JP2003295207A - 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置

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JP2003295207A JP2002096006A JP2002096006A JP2003295207A JP 2003295207 A JP2003295207 A JP 2003295207A JP 2002096006 A JP2002096006 A JP 2002096006A JP 2002096006 A JP2002096006 A JP 2002096006A JP 2003295207 A JP2003295207 A JP 2003295207A
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公一 松本
Kunimasa Itakura
州優 板倉
Shinichi Nishida
真一 西田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 データ線と走査線の電界をシールドし、か
つ、開口率を向上させることができる横電界方式の液晶
表示装置を提供する。 【解決手段】 データ線２４及び走査線２８をそれより
幅の広い透明な共通電極配線２６ｂによって覆う。共通
電極配線２６ｂの一部を共通電極とし、共通電極と透明
な画素電極２７ｂとの間に形成される電界によって液晶
を駆動する。データ線２４及び走査線２８からの漏れ電
界を完全にシールドすることができるので、画素電極２
７ｂと共通電極配線２６ｂにより制御できる有効な表示
領域が拡大し、開口率を拡大することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特
に、横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置としては、配向した液晶分
子の分子軸の方向（「ディレクタ」と呼ばれる）を基板
に対して直交する面内において回転させ、表示を行う形
式のものと、基板に対して平行な面内において回転さ
せ、表示を行う形式のものがある。
【０００３】前者の代表例がＴＮ（Twisted Nematic：
ねじれネマティック）モードの液晶表示装置であり、後
者はＩＰＳ（In-Plane Switching）モード（横電界方
式）の液晶表示装置と呼ばれる。
【０００４】ＩＰＳモードの液晶表示装置は、基本的に
は、視点を動かしても液晶分子の短軸方向のみを見てい
ることになるため、液晶分子の「立ち方」の視野角に対
する依存性がなく、ＴＮモードの液晶表示装置よりも広
い視野角を達成することができる。
【０００５】このため、近年では、ＴＮモードの液晶表
示装置よりもＩＰＳモードの液晶表示装置の方が多用さ
れる傾向にある。
【０００６】ＩＰＳモードの液晶表示装置を高開口率化
する技術として、例えば、特開平６-２０２１２７号公
報（以下、「従来例１」と呼ぶ。）、特開平９-３１８
９７２号公報（以下、「従来例２」と呼ぶ。）に記載さ
れたものがある。
【０００７】従来例１に記載されたＩＰＳモードの液晶
表示装置は、アクティブ素子からなる駆動手段を備えて
おり、映像信号をアクティブ素子に伝達する信号配線の
液晶層に面する領域の大部分が絶縁物を介して導電体で
覆われていることを特徴とするものである。しかし、従
来例１のいずれの実施例にも、透明電極で信号線をシー
ルドする発想はない。
【０００８】また、従来例２に記載されたＩＰＳモード
の液晶表示装置は、共通電極配線とブラックマトリクス
を共通化し、走査線とデータ線は共通化された共通電極
配線によって完全に覆われていることを特徴とするもの
である。従来例２の技術思想は、共通化された共通電極
配線をシールド膜と遮光膜として兼用することにあり、
透明膜で走査線とデータ線をシールドする発想はない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来例におい
て記載されているＩＰＳモードの液晶表示装置は、何れ
も開口率を高め、画像の明るさを向上させることを目的
とするものである。
【００１０】データ線と共通電極、走査線と共通電極と
の間には電位差が存在するため、この電位差に起因し
て、電界が発生する。この電界が、画素電極と共通電極
との間の表示領域に影響を及ぼす領域まで到達すると、
液晶の配向状態を乱す原因となる。例えば、黒の背景
に、白のウインドウを表示させたような画面において
は、白を表示させた画素を駆動するデータ線に対応する
黒表示画素において、グレー表示をしてしまう縦クロス
トークと呼ばれる表示上の問題を生じることとなる。
【００１１】この問題を避けるためには、データ線と走
査線の電界をシールドするために、データ線と走査線の
両脇の共通電極を幅広くとり、この共通電極で電界を終
端させるか、データ線と走査線を共通電極などの表示上
影響のない電位を有する電極で覆う必要がある。
【００１２】開口率を向上させるためには、後者のよう
にデータ線と走査線を覆うように共通電極を設けること
が望ましい。
【００１３】しかしながら、従来例で提案された方法で
は、共通電極を遮光体で形成しているため、光利用効率
が落ちるといった問題点が存在した。
【００１４】共通電極を遮光体で形成するのは、画素と
画素の境界近傍は隣接する画素からの漏れ光の影響を受
けるためである。これを防止するために画素と画素の境
界近傍に遮光膜でブラックマトリクスを設けるのが通常
であった。そこで、本願発明者がシミュレーションや実
験を行い、画素と画素の境界近傍における隣接する画素
からの漏れ光の影響を検討したところ、走査線とデータ
線を完全にシールドすれば隣接する画素からの漏れ光の
影響は軽微であり、特に高画質を要求される場合を除
き、ブラックマトリクスを除去することができることが
分かった。
【００１５】本発明はこのような検討に基づいてなされ
たものであり、縦クロストークの発生を防止することが
でき、かつ、開口率を向上させることができる横電界方
式の液晶表示装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【問題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、横電界方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置において、データ線及び走査線はそれ
