JP2003297601A - Chip resistor, circuit device having mounted chip resistor, and hybrid integrated circuit device - Google Patents
Chip resistor, circuit device having mounted chip resistor, and hybrid integrated circuit deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はチップ抵抗器および
それが実装された装置に関するものであり、特に構造が
簡略化されたチップ抵抗器およびそれが実装された装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip resistor and a device having the same mounted thereon, and more particularly to a chip resistor having a simplified structure and a device having the same mounted thereto.
【0002】[0002]
【従来の技術】図8を参照して、従来のチップ抵抗器5
0について説明する。図8(A)はチップ抵抗器50の
断面図である。図8(B)は、チップ抵抗器50を基板
55に実装した状態を示す断面図である。2. Description of the Related Art Referring to FIG. 8, a conventional chip resistor 5 is used.
0 will be described. FIG. 8A is a sectional view of the chip resistor 50. FIG. 8B is a sectional view showing a state in which the chip resistor 50 is mounted on the substrate 55.
【0003】図8(A)を参照して、チップ抵抗器50
の構成を説明する。チップ抵抗器50は、絶縁基板53
と、絶縁基板53の表面に形成された抵抗体51と、絶
縁基板53の両端に形成された電極部52とから形成さ
れている。Referring to FIG. 8A, a chip resistor 50
The configuration of will be described. The chip resistor 50 is an insulating substrate 53.
And a resistor 51 formed on the surface of the insulating substrate 53, and electrode portions 52 formed on both ends of the insulating substrate 53.
【0004】絶縁基板53は、チップ抵抗器50の基体
となるものである。絶縁基板53の材料としては、機械
的強度・熱伝導率・絶縁性等に優れているセラミック系
の材料が使用される。The insulating substrate 53 is a base of the chip resistor 50. As the material of the insulating substrate 53, a ceramic material having excellent mechanical strength, thermal conductivity, insulation and the like is used.
【0005】抵抗体51は、一般的には、導電体とガラ
スの混合物である。抵抗体を絶縁基板53の表面に形成
する方法としては、ペースト状の導電体とガラスの混合
物を絶縁基板53に塗布し、高温で焼き付けることによ
り、抵抗体51は形成される。The resistor 51 is generally a mixture of a conductor and glass. As a method of forming the resistor on the surface of the insulating substrate 53, the resistor 51 is formed by applying a paste-like mixture of a conductor and glass to the insulating substrate 53 and baking at a high temperature.
【0006】電極部52は、抵抗体51と電気的に接続
され、チップ抵抗器50の電極としての働きを有する。
電極部52は、細長に形成された絶縁基板53の両端を
覆うように形成されている。そして、一般的には、電極
部52は3層構造に成っており、内側から銀パラジウム
層、Ni層、半田メッキ層が形成されているものが多
い。The electrode portion 52 is electrically connected to the resistor 51 and has a function as an electrode of the chip resistor 50.
The electrode portion 52 is formed so as to cover both ends of the elongated insulating substrate 53. In general, the electrode part 52 has a three-layer structure, and in many cases, a silver-palladium layer, a Ni layer, and a solder plating layer are formed from the inside.
【0007】図8(B)を参照して、チップ抵抗器50
が基板55に実装された状態を説明する。上記したよう
なチップ抵抗器50は、例えば基板55上に形成された
導電パターン56に半田等のロウ材57を介して実装さ
れる。チップ抵抗器50の端部の側面は電極部52で覆
われている。従って、ロウ材57を介してチップ抵抗器
50を基板55に実装すると、チップ抵抗器50の両端
部にはロウ材57より成るフィレットが形成される。Referring to FIG. 8B, the chip resistor 50
The state in which is mounted on the substrate 55 will be described. The chip resistor 50 as described above is mounted on, for example, a conductive pattern 56 formed on a substrate 55 via a brazing material 57 such as solder. The side surface of the end portion of the chip resistor 50 is covered with the electrode portion 52. Therefore, when the chip resistor 50 is mounted on the substrate 55 via the brazing material 57, fillets made of the brazing material 57 are formed at both ends of the chip resistor 50.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】上述したようなチップ
抵抗器を基板に実装する場合、ロウ材より成るフィレッ
トが、チップ抵抗器と実装基板との接続強度を維持する
役目を有している。そして、樹脂封止する構造を有する
装置に於いては以下のような問題を有していた。When the chip resistor as described above is mounted on the substrate, the fillet made of the brazing material has a role of maintaining the connection strength between the chip resistor and the mounting substrate. The device having the structure of resin sealing has the following problems.
【0009】第1に、チップ抵抗器50の長手方向の端
部は、側面部付近にも電極部52が形成されていたの
で、構造が複雑である問題があった。First, the longitudinal end portion of the chip resistor 50 has the problem that the structure is complicated because the electrode portion 52 is formed near the side surface portion.
【0010】第2に、チップ抵抗器50を基板55にロ
ウ材57を介して実装すると、チップ抵抗器50の端部
にはロウ材57から成るフィレットが形成される。この
ことから、チップ抵抗器50の実装面積が増大してしま
う。従って、チップ抵抗器50が実装される回路装置等
の製品の実装密度が低下してしまう問題があった。更
に、この大きなフィレットが必要以上の電気容量を持
ち、電気信号の伝達速度を低下させてしまう問題があっ
た。Secondly, when the chip resistor 50 is mounted on the substrate 55 via the brazing material 57, a fillet made of the brazing material 57 is formed at the end of the chip resistor 50. Therefore, the mounting area of the chip resistor 50 increases. Therefore, there is a problem that the packaging density of products such as a circuit device in which the chip resistor 50 is mounted is reduced. Furthermore, there is a problem that this large fillet has an unnecessarily large electric capacity, which reduces the transmission speed of electric signals.
【0011】本発明はこのような問題を鑑みて成された
ものであり、本発明の主な目的は、簡素化された構造を
有するチップ抵抗器およびそれが実装された回路装置、
混成集積回路装置を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and a main object of the present invention is to provide a chip resistor having a simplified structure and a circuit device in which the chip resistor is mounted.
It is to provide a hybrid integrated circuit device.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、第1に、絶縁
基板と、前記絶縁基板の表面に形成された抵抗体と、前
記抵抗体の両端に形成された電極部とを有するチップ抵
抗器に於いて、前記電極部を前記絶縁基板の表面のみに
形成したことを特徴とする。First, the present invention provides a chip resistor having an insulating substrate, a resistor formed on the surface of the insulating substrate, and electrode portions formed at both ends of the resistor. In the container, the electrode portion is formed only on the surface of the insulating substrate.
