好ましく、１．０ｍｍ
以上が更に好ましい。
における電荷の集中を抑制し、ダメージを防止するとい
う観点からは、０．６ｍｍ以上が好ましく、１．０ｍｍ
以上が更に好ましい。
【００４２】第四の態様の好適な実施形態においては、
対向電極片の両方の終端部が、それぞれ、電極片配列体
の両方の終端の内側に配置されている。
対向電極片の両方の終端部が、それぞれ、電極片配列体
の両方の終端の内側に配置されている。
【００４３】図１１はこの実施形態に係るものである。
第一の電極３０が、周期的に配列された複数の電極片２
からなる電極片配列体３２、電極片２に対して給電する
ための給電電極１Ａ、１Ｂ、給電電極１Ａ、１Ｂに対し
て接続されている一方のプロービングパッド６Ａ、およ
び、給電電極１Ａ、１Ｂに対して接続されている他方の
プロービングパッド６Ｂを備えている。また、対向電極
片５Ａ、５Ｂが、それぞれ各電極片配列体３２に対向す
るように設けられている。対向電極片５Ａと５Ｂとに電
力を供給する共通の導電性接続部は存在しない。こうし
た構成によれば、電極片配列体３２の終端部３２ａ、３
２ｂにおいて電荷が集中しにくく、ダメージを回避する
ことが可能である。
第一の電極３０が、周期的に配列された複数の電極片２
からなる電極片配列体３２、電極片２に対して給電する
ための給電電極１Ａ、１Ｂ、給電電極１Ａ、１Ｂに対し
て接続されている一方のプロービングパッド６Ａ、およ
び、給電電極１Ａ、１Ｂに対して接続されている他方の
プロービングパッド６Ｂを備えている。また、対向電極
片５Ａ、５Ｂが、それぞれ各電極片配列体３２に対向す
るように設けられている。対向電極片５Ａと５Ｂとに電
力を供給する共通の導電性接続部は存在しない。こうし
た構成によれば、電極片配列体３２の終端部３２ａ、３
２ｂにおいて電荷が集中しにくく、ダメージを回避する
ことが可能である。
【００４４】終端部３２ａ、３２ｂと５ａ、５ｂとの間
隔ｈは、終端部における電荷の集中を抑制し、ダメージ
を防止するという観点からは、０．６ｍｍ以上が好まし
く、１．０ｍｍ以上が更に好ましい。
隔ｈは、終端部における電荷の集中を抑制し、ダメージ
を防止するという観点からは、０．６ｍｍ以上が好まし
く、１．０ｍｍ以上が更に好ましい。
【００４５】第四の態様においては、対向電極片に対し
ても電圧を印加することができるが、対向電極片を浮動
状態とすることが特に好ましい。
ても電圧を印加することができるが、対向電極片を浮動
状態とすることが特に好ましい。
【００４６】第五の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、基板の裏面
上に設けられた第二の電極との間に電圧を印加すること
により、基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片
からなる電極片配列体、電極片に対して給電するための
給電電極、給電電極の一方の終端に対して接続されてい
る一方のプロービングパッド、および給電電極の他方の
終端に対して接続されている他方のプロービングパッド
を備えており、一表面に第三の電極が設けられており、
この第三の電極が、電極片配列体と対向する対向電極片
を備えており、この対向電極片が、一方のプロービング
パッドと他方のプロービングパッドとの間に設置されて
いることを特徴とする。本態様の発明の実例は図１１に
示した。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、基板の裏面
上に設けられた第二の電極との間に電圧を印加すること
により、基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片
からなる電極片配列体、電極片に対して給電するための
給電電極、給電電極の一方の終端に対して接続されてい
る一方のプロービングパッド、および給電電極の他方の
終端に対して接続されている他方のプロービングパッド
を備えており、一表面に第三の電極が設けられており、
この第三の電極が、電極片配列体と対向する対向電極片
を備えており、この対向電極片が、一方のプロービング
パッドと他方のプロービングパッドとの間に設置されて
いることを特徴とする。本態様の発明の実例は図１１に
示した。
【００４７】本態様において好ましくは、対向電極片の
少なくとも一方の終端が電極片配列体の終端の内側に配
置されている。特に好ましくは、対向電極片の両方の終
端が、それぞれ、電極片配列体の両方の終端の内側にそ
れぞれ配置されている。
少なくとも一方の終端が電極片配列体の終端の内側に配
置されている。特に好ましくは、対向電極片の両方の終
端が、それぞれ、電極片配列体の両方の終端の内側にそ
れぞれ配置されている。
【００４８】第六の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との
間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転
構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的に
配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極片
に対して給電するための給電電極、および給電電極に対
して接続されているプロービングパッドを備えており、
電極片配列体の少なくとも一方の終端部において、電極
片の長さが、末端の電極片へと向かって小さくなってい
る。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板に設けられた第二の電極との
間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反転