より幅の広い透明な共通電極配線によって覆われること
を特徴とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を提供することができる。
【００１７】走査線とデータ線からの漏れ電界を完全に
シールドすることができるので、画素電極と共通電極配
線により制御できる有効な表示領域が拡大し、開口率を
拡大することができる。しかも、共通電極配線は透明膜
から成るため、走査線とデータ線以外を全て開口部とし
て機能させることができる。
【００１８】共通電極配線は密着する透明膜と不透明膜
の二層から成り、少なくとも一部は透明膜単層から成る
ことを特徴とする。共通電極配線を高抵抗の透明膜と低
抵抗の不透明膜の二層で形成することにより、配線抵抗
を下げ、共通電極配線電位の安定化を図る。また、不透
明膜から成る共通電極配線を遮光層として用いることに
より、対向基板のブラックマトリクス層の削減又は削除
をすることができる。さらに、共通電極配線のうち、共
通電極配線が不透明膜から成る走査線又は不透明膜から
成るデータ線を覆う部分のみを不透明膜との積層配線に
し、それ以外の部分は透明膜の単層配線にすることによ
り、開口部を最大にすることができる。
【００１９】また、好ましくは、透明膜と不透明膜の二
層から成る前記共通電極配線の最も液晶層に近い側は透
明膜から成る。このように構成することにより、不透明
膜が液晶に反応し溶出することを防止し、信頼性向上を
図る。一般に不透明膜は酸化膜等の高信頼性を有するも
のが多いからである。
【００２０】このとき、不透明膜は透明膜によって完全
に覆われていることが望ましい。さらに信頼性の向上を
図るためである。
【００２１】また、不透明膜はそれより幅の広い走査線
によって覆われていることを特徴とする。このように構
成することにより、走査線とデータ線に覆われない部分
を全て開口部にすることができる。
【００２２】また、走査線を覆う共通電極配線とデータ
線を覆う共通電極配線は互いに電気的に接続することが
望ましい。このように構成することによって、共通電極
配線を低抵抗化し、共通電極配線電位の安定化を図る。
【００２３】また、共通電極配線の一部を共通電極と
し、前記共通電極と画素電極との間に形成される電界に
よって液晶を駆動することを特徴とする。共通電極と共
通電極配線を兼用することにより製造工程、特に透明電
極の製造工程の簡易化を図る。
【００２４】画素電極は透明膜から成ることを特徴とす
る。このように構成することにより、光の利用効率向上
を図る。
【００２５】また、共通電極は層間絶縁膜を挟んで二層
から形成され、共通電極の何れか一層は画素電極と同一
層に形成されることを特徴とする。このように形成する
ことにより、共通電極と画素電極によって形成される電
気力線の間隔が狭くなり、電界が強くなる。逆に言う
と、同じ強さの電界を形成するために必要な共通電極配
線と画素電極に印加する電圧を小さくすることができ
る。
【００２６】共通電極は画素電極と異なる層に形成され
ることを特徴とする。このように形成することにより、
画素電極と共通電極のショートを防止し、歩留向上を図
る。
【００２７】また、共通電極配線は画素電極より液晶層
に近い層に形成されることを特徴とする。共通電極配線
を液晶層に近い層に形成することにより、共通電極配線
とデータ線及び走査線の間隔を設け、共通電極配線とデ
ータ線及び共通電極配線と走査線によって形成される寄
生容量の低減を図る。
【００２８】共通電極配線は絶縁膜により被覆されるこ
とを特徴とする。これによって、共通電極配線を成す不
透明膜から液晶中への電極材料の溶出を前記絶縁膜でブ
ロックすることができる。
【００２９】共通電極と画素電極を層間絶縁膜を介して
重畳させることで、保持容量を形成することができる。
このように構成することにより、液晶容量と並列に蓄積
容量を形成し、液晶表示の安定化を図る。
【００３０】画素電極と走査線を層間絶縁膜を介して重
畳させることで、保持容量を形成することができる。こ
のように構成することにより、液晶容量と並列に蓄積容
量を形成し、さらに液晶表示の安定化を図る。
【００３１】画素電極はデータ線と同一層上に層間絶縁
膜を介さずに形成することができる。これにより、ＴＦ
Ｔのドレイン電極、ソース電極、データ線、画素電極を
同じ層に形成することができるので、ＴＦＴ製造工程の
増加を防止できる。
【００３２】前記データ線は不透明膜とそれに密着し、
それより幅の狭い透明膜の二層から形成することができ
る。このような構成により、データ線の低抵抗化を図
り、データ信号の遅延を防止する。また、透明膜を不透
明膜より幅を狭くすることにより、層間のパターンずれ
によるデータ線電位の膜領域変動を小さくすることがで
き、データ線からの漏れ電界をシールドする共通電極配
線の幅を小さくできる。すなわち縦クロストークを防止
しつつ、開口率を向上させることができる。また、不透
明膜の上に密着して透明膜を形成するとき、透明膜と不
透明膜の幅が異なると、透明膜のパターニング時のエッ
チングにおいて、不透明膜及び透明膜が消失することが
ある。これをを防止し、歩留向上を図るためには、不透
明膜を透明膜より１〜２μｍ幅広く形成することが望ま
しい。また、以上のような構成により、ＴＦＴ製造工程
の増加を防止する。
【００３３】薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン
電極は不透明膜とその上に密着する透明膜の二層で形成
され、前記薄膜トランジスタのチャネル側では前記透明
膜はそれよりチャネル長と平行方向の長さが長い前記不
透明膜によって覆われることを特徴とする。このように
構成することにより、薄膜トランジスタの特性に影響す
るチャネル長は前記不透明膜により決まるため、透明膜
のパターン精度によって薄膜トランジスタの特性がばら
つくことを防止できる。また、不透明膜の上に密着して
透明膜を形成するとき、透明膜と不透明膜の幅が異なる
と、透明膜のパターニング時のエッチングにおいて、不
透明膜及び透明膜が消失することがある。これをを防止
し、歩留向上を図るためには、膜の端面において不透明
膜を透明膜より０．５〜１μｍ幅広く形成することが望
ましい。
【００３４】第１の金属層と第２の金属層は周辺部でコ
ンタクトホールによって電気的に接続されることを特徴