【0013】本発明は、第2に、導電パターンと、前記
導電パターンにロウ材を介して実装されたチップ抵抗器
と、前記導電パターンの裏面を露出させて前記導電パタ
ーンおよび前記チップ抵抗器を封止する絶縁性樹脂とを
有する回路装置に於いて、前記チップ抵抗器を、抵抗体
と電極部が形成された面を下面にして前記導電パターン
に実装することを特徴とする。Secondly, the present invention provides a conductive pattern, a chip resistor mounted on the conductive pattern via a brazing material, and a back surface of the conductive pattern exposed to expose the conductive pattern and the chip resistor. In a circuit device having an insulating resin for sealing, the chip resistor is mounted on the conductive pattern with a surface on which a resistor and an electrode portion are formed as a lower surface.
【0014】本発明は、第3に、前記ロウ材は前記電極
部と前記導電パターンを接合させることを特徴とする。Thirdly, the present invention is characterized in that the brazing material joins the electrode part and the conductive pattern.
【0015】本発明は、第4に、前記絶縁性樹脂が前記
導電パターンおよび前記チップ抵抗と接着することによ
り、前記チップ抵抗と前記導電パターンとの接続強度を
確保することを特徴とする。Fourthly, the present invention is characterized in that the insulating resin adheres to the conductive pattern and the chip resistor to secure the connection strength between the chip resistor and the conductive pattern.
【0016】本発明は、第5に、基板と、前記基板の表
面に形成された導電パターンと、前記導電パターン上に
ロウ材を介して実装されたチップ抵抗器と、前記チップ
抵抗器を封止する絶縁性樹脂とを有する混成集積回路装
置に於いて、前記チップ抵抗器を、抵抗体と電極部が形
成された面を下面にして前記導電パターンに実装するこ
とを特徴とする。Fifthly, the present invention encloses a substrate, a conductive pattern formed on the surface of the substrate, a chip resistor mounted on the conductive pattern via a brazing material, and the chip resistor. In the hybrid integrated circuit device having an insulating resin for stopping, the chip resistor is mounted on the conductive pattern with the surface on which the resistor and the electrode portion are formed as the lower surface.
【0017】本発明は、第6に、前記ロウ材は前記電極
部と前記導電パターンを接合させることを特徴とする。Sixth, the present invention is characterized in that the brazing material joins the electrode part and the conductive pattern.
【0018】本発明は、第7に、前記絶縁性樹脂が前記
基板、前記導電パターンおよび前記チップ抵抗と接着す
ることにより、前記チップ抵抗と前記導電パターンとの
接続強度を確保することを特徴とする。Seventhly, the present invention is characterized in that the insulating resin adheres to the substrate, the conductive pattern and the chip resistor to secure the connection strength between the chip resistor and the conductive pattern. To do.
【0019】[0019]
【発明の実施の形態】(チップ抵抗器10を説明する第
1の実施の形態)図1を参照して、本発明のチップ抵抗
器10の構成等を説明する。図1(A)はチップ抵抗器
10の断面図であり、図1(B)はチップ抵抗器10を
基板15に実装した状態を示す断面図である。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (First Embodiment of Chip Resistor 10) Referring to FIG. 1, the structure and the like of a chip resistor 10 of the present invention will be described. 1A is a sectional view of the chip resistor 10, and FIG. 1B is a sectional view showing a state in which the chip resistor 10 is mounted on the substrate 15.
【0020】先ず、図1(A)を参照して、チップ抵抗
器10の構成を説明する。チップ抵抗器10は、絶縁基
板13と、絶縁基板13の表面に形成された抵抗体11
と、抵抗体11の両端に形成された電極部12とから構
成されている。そして、電極部12は絶縁基板13の表
面のみに形成されている。このような各構成要素を以下
にて説明する。First, the structure of the chip resistor 10 will be described with reference to FIG. The chip resistor 10 includes an insulating substrate 13 and a resistor 11 formed on the surface of the insulating substrate 13.
And electrode portions 12 formed on both ends of the resistor 11. The electrode portion 12 is formed only on the surface of the insulating substrate 13. Each of these components will be described below.
【0021】絶縁基板13は、チップ抵抗器10の基体
となるものである。絶縁基板13の材料としては、機械
的強度・熱伝導率・絶縁性等に優れているセラミック系
の材料が使用される。The insulating substrate 13 serves as a base of the chip resistor 10. As the material of the insulating substrate 13, a ceramic material having excellent mechanical strength, thermal conductivity, insulation, etc. is used.
【0022】抵抗体11は、導電体とガラスの混合物で
ある。抵抗体を絶縁基板13の表面に形成する方法とし
ては、ペースト状の導電体とガラスの混合物を絶縁基板
13に塗布し、高温で焼き付けることにより、抵抗体1
1は形成される。また、抵抗体11を機械的・電気的に
保護するために、抵抗体11の上層にガラスより成る保
護層を設けても良い。The resistor 11 is a mixture of a conductor and glass. As a method of forming the resistor on the surface of the insulating substrate 13, a mixture of a paste-like conductor and glass is applied to the insulating substrate 13 and baked at a high temperature to form the resistor 1
1 is formed. Further, in order to protect the resistor 11 mechanically and electrically, a protective layer made of glass may be provided above the resistor 11.
【0023】電極部12は、抵抗体11と電気的に接続
され、チップ抵抗器10の電極としての働きを有する。
電極部12は、細長に形成された絶縁基板13の両端部
付近の表面のみを覆うように形成されている。そして、
電極部12は一般的に3層構造に成っており、例えば絶
縁基板13側から銀パラジウム層、Ni層、半田メッキ
層が形成されている。ここで、電極部12はチップ抵抗
器10の表面のみに形成されており、側面部には形成さ
れていない。The electrode portion 12 is electrically connected to the resistor 11 and has a function as an electrode of the chip resistor 10.
The electrode portion 12 is formed so as to cover only the surfaces of the insulating substrate 13 formed in the elongated shape near both ends. And
The electrode portion 12 generally has a three-layer structure, and for example, a silver palladium layer, a Ni layer, and a solder plating layer are formed from the insulating substrate 13 side. Here, the electrode portion 12 is formed only on the surface of the chip resistor 10 and is not formed on the side surface portion.
【0024】図1(B)を参照して、チップ抵抗器10
を基板15に実装した状態を説明する。チップ抵抗器1
0は、抵抗体11が形成された面を下方向にして、ロウ
材17を介して、基板15上に形成された導電パターン
16に実装される。従来例では、抵抗体11の端部に
は、ロウ材17より成るフィレットが形成さていたが、
ここではロウ材より成るフィレットは形成されない。ロ
ウ材17は、電極部12の下面と導電パターン17とを
接合させている。従って、チップ抵抗器10を基板15
に実装する際に必要な実装面積は、チップ抵抗器10の
平面的な大きさと同程度である。Referring to FIG. 1B, the chip resistor 10
The state in which is mounted on the substrate 15 will be described. Chip resistor 1
0 is mounted on the conductive pattern 16 formed on the substrate 15 through the brazing material 17 with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward. In the conventional example, the fillet made of the brazing material 17 was formed at the end of the resistor 11,
Fillets made of brazing material are not formed here. The brazing material 17 joins the lower surface of the electrode portion 12 and the conductive pattern 17. Therefore, the chip resistor 10 is mounted on the substrate 15
The mounting area required for mounting is approximately the same as the planar size of the chip resistor 10.