構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的に
配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極片
に対して給電するための給電電極、および給電電極に対
して接続されているプロービングパッドを備えており、
電極片配列体の少なくとも一方の終端部において、電極
片の長さが、末端の電極片へと向かって小さくなってい
る。
【００４９】この発明も、電極片配列体の少なくとも一
方の終端部における電荷の集中を抑制し、強誘電体単結
晶のダメージを防止する上で有効である。
方の終端部における電荷の集中を抑制し、強誘電体単結
晶のダメージを防止する上で有効である。
【００５０】図１２はこの態様の実例を示す。第一の電
極３０は、周期的に配列された複数の電極片２からなる
電極片配列体３２、電極片２に対して給電するための給
電電極１、および給電電極１に対して接続されているプ
ロービングパッド６を備えている。電極片配列体３２の
少なくとも一方の終端部３２ａにおいて、電極片２Ｃの
長さが、末端の電極片２Ｄへと向かって小さくなってい
る。
極３０は、周期的に配列された複数の電極片２からなる
電極片配列体３２、電極片２に対して給電するための給
電電極１、および給電電極１に対して接続されているプ
ロービングパッド６を備えている。電極片配列体３２の
少なくとも一方の終端部３２ａにおいて、電極片２Ｃの
長さが、末端の電極片２Ｄへと向かって小さくなってい
る。
【００５１】本態様においては、プロービングパッドか
ら十分に離れた電極片の高さｊｍと、プロービングパッ
ド６に最も近い電極片２Ｄの高さｊｅとの比率ｊｍ／ｊ
ｅは、電荷の局部的な集中を抑制するという観点からは
5以上であることが好ましく、10以上であることが更に
好ましい。
ら十分に離れた電極片の高さｊｍと、プロービングパッ
ド６に最も近い電極片２Ｄの高さｊｅとの比率ｊｍ／ｊ
ｅは、電荷の局部的な集中を抑制するという観点からは
5以上であることが好ましく、10以上であることが更に
好ましい。
【００５２】好ましくは、終端部において、複数の電極
片２Ｃの各端部を結ぶ仮想線１１が、末端の電極片２Ｄ
へと向かって湾曲している。この設計は、終端部におけ
る電荷の集中を抑制する上で一層効果的である。この湾
曲形状は、特に限定されない。しかし、真円形、楕円
形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線（余弦曲
線）であることが好ましい。また、この仮想線の湾曲の
曲率半径は、10〜100μｍとすることが好ましい。
片２Ｃの各端部を結ぶ仮想線１１が、末端の電極片２Ｄ
へと向かって湾曲している。この設計は、終端部におけ
る電荷の集中を抑制する上で一層効果的である。この湾
曲形状は、特に限定されない。しかし、真円形、楕円
形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線（余弦曲
線）であることが好ましい。また、この仮想線の湾曲の
曲率半径は、10〜100μｍとすることが好ましい。
【００５３】第七の態様に係る発明は、強誘電体単結晶
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板上に設けられた第二の電極と
の間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反
転構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的
に配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極
片に対して給電するための給電電極、および給電電極に
対して接続されているプロービングパッドを備えてお
り、プロービングパッドの末端のコーナー部の輪郭が湾
曲していることを特徴とする。これによって、プロービ
ングパッドの末端のコーナー部における電荷の集中を抑
制し、強誘電体単結晶のダメージを防止するのに有効で
ある。
基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この第一の
電極と対向するように基板上に設けられた第二の電極と
の間に電圧を印加することにより、基板内に周期分極反
転構造を形成する方法であって、第一の電極が、周期的
に配列された複数の電極片からなる電極片配列体、電極
片に対して給電するための給電電極、および給電電極に
対して接続されているプロービングパッドを備えてお
り、プロービングパッドの末端のコーナー部の輪郭が湾
曲していることを特徴とする。これによって、プロービ
ングパッドの末端のコーナー部における電荷の集中を抑
制し、強誘電体単結晶のダメージを防止するのに有効で
ある。
【００５４】図１３の例においては、プロービングパッ
ド６Ｃの各コーナー部６ａ、６ｂの輪郭が湾曲してい
る。この湾曲形状は、特に限定されない。しかし、真円
形、楕円形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線
（余弦曲線）であることが好ましい。また、この湾曲の
曲率半径は、20〜200μｍとすることが好ましい。
ド６Ｃの各コーナー部６ａ、６ｂの輪郭が湾曲してい
る。この湾曲形状は、特に限定されない。しかし、真円
形、楕円形、レーストラック形状、放物線、正弦曲線
（余弦曲線）であることが好ましい。また、この湾曲の
曲率半径は、20〜200μｍとすることが好ましい。
【００５５】図１４には、図１６と同様の写真を示す。
ここで、図１３に示すような形態の第一の電極を使用し
ており、強誘電体単結晶は、ＭｇＯ５％ドープしたニオ