とする。このように構成することにより、ゲート絶縁膜
上の層間膜を介さずに形成したデータ線と画素電極を電
池反応を生じさせることなく、パターン化し、さらなる
歩留向上を図る。好ましくは、走査線と平行方向に延在
し、相対する共通電極配線及び画素電極は液晶の初期配
向角度に対して略垂直方向角度のエッジを有することを
特徴とする。このように構成することにより、共通電極
配線と画素電極に囲まれた全表示領域において、共通電
極配線と画素電極によって形成される電界の方向は、液
晶配向方向から時計回りに鋭角だけ回転させた方向にな
る。その結果、液晶分子の回転方向が同じとなるサブ画
素領域において、液晶が逆方向に回転することを防止す
ることができる。液晶が逆回転する領域ができると、こ
れによるディスクリネーションが発生し、パネル透過率
を低下させるため、この逆回転防止構造が必要である。
【００３５】透明膜はＩＴＯが望ましい。ＩＴＯは、電
気化学反応に対しては極めて安定している物質である。
このため、ＩＴＯからなる共通電極及び画素電極は配向
膜に直接的に接した形で用いることができ、共通電極及
び画素電極をＩＴＯ以外の金属から構成する場合と比較
して、本液晶表示装置の信頼性を向上させることができ
る。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下に、図面に基き、本発明の実
施の形態を詳細に説明する。以下では、能動素子基板１
１及び対向基板１２において、液晶層１３により近い層
を上の層、液晶層１３からより遠い層を下の層と呼ぶこ
とにする。
【００３７】（本発明の第１の実施形態）図１、図２に
本発明の第１の実施形態に係る横電界方式のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置を示す。図１（ａ）は、本実
施形態に係る液晶表示装置１０の平面図、図１（ｂ）は
図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、図２は図１の
単位画素部分の回路図である。
【００３８】図１（ｂ）に示すように、液晶表示装置１
０は、能動素子基板１１と、対向基板１２と、能動素子
基板１１と対向基板１２との間に挟まれた状態で保持さ
れている液晶層１３とからなる。
【００３９】対向基板１２は、第２の透明絶縁性基板１
６上に色層１８と色層１８の上に形成された透明なオー
バーコート層１９から形成されている。また、液晶表示
パネル表面からの接触等による帯電が、液晶層１３へ電
気的な影響を与えることを防止するために、第２の透明
絶縁性基板１６の裏面には、透明な導電層１５が形成さ
れている。色層１８は、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及
び青（Ｂ）の染料または顔料を含む樹脂膜からなる赤の
色層１８ｒ、緑の色層１８ｇ、青の色層１８ｂが周期的
に配列されている。色ずれしても各色層の間に隙間が開
かないように、図１（ｂ）に示すように隣接する異なる
色層どうしはそれぞれ重ねて形成されている。
【００４０】能動素子基板１１は、第１の透明絶縁性基
板２２上に、走査線２８（図１（ａ）参照）およびゲー
ト電極３６（図２参照）を形成する第１の金属層と、そ
の上に形成された第１の層間絶縁膜２３と、第１の層間
絶縁膜２３上に形成された島状非晶質シリコン膜と、デ
ータ線２４および薄膜トランジスタ３０のソース電極３
５、ドレイン電極３４、及び透明膜により形成された画
素電極２７と、この上に形成された第２の層間絶縁膜２
５と、その上に透明膜により形成された共通電極配線２
６とを有する。データ線２４は不透明膜２４ａと、それ
に密着する、それより幅の狭い透明膜２４ｂの積層構造
になっている。このような構成により、データ線の低抵
抗化を図り、データ信号の遅延を防止する。透明膜２４
ｂの幅を不透明膜２４ａの幅より狭くすることにより、
不透明膜２４ａで決まる透過率をそれより低下させない
ようにすることができる。また、不透明膜の上に密着し
て透明膜を形成するとき、透明膜と不透明膜の幅が異な
ると、透明膜のパターニング時のエッチングにおいて、
不透明膜及び透明膜が消失することがある。これをを防
止し、歩留向上を図るためには、不透明膜を透明膜より
１〜２μｍ幅広に形成することが望ましい。
【００４１】能動素子基板１１と対向基板１２のそれぞ
れの上に配向膜２０を配し、図１（ａ）に示すようにデ
ータ線２４の延伸方向と平行な方向から、１０乃至３０
度程度の角度を傾けた所定の方向に、液晶層１３がホモ
ジニアス配向するように、ラビング処理をした後、相互
に向かい合うように貼り合わせる。この角度を液晶分子
の初期配向方位と言う。
【００４２】能動素子基板１１と対向基板１２との間に
は、液晶層１３の厚みを保持するためのスペーサー（図
示せず）が配置されており、また、液晶層１３の周囲に
は、液晶分子を外部に漏らさないためのシール（図示せ
ず）が形成されている。
【００４３】図１（ａ）に示すように、能動素子基板１
１は、データ信号が供給されるデータ線２４と、基準電
位が供給される共通電極配線２６と、表示すべき画素の
電位が供給される画素電極２７の他に、走査用信号が供
給される走査線２８と、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ
Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）３０と、を
備えている。共通電極配線２６と画素電極２７は交互に
形成され、第１及び第２の透明絶縁性基板基板２２、１
６の基板面に対して平行な方向を含む電界を形成する。
共通電極配線２６及び画素電極２７は何れも櫛歯形状を
なし、各電極の櫛歯は何れもデータ線２４と平行に延び
る部分を有する。さらに、共通電極配線２６、画素電極
２７の櫛歯は相互に噛み合うように、かつ、共通電極配
線２６、画素電極２７の櫛歯が相互に隔置されるように
配置されている。液晶表示装置１０は、画素電極２７と
共通電極配線２６との間に形成される電界によって液晶
を駆動する。液晶を駆動するために使われる画素電極２
７と共通電極配線２６は、本来画素電極、共通電極と呼
ぶべきであるが、共通電極と共通電極配線をそれぞれ兼
用しており、区別することは困難である。そこで、本明
細書では、、共通電極配線という用語に統一する。共通
電極と共通電極配線をそれぞれ兼用することにより製造