【0025】図2を参照して上述したチップ抵抗器10
が実装された回路装置20の構成を説明する。図2
(A)は回路装置20の平面図であり、図2(B)は図
2(A)の断面図である。The chip resistor 10 described above with reference to FIG.
The configuration of the circuit device 20 in which is mounted will be described. Figure 2
2A is a plan view of the circuit device 20, and FIG. 2B is a sectional view of FIG.
【0026】図2(A)および図2(B)を参照して、
回路装置20は次のような構成を有している。即ち、導
電パターン21と、導電パターン21にロウ材25を介
して実装されたチップ抵抗器10と、導電パターンの裏
面を露出させて導電パターンおよびチップ抵抗器10を
封止する絶縁性樹脂24とで回路装置20は構成されて
いる。また、チップ抵抗器10は、抵抗体と電極部が形
成された面を下面にして導電パターン21に実装されて
いる。このような各構成要素を以下にて説明する。Referring to FIGS. 2 (A) and 2 (B),
The circuit device 20 has the following configuration. That is, the conductive pattern 21, the chip resistor 10 mounted on the conductive pattern 21 via the brazing material 25, and the insulating resin 24 that exposes the back surface of the conductive pattern and seals the conductive pattern and the chip resistor 10. The circuit device 20 is constituted by. Further, the chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 21 with the surface on which the resistor and the electrode portion are formed as the lower surface. Each of these components will be described below.
【0027】導電パターン21は銅等の金属なら成り、
裏面を露出させて絶縁性樹脂24に埋め込まれている。
ここで、導電パターン20は、半導体素子22が実装さ
れるダイパッド21Aおよび金属細線23が接続される
ボンディングパッド21Bを形成する。The conductive pattern 21 is made of metal such as copper,
The back surface is exposed and embedded in the insulating resin 24.
Here, the conductive pattern 20 forms the die pad 21A on which the semiconductor element 22 is mounted and the bonding pad 21B to which the metal thin wire 23 is connected.
【0028】半導体素子22は、チップ抵抗器10と共
に半田等のロウ材を介して導電パターン21に実装され
る回路素子である。導電パターン21に実装される回路
素子としてはここではチップ抵抗器10および半導体素
子22を採用しているが、それ以外の回路素子を採用す
ることも可能である。例えば、IC等の能動素子やコン
デンサ等の受動素子を全般的に回路素子として採用する
ことができる。また、半導体素子22はフェイスアップ
で実装されており、半導体素子22と導電パターン21
Bは、金属細線23を介して電気的に接続されている。The semiconductor element 22 is a circuit element mounted on the conductive pattern 21 together with the chip resistor 10 via a brazing material such as solder. As the circuit element mounted on the conductive pattern 21, the chip resistor 10 and the semiconductor element 22 are adopted here, but other circuit elements can also be adopted. For example, active elements such as ICs and passive elements such as capacitors can be generally adopted as circuit elements. The semiconductor element 22 is mounted face up, and the semiconductor element 22 and the conductive pattern 21 are mounted.
B is electrically connected via a thin metal wire 23.
【0029】チップ抵抗器10は、抵抗体11が形成さ
れた面を下方向にして、ロウ材25を介して導電パター
ン21に実装される。従来例では、抵抗体11の端部に
は、ロウ材17より成るフィレットが形成さていたが、
ここでは、ロウ材25より成るフィレットは形成されな
い。ロウ材25は、電極部12の下面と導電パターン2
1とを接合させている。従って、チップ抵抗器10を導
電パターン21に実装する際に必要な実装面積は、チッ
プ抵抗器10の平面的な大きさと同程度である。また、
チップ抵抗器10は、抵抗体11が形成された面を下方
向にして実装されているので、導電パターン21と抵抗
体11との距離を短くすることができる。The chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 21 via the brazing material 25 with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward. In the conventional example, the fillet made of the brazing material 17 was formed at the end of the resistor 11,
Here, the fillet made of the brazing material 25 is not formed. The brazing material 25 is formed on the lower surface of the electrode portion 12 and the conductive pattern 2.
It is joined with 1. Therefore, the mounting area required to mount the chip resistor 10 on the conductive pattern 21 is approximately the same as the planar size of the chip resistor 10. Also,
Since the chip resistor 10 is mounted with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward, the distance between the conductive pattern 21 and the resistor 11 can be shortened.
【0030】絶縁性樹脂24は、導電パターン21の裏
面を露出させて、全体を封止している。ここでは、半導
体素子22、チップ抵抗器10、金属細線23を封止し
ている。絶縁性樹脂12の材料としては、トランスファ
ーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェ
クションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用
することができる。このように、全体を絶縁性樹脂24
で封止することにより、チップ抵抗器10が導電パター
ン21から分離してしまうのを防止することができる。The insulating resin 24 exposes the back surface of the conductive pattern 21 and seals the entire surface. Here, the semiconductor element 22, the chip resistor 10, and the thin metal wire 23 are sealed. As the material of the insulating resin 12, a thermosetting resin formed by transfer molding or a thermoplastic resin formed by injection molding can be adopted. In this way, the entire insulating resin 24
By sealing with, it is possible to prevent the chip resistor 10 from separating from the conductive pattern 21.
【0031】図3を参照して上述したチップ抵抗器10
が実装されたもう1つの回路装置30の構成を説明す
る。図3(A)は回路装置30の平面図であり、図3
(B)は図3(A)の断面図である。図2に於いては、
実装基板を不要にしたタイプの回路装置について説明し
たが、ここでは、実装基板36上に導電パターン31が
形成された構造を有する回路装置30について説明す
る。The chip resistor 10 described above with reference to FIG.
The configuration of another circuit device 30 in which is mounted will be described. 3A is a plan view of the circuit device 30, and FIG.
3B is a sectional view of FIG. In FIG.
The circuit device of the type that does not require a mounting substrate has been described. Here, a circuit device 30 having a structure in which the conductive pattern 31 is formed on the mounting substrate 36 will be described.
【0032】図3(A)および図3(B)を参照して、
回路装置30は次のような構成を有している。即ち、実
装基板36と、実装基板36上に形成された導電パター
ン31と、導電パターン31にロウ材35を介して実装
されたチップ抵抗器10と、導電パターン31およびチ
ップ抵抗器10を封止する絶縁性樹脂34とで回路装置
30は構成されている。パッド37は、実装基板36の
裏面に形成されており、スルーホール38を介して導電
パターン31と電気的に接続されている。ここで、チッ
プ抵抗器10は、抵抗体と電極部が形成された面を下面
にして導電パターン31に実装されている。このような
各構成要素を以下にて説明する。Referring to FIGS. 3A and 3B,
The circuit device 30 has the following configuration. That is, the mounting substrate 36, the conductive pattern 31 formed on the mounting substrate 36, the chip resistor 10 mounted on the conductive pattern 31 via the brazing material 35, and the conductive pattern 31 and the chip resistor 10 are sealed. The circuit device 30 is configured with the insulating resin 34 that operates. The pad 37 is formed on the back surface of the mounting substrate 36, and is electrically connected to the conductive pattern 31 via the through hole 38. Here, the chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 31 with the surface on which the resistor and the electrode portion are formed as the lower surface. Each of these components will be described below.
