JP2003297601A - チップ抵抗器、チップ抵抗器が実装された回路装置および混成集積回路装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ抵抗器１０の構造を簡素化し、それが
回路装置２０および混成集積回路装置３０に実装される
際の実装面積を縮小する。 【解決手段】 チップ抵抗器１０の基材となる絶縁基板
１３の表面に抵抗体１１を形成し、抵抗体１１が形成さ
れる面の両端部に抵抗体１１と電気的に接続された電極
部１２を形成する。抵抗体１１および電極部１２はチッ
プ抵抗器１０の１面に形成されているので、チップ抵抗
器１０の構造を簡素化することができる。従って、回路
装置２０および混成集積回路装置３０の実装密度を向上
させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はチップ抵抗器および
それが実装された装置に関するものであり、特に構造が
簡略化されたチップ抵抗器およびそれが実装された装置
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図８を参照して、従来のチップ抵抗器５
０について説明する。図８（Ａ）はチップ抵抗器５０の
断面図である。図８（Ｂ）は、チップ抵抗器５０を基板
５５に実装した状態を示す断面図である。

【０００３】図８（Ａ）を参照して、チップ抵抗器５０
の構成を説明する。チップ抵抗器５０は、絶縁基板５３
と、絶縁基板５３の表面に形成された抵抗体５１と、絶
縁基板５３の両端に形成された電極部５２とから形成さ
れている。

【０００４】絶縁基板５３は、チップ抵抗器５０の基体
となるものである。絶縁基板５３の材料としては、機械
的強度・熱伝導率・絶縁性等に優れているセラミック系
の材料が使用される。

【０００５】抵抗体５１は、一般的には、導電体とガラ
スの混合物である。抵抗体を絶縁基板５３の表面に形成
する方法としては、ペースト状の導電体とガラスの混合
物を絶縁基板５３に塗布し、高温で焼き付けることによ
り、抵抗体５１は形成される。

【０００６】電極部５２は、抵抗体５１と電気的に接続
され、チップ抵抗器５０の電極としての働きを有する。
電極部５２は、細長に形成された絶縁基板５３の両端を
覆うように形成されている。そして、一般的には、電極
部５２は３層構造に成っており、内側から銀パラジウム
層、Ｎｉ層、半田メッキ層が形成されているものが多
い。

【０００７】図８（Ｂ）を参照して、チップ抵抗器５０
が基板５５に実装された状態を説明する。上記したよう
なチップ抵抗器５０は、例えば基板５５上に形成された
導電パターン５６に半田等のロウ材５７を介して実装さ
れる。チップ抵抗器５０の端部の側面は電極部５２で覆
われている。従って、ロウ材５７を介してチップ抵抗器
５０を基板５５に実装すると、チップ抵抗器５０の両端
部にはロウ材５７より成るフィレットが形成される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述したようなチップ
抵抗器を基板に実装する場合、ロウ材より成るフィレッ
トが、チップ抵抗器と実装基板との接続強度を維持する
役目を有している。そして、樹脂封止する構造を有する
装置に於いては以下のような問題を有していた。

【０００９】第１に、チップ抵抗器５０の長手方向の端
部は、側面部付近にも電極部５２が形成されていたの
で、構造が複雑である問題があった。

【００１０】第２に、チップ抵抗器５０を基板５５にロ
ウ材５７を介して実装すると、チップ抵抗器５０の端部
にはロウ材５７から成るフィレットが形成される。この
ことから、チップ抵抗器５０の実装面積が増大してしま
う。従って、チップ抵抗器５０が実装される回路装置等
の製品の実装密度が低下してしまう問題があった。更
に、この大きなフィレットが必要以上の電気容量を持
ち、電気信号の伝達速度を低下させてしまう問題があっ
た。

【００１１】本発明はこのような問題を鑑みて成された
ものであり、本発明の主な目的は、簡素化された構造を
有するチップ抵抗器およびそれが実装された回路装置、
混成集積回路装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、第１に、絶縁
基板と、前記絶縁基板の表面に形成された抵抗体と、前
記抵抗体の両端に形成された電極部とを有するチップ抵
抗器に於いて、前記電極部を前記絶縁基板の表面のみに
形成したことを特徴とする。

【００１３】本発明は、第２に、導電パターンと、前記
導電パターンにロウ材を介して実装されたチップ抵抗器
と、前記導電パターンの裏面を露出させて前記導電パタ
ーンおよび前記チップ抵抗器を封止する絶縁性樹脂とを
有する回路装置に於いて、前記チップ抵抗器を、抵抗体
と電極部が形成された面を下面にして前記導電パターン
に実装することを特徴とする。