工程の簡易化を図る。
【００４４】また、不透明膜で形成される共通電極配線
２６を２６ａ、透明膜で形成される共通電極配線２６を
２６ｂと呼ぶ。
【００４５】図１に示すように、データ線２４及び走査
線２８はそれより幅の広い透明膜で形成される共通電極
配線２６ｂによって覆われる。このように構成すること
によって、走査線２８とデータ線２４からの漏れ電界を
完全にシールドすることができるので、画素電極２７と
共通電極配線２６により制御できる有効な表示領域が拡
大し、開口率を拡大することができる。しかも、共通電
極配線２６ｂは透明膜から成るため、走査線２８とデー
タ線２４以外を全て開口部として機能させることができ
る。
【００４６】また、図１（ａ）に示すように、透明膜で
形成された共通電極配線２６ｂは、ＩＴＯをメッシュ状
に形成することで配線抵抗を下げることができる。
【００４７】図１（ｂ）に示すように、共通電極配線２
６と画素電極２７を異なる層に形成することにより、共
通電極配線２６と画素電極２７のショートを防止し、歩
留向上を図る。このとき、共通電極配線２６を画素電極
２７より液晶層１３に近い層に形成することにより、共
通電極配線２６とデータ線２４及び走査線２８の間隔を
設け、共通電極配線２６とデータ線２４及び共通電極配
線２６と走査線２８によって形成される寄生容量の低減
を図る。
【００４８】図１３に示すように、共通電極配線２６の
走査線１８の延伸方向に平行な部分と画素電極２７の走
査線１８の延伸方向に平行な部分とは第２の層間絶縁膜
２５を介して上下方向に対向する。このように構成する
ことにより、液晶容量と並列に蓄積容量を形成し、液晶
表示の安定化を図る。
【００４９】また図１（ａ）では、ソース電極３５と画
素電極２７ｂの接続部分をソース電極３５を画素電極２
７ｂと絶縁膜を介さず形成することにより、コンタクト
ホールを用いることなく、形成できる。よって、コンタ
クトホールを形成するための領域を作ることなく、すな
わち開口率を低減させることなく、ソース電極３５と画
素電極２７ｂの接続抵抗を下げることができる。
【００５０】図３は図１（ａ）において、透明膜から成
る共通電極配線２６ｂを形成する最上層の透明膜（ＩＴ
Ｏ）の層（ａ）と、データ線２４の形成されるている第
２の金属層と同じ層に形成される透明膜（ＩＴＯ）、す
なわち画素電極層（ｂ）と、それ以外の層、すなわち走
査線２８を形成する第１の金属層、データ線２４を形成
する第２の金属層等の層（ｃ）を分けて示した平面図で
ある。第２の金属層と同じ層には透明膜から成る画素電
極２７ｂとデータ線の幅の狭い透明膜２４ｂが形成され
ている。すなわち、不透明膜２４ａの幅より狭く、不透
明膜２４ａに密着した透明膜２４ｂが形成されている。
図１（ａ）及び図３から、データ線２４、走査線２８を
完全に覆う透明膜で形成される共通電極配線２６ｂとこ
れに隣接する透明膜で形成される画素電極２７ｂの間に
は、ＴＦＴ素子部を除き、平面図上遮光膜は存在しない
ことが分かる。また、画素電極２７を透明膜２７ｂで形
成することによりさらに開口部が拡大し、光の利用効率
が向上する。
【００５１】またＴＦＴ素子部については、図１（ａ）
に示すように、対向基板１２に形成される遮光膜（一般
にブラックマトリクスと称される）４０はＴＦＴ素子の
スイッチ特性を保持させるために、最低限ＴＦＴ素子部
のみ覆うように形成している。
【００５２】ＴＦＴ素子部以外にブラックマトリクス領
域を形成すると、能動素子基板１１と対向基板１２の重
ね合わせズレが発生した場合に、ブラックマトリクス４
０によって実効的な開口率を低下させてしまうため、好
ましくない。
【００５３】また、図１４（ｂ）は図１の実施例の第１
変形例である。図１４（ｂ）では、画素電極２７を第１
の層間絶縁膜２３を介して走査線２８に重畳させ、蓄積
容量を付与することで、さらなる液晶表示の安定化を図
ることができる。
【００５４】また、図１１及び１５（ｂ）は図１の実施
例の第２変形例である。
【００５５】図１５（ｂ）では、共通電極配線２６の配
線抵抗を低減させるため、Ｃｒなど低抵抗材料からなる
共通電極配線２６aを積層させることが好ましい。ただ
し、開口率を低下させないように走査線２８と重畳し、
走査線２８の内側に配置されることが望ましい。（平面
図１５（ａ）においては、共通電極配線２６ａは図示せ
ず） 低抵抗材料からなる共通電極配線２６aは、不透明材料
であるため、この場合、対向基板１２側には表示領域に
ついては一切のブラックマトリクス４０を形成する必要
がなくなる。これにより、能動素子基板１１と対向基板
１２の重ね合わせズレによるブラックマトリクスはみだ
しによる開口率低下を防止できる効果も有する。
【００５６】また、図１６（ｂ）は図１の実施例の第３
変形例である。図１６（ｂ）に示すように、共通電極配
線を２６aと２６ｂの積層で形成した場合（図１６
（ａ）では共通電極配線２６ａは図示せず）、積層され
た共通電極配線２６ａ及び２６ｂは、絶縁膜２９により
被覆されることが望ましい。
【００５７】透明材料からなる共通電極配線２６ｂは、
ＩＴＯ等から構成されるが、ＩＴＯなどの酸化膜はＴＮ
モードのＬＣＤ等で一般に用いられていることから自明
なように、非常に安定な物質であることが知られてい
る。しかしながらＩＴＯ膜に発生したピンホール等によ
る被覆不完全な場所が発生した場合、下地のＣｒ等の不
透明共通電極配線２６ｂが液晶に対して、配向膜２０の
みで被覆されるため、よりパネル信頼性を向上させるた
め、絶縁膜２９を構成することが望ましい。これによ
り、下地のＣｒ等の液晶中への電極材料溶出をブロック
することができる。
【００５８】また、図４は、図１の実施例の第４変形例
である。図１（ｂ）では透明膜で形成される共通電極配
線２６ｂは、第２の層間絶縁膜２５の上の層にのみ形成
されているが、図４（ｂ）では透明膜で形成される共通
電極配線は、第２の層間絶縁膜２５の上に形成される２
６ｂのほかに、第２の金属層と同じ層に形成される２６
ｃもある。すなわち、図４（ｂ）において、透明膜で形
成される画素電極２７ｂが２個あり、その間に透明膜で
形成される共通電極配線２６ｃも形成される。このよう
に、共通電極配線２６は層間絶縁膜２５を挟んで２６
ｂ、２６ｃの二層から形成される。このように形成する
ことにより、印加電圧が同じならば共通電極配線２６
ｂ、２６ｃと画素電極配線２７ｂによって形成される電
気力線の間隔が狭くなり、電界が強くなる。従って、同