【0033】導電パターン31は銅等の金属なら成り、
実装基板36上に形成されている。ここで、導電パター
ン31は、半導体素子33が実装されるダイパッドおよ
び金属細線33が接続されるボンディングパッドを形成
する。また、導電パターン31は、実装基板36に設け
られたスルーホール38を介して、実装基板36の裏面
に形成されたパッド37と電気的に接続されている。The conductive pattern 31 is made of metal such as copper,
It is formed on the mounting substrate 36. Here, the conductive pattern 31 forms a die pad on which the semiconductor element 33 is mounted and a bonding pad to which the metal thin wire 33 is connected. Further, the conductive pattern 31 is electrically connected to a pad 37 formed on the back surface of the mounting board 36 via a through hole 38 provided in the mounting board 36.
【0034】半導体素子32は、チップ抵抗器10と共
に半田等のロウ材を介して導電パターン31に実装され
る回路素子である。導電パターン31に実装される回路
素子としてはここではチップ抵抗器10および半導体素
子32を採用しているが、それ以外の回路素子を採用す
ることも可能である。例えば、IC等の能動素子やコン
デンサ等の受動素子を全般的に回路素子として採用する
ことができる。また、半導体素子32はフェイスアップ
で実装されており、半導体素子32と導電パターン31
Bは、金属細線33を介して電気的に接続されている。The semiconductor element 32 is a circuit element mounted together with the chip resistor 10 on the conductive pattern 31 via a brazing material such as solder. As the circuit element mounted on the conductive pattern 31, the chip resistor 10 and the semiconductor element 32 are adopted here, but other circuit elements can also be adopted. For example, active elements such as ICs and passive elements such as capacitors can be generally adopted as circuit elements. The semiconductor element 32 is mounted face up, and the semiconductor element 32 and the conductive pattern 31 are mounted.
B is electrically connected via a thin metal wire 33.
【0035】チップ抵抗器10は、抵抗体11が形成さ
れた面を下方向にして、ロウ材35を介して導電パター
ン31に実装される。従来例では、抵抗体11の端部に
は、ロウ材17より成るフィレットが形成さていたが、
ここでは、ロウ材35より成るフィレットは形成されな
い。ロウ材35は、電極部12の下面と導電パターン3
1とを接合させている。従って、チップ抵抗器10を導
電パターン31に実装する際に必要な実装面積は、チッ
プ抵抗器10の平面的な大きさと同程度である。また、
チップ抵抗器10は、抵抗体11が形成された面を下方
向にして実装されているので、導電パターン31と抵抗
体11との距離を短くすることができる。The chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 31 via the brazing material 35 with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward. In the conventional example, the fillet made of the brazing material 17 was formed at the end of the resistor 11,
Here, the fillet made of the brazing material 35 is not formed. The brazing material 35 is formed on the lower surface of the electrode portion 12 and the conductive pattern 3
It is joined with 1. Therefore, the mounting area required for mounting the chip resistor 10 on the conductive pattern 31 is approximately the same as the planar size of the chip resistor 10. Also,
Since the chip resistor 10 is mounted with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward, the distance between the conductive pattern 31 and the resistor 11 can be shortened.
【0036】絶縁性樹脂34は、ここでは半導体素子3
2、チップ抵抗器10、金属細線33を封止している。
絶縁性樹脂34の材料としては、トランスファーモール
ドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクション
モールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用すること
ができる。このように、全体を絶縁性樹脂34で封止す
ることにより、チップ抵抗器10が導電パターン31か
ら分離してしまうのを防止することができる。即ち、チ
ップ抵抗器10は、ロウ材および絶縁性樹脂の2つの構
成要素で、導電パターンに接着されていることとなる。The insulating resin 34 is the semiconductor element 3 in this case.
2. The chip resistor 10 and the thin metal wire 33 are sealed.
As the material of the insulating resin 34, a thermosetting resin formed by transfer molding or a thermoplastic resin formed by injection molding can be adopted. In this way, by sealing the whole with the insulating resin 34, it is possible to prevent the chip resistor 10 from being separated from the conductive pattern 31. That is, the chip resistor 10 is bonded to the conductive pattern by the two components of the brazing material and the insulating resin.
【0037】図4を参照して上述したチップ抵抗器10
が実装された混成集積回路装置40の構成を説明する。
図4(A)は混成集積回路装置40の斜視図であり、図
4(B)は図2(A)の断面図である。The chip resistor 10 described above with reference to FIG.
The configuration of the hybrid integrated circuit device 40 in which is mounted will be described.
4A is a perspective view of the hybrid integrated circuit device 40, and FIG. 4B is a cross-sectional view of FIG. 2A.
【0038】図4(A)および図4(B)を参照して、
混成集積回路装置40は次のような構成を有している。
即ち、基板41と、基板41の表面に形成された導電パ
ターン42と、導電パターン42上にロウ材45を介し
て実装されたチップ抵抗器10と、チップ抵抗器10等
を封止する絶縁性樹脂46とから混成集積回路装置40
は構成されている。ここで、チップ抵抗器10は、抵抗
体11と電極部12が形成された面を下面にして導電パ
ターン42に実装されている。また、その他の構成要素
として、混成集積回路装置40の入力・出力端子となる
リード44や、チップ抵抗器10以外の回路素子を、混
成集積回路装置40は有している。この各構成要素を以
下にて説明する。Referring to FIGS. 4A and 4B,
The hybrid integrated circuit device 40 has the following configuration.
That is, the substrate 41, the conductive pattern 42 formed on the surface of the substrate 41, the chip resistor 10 mounted on the conductive pattern 42 via the brazing material 45, and the insulating property for sealing the chip resistor 10 and the like. Hybrid integrated circuit device 40 composed of resin 46
Is configured. Here, the chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 42 with the surface on which the resistor 11 and the electrode portion 12 are formed as the lower surface. Further, as other components, the hybrid integrated circuit device 40 has leads 44 which are input / output terminals of the hybrid integrated circuit device 40 and circuit elements other than the chip resistor 10. Each of these components will be described below.
【0039】基板41は、金属やセラミック等の熱伝導
性に優れた材料から形成されている。そして、基板41
上には耐圧性向上のために絶縁層が形成され、導電パタ
ーン42が形成されている。ここで、導電パターン42
は、回路素子が実装されるダイパッドおよび金属細線4
6が接続されるボンディングパッド等を形成する。The substrate 41 is made of a material having excellent thermal conductivity such as metal or ceramic. And the substrate 41
An insulating layer is formed on the upper surface of the conductive layer in order to improve withstand voltage, and a conductive pattern 42 is formed. Here, the conductive pattern 42
Is a die pad on which circuit elements are mounted and a thin metal wire 4
Bonding pads and the like to which 6 is connected are formed.