ブ酸リチウム単結晶である。図１６において観察された
黒いダメージが生じていないことを確認できる。なお、
この実施例においては、各電極片２の幅ａを０．３μｍ
とし、周期Λを２．８μｍとし、長さを１００μｍとし
た。また、プロービングパッド６Ｃのコーナー部６ａ、
６ｂの曲率半径Ｒを100μｍとした。
ここで、図１３に示すような形態の第一の電極を使用し
ており、強誘電体単結晶は、ＭｇＯ５％ドープしたニオ
ブ酸リチウム単結晶である。図１６において観察された
黒いダメージが生じていないことを確認できる。なお、
この実施例においては、各電極片２の幅ａを０．３μｍ
とし、周期Λを２．８μｍとし、長さを１００μｍとし
た。また、プロービングパッド６Ｃのコーナー部６ａ、
６ｂの曲率半径Ｒを100μｍとした。
【００５６】上記した第一〜第七の各態様に係る発明
は、互いに任意に組み合わせることが可能であり、これ
によって、第一の電極の全体にわたって、強誘電体単結
晶のダメージを一層効果的に抑制できる。
は、互いに任意に組み合わせることが可能であり、これ
によって、第一の電極の全体にわたって、強誘電体単結
晶のダメージを一層効果的に抑制できる。
【００５７】更に、本発明は、前記のいずれかの方法に
よって形成されたことを特徴とする、周期分極反転構造
に係るものであり、またこのような周期分極反転構造を
有する光導波路素子に関するものである。このような周
期分極反転構造は、ダメージが少なく、あるいはダメー
ジが防止されているので、光損失が少ない良好なもので
ある。
よって形成されたことを特徴とする、周期分極反転構造
に係るものであり、またこのような周期分極反転構造を
有する光導波路素子に関するものである。このような周
期分極反転構造は、ダメージが少なく、あるいはダメー
ジが防止されているので、光損失が少ない良好なもので
ある。
【００５８】この光導波路素子の用途は限定されない
が、疑似位相整合方式の波長変換素子として利用可能で
ある。このような素子は、波長変換の際の変換効率が高
いものである。以下、好適な波長変換素子の概略を述べ
る。
が、疑似位相整合方式の波長変換素子として利用可能で
ある。このような素子は、波長変換の際の変換効率が高
いものである。以下、好適な波長変換素子の概略を述べ
る。
【００５９】例えば図１７に示すようにして、電圧印加
法によって、強誘電体単結晶基板４内に分極反転部３３
を形成する。この際、強誘電体単結晶の種類は限定され
ない。しかし、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム
−タンタル酸リチウム固溶体、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５
の各単結晶が特に好ましい。
法によって、強誘電体単結晶基板４内に分極反転部３３
を形成する。この際、強誘電体単結晶の種類は限定され
ない。しかし、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タ
ンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム
−タンタル酸リチウム固溶体、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５
の各単結晶が特に好ましい。
【００６０】強誘電体単結晶中には、三次元光導波路の
耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びインジ
ウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上の金属元
素を含有させることができ、マグネシウムが特に好まし
い。
耐光損傷性を更に向上させるために、マグネシウム（Ｍ
ｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びインジ
ウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上の金属元
素を含有させることができ、マグネシウムが特に好まし
い。
【００６１】分極反転特性（条件）が明確であるとの観
点からは、ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム
ータンタル酸リチウム固溶体単結晶、又はこれらにマグ
ネシウムを添加したものが特に好ましい。
点からは、ニオブ酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム
ータンタル酸リチウム固溶体単結晶、又はこれらにマグ
ネシウムを添加したものが特に好ましい。
【００６２】強誘電体単結晶中には、ドープ成分とし
て、希土類元素を含有させることができる。この希土類
元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。こ
の希土類元素としては、特にＮｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈｏ、
Ｄｙ、Ｐｒが好ましい。
て、希土類元素を含有させることができる。この希土類
元素は、レーザー発振用の添加元素として作用する。こ
の希土類元素としては、特にＮｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈｏ、
Ｄｙ、Ｐｒが好ましい。
【００６３】周期分極反転構造を形成するためのマスク
パターンを形成する材質としては、レジスト、Ｓｉ
Ｏ２、Ｔａ等を例示できる。マスクパターンを形成する
方法としては、フォトリソグラフィー法を例示できる。
パターンを形成する材質としては、レジスト、Ｓｉ