じ強さの電界を形成するために必要な共通電極配線と画
素電極に印加する電圧を小さくすることができる。
【００５９】図５は図４（ａ）において、透明膜から成
る共通電極配線２６ｂを形成する最上層の透明膜（ＩＴ
Ｏ）の層（ａ）と、データ線２４の形成されるている第
２の金属層と同じ層に形成される透明膜（ＩＴＯ）、す
なわち画素電極層２７ｂ、第２の金属層で形成されるデ
ータ線２４ａに積層される透明膜２４ｂ、共通電極配線
２６ｃから成る層（ｂ）と、それ以外の層、すなわち走
査線２８を形成する第１の金属層、データ線２４を形成
する第２の金属層等の層（ｃ）を分けて示した平面図で
ある。共通電極配線２６ｂと２６ｃはコンタクトホール
によって接続される。
【００６０】これにより、コンタクトホールを形成する
領域分だけ、実効的な開口率は低下するものの、低電圧
で液晶駆動ができ、消費電力を抑えることができる。
【００６１】改めて説明を加えると、図６、図７は第１
の実施形態に係る液晶表示装置１０のＴＦＴ素子部分、
単位画素部分を一つの図にまとめて示したものである。
それぞれの部分は、図１のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線にお
ける断面図を示す。
【００６２】図６は共通電極配線２６、データ線２４が
不透明膜と透明膜の積層構造の場合であり、図７は共通
電極配線２６、データ線が単層の場合である。すなわ
ち、共通電極配線２６は透明膜２６ｂのみ、データ線２
４は不透明膜２４ａのみの単層構造である。これらの効
果については後述するが、今後の説明は基本的には図６
に従って行う。図２は図６に対応する構成になってい
る。
【００６３】走査線２８及びゲート電極３６は、図６及
び図１に示すように、第１の金属層で形成されている。
【００６４】横電界方式の本液晶表示装置１０において
は、走査線２８を介して供給される走査用信号により選
択された走査線２８上で、かつ、データ線２４を介して
供給されるデータ信号が書き込まれた画素において、共
通電極配線２６と画素電極２７との間で、第１及び第２
の透明絶縁性基板２２、１６に平行な電界を生じさせ、
この電界に従って液晶分子の配向方向を透明絶縁性基板
２２、１６と平行な平面内において回転させ、所定の表
示が行われる。図１において、透明膜で形成される共通
電極配線２６ｂと画素電極２７ｂに囲まれた縦長の領域
をコラムという。
【００６５】図６のＴＦＴ素子において、平面図上ゲー
ト電極３６と重ねてクロム層からなる共通電極配線２６
ａを形成することにより、ＴＦＴ３０に第２の透明絶縁
性基板１６側から入射する光を遮光することができる。
これによってＴＦＴのさらなる信頼性向上を図る。ま
た、共通電極配線を密着した不透明膜２６ａと透明膜２
６ｂの積層構造にすることにより配線抵抗を下げ、共通
電極電位の安定化を図る。平面図上ゲート電極と重ねて
クロム層からなる共通電極配線２６ａを形成することに
より、開口部を最大にすることもできる。
【００６６】図６はＴＦＴ素子の場合であるが、走査線
２８を覆う共通電極配線２６についても同様のことが言
える。図１１に、走査線２８を覆う共通電極配線２６を
密着したクロムの不透明膜２６ａとＩＴＯの透明膜２６
ｂの積層構造にした実施例を示す。不透明膜２６ａの幅
は走査線２８の幅以下にすることにより、不透明膜２６
ａが走査線２８によって覆われるようにする。このよう
に構成することにより、開口部を最大にし、かつ共通電
極配線２６の配線抵抗を下げ、データ信号の遅延防止を
図ることができる。
【００６７】図１１は走査線２８を覆う共通電極配線２
６の場合であるが、データ線２４を覆う共通電極配線２
６でも同様な構成をとることができる。図１１と同様な
効果に加えて、データ線２４を覆う共通電極配線２６の
場合、不透明膜から成る共通電極配線２６ａを遮光層と
して用いることにより、対向基板のブラックマトリクス
層の削減又は削除をすることができる。
【００６８】また、図１１のように、ＩＴＯの透明膜２
６ｂを不透明膜２６ａより液晶層１３側に配置し、かつ
透明膜２６ｂで不透明膜２６ａを完全に覆うようにする
ことにより、不透明膜が液晶と反応して溶出することを
防止し、信頼性向上を図る。ＩＴＯは電気化学反応に対
して極めて安定している物質であるためである。ただ
し、ＩＴＯより電気化学反応に対し安定している物質で
不透明膜２６ａを形成する場合は、不透明膜２６ａを透
明膜２６ｂより液晶層１３側に配置し、かつ不透明膜２
６ａで透明膜２６ｂを完全に覆うようにすることが望ま
しい。
【００６９】図６に示すように、薄膜トランジスタ３０
は、ゲート電極３６と、ドレイン電極３４と、ソース電
極３５とを備えており、走査線２８とデータ線２４との
交点の近傍に各画素に対応して設けられている。ゲート
電極３６は走査線２８に、ドレイン電極３４はデータ線
２４に、ソース電極３５は画素電極２７ｂにそれぞれ電
気的に接続されている。
【００７０】図６に示すように、ＴＦＴ３０のソース電
極３５は、データ線と同じ第２の金属層で形成される不
透明膜３５ａと、画素電極２７ｂと同じ層に同じＩＴＯ
で形成される透明膜３５ｂが密着した積層構造になって
いる。ドレイン電極３４の透明膜３４ｂ及びソース電極
３５の透明膜３５ｂをデータ線２４と同一の層に形成す
ることにより、ＴＦＴ製造工程の増加を防止することが
できる。
【００７１】また、ＴＦＴ３０のチャネル側では透明膜
３４ｂ、３５ｂはそれよりチャネル長と平行方向の長さ
が長い不透明膜３４ａ、３５ａによって覆われる。すな
わち、図６において、３４ａ、３５ａは開口部端まで形
成されており、３４ｂ、３５ｂは開口部端からそれぞれ
０．５〜１μｍ後退している。このように構成すること
により、薄膜トランジスタの特性に影響するチャネル長
は前記不透明膜により決まるため、透明膜のパターン精
度によって薄膜トランジスタの特性がばらつくことを防
止できる。また、不透明膜の上に密着して透明膜を形成
するとき、透明膜と不透明膜の幅が異なると、透明膜の
パターニング時のエッチングにおいて、不透明膜及び透
明膜が消失することがある。これをを防止し、歩留向上
を図るために、ＴＦＴ３０のチャネル側では透明膜３４
ｂ、３５ｂのチャネル長と平行方向の長さを、不透明膜
３４ａ、３５ａ膜の対応する長さより０．５〜１μｍ短
く形成することが望ましい。
【００７２】図７に示す第１の実施形態に係る液晶表示
装置１０のＴＦＴ素子部分では、ＴＦＴ素子を覆う共通