【００１４】本発明は、第３に、前記ロウ材は前記電極
部と前記導電パターンを接合させることを特徴とする。

【００１５】本発明は、第４に、前記絶縁性樹脂が前記
導電パターンおよび前記チップ抵抗と接着することによ
り、前記チップ抵抗と前記導電パターンとの接続強度を
確保することを特徴とする。

【００１６】本発明は、第５に、基板と、前記基板の表
面に形成された導電パターンと、前記導電パターン上に
ロウ材を介して実装されたチップ抵抗器と、前記チップ
抵抗器を封止する絶縁性樹脂とを有する混成集積回路装
置に於いて、前記チップ抵抗器を、抵抗体と電極部が形
成された面を下面にして前記導電パターンに実装するこ
とを特徴とする。

【００１７】本発明は、第６に、前記ロウ材は前記電極
部と前記導電パターンを接合させることを特徴とする。

【００１８】本発明は、第７に、前記絶縁性樹脂が前記
基板、前記導電パターンおよび前記チップ抵抗と接着す
ることにより、前記チップ抵抗と前記導電パターンとの
接続強度を確保することを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】（チップ抵抗器１０を説明する第
１の実施の形態）図１を参照して、本発明のチップ抵抗
器１０の構成等を説明する。図１（Ａ）はチップ抵抗器
１０の断面図であり、図１（Ｂ）はチップ抵抗器１０を
基板１５に実装した状態を示す断面図である。

【００２０】先ず、図１（Ａ）を参照して、チップ抵抗
器１０の構成を説明する。チップ抵抗器１０は、絶縁基
板１３と、絶縁基板１３の表面に形成された抵抗体１１
と、抵抗体１１の両端に形成された電極部１２とから構
成されている。そして、電極部１２は絶縁基板１３の表
面のみに形成されている。このような各構成要素を以下
にて説明する。

【００２１】絶縁基板１３は、チップ抵抗器１０の基体
となるものである。絶縁基板１３の材料としては、機械
的強度・熱伝導率・絶縁性等に優れているセラミック系
の材料が使用される。

【００２２】抵抗体１１は、導電体とガラスの混合物で
ある。抵抗体を絶縁基板１３の表面に形成する方法とし
ては、ペースト状の導電体とガラスの混合物を絶縁基板
１３に塗布し、高温で焼き付けることにより、抵抗体１
１は形成される。また、抵抗体１１を機械的・電気的に
保護するために、抵抗体１１の上層にガラスより成る保
護層を設けても良い。

【００２３】電極部１２は、抵抗体１１と電気的に接続
され、チップ抵抗器１０の電極としての働きを有する。
電極部１２は、細長に形成された絶縁基板１３の両端部
付近の表面のみを覆うように形成されている。そして、
電極部１２は一般的に３層構造に成っており、例えば絶
縁基板１３側から銀パラジウム層、Ｎｉ層、半田メッキ
層が形成されている。ここで、電極部１２はチップ抵抗
器１０の表面のみに形成されており、側面部には形成さ
れていない。

【００２４】図１（Ｂ）を参照して、チップ抵抗器１０
を基板１５に実装した状態を説明する。チップ抵抗器１
０は、抵抗体１１が形成された面を下方向にして、ロウ
材１７を介して、基板１５上に形成された導電パターン
１６に実装される。従来例では、抵抗体１１の端部に
は、ロウ材１７より成るフィレットが形成さていたが、
ここではロウ材より成るフィレットは形成されない。ロ
ウ材１７は、電極部１２の下面と導電パターン１７とを
接合させている。従って、チップ抵抗器１０を基板１５
に実装する際に必要な実装面積は、チップ抵抗器１０の
平面的な大きさと同程度である。

【００２５】図２を参照して上述したチップ抵抗器１０
が実装された回路装置２０の構成を説明する。図２
（Ａ）は回路装置２０の平面図であり、図２（Ｂ）は図
２（Ａ）の断面図である。

【００２６】図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して、
回路装置２０は次のような構成を有している。即ち、導
電パターン２１と、導電パターン２１にロウ材２５を介
して実装されたチップ抵抗器１０と、導電パターンの裏
面を露出させて導電パターンおよびチップ抵抗器１０を
封止する絶縁性樹脂２４とで回路装置２０は構成されて
いる。また、チップ抵抗器１０は、抵抗体と電極部が形
成された面を下面にして導電パターン２１に実装されて
いる。このような各構成要素を以下にて説明する。