【0040】半導体素子43は、チップ抵抗器10と共
に半田等のロウ材を介して導電パターン42に実装され
る回路素子である。導電パターン42に実装される回路
素子としてはここではチップ抵抗器10および半導体素
子43を採用しているが、それ以外の回路素子を採用す
ることも可能である。例えば、IC等の能動素子やコン
デンサ等の受動素子を全般的に回路素子として採用する
ことができる。また、半導体素子44はフェイスアップ
で実装されており、半導体素子43と導電パターン42
は、金属細線46を介して電気的に接続されている。The semiconductor element 43 is a circuit element mounted on the conductive pattern 42 together with the chip resistor 10 via a brazing material such as solder. As the circuit element mounted on the conductive pattern 42, the chip resistor 10 and the semiconductor element 43 are adopted here, but other circuit elements can also be adopted. For example, active elements such as ICs and passive elements such as capacitors can be generally adopted as circuit elements. The semiconductor element 44 is mounted face up, and the semiconductor element 43 and the conductive pattern 42 are mounted.
Are electrically connected via a thin metal wire 46.
【0041】チップ抵抗器10は、抵抗体11が形成さ
れた面を下方向にして、ロウ材45を介して導電パター
ン42に実装される。従来例では、抵抗体11の端部に
は、ロウ材17より成るフィレットが形成さていたが、
ここでは、ロウ材45より成るフィレットは形成されな
い。ロウ材45は、電極部12の下面と導電パターン4
2とを接合させている。従って、チップ抵抗器10を導
電パターン42に実装する際に必要な実装面積は、チッ
プ抵抗器10の平面的な大きさと同程度である。また、
チップ抵抗器10は、抵抗体11が形成された面を下方
向にして実装されているので、導電パターン42と抵抗
体11との距離を短くすることができる。The chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 42 via the brazing material 45 with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward. In the conventional example, the fillet made of the brazing material 17 was formed at the end of the resistor 11,
Here, the fillet made of the brazing material 45 is not formed. The brazing material 45 is formed on the lower surface of the electrode portion 12 and the conductive pattern 4.
It is joined with 2. Therefore, the mounting area required for mounting the chip resistor 10 on the conductive pattern 42 is approximately the same as the planar size of the chip resistor 10. Also,
Since the chip resistor 10 is mounted with the surface on which the resistor 11 is formed facing downward, the distance between the conductive pattern 42 and the resistor 11 can be shortened.
【0042】絶縁性樹脂46は、基板41上に形成され
る回路全体を封止している。ここでは、半導体素子4
3、チップ抵抗器10、金属細線46を封止している。
絶縁性樹脂46の材料としては、トランスファーモール
ドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクション
モールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用すること
ができる。このように、全体を絶縁性樹脂46で封止す
ることにより、チップ抵抗器10が導電パターン42か
ら分離してしまうのを防止することができる。The insulating resin 46 seals the entire circuit formed on the substrate 41. Here, the semiconductor element 4
3, the chip resistor 10 and the thin metal wire 46 are sealed.
As the material of the insulating resin 46, a thermosetting resin formed by transfer molding or a thermoplastic resin formed by injection molding can be adopted. In this way, by sealing the whole with the insulating resin 46, it is possible to prevent the chip resistor 10 from being separated from the conductive pattern 42.
【0043】(チップ抵抗器10の製造方法を説明する
第2の実施の形態)図5から図7を参照して、チップ抵
抗器10の製造方法および実装方法を説明する。チップ
抵抗器10は次のような工程で製造され且つ実装され
る。即ち、絶縁基板13に多数個のチップ抵抗器10を
形成するように抵抗体11および電極部を形成する工程
と、絶縁基板13を分割することにより個々のチップ抵
抗器10に分割する工程と、チップ抵抗器10を導電パ
ターンに実装する工程により、チップ抵抗器10の製造
および実装は行われる。このような工程を以下にて説明
する。(Second Embodiment for Explaining Method of Manufacturing Chip Resistor 10) A method of manufacturing the chip resistor 10 and a method of mounting the same will be described with reference to FIGS. The chip resistor 10 is manufactured and mounted in the following process. That is, a step of forming the resistors 11 and the electrode portions so as to form a large number of chip resistors 10 on the insulating substrate 13, and a step of dividing the insulating substrate 13 into individual chip resistors 10. The chip resistor 10 is manufactured and mounted by the process of mounting the chip resistor 10 on the conductive pattern. Such steps will be described below.
【0044】第1工程:図5参照
本工程は、大判の絶縁基板13を用意して、その表面に
複数個のチップ抵抗器10を構成する抵抗体11および
電極部12を形成する工程である。図5(A)は、表面
に多数個の抵抗体11および電極部12が形成された絶
縁基板13の平面図である。図5(B)は、図5(A)
の断面図である。First Step: See FIG. 5 In this step, a large-sized insulating substrate 13 is prepared, and resistors 11 and electrode portions 12 constituting a plurality of chip resistors 10 are formed on the surface thereof. . FIG. 5A is a plan view of the insulating substrate 13 having a large number of resistors 11 and electrode portions 12 formed on the surface. 5 (B) is shown in FIG. 5 (A).
FIG.
【0045】絶縁基板13は、機械的強度・熱伝導率・
絶縁性等に優れているセラミック系の材料が使用され
る。絶縁基板13の大きさは、製造されるチップ抵抗器
10の大きさに依るが、多数個のチップ抵抗器10をマ
トリックス状に形成できる大きさである。また、形成予
定のチップ抵抗器10の境界線に対応する部分には、後
の工程である個々のチップ抵抗器10の分割が確実に行
えるように溝Mが形成されている。この溝Mは、抵抗体
形成側あるいはその反対側のどちらか片側のみに形成さ
れても良い。The insulating substrate 13 has mechanical strength, thermal conductivity,
A ceramic material having excellent insulating properties is used. The size of the insulating substrate 13 depends on the size of the chip resistor 10 to be manufactured, but is a size such that a large number of chip resistors 10 can be formed in a matrix. In addition, a groove M is formed in a portion corresponding to the boundary line of the chip resistor 10 to be formed so that the chip resistor 10 can be divided in a later step reliably. The groove M may be formed only on one side of the resistor formation side or the opposite side.