電極配線２６ｂが透明膜（ＩＴＯ）の単層のみから成
り、ドレイン電極３４、ソース電極３５は第２の金属層
の単層のみから成っている。また、図７の単位素子部分
では、データ線２４が透明膜の単層から成っている。そ
れ以外は図６と同じである。
【００７３】以下に、図６に示す液晶表示装置１０のＴ
ＦＴ素子部分、単位画素部分の製造方法について簡単に
説明する。
【００７４】第１の透明絶縁性基板２２としてのガラス
基板上に第１の金属層としてクロム層からなるゲート電
極３６及び走査線２８をフォトリソグラフィー及びドラ
イエッチングによりパターニングし、形成する。
【００７５】次いで、ゲート電極３６及び走査線２８を
覆って、透明絶縁性基板２２上に酸化シリコン膜（Ｓｉ
Ｏ2）と窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）との積層膜から成
る第１の層間絶縁膜２３を全面に形成する。
【００７６】次いで、ａ−Ｓｉ膜３２とｎ+ａ−Ｓｉ膜
３３の積層膜から成る非晶質シリコン膜を第１の層間絶
縁膜２３の上に一面に形成する。
【００７７】次いで、非晶質シリコン膜３２，３３をフ
ォトリソグラフィー及びドライエッチングにより薄膜ト
ランジスタの島状半導体層となるようにパターニングす
る。
【００７８】次いで、第２の金属層としてクロム層を一
面に堆積させ、このクロム層をフォトリソグラフィー及
びドライエッチングによりパターニングし、第２の金属
層でＴＦＴ３０のドレイン電極３４の不透明膜３４ａ、
ソース電極３５の不透明膜３５ａ、データ線２４の不透
明膜２４ａを形成する。
【００７９】次いで、ＩＴＯを全面に堆積させ、フォト
リソグラフィー及びドライエッチングによりパターニン
グし、ドレイン電極３４の透明膜３４ｂ、ソース電極３
５の透明膜３５ｂ、データ線２４の透明膜２４ｂ、画素
電極２７の透明膜２７ｂを形成する。
【００８０】ＩＴＯのパターニング後、ＴＦＴ素子のチ
ャネルエッチを行う。ドレイン電極３４とソース電極３
５との間の開口部において、非晶質シリコン膜の途中ま
で、ｎ+型ａ−Ｓｉ膜３３及びａ−Ｓｉ膜３２をドレイ
ン電極３４及びソース電極３５をマスクとしてエッチン
グし、ＴＦＴ３０のチャネルを形成する。
【００８１】次いで、無機膜としての窒化シリコン膜か
ら成る第２の層間絶縁膜２５を全面に堆積させる。
【００８２】次いで、クロム層から成る共通電極配線２
６ａを平面図上ゲート電極３６と略同じ位置にフォトリ
ソグラフィー及びドライエッチングによりパターニング
し、形成する。このとき、クロム層から成る共通電極配
線２６ａはそれより面積の広いゲート電極３６で覆われ
ることが望ましい。ゲート電極３６で決まる開口部を共
通電極配線２６ａにより縮小することがないからであ
る。
【００８３】次いで、ＩＴＯを全面に堆積させ、フォト
リソグラフィー及びエッチングにより、単位画素の形成
領域内及びＴＦＴ素子の形成領域内に、それぞれＩＴＯ
から成る共通電極配線２６ｂを形成する。
【００８４】図７は図６に比べてＩＴＯから成るデータ
線２４ｂ、クロム層から成る共通電極配線２６ａの製造
工程がないだけなので、説明は省略する。
【００８５】（本発明の第２の実施形態）図９に本発明
の第２の実施形態に係る横電界方式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置１００を示す。ラビングによって規
定された液晶配向方向（ラビング方向）と、画素電極２
７と共通電極配線２６の間に印加される電界の向きとの
関係が、図９の画素電極２７と共通電極配線２６に囲ま
れた表示領域全体のすべての領域において、液晶配向方
向から時計回りに鋭角だけ回転させることで電界の方向
に重なるような関係となるように、各コラムのデータ線
と平行方向の上下の両端を形成する画素電極２７及び共
通電極配線２６の形状を、図９のように斜めのエッジを
もつように形成することができる。
【００８６】図８のように、液晶配向方向から電界方向
への鋭角回転の向きが反時計回りとなる領域が存在する
と、この領域は、画素電極２７と共通電極配線２６との
間の電界印加により、目的とする液晶回転方向と逆方向
の回転をするドメインを画素端に発生させてしまう。逆
回転しているドメインがあり、正常回転しているドメイ
ンと逆回転しているドメインとの境界に生じるディスク
リネーションが長時間固定して発生すると、これに伴っ
て表示状態が変化し、初期と同じ状態が得られなくなる
ことがあり、信頼性が低下する。また、共通電極配線２
６及び画素電極２７を透明膜で形成するため、ディスク
リネーションが目立ちやすい。
【００８７】図９のように、共通電極配線２６及び画素
電極２７の形状を斜めのエッジをもつように形成するこ
とにより、このような逆回転を防止することができる。
図９の共通電極配線２６及び画素電極２７に斜めのエッ
ジを持たせることにより液晶のツイスト方向を一方向に
固定する構造を逆回転防止構造と称する。
【００８８】逆回転防止構造の層配置を図１０によって
説明する。図１０は、図３と同様に、共通電極配線２６
ｂを形成する最上層の透明膜（ＩＴＯ）の層（ａ）と、
データ線２４の形成されるている第２の金属層と同じ層
に形成される透明膜（ＩＴＯ）（ｂ）と、それ以外の層
（ｃ）を分けて示した平面図である。第２の金属層と同
じ層にＩＴＯで形成した画素電極２７ｂと第２の層間絶
縁膜の上にＩＴＯで形成した共通電極配線２６ｂの櫛歯
電極の両端にそれぞれ斜めのエッジ２６ｅ、２７ｅを設
けることにより、液晶のツイスト方向を一方向に固定す
る逆回転防止構造を形成することができる。液晶分子の
分子軸の逆回転を防止することにより、ディスクリネー
ションの発生を防ぎ、本液晶表示装置１００の透過率及
び信頼性を向上させることができる。
【００８９】（本発明の第３の実施形態）図１２に本発
明のパネル周辺部構造を示す。図１２に示すように、第
１の金属層４１で形成される走査線２８をパネル周辺部
において、コンタクトホール４４を介して第２の金属層
４２と接続している。ここで、第２の金属層４２に密着
して透明膜４３も形成されている。
【００９０】このようにパネル周辺部において第１の金
属層４１と第２の金属層４２をコンタクトホール４４を
介して接続することにより、データ線２４のパターン後
に行う画素電極２７ｂをパターン化する場合における電
池反応による電極消失を防ぐことができ、歩留向上を図
ることができる。