Ｏ２、Ｔａ等を例示できる。マスクパターンを形成する
方法としては、フォトリソグラフィー法を例示できる。
【００６４】電圧印加法において使用する電極の材質と
しては、Al、Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Ni-Cr、Pd、Taが好
ましい。
しては、Al、Au、Ag、Cr、Cu、Ni、Ni-Cr、Pd、Taが好
ましい。
【００６５】次いで、図１８に示すように、周期分極反
転構造２０に沿って、光導波路２１を基板内に形成でき
る。この形成方法は特に限定されないが、チタン内拡散
法、プロトン交換法が好ましい。
転構造２０に沿って、光導波路２１を基板内に形成でき
る。この形成方法は特に限定されないが、チタン内拡散
法、プロトン交換法が好ましい。
【００６６】他の方法においては、図１９に示すよう
に、基板４の表面４ａに、固定用基板２３を接合層２２
を介して接合する。好ましくは、この前に基板４から第
一の電極、第二の電極、第三の電極を除去しておく。ま
た、接合前に基板4の接合面側にSiO2を成膜しておいて
もよい。SiO2を成膜することで、接合材の光吸収を低減
することができ、光導波路の低損失化が行える。図１９
の段階では、基板４の表面４ａの近傍に周期分極反転構
造２０が形成されている。
に、基板４の表面４ａに、固定用基板２３を接合層２２
を介して接合する。好ましくは、この前に基板４から第
一の電極、第二の電極、第三の電極を除去しておく。ま
た、接合前に基板4の接合面側にSiO2を成膜しておいて
もよい。SiO2を成膜することで、接合材の光吸収を低減
することができ、光導波路の低損失化が行える。図１９
の段階では、基板４の表面４ａの近傍に周期分極反転構
造２０が形成されている。
【００６７】次いで、図２０に示すように、基板４の裏
面４ｂ側を研削加工し、基板４Ａを薄くする。この段階
では、光を厚さ方向に閉じ込め得る寸法まで基板４Ａを
薄くすることは困難である。このため、図２１に示すよ
うに、リッジ型の光導波路２４を残して基板４Ａを加工
し、除去する。この段階では、非常に薄い平板部２６が
残る。２６ａは加工面である。この加工の際に光導波路
２４の厚さを調節する。こうした加工は、例えばダイシ
ング加工装置やレーザー加工装置によって可能である
が、ダイシング加工のような機械的加工が好ましい。
面４ｂ側を研削加工し、基板４Ａを薄くする。この段階
では、光を厚さ方向に閉じ込め得る寸法まで基板４Ａを
薄くすることは困難である。このため、図２１に示すよ
うに、リッジ型の光導波路２４を残して基板４Ａを加工
し、除去する。この段階では、非常に薄い平板部２６が
残る。２６ａは加工面である。この加工の際に光導波路
２４の厚さを調節する。こうした加工は、例えばダイシ
ング加工装置やレーザー加工装置によって可能である
が、ダイシング加工のような機械的加工が好ましい。
【００６８】上記の実施形態においては、基板４を接合
層２２によって固定用基板２３に対して接着している。
この場合には、接合層の屈折率は基板４の屈折率よりも
低いことが好ましく、また接合層が非晶質であることが
好ましい。接合層の屈折率と基板４の屈折率との屈折率
差は、５％以上であることが好ましく、１０％以上であ
ることが更に好ましい。
層２２によって固定用基板２３に対して接着している。
この場合には、接合層の屈折率は基板４の屈折率よりも
低いことが好ましく、また接合層が非晶質であることが
好ましい。接合層の屈折率と基板４の屈折率との屈折率
差は、５％以上であることが好ましく、１０％以上であ
ることが更に好ましい。
【００６９】接合層２２の材質は、有機樹脂やガラス
（特に好ましくは低融点ガラス）が好ましい。有機樹脂
としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコー
ン樹脂等を例示できる。ガラスとしては、酸化珪素を主
成分とする低融点ガラスが好ましい。
（特に好ましくは低融点ガラス）が好ましい。有機樹脂
としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、シリコー
ン樹脂等を例示できる。ガラスとしては、酸化珪素を主
成分とする低融点ガラスが好ましい。
【００７０】固定用基板２３の材質は特に限定されず、
所定の構造強度を有していればよい。ただし、光導波路
と熱膨張係数等の物性値が近い方が好ましく、ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（Ｌｉ
ＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固
溶体、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５の各単結晶が特に好まし
い。
所定の構造強度を有していればよい。ただし、光導波路
と熱膨張係数等の物性値が近い方が好ましく、ニオブ酸
リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（Ｌｉ
ＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固
溶体、Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５の各単結晶が特に好まし
い。
【００７１】また、高調波発生装置は、少なくとも前記
波長変換素子と、この波長変換素子に対して励起光を入
力する入力手段とを備えていれば成立する。こうした入
力手段としては、例えば半導体レーザーがあるが、限定
はされない。
波長変換素子と、この波長変換素子に対して励起光を入
力する入力手段とを備えていれば成立する。こうした入
力手段としては、例えば半導体レーザーがあるが、限定