【0046】抵抗体11は、導電体とガラスの混合物か
ら製造される。具体的に、抵抗体を絶縁基板13の表面
に形成する方法としては、ペースト状の導電体とガラス
の混合物を絶縁基板13に塗布し、高温で焼き付けるこ
とにより、抵抗体11は形成される。この抵抗体11
は、レーザートリミング装置等で所定の抵抗値に調整さ
れている。また、抵抗体11を機械的・電気的に保護す
るために、抵抗体11の上層にガラスより成る保護層を
設けても良い。The resistor 11 is manufactured from a mixture of a conductor and glass. Specifically, as a method of forming the resistor on the surface of the insulating substrate 13, the resistor 11 is formed by applying a paste-like mixture of a conductor and glass to the insulating substrate 13 and baking at a high temperature. This resistor 11
Is adjusted to a predetermined resistance value by a laser trimming device or the like. Further, in order to protect the resistor 11 mechanically and electrically, a protective layer made of glass may be provided above the resistor 11.
【0047】電極部12は、抵抗体51と電気的に接続
され、チップ抵抗器50の電極としての働きを有する。
電極部52は、細長に形成された絶縁基板13の両端部
付近の表面を覆うように形成されている。そして、電極
部12は3層構造に成っており、例えば絶縁基板13側
から銀パラジウム層、Ni層、半田メッキ層が積層され
ている。The electrode portion 12 is electrically connected to the resistor 51 and has a function as an electrode of the chip resistor 50.
The electrode portion 52 is formed so as to cover the surface of the elongated insulating substrate 13 near both ends. The electrode portion 12 has a three-layer structure, and, for example, a silver-palladium layer, a Ni layer, and a solder plating layer are laminated from the insulating substrate 13 side.
【0048】第2工程:図6参照
本工程は、表面に抵抗体11および電極部12が形成さ
れた絶縁基板13を分割することにより、個々のチップ
抵抗器10を形成する工程である。図6(A)は絶縁基
板13を粘着シート42に貼り付けた状態を示す断面図
であり、図6(B)は図6(A)の断面図である。Second Step: See FIG. 6 In this step, the individual chip resistors 10 are formed by dividing the insulating substrate 13 on the surface of which the resistor 11 and the electrode portion 12 are formed. 6A is a cross-sectional view showing a state in which the insulating substrate 13 is attached to the adhesive sheet 42, and FIG. 6B is a cross-sectional view of FIG. 6A.
【0049】本工程では、具体的には、絶縁基板13に
表面側と裏面側から基板を反らせるように応力を加える
ことで、溝Mの部分で簡単に割れて絶縁基板13を分割
することができる。分割されたチップ抵抗器は、一般的
に紙リールに収納される。In this step, specifically, stress is applied to the insulating substrate 13 from the front surface side and the back surface side so that the insulating substrate 13 can be divided by being easily broken at the groove M. it can. The divided chip resistors are generally stored in a paper reel.
【0050】図6(A)を参照して具体的な分割方法の
1例を説明する。表面に抵抗体11および電極部12が
形成された絶縁基板13は、粘着シート42に貼り付け
られている。そして、上記したような曲げ応力を絶縁基
板13に加えることにより、分割線Dに沿って、絶縁基
板13は個々のチップ抵抗器10に分割される。分割さ
れた後に、粘着シート42を引き延ばすと、分割された
個々のチップ抵抗器10の間に隙間ができる。このよう
に、粘着シートを利用した供給状態も適用可能である。An example of a specific dividing method will be described with reference to FIG. The insulating substrate 13 having the resistor 11 and the electrode portion 12 formed on the surface is attached to the adhesive sheet 42. Then, by applying the bending stress as described above to the insulating substrate 13, the insulating substrate 13 is divided into the individual chip resistors 10 along the division line D. When the adhesive sheet 42 is stretched after being divided, a gap is formed between the divided individual chip resistors 10. Thus, the supply state using the adhesive sheet is also applicable.
【0051】図6(B)を参照して、絶縁基板13は、
抵抗体11および電極部12が形成された面を下面にし
て粘着シート42に張りつけられている。そして、絶縁
基板13に形成された個々のチップ抵抗器10の境界線
に対応する箇所には、溝Mが形成されている。そして、
絶縁基板13の表裏から圧力を加えることで分割を行う
ので、容易に個々のチップ抵抗器10を分割させること
ができる。なお、上記の説明では、粘着シート42を用
いたが、これに替えてUVシートを用いることも可能で
ある。Referring to FIG. 6B, the insulating substrate 13 is
The surface on which the resistor 11 and the electrode portion 12 are formed is a lower surface and is attached to the adhesive sheet 42. Then, a groove M is formed at a position corresponding to a boundary line of each chip resistor 10 formed on the insulating substrate 13. And
Since the division is performed by applying pressure from the front and back of the insulating substrate 13, the individual chip resistors 10 can be easily divided. Although the adhesive sheet 42 is used in the above description, a UV sheet may be used instead of the adhesive sheet 42.
【0052】第3工程:図7参照
本工程は、前工程で個々に分割されたチップ抵抗器10
を、回路装置または混成集積回路装置に実装する工程で
ある。図7(A)はチップ抵抗器10を、導電パターン
21に実装する状態を示す断面図である。図7(B)
は、チップ抵抗器10を、混成集積回路装置30の導電
パターン32に実装する状態を示す断面図である。Third Step: See FIG. 7 In this step, the chip resistors 10 individually divided in the previous step.
Is a step of mounting in a circuit device or a hybrid integrated circuit device. FIG. 7A is a cross-sectional view showing a state in which the chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 21. FIG. 7 (B)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which the chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 32 of the hybrid integrated circuit device 30.
【0053】図7(A)を参照して、チップ抵抗器10
を回路装置20の導電パターン21に実装する工程を説
明する。先ず、導電パターン21のチップ抵抗器10が
実装される導電パターン21Bおよび21Cの表面に、
半田等のロウ材25を塗布する。ロウ材25が塗布され
る位置は、チップ抵抗器10の電極部12の位置に正確
に対応している。更に、ロウ材25が塗布される面積
は、チップ抵抗器10の電極部12の面積と同等であ
る。Referring to FIG. 7A, the chip resistor 10
A process of mounting the on the conductive pattern 21 of the circuit device 20 will be described. First, on the surfaces of the conductive patterns 21B and 21C on which the chip resistor 10 of the conductive pattern 21 is mounted,
A brazing material 25 such as solder is applied. The position where the brazing material 25 is applied corresponds exactly to the position of the electrode portion 12 of the chip resistor 10. Furthermore, the area where the brazing material 25 is applied is equal to the area of the electrode portion 12 of the chip resistor 10.
【0054】次に、チップ抵抗器10を導電パターン2
1上に塗布されたロウ材25に実装する。チップ抵抗器
10は、抵抗体11および電極部12が形成された面を
下面にして、導電パターン21に実装される。また、チ
ップ抵抗器10を実装する作業は、チップマウンターや
真空コレットを用いたダイボンダーを用いて行うことが
できる。Next, the chip resistor 10 is connected to the conductive pattern 2.
1 is mounted on the brazing material 25 coated on the surface of the metal 1. The chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 21 with the surface on which the resistor 11 and the electrode portion 12 are formed as the lower surface. The work of mounting the chip resistor 10 can be performed using a chip mounter or a die bonder using a vacuum collet.