【００９１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置によれば、発明が解決しようとする課題に記載した事
項及びそれに関連する事項を以下のように解決すること
ができる。 （１）開口率を低下させることなく縦方向のクロストー
クを防止したＩＰＳモードの液晶表示装置を提供する。 （２）透明電極で形成される共通電極によってデータ線
を覆った上記ＩＰＳモードの液晶表示装置において、前
記共通電極の抵抗値を低減する。 （３）従来のＩＰＳモードの液晶表示装置において、軽
減された漏れ電界によって発生する縦方向のクロストー
クが表示に表れないようにするために採用されていたブ
ラックマトリクス層等の遮光膜を削減又は削除し、さら
に開口率の向上を図る。 （４）上記ＩＰＳモードの液晶表示装置の透明電極を安
価に形成できる構成を提供する。 （５）上記ＩＰＳモードの液晶表示装置のデータ線と共
通電極配線との間の寄生容量を増やすことなく共通電極
配線でデータ線をほぼ完全に覆う構成を提供する。 （６）上記ＩＰＳモードの液晶表示装置において、デー
タ線をシールドするためのより信頼性の高い透明材料を
提供する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の
実施例の平面図（ａ）と（ａ）のＡ−Ａ’線における断
面図（ｂ）である。
【図２】図１の単位画素部分の回路図である。
【図３】図１を透明膜で形成される共通電極配線層
（ａ）と、第２の金属層と同じ層に透明膜で形成される
画素電極層（ｂ）と、それ以外の層（ｃ）に分けて示し
た平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置の
第４変形例の平面図（ａ）と、（ａ）のＡ−Ａ’線にお
ける断面図（ｂ）である。
【図５】図４を最上層の透明膜（ａ）と、下層の透明膜
（ｂ）と、それ以外の層（ｃ）に分けて示した平面図で
ある。
【図６】データ線がＩＴＯ／Ｃｒの積層配線、共通電極
配線の一部がＩＴＯ／Ｃｒの積層配線である場合におけ
る図１（ａ）のＡ−Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線における断面図
である。
【図７】データ線がＣｒの単層配線、共通電極配線がＩ
ＴＯの単層配線である場合における図１（ａ）のＡ−
Ａ’線、Ｂ−Ｂ’線における断面図である。
【図８】図１の液晶表示装置でディスクリネーションが
発生することを説明する説明図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る液晶表示装置の
平面図である。
【図１０】図８を最上層の透明膜（ａ）と、下層の透明
膜（ｂ）と、それ以外の層（ｃ）に分けて示した平面図
である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置
の共通電極配線と走査線の断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態に係る液晶表示装置
のパネル周辺部の断面図である。
【図１３】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置
の変形例を示す平面図（ａ）と、（ａ）のＣ−Ｃ’線に
おける断面図（ｂ）である。
【図１４】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置
の変形例を示す平面図（ａ）と、（ａ）のＣ−Ｃ’線に
おける断面図（ｂ）である。
【図１５】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置
の変形例を示す平面図（ａ）と、（ａ）のＣ−Ｃ’線に
おける断面図（ｂ）である。
【図１６】本発明の第１の実施形態に係る液晶表示装置
の変形例を示す平面図（ａ）と、（ａ）のＣ−Ｃ’線に
おける断面図（ｂ）である。
【符号の説明】
１０ 第１の実施形態に係る液晶表示装置 １１ 能動素子基板 １２ 対向基板 １３ 液晶層 １４ 偏光板 １５ 導電層 １６ 第２の透明絶縁性基板 １８ 色層 １８ｒ、１８ｇ、１８ｂ 赤／緑／青の色層 １９ オーバーコート層 ２０ 配向膜 ２２ 第１の透明絶縁性基板 ２３ 第１の層間絶縁膜 ２４ データ線 ２４ａ 不透明膜から成るデータ線 ２４ｂ 透明膜から成るデータ線 ２５ 第２の層間絶縁膜 ２６ 共通電極配線 ２６ａ 不透明膜から成る共通電極配線 ２６ｂ、２６ｃ 透明膜から成る共通電極配線 ２６ｄ コンタクトホール ２７ 画素電極 ２７ａ 不透明膜から成る画素電極 ２７ｂ 透明膜から成る画素電極 ２８ 走査線 ２９ 絶縁膜 ３０ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ３４ ドレイン電極 ３４ａ 不透明膜から成るドレイン電極 ３４ｂ 透明膜から成るドレイン電極 ３５ ソース電極 ３５ａ 不透明膜から成るソース電極 ３５ｂ 透明膜から成るソース電極 ３６ ゲート電極 ３２ ａ−Ｓｉ膜 ３３ ｎ+ａ−Ｓｉ膜 ３９ コンタクトホール ４０ ブラックマトリクス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/88 Ａ Ｓ (72)発明者 西田 真一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 LA01 LA04 MA07 MB01 2H092 GA14 GA17 JA31 JA46 NA07 NA23 PA02 5F033 GG04 HH17 HH38 JJ01 JJ38 KK38 MM05 MM11 MM21 QQ08 QQ09 QQ37 RR04 RR06 UU04 VV03 VV06 VV15 XX23 XX24 XX27 XX34 5F110 AA03 AA09 BB01 CC07 EE04 FF02 FF03 FF09 GG02 GG15 HK04 HK07 HK09 HK16 HK21 HM19 NN02 NN24 NN72 NN73

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 横電界方式のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置において、データ線及び走査線はそれより幅
    の広い透明な共通電極配線によって覆われることを特徴