はされない。
【００７２】本発明の素子を第二高調波発生装置として
使用した場合には、高調波の波長は３３０−１６００ｎ
ｍが好ましく、４００−４３０ｎｍが特に好ましい。
使用した場合には、高調波の波長は３３０−１６００ｎ
ｍが好ましく、４００−４３０ｎｍが特に好ましい。
【００７３】上記の各例においては、強誘電体単結晶基
板を、例えば５°オフカット基板としたが、このオフカ
ット角度は特に限定されない。特に好ましくは、オフカ
ット角度は1°以上であり、あるいは、20°以下であ
る。
板を、例えば５°オフカット基板としたが、このオフカ
ット角度は特に限定されない。特に好ましくは、オフカ
ット角度は1°以上であり、あるいは、20°以下であ
る。
【００７４】また、いわゆるＸカット基板、Ｙカット基
板、Ｚカット基板を使用可能である。Ｘカット基板やＹ
カット基板を使用する場合には、図１７に示すように、
第二の電極を裏面４ｂに設けず、一表面４ａ上に設け、
第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加することが
できる。この場合には、第三の電極３１はなくともよい
が、浮動電極として残しておいても良い。また、Ｚカッ
ト基板を使用する場合には、第二の電極を裏面４ｂ上に
設け、第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加する
ことができる。この場合には、第三の電極３１は必ずし
も必要ないが、浮動電極として残しておいても良い。
板、Ｚカット基板を使用可能である。Ｘカット基板やＹ
カット基板を使用する場合には、図１７に示すように、
第二の電極を裏面４ｂに設けず、一表面４ａ上に設け、
第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加することが
できる。この場合には、第三の電極３１はなくともよい
が、浮動電極として残しておいても良い。また、Ｚカッ
ト基板を使用する場合には、第二の電極を裏面４ｂ上に
設け、第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加する
ことができる。この場合には、第三の電極３１は必ずし
も必要ないが、浮動電極として残しておいても良い。
【００７５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明は、強誘電体
単結晶基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この
第一の電極と対向するように基板に設けられた第二の電
極との間に電圧を印加することにより、基板内に周期分
極反転構造を形成するのに際して、電圧印加の際に強誘
電体単結晶にダメージが発生するのを抑制できる。
単結晶基板の一表面上に設けられた第一の電極と、この
第一の電極と対向するように基板に設けられた第二の電
極との間に電圧を印加することにより、基板内に周期分
極反転構造を形成するのに際して、電圧印加の際に強誘
電体単結晶にダメージが発生するのを抑制できる。
【図１】第一の電極のパターンの一例を示しており、電
極片配列体３２の終端部３２ｂ側に、電極片２よりも幅
の大きい拡幅片部７が設けられている。
極片配列体３２の終端部３２ｂ側に、電極片２よりも幅
の大きい拡幅片部７が設けられている。
【図２】図１の電極を使用して形成した周期分極反転構
造について、エッチング後の外観を示す写真である。
造について、エッチング後の外観を示す写真である。
【図３】第一の電極のパターンの一例を示しており、電
極片配列体３２の終端部３２ｂから外側に、複数の浮動
電極３Ａ〜３Ｆが配列されている。
極片配列体３２の終端部３２ｂから外側に、複数の浮動
電極３Ａ〜３Ｆが配列されている。
【図４】図３の電極を使用して形成した周期分極反転構
造について、エッチング後の外観を示す写真である。
造について、エッチング後の外観を示す写真である。
【図５】第一の電極のパターンの一例を示しており、電
極片配列体３２の周期分極反転構造３２ｂから外側に複
数の浮動電極３Ａ〜３Ｇが配列されており、各浮動電極
の端部を結ぶ仮想線３５が湾曲している。
極片配列体３２の周期分極反転構造３２ｂから外側に複
数の浮動電極３Ａ〜３Ｇが配列されており、各浮動電極
の端部を結ぶ仮想線３５が湾曲している。
【図６】第一の電極のパターンの一例を示しており、電
極片配列体３２の周期分極反転構造３２ｂから外側に複
数の浮動電極３Ａ〜３Ｇが配列されており、各浮動電極
の幅が末端の浮動電極３Ｇへと向かって狭くなってい
る。
極片配列体３２の周期分極反転構造３２ｂから外側に複
数の浮動電極３Ａ〜３Ｇが配列されており、各浮動電極
の幅が末端の浮動電極３Ｇへと向かって狭くなってい
る。
【図７】第一の電極のパターンの一例を示しており、電
極片配列体３２の終端部３２ｂから外側に複数の浮動電
極３Ａ〜３Ｅが配列されており、各浮動電極間の間隔ｆ
が末端の浮動電極３Ｅへと向かって狭くなっている。
極片配列体３２の終端部３２ｂから外側に複数の浮動電
極３Ａ〜３Ｅが配列されており、各浮動電極間の間隔ｆ
が末端の浮動電極３Ｅへと向かって狭くなっている。
【図８】第一の電極、第二の電極、第三の電極のパター
ン例を示す斜視図である。
ン例を示す斜視図である。
【図９】図８に示した第一の電極３０および第二の電極
３１の平面的パターンと、第三の電極８の平面的パター
ンとを対比して示す。
３１の平面的パターンと、第三の電極８の平面的パター
ンとを対比して示す。
【図１０】第一の電極３０および第二の電極３１のパタ
ーンを示しており、対向電極片５Ａ、５Ｂの一方の終端
部５ａが、電極片配列体３２の終端部３２ａに比べて内
側に位置している。
ーンを示しており、対向電極片５Ａ、５Ｂの一方の終端