【００２７】導電パターン２１は銅等の金属なら成り、
裏面を露出させて絶縁性樹脂２４に埋め込まれている。
ここで、導電パターン２０は、半導体素子２２が実装さ
れるダイパッド２１Ａおよび金属細線２３が接続される
ボンディングパッド２１Ｂを形成する。

【００２８】半導体素子２２は、チップ抵抗器１０と共
に半田等のロウ材を介して導電パターン２１に実装され
る回路素子である。導電パターン２１に実装される回路
素子としてはここではチップ抵抗器１０および半導体素
子２２を採用しているが、それ以外の回路素子を採用す
ることも可能である。例えば、ＩＣ等の能動素子やコン
デンサ等の受動素子を全般的に回路素子として採用する
ことができる。また、半導体素子２２はフェイスアップ
で実装されており、半導体素子２２と導電パターン２１
Ｂは、金属細線２３を介して電気的に接続されている。

【００２９】チップ抵抗器１０は、抵抗体１１が形成さ
れた面を下方向にして、ロウ材２５を介して導電パター
ン２１に実装される。従来例では、抵抗体１１の端部に
は、ロウ材１７より成るフィレットが形成さていたが、
ここでは、ロウ材２５より成るフィレットは形成されな
い。ロウ材２５は、電極部１２の下面と導電パターン２
１とを接合させている。従って、チップ抵抗器１０を導
電パターン２１に実装する際に必要な実装面積は、チッ
プ抵抗器１０の平面的な大きさと同程度である。また、
チップ抵抗器１０は、抵抗体１１が形成された面を下方
向にして実装されているので、導電パターン２１と抵抗
体１１との距離を短くすることができる。

【００３０】絶縁性樹脂２４は、導電パターン２１の裏
面を露出させて、全体を封止している。ここでは、半導
体素子２２、チップ抵抗器１０、金属細線２３を封止し
ている。絶縁性樹脂１２の材料としては、トランスファ
ーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェ
クションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用
することができる。このように、全体を絶縁性樹脂２４
で封止することにより、チップ抵抗器１０が導電パター
ン２１から分離してしまうのを防止することができる。

【００３１】図３を参照して上述したチップ抵抗器１０
が実装されたもう１つの回路装置３０の構成を説明す
る。図３（Ａ）は回路装置３０の平面図であり、図３
（Ｂ）は図３（Ａ）の断面図である。図２に於いては、
実装基板を不要にしたタイプの回路装置について説明し
たが、ここでは、実装基板３６上に導電パターン３１が
形成された構造を有する回路装置３０について説明す
る。

【００３２】図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して、
回路装置３０は次のような構成を有している。即ち、実
装基板３６と、実装基板３６上に形成された導電パター
ン３１と、導電パターン３１にロウ材３５を介して実装
されたチップ抵抗器１０と、導電パターン３１およびチ
ップ抵抗器１０を封止する絶縁性樹脂３４とで回路装置
３０は構成されている。パッド３７は、実装基板３６の
裏面に形成されており、スルーホール３８を介して導電
パターン３１と電気的に接続されている。ここで、チッ
プ抵抗器１０は、抵抗体と電極部が形成された面を下面
にして導電パターン３１に実装されている。このような
各構成要素を以下にて説明する。

【００３３】導電パターン３１は銅等の金属なら成り、
実装基板３６上に形成されている。ここで、導電パター
ン３１は、半導体素子３３が実装されるダイパッドおよ
び金属細線３３が接続されるボンディングパッドを形成
する。また、導電パターン３１は、実装基板３６に設け
られたスルーホール３８を介して、実装基板３６の裏面
に形成されたパッド３７と電気的に接続されている。

【００３４】半導体素子３２は、チップ抵抗器１０と共
に半田等のロウ材を介して導電パターン３１に実装され
る回路素子である。導電パターン３１に実装される回路
素子としてはここではチップ抵抗器１０および半導体素
子３２を採用しているが、それ以外の回路素子を採用す
ることも可能である。例えば、ＩＣ等の能動素子やコン
デンサ等の受動素子を全般的に回路素子として採用する
ことができる。また、半導体素子３２はフェイスアップ
で実装されており、半導体素子３２と導電パターン３１
Ｂは、金属細線３３を介して電気的に接続されている。

【００３５】チップ抵抗器１０は、抵抗体１１が形成さ
れた面を下方向にして、ロウ材３５を介して導電パター
ン３１に実装される。従来例では、抵抗体１１の端部に
は、ロウ材１７より成るフィレットが形成さていたが、
ここでは、ロウ材３５より成るフィレットは形成されな
い。ロウ材３５は、電極部１２の下面と導電パターン３
１とを接合させている。従って、チップ抵抗器１０を導
電パターン３１に実装する際に必要な実装面積は、チッ
プ抵抗器１０の平面的な大きさと同程度である。また、
チップ抵抗器１０は、抵抗体１１が形成された面を下方
向にして実装されているので、導電パターン３１と抵抗
体１１との距離を短くすることができる。