    とする横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  2. 【請求項２】 前記共通電極配線は密着する透明膜と不
    透明膜の二層から成り、少なくとも一部は透明膜単層か
    ら成ることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式の
    アクティブマトリクス型液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 透明膜と不透明膜の二層から成る前記共
    通電極配線の最も液晶層に近い側は透明膜から成ること
    を特徴とする請求項２に記載の横電界方式のアクティブ
    マトリクス型液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 前記不透明膜は前記透明膜によって完全
    に覆われていることを特徴とする請求項３に記載の横電
    界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 前記不透明膜はそれより幅の広い前記走
    査線によって覆われていることを特徴とする請求項２に
    記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  6. 【請求項６】 前記走査線を覆う共通電極配線と前記デ
    ータ線を覆う共通電極配線は互いに電気的に接続される
    ことを特徴とする請求項１に記載の横電界方式のアクテ
    ィブマトリクス型液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 前記共通電極配線の一部を共通電極と
    し、前記共通電極と画素電極との間に形成される電界に
    よって液晶を駆動することを特徴とする請求項１乃至請
    求項６の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマ
    トリクス型液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 前記画素電極は透明膜から成ることを特
    徴とする請求項７に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 前記共通電極は層間絶縁膜を挟んで二層
    から形成され、前記共通電極の何れか一層は前記画素電
    極と同一層に形成されることを特徴とする請求項８に記
    載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記共通電極は前記画素電極と異なる
    層に形成されることを特徴とする請求項１乃至請求項９
    の何れか一項に記載の横電界方式のアクティブマトリク
    ス型液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】 前記共通電極配線は前記画素電極より
    液晶層に近い層に形成されることを特徴とする請求項１
    ０に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  12. 【請求項１２】 前記共通電極配線は絶縁膜により被覆
    されることを特徴とする請求項１乃至請求項１１の何れ
    か一項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液
    晶表示装置。
  13. 【請求項１３】 前記共通電極と前記画素電極を層間絶
    縁膜を介して重畳させることで、保持容量を形成するこ
    とを特徴とする請求項１乃至請求項１２の何れか一項に
    記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  14. 【請求項１４】 前記画素電極と前記走査線は層間絶縁
    膜を介して重畳させることで、保持容量を形成すること
    を特徴とする請求項１乃至請求項１３の何れか一項に記
    載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装
    置。
  15. 【請求項１５】 前記画素電極は前記データ線と同一層
    上に層間絶縁膜を介さずに形成されることを特徴とする
    請求項１乃至請求項１４の何れか一項に記載の横電界方
    式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
  16. 【請求項１６】 前記データ線は不透明膜とそれに密着
    し、それより幅の狭い透明膜の二層から成ることを特徴
    とする請求項１５に記載の横電界方式のアクティブマト
    リクス型液晶表示装置。
  17. 【請求項１７】 薄膜トランジスタのソース電極、ドレ
    イン電極は不透明膜とその上に密着する透明膜の二層で
    形成され、前記薄膜トランジスタのチャネル側では前記
    透明膜はそれよりチャネル長と平行方向の長さが長い前
    記不透明膜によって覆われることを特徴とする請求項１
    ６に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  18. 【請求項１８】 前記第１の金属層と前記第２の金属層
    は周辺部でコンタクトホールによって電気的に接続され
    ることを特徴とする請求項１乃至請求項１７の何れか一
    項に記載の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表
    示装置。
  19. 【請求項１９】 走査線と平行方向に延在し、相対する
    前記共通電極及び画素電極は液晶の初期配向角度に対し
    て略垂直方向角度のエッジを有することを特徴とする請
    求項１乃至１８の何れか一項に記載の横電界方式のアク
    ティブマトリクス型液晶表示装置。
  20. 【請求項２０】 前記透明膜はＩＴＯであることを特徴
    とする請求項１乃至請求項１９の何れか一項に記載の横
    電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
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