部５ａが、電極片配列体３２の終端部３２ａに比べて内
側に位置している。
【図１１】第一の電極３０および第二の電極３１のパタ
ーンを示しており、対向電極片５Ａ、５Ｂの両方の終端
部５ａ、５ｂが、それぞれ、電極片配列体３２の終端部
３２ａ、３２ｂに比べて内側に位置している。
ーンを示しており、対向電極片５Ａ、５Ｂの両方の終端
部５ａ、５ｂが、それぞれ、電極片配列体３２の終端部
３２ａ、３２ｂに比べて内側に位置している。
【図１２】第一の電極３０のパターンを示しており、電
極片配列体３２の終端部３２ａにおいて電極片２Ｃの幅
が小さくなっている。
極片配列体３２の終端部３２ａにおいて電極片２Ｃの幅
が小さくなっている。
【図１３】第一の電極３０のパターンを示しており、プ
ロービングパッド６Ｃのコーナー部６ａ、６ｂの輪郭が
湾曲している。
ロービングパッド６Ｃのコーナー部６ａ、６ｂの輪郭が
湾曲している。
【図１４】図１３の電極を使用して形成した周期分極反
転構造について、エッチング後の外観を示す写真であ
る。
転構造について、エッチング後の外観を示す写真であ
る。
【図１５】参考例の第一の電極３０および第三の電極３
１のパターンを示す。
１のパターンを示す。
【図１６】図１５の電極を使用して形成した周期分極反
転構造について、エッチング後の外観を示す写真であ
る。
転構造について、エッチング後の外観を示す写真であ
る。
【図１７】強誘電体単結晶基板４内に周期分極反転構造
を形成するために、電圧印加法を実施している状態を模
式的に示す。
を形成するために、電圧印加法を実施している状態を模
式的に示す。
【図１８】基板４内に形成された光導波路２１のパター
ンを示す。
ンを示す。
【図１９】周期分極反転構造２０の形成された基板４と
固定用基板２３との接合体を示す。
固定用基板２３との接合体を示す。
【図２０】図１９の基板４を研削加工した後の状態を示
す。
す。
【図２１】図２０の基板４Ａを更に加工し、リッジ構造
の光導波路２４を形成した状態を示す。
の光導波路２４を形成した状態を示す。
１ 給電電極 １ａ、１ｂ 給電電極の終端部
２電極片 ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ 終端
部の電極片 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３
Ｆ、３Ｇ 浮動電極 ４、４Ａ 強誘電体単結晶
基板 ４ａ 基板４の一表面 ４ｂ 基板
４の裏面 ５、５Ａ、５Ｂ 対向電極片
６ プロービングパッド ６Ａ 一方のプロー
ビングパッド ６Ｂ 他方のプロービングパッド
６Ｃ コーナー部が湾曲しているプロービング
パッド ６ａ、６ｂ 湾曲したコーナー部
７ 拡幅片部 ７ａ、７ｂ 拡幅片部７のコー
ナー部 ８、８Ａ 第二の電極 １０ 対向電極片の導電
性接続部 １１ 電極片の端部を結ぶ仮想線
１５Ａ、１５Ｂ 分極方向 ３０第一の電極
３１ 第三の電極 ３２ 電極片配列体
３２ａ 電極片配列体３２のプロービングパッ
ド側の終端部 ３２ｂ 電極片配列体３２のプロ
ービングパッドとは反対側の終端部 ３３ 分極
反転部 ３５ 浮動電極の端部を結ぶ仮想線
２電極片 ２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ 終端
部の電極片 ３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ、３
Ｆ、３Ｇ 浮動電極 ４、４Ａ 強誘電体単結晶
基板 ４ａ 基板４の一表面 ４ｂ 基板
４の裏面 ５、５Ａ、５Ｂ 対向電極片
６ プロービングパッド ６Ａ 一方のプロー
ビングパッド ６Ｂ 他方のプロービングパッド
６Ｃ コーナー部が湾曲しているプロービング
パッド ６ａ、６ｂ 湾曲したコーナー部
７ 拡幅片部 ７ａ、７ｂ 拡幅片部７のコー
ナー部 ８、８Ａ 第二の電極 １０ 対向電極片の導電
性接続部 １１ 電極片の端部を結ぶ仮想線
１５Ａ、１５Ｂ 分極方向 ３０第一の電極
３１ 第三の電極 ３２ 電極片配列体
３２ａ 電極片配列体３２のプロービングパッ
ド側の終端部 ３２ｂ 電極片配列体３２のプロ
ービングパッドとは反対側の終端部 ３３ 分極
反転部 ３５ 浮動電極の端部を結ぶ仮想線
フロントページの続き
(72)発明者 岩井 真
愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日
本碍子株式会社内
Ｆターム(参考） 2K002 AB12 CA03 DA06 FA27 GA04
HA20
Claims (23)
- 【請求項１】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けられ
た第一の電極と、この第一の電極と対向するように前記
強誘電体単結晶基板に設けられた第二の電極との間に電
圧を印加することにより、前記強誘電体単結晶基板内に
周期分極反転構造を形成する方法であって、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、および前記給電電極に対して接続されてい
るプロービングパッドを備えており、前記給電電極の前
記プロービングパッドとは反対側の終端部に前記電極片
の幅よりも大きい幅を有する拡幅片部を備えていること
を特徴とする、周期分極反転構造の形成方法。 - 【請求項２】前記拡幅片部の末端のコーナー部の輪郭が
湾曲していることを特徴とする、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けられ
た第一の電極と、この第一の電極と対向するように前記
強誘電体単結晶基板に設けられた第二の電極との間に電
圧を印加することにより、前記強誘電体単結晶基板内に