【0055】ここで、電極部12はチップ抵抗器10の
下面のみに形成されているので、ロウ材25はチップ抵
抗器10の側面には付着しない。具体的には、従来例の
ようなロウ材によるフィレットが、チップ抵抗器10の
側面部に形成されない。このことから、ロウ材25は、
電極部12と、導電パターン21とを接合させているこ
ととなる。Since the electrode portion 12 is formed only on the lower surface of the chip resistor 10, the brazing material 25 does not adhere to the side surface of the chip resistor 10. Specifically, the fillet made of a brazing material as in the conventional example is not formed on the side surface of the chip resistor 10. From this, the brazing material 25 is
The electrode portion 12 and the conductive pattern 21 are joined together.
【0056】本工程では、導電パターン21上にチップ
抵抗器10の他に半導体素子等も実装される。回路装置
20を製造する工程としては、この後に次のような工程
がある。即ち、絶縁性樹脂で封止する工程と、エッチン
グ等により導電パターン21を分離させる工程と、ダイ
シングにより個々の回路装置20を分離させる工程等が
ある。このような工程を経て、図2に示すような回路装
置20が完成する。In this step, semiconductor elements and the like are mounted on the conductive pattern 21 in addition to the chip resistor 10. The process for manufacturing the circuit device 20 includes the following process after this. That is, there are a step of sealing with an insulating resin, a step of separating the conductive pattern 21 by etching or the like, and a step of separating the individual circuit devices 20 by dicing. Through these steps, the circuit device 20 as shown in FIG. 2 is completed.
【0057】次に、図7(B)を参照して、チップ抵抗
器10を混成集積回路装置30の導電パターン32に実
装する工程を説明する。先ず、導電パターン32のチッ
プ抵抗器10が実装される箇所に、半田等のロウ材35
を塗布する。ロウ材35が塗布される位置は、チップ抵
抗器10の電極部12の位置に正確に対応している。更
に、ロウ材35が塗布される面積は、チップ抵抗器10
の電極部12の面積と同等である。Next, with reference to FIG. 7B, a process of mounting the chip resistor 10 on the conductive pattern 32 of the hybrid integrated circuit device 30 will be described. First, a brazing material 35 such as solder is attached to a portion of the conductive pattern 32 where the chip resistor 10 is mounted.
Apply. The position where the brazing material 35 is applied corresponds exactly to the position of the electrode portion 12 of the chip resistor 10. Furthermore, the area to which the brazing material 35 is applied is determined by the chip resistor 10
The area is equal to the area of the electrode portion 12.
【0058】次に、チップ抵抗器10を導電パターン3
2上に塗布されたロウ材35に実装する。チップ抵抗器
10は、抵抗体11および電極部12が形成された面を
下面にして、導電パターン32に実装される。また、チ
ップ抵抗器10を実装する作業は、チップマウンターや
真空コレットを用いたダイボンダーを用いて行うことが
できる。Next, the chip resistor 10 is connected to the conductive pattern 3
2 is mounted on the brazing material 35 applied on the surface. The chip resistor 10 is mounted on the conductive pattern 32 with the surface on which the resistor 11 and the electrode portion 12 are formed as the lower surface. The work of mounting the chip resistor 10 can be performed using a chip mounter or a die bonder using a vacuum collet.
【0059】ここで、電極部12はチップ抵抗器10の
下面のみに形成されているので、ロウ材35はチップ抵
抗器10の側面には付着しない。具体的には、従来例の
ようなロウ材によるフィレットが、チップ抵抗器10の
側面部に形成されない。このことから、ロウ材35は、
電極部12と、導電パターン32とを接合させているこ
ととなる。Since the electrode portion 12 is formed only on the lower surface of the chip resistor 10, the brazing material 35 does not adhere to the side surface of the chip resistor 10. Specifically, the fillet made of a brazing material as in the conventional example is not formed on the side surface of the chip resistor 10. From this, the brazing material 35 is
The electrode portion 12 and the conductive pattern 32 are joined together.
【0060】本工程では、導電パターン21上にチップ
抵抗器10の他に半導体素子等も実装される。回路装置
20を製造する工程としては、この後に次のような工程
がある。即ち、導電パターン32およびチップ抵抗器1
0等を絶縁性樹脂で封止する工程と、リード34を所望
の長さにカットする工程等がある。このような工程を経
て、図4に示すような混成集積回路装置30が完成す
る。In this step, semiconductor elements and the like are mounted on the conductive pattern 21 in addition to the chip resistor 10. The process for manufacturing the circuit device 20 includes the following process after this. That is, the conductive pattern 32 and the chip resistor 1
0 and the like are sealed with an insulating resin, and the lead 34 is cut into a desired length. Through these steps, the hybrid integrated circuit device 30 as shown in FIG. 4 is completed.
【0061】[0061]
【発明の効果】本発明では、以下に示すような効果を奏
することができる。According to the present invention, the following effects can be obtained.
【0062】第1に、本発明のチップ抵抗器10は、抵
抗体11が形成される絶縁基板53の表面のみに電極部
12が形成されている。従って、従来例と比較すると簡
素化された構造を有するチップ抵抗器を得ることができ
る。First, in the chip resistor 10 of the present invention, the electrode portion 12 is formed only on the surface of the insulating substrate 53 on which the resistor 11 is formed. Therefore, a chip resistor having a simplified structure can be obtained as compared with the conventional example.
【0063】第2に、本発明の回路装置20および混成
集積回路装置30は、抵抗体11が形成される絶縁基板
53の表面のみに電極部12が形成されたチップ抵抗器
10が実装されている。従って、抵抗体11と導電パタ
ーンとの距離を短くすることができる。Secondly, in the circuit device 20 and the hybrid integrated circuit device 30 of the present invention, the chip resistor 10 having the electrode portion 12 formed only on the surface of the insulating substrate 53 on which the resistor 11 is formed is mounted. There is. Therefore, the distance between the resistor 11 and the conductive pattern can be shortened.
【0064】第3に、本発明の回路装置20および混成
集積回路装置30において、チップ抵抗器10と導電パ
ターンとを接続するロウ材は、チップ抵抗器10の電極
部の下面と導電パターンとを接続する。即ち、従来例の
ようにチップ抵抗器の側面部にロウ材からなるフィレッ
トが形成されない。従って、チップ抵抗器10の実装面
積を小さくすることが可能となり、装置全体の実装密度
を向上させることができる。Thirdly, in the circuit device 20 and the hybrid integrated circuit device 30 of the present invention, the brazing material connecting the chip resistor 10 and the conductive pattern has the lower surface of the electrode portion of the chip resistor 10 and the conductive pattern. Connecting. That is, unlike the conventional example, a fillet made of a brazing material is not formed on the side surface of the chip resistor. Therefore, the mounting area of the chip resistor 10 can be reduced, and the mounting density of the entire device can be improved.