【００３６】絶縁性樹脂３４は、ここでは半導体素子３
２、チップ抵抗器１０、金属細線３３を封止している。
絶縁性樹脂３４の材料としては、トランスファーモール
ドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクション
モールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用すること
ができる。このように、全体を絶縁性樹脂３４で封止す
ることにより、チップ抵抗器１０が導電パターン３１か
ら分離してしまうのを防止することができる。即ち、チ
ップ抵抗器１０は、ロウ材および絶縁性樹脂の２つの構
成要素で、導電パターンに接着されていることとなる。

【００３７】図４を参照して上述したチップ抵抗器１０
が実装された混成集積回路装置４０の構成を説明する。
図４（Ａ）は混成集積回路装置４０の斜視図であり、図
４（Ｂ）は図２（Ａ）の断面図である。

【００３８】図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、
混成集積回路装置４０は次のような構成を有している。
即ち、基板４１と、基板４１の表面に形成された導電パ
ターン４２と、導電パターン４２上にロウ材４５を介し
て実装されたチップ抵抗器１０と、チップ抵抗器１０等
を封止する絶縁性樹脂４６とから混成集積回路装置４０
は構成されている。ここで、チップ抵抗器１０は、抵抗
体１１と電極部１２が形成された面を下面にして導電パ
ターン４２に実装されている。また、その他の構成要素
として、混成集積回路装置４０の入力・出力端子となる
リード４４や、チップ抵抗器１０以外の回路素子を、混
成集積回路装置４０は有している。この各構成要素を以
下にて説明する。

【００３９】基板４１は、金属やセラミック等の熱伝導
性に優れた材料から形成されている。そして、基板４１
上には耐圧性向上のために絶縁層が形成され、導電パタ
ーン４２が形成されている。ここで、導電パターン４２
は、回路素子が実装されるダイパッドおよび金属細線４
６が接続されるボンディングパッド等を形成する。

【００４０】半導体素子４３は、チップ抵抗器１０と共
に半田等のロウ材を介して導電パターン４２に実装され
る回路素子である。導電パターン４２に実装される回路
素子としてはここではチップ抵抗器１０および半導体素
子４３を採用しているが、それ以外の回路素子を採用す
ることも可能である。例えば、ＩＣ等の能動素子やコン
デンサ等の受動素子を全般的に回路素子として採用する
ことができる。また、半導体素子４４はフェイスアップ
で実装されており、半導体素子４３と導電パターン４２
は、金属細線４６を介して電気的に接続されている。

【００４１】チップ抵抗器１０は、抵抗体１１が形成さ
れた面を下方向にして、ロウ材４５を介して導電パター
ン４２に実装される。従来例では、抵抗体１１の端部に
は、ロウ材１７より成るフィレットが形成さていたが、
ここでは、ロウ材４５より成るフィレットは形成されな
い。ロウ材４５は、電極部１２の下面と導電パターン４
２とを接合させている。従って、チップ抵抗器１０を導
電パターン４２に実装する際に必要な実装面積は、チッ
プ抵抗器１０の平面的な大きさと同程度である。また、
チップ抵抗器１０は、抵抗体１１が形成された面を下方
向にして実装されているので、導電パターン４２と抵抗
体１１との距離を短くすることができる。

【００４２】絶縁性樹脂４６は、基板４１上に形成され
る回路全体を封止している。ここでは、半導体素子４
３、チップ抵抗器１０、金属細線４６を封止している。
絶縁性樹脂４６の材料としては、トランスファーモール
ドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクション
モールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用すること
ができる。このように、全体を絶縁性樹脂４６で封止す
ることにより、チップ抵抗器１０が導電パターン４２か
ら分離してしまうのを防止することができる。

【００４３】（チップ抵抗器１０の製造方法を説明する
第２の実施の形態）図５から図７を参照して、チップ抵
抗器１０の製造方法および実装方法を説明する。チップ
抵抗器１０は次のような工程で製造され且つ実装され
る。即ち、絶縁基板１３に多数個のチップ抵抗器１０を
形成するように抵抗体１１および電極部を形成する工程
と、絶縁基板１３を分割することにより個々のチップ抵
抗器１０に分割する工程と、チップ抵抗器１０を導電パ
ターンに実装する工程により、チップ抵抗器１０の製造
および実装は行われる。このような工程を以下にて説明
する。