周期分極反転構造を形成する方法であって、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、および前記給電電極に対して接続されてい
るプロービングパッドを備えており、前記給電電極の前
記プロービングパッドとは反対側の終端部の外側に、前
記給電電極と接続されていない浮動電極を備えているこ
とを特徴とする、周期分極反転構造の形成方法。 - 【請求項４】複数の前記浮動電極が、前記電極片の配列
方向に向かって配列されていることを特徴とする、請求
項３記載の方法。 - 【請求項５】前記浮動電極がストライプ状をなしている
ことを特徴とする、請求項３または４記載の方法。 - 【請求項６】前記浮動電極の長さが、前記給電電極に最
も近い前記浮動電極から最も外側の前記浮動電極へと向
かって小さくなっていることを特徴とする、請求項５記
載の方法。 - 【請求項７】複数の前記浮動電極の各端部を結ぶ仮想線
が、前記給電電極に最も近い前記浮動電極から末端の前
記浮動電極へと向かって湾曲していることを特徴とす
る、請求項５または６記載の方法。 - 【請求項８】複数の前記浮動電極の幅が、前記給電電極
に最も近い前記浮動電極から最も外側の前記浮動電極へ
と向かって小さくなっていることを特徴とする、請求項
５または６記載の方法。 - 【請求項９】隣接する前記浮動電極の間隔が、前記給電
電極に最も近い前記浮動電極から最も外側の前記浮動電
極へと向かって大きくなっていることを特徴とする、請
求項５または６記載の方法。 - 【請求項１０】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けら
れた第一の電極と、前記強誘電体単結晶基板の裏面上に
設けられた第二の電極との間に電圧を印加することによ
り、前記強誘電体単結晶基板内に周期分極反転構造を形
成する方法であって、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、および前記給電電極に対して接続されてい
るプロービングパッドを備えており、前記一表面に前記
第一の電極と前記第二の電極とを投影したときに、前記
第二の電極の少なくとも一方の終端部が前記電極片配列
体の終端部の内側に配置されていることを特徴とする、
周期分極反転構造の形成方法。 - 【請求項１１】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けら
れた第一の電極と、前記強誘電体単結晶基板の裏面上に
設けられた第二の電極との間に電圧を印加することによ
り、前記強誘電体単結晶基板内に周期分極反転構造を形
成する方法であって、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、および前記給電電極に対して接続されてい
るプロービングパッドを備えており、前記一表面に第三
の電極が設けられており、この第三の電極が、前記電極
片配列体と対向する対向電極片を備えており、前記対向
電極片の少なくとも一方の終端部が前記電極片配列体の
終端部の内側に配置されていることを特徴とする、周期
分極反転構造の形成方法。 - 【請求項１２】前記第三の電極が、前記対向電極片に接
続されている導電性接続部を備えていることを特徴とす
る、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】前記対向電極片の両方の終端部が、それ
ぞれ、前記電極片配列体の各終端部の内側に配置されて
いることを特徴とする、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１４】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けら
れた第一の電極と、前記強誘電体単結晶基板の裏面上に
設けられた第二の電極との間に電圧を印加することによ
り、前記強誘電体単結晶基板内に周期分極反転構造を形
成する方法であって、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、前記給電電極の一方の終端部に対して接続
されている一方のプロービングパッド、および前記給電
電極の他方の終端部に対して接続されている他方のプロ
ービングパッドを備えており、前記一表面に第三の電極
が設けられており、この第三の電極が、前記電極片配列
体と対向する対向電極片を備えており、この対向電極片
が、前記一方のプロービングパッドと前記他方のプロー
ビングパッドとの間に設置されていることを特徴とす
る、周期分極反転構造の形成方法。 - 【請求項１５】前記対向電極片の少なくとも一方の終端
部が前記電極片配列体の終端部の内側に配置されている
ことを特徴とする、請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】前記対向電極片の両方の終端部が、それ
ぞれ、前記電極片配列体の各終端部の内側に配置されて
いることを特徴とする、請求項１５記載の方法。 - 【請求項１７】前記第三の電極が浮動していることを特
徴とする、請求項１１〜１６のいずれか一つの請求項に
記載の方法。 - 【請求項１８】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けら
れた第一の電極と、この第一の電極と対向するように前
記強誘電体単結晶基板の任意の表面上に設けられた第二
の電極との間に電圧を印加することにより、前記強誘電
体単結晶基板内に周期分極反転構造を形成する方法であ
って、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、および前記給電電極に対して接続されてい