【0065】第4に、ロウ材としてソルダークリームを
使用する場合、従来構造ではチップ抵抗器の側面部にも
電極部が形成されていたため、側面の電極に半田が濡れ
る時、両電極の溶融のタイミングがずれると片側の半田
がチップ抵抗器を引っ張り、チップダチが発生する問題
があった。この現象は、ツームストーン現象という。本
発明のチップ抵抗器では、側面部に電極が形成されてい
ないので、ツームストーン現象の発生を防止することが
できる。Fourth, when solder cream is used as the brazing material, the electrode structure is also formed on the side surface of the chip resistor in the conventional structure. If the timing is misaligned, the solder on one side pulls the chip resistor, causing a chip nigga. This phenomenon is called the tombstone phenomenon. In the chip resistor of the present invention, since the electrode is not formed on the side surface portion, the tombstone phenomenon can be prevented from occurring.
【0066】第5に、本発明では、フィレットが形成さ
れないので、この部分の電気容量を小さくできる利点が
ある。Fifth, in the present invention, since the fillet is not formed, there is an advantage that the electric capacity of this portion can be reduced.
【図1】本発明のチップ抵抗器を説明する断面図
(A)、断面図(B)である。FIG. 1 is a sectional view (A) and a sectional view (B) illustrating a chip resistor of the present invention.
【図2】本発明のチップ抵抗器が実装された回路装置を
説明する平面図(A)、断面図(B)である。FIG. 2 is a plan view (A) and a sectional view (B) illustrating a circuit device in which a chip resistor of the present invention is mounted.
【図3】本発明のチップ抵抗器が実装された回路装置を
説明する平面図(A)、断面図(B)である。FIG. 3 is a plan view (A) and a sectional view (B) illustrating a circuit device in which a chip resistor of the present invention is mounted.
【図4】本発明のチップ抵抗器が実装された混成集積回
路装置を説明する斜視図(A)、断面図(B)である。FIG. 4 is a perspective view (A) and a sectional view (B) illustrating a hybrid integrated circuit device in which a chip resistor of the present invention is mounted.
【図5】本発明のチップ抵抗器の製造方法を説明する平
面図(A)、断面図(B)である。FIG. 5 is a plan view (A) and a sectional view (B) illustrating a method for manufacturing a chip resistor according to the present invention.
【図6】本発明のチップ抵抗器の製造方法を説明する平
面図(A)、断面図(B)である。FIG. 6 is a plan view (A) and a sectional view (B) illustrating a method for manufacturing a chip resistor according to the present invention.
【図7】本発明のチップ抵抗器の実装方法方法を説明す
る断面図(A)、断面図(B)である。FIG. 7 is a sectional view (A) and a sectional view (B) illustrating a method for mounting a chip resistor according to the present invention.
【図8】従来のチップ抵抗器およびその実装方法を説明
する断面図(A)、断面図(B)である。FIG. 8 is a sectional view (A) and a sectional view (B) illustrating a conventional chip resistor and a mounting method thereof.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E028 AA10 BA07 BB01 CA02 DA04 JC11 5E336 AA04 BB01 BB02 CC32 CC52 EE01 GG06 GG30 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page F term (reference) 5E028 AA10 BA07 BB01 CA02 DA04 JC11 5E336 AA04 BB01 BB02 CC32 CC52 EE01 GG06 GG30
Claims (7)
された抵抗体と、前記抵抗体の両端に形成された電極部
とを有するチップ抵抗器に於いて、 前記電極部を前記絶縁基板の表面のみに形成したことを
特徴とするチップ抵抗器。1. A chip resistor having an insulating substrate, a resistor formed on a surface of the insulating substrate, and electrode portions formed on both ends of the resistor, wherein the electrode portion is formed on the insulating substrate. A chip resistor characterized in that it is formed only on the surface of.
ウ材を介して実装されたチップ抵抗器と、前記導電パタ
ーンの裏面を露出させて前記導電パターンおよび前記チ
ップ抵抗器を封止する絶縁性樹脂とを有する回路装置に
於いて、 前記チップ抵抗器を、抵抗体と電極部が形成された面を
下面にして前記導電パターンに実装することを特徴とす
る回路装置。2. A conductive pattern, a chip resistor mounted on the conductive pattern via a brazing material, and an insulating resin which exposes the back surface of the conductive pattern and seals the conductive pattern and the chip resistor. A circuit device having: a chip device, wherein the chip resistor is mounted on the conductive pattern with a surface on which a resistor and an electrode portion are formed as a lower surface.
ーンを接合させることを特徴とする請求項2記載の回路
装置。3. The circuit device according to claim 2, wherein the brazing material joins the electrode portion and the conductive pattern.
び前記チップ抵抗と接着することにより、前記チップ抵
抗と前記導電パターンとの接続強度を確保することを特
徴とする請求項2記載の回路装置。4. The circuit device according to claim 2, wherein the insulating resin adheres to the conductive pattern and the chip resistor to secure connection strength between the chip resistor and the conductive pattern.
電パターンと、前記導電パターン上にロウ材を介して実
装されたチップ抵抗器と、前記チップ抵抗器を封止する
絶縁性樹脂とを有する混成集積回路装置に於いて、 前記チップ抵抗器を、抵抗体と電極部が形成された面を
下面にして前記導電パターンに実装することを特徴とす
る混成集積回路装置。5. A substrate, a conductive pattern formed on the surface of the substrate, a chip resistor mounted on the conductive pattern via a brazing material, and an insulating resin for sealing the chip resistor. In the hybrid integrated circuit device having the above-mentioned, the chip resistor is mounted on the conductive pattern with the surface on which the resistor and the electrode portion are formed as the lower surface.
ーンを接合させることを特徴とする請求項5記載の混成
集積回路装置。6. The hybrid integrated circuit device according to claim 5, wherein the brazing material joins the electrode portion and the conductive pattern.
ターンおよび前記チップ抵抗と接着することにより、前
記チップ抵抗と前記導電パターンとの接続強度を確保す
ることを特徴とする請求項5記載の混成集積回路装置。7. The connection strength between the chip resistor and the conductive pattern is secured by adhering the insulating resin to the substrate, the conductive pattern and the chip resistor. Hybrid integrated circuit device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002101349A JP2003297601A (en) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | Chip resistor, circuit device having mounted chip resistor, and hybrid integrated circuit device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002101349A JP2003297601A (en) | 2002-04-03 | 2002-04-03 | Chip resistor, circuit device having mounted chip resistor, and hybrid integrated circuit device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003297601A true JP2003297601A (en) | 2003-10-17 |
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| JP (1) | JP2003297601A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101148259B1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-21 | 삼성전기주식회사 | Chip resistor device and preparing method of the same |
| JPWO2020009051A1 (en) * | 2018-07-02 | 2021-07-15 | 北陸電気工業株式会社 | Network chip resistor |
-
2002
- 2002-04-03 JP JP2002101349A patent/JP2003297601A/en active Pending
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