るプロービングパッドを備えており、前記電極片配列体
の少なくとも一方の終端部において、前記電極片の長さ
が、末端の前記電極片へと向かって小さくなっているこ
とを特徴とする、周期分極反転構造の形成方法。 - 【請求項１９】前記終端部において、複数の前記電極片
の各端部を結ぶ仮想線が末端の前記電極片へと向かって
湾曲していることを特徴とする、請求項１８記載の方
法。 - 【請求項２０】強誘電体単結晶基板の一表面上に設けら
れた第一の電極と、この第一の電極と対向するように前
記強誘電体単結晶基板に設けられた第二の電極との間に
電圧を印加することにより、前記強誘電体単結晶基板内
に周期分極反転構造を形成する方法であって、 前記第一の電極が、周期的に配列された複数の電極片か
らなる電極片配列体、前記電極片に対して給電するため
の給電電極、および前記給電電極に対して接続されてい
るプロービングパッドを備えており、前記プロービング
パッドの末端のコーナー部の輪郭が湾曲していることを
特徴とする、周期分極反転構造の形成方法。 - 【請求項２１】請求項１〜２０のいずれか一つの請求項
に記載の方法によって形成されたことを特徴とする、周
期分極反転構造。 - 【請求項２２】光導波路を備えている光導波路素子であ
って、前記光導波路内に、請求項２１記載の周期分極反
転構造が設けられていることを特徴とする、光導波路素
子。 - 【請求項２３】疑似位相整合方式の波長変換素子として
機能することを特徴とする、請求項２２記載の光導波路
素子。
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|---|---|---|---|
| JP2002067875A JP4067039B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 周期分極反転構造の形成方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002067875A JP4067039B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 周期分極反転構造の形成方法 |
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|---|---|
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ID=29199117
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| JP2002067875A Expired - Lifetime JP4067039B2 (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 周期分極反転構造の形成方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2005258348A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 周期分極反転構造の製造方法および周期分極反転構造 |
| WO2008056829A1 (fr) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Procédé de fabrication d'un substrat de guide d'onde optique |
| WO2008056830A1 (fr) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Procédé de fabrication d'un substrat de guide d'onde optique |
| CN111226167A (zh) * | 2017-10-10 | 2020-06-02 | 日本碍子株式会社 | 周期极化反转结构的制造方法 |
| CN120085415A (zh) * | 2025-04-28 | 2025-06-03 | 中南大学 | 一种三维光波导玻璃芯片的制造方法 |
-
2002
- 2002-03-13 JP JP2002067875A patent/JP4067039B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| US7931831B2 (en) | 2006-11-09 | 2011-04-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide substrate manufacturing method |
| US8101099B2 (en) | 2006-11-09 | 2012-01-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide substrate manufacturing method |
| KR101363782B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2014-02-14 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 디바이스의 제조 방법 |
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| CN120085415B (zh) * | 2025-04-28 | 2025-08-05 | 中南大学 | 一种三维光波导玻璃芯片的制造方法 |
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