【００４４】第１工程：図５参照 本工程は、大判の絶縁基板１３を用意して、その表面に
複数個のチップ抵抗器１０を構成する抵抗体１１および
電極部１２を形成する工程である。図５（Ａ）は、表面
に多数個の抵抗体１１および電極部１２が形成された絶
縁基板１３の平面図である。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）
の断面図である。

【００４５】絶縁基板１３は、機械的強度・熱伝導率・
絶縁性等に優れているセラミック系の材料が使用され
る。絶縁基板１３の大きさは、製造されるチップ抵抗器
１０の大きさに依るが、多数個のチップ抵抗器１０をマ
トリックス状に形成できる大きさである。また、形成予
定のチップ抵抗器１０の境界線に対応する部分には、後
の工程である個々のチップ抵抗器１０の分割が確実に行
えるように溝Ｍが形成されている。この溝Ｍは、抵抗体
形成側あるいはその反対側のどちらか片側のみに形成さ
れても良い。

【００４６】抵抗体１１は、導電体とガラスの混合物か
ら製造される。具体的に、抵抗体を絶縁基板１３の表面
に形成する方法としては、ペースト状の導電体とガラス
の混合物を絶縁基板１３に塗布し、高温で焼き付けるこ
とにより、抵抗体１１は形成される。この抵抗体１１
は、レーザートリミング装置等で所定の抵抗値に調整さ
れている。また、抵抗体１１を機械的・電気的に保護す
るために、抵抗体１１の上層にガラスより成る保護層を
設けても良い。

【００４７】電極部１２は、抵抗体５１と電気的に接続
され、チップ抵抗器５０の電極としての働きを有する。
電極部５２は、細長に形成された絶縁基板１３の両端部
付近の表面を覆うように形成されている。そして、電極
部１２は３層構造に成っており、例えば絶縁基板１３側
から銀パラジウム層、Ｎｉ層、半田メッキ層が積層され
ている。

【００４８】第２工程：図６参照 本工程は、表面に抵抗体１１および電極部１２が形成さ
れた絶縁基板１３を分割することにより、個々のチップ
抵抗器１０を形成する工程である。図６（Ａ）は絶縁基
板１３を粘着シート４２に貼り付けた状態を示す断面図
であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の断面図である。

【００４９】本工程では、具体的には、絶縁基板１３に
表面側と裏面側から基板を反らせるように応力を加える
ことで、溝Ｍの部分で簡単に割れて絶縁基板１３を分割
することができる。分割されたチップ抵抗器は、一般的
に紙リールに収納される。

【００５０】図６（Ａ）を参照して具体的な分割方法の
１例を説明する。表面に抵抗体１１および電極部１２が
形成された絶縁基板１３は、粘着シート４２に貼り付け
られている。そして、上記したような曲げ応力を絶縁基
板１３に加えることにより、分割線Ｄに沿って、絶縁基
板１３は個々のチップ抵抗器１０に分割される。分割さ
れた後に、粘着シート４２を引き延ばすと、分割された
個々のチップ抵抗器１０の間に隙間ができる。このよう
に、粘着シートを利用した供給状態も適用可能である。

【００５１】図６（Ｂ）を参照して、絶縁基板１３は、
抵抗体１１および電極部１２が形成された面を下面にし
て粘着シート４２に張りつけられている。そして、絶縁
基板１３に形成された個々のチップ抵抗器１０の境界線
に対応する箇所には、溝Ｍが形成されている。そして、
絶縁基板１３の表裏から圧力を加えることで分割を行う
ので、容易に個々のチップ抵抗器１０を分割させること
ができる。なお、上記の説明では、粘着シート４２を用
いたが、これに替えてＵＶシートを用いることも可能で
ある。

【００５２】第３工程：図７参照 本工程は、前工程で個々に分割されたチップ抵抗器１０
を、回路装置または混成集積回路装置に実装する工程で
ある。図７（Ａ）はチップ抵抗器１０を、導電パターン
２１に実装する状態を示す断面図である。図７（Ｂ）
は、チップ抵抗器１０を、混成集積回路装置３０の導電
パターン３２に実装する状態を示す断面図である。

【００５３】図７（Ａ）を参照して、チップ抵抗器１０
を回路装置２０の導電パターン２１に実装する工程を説
明する。先ず、導電パターン２１のチップ抵抗器１０が
実装される導電パターン２１Ｂおよび２１Ｃの表面に、
半田等のロウ材２５を塗布する。ロウ材２５が塗布され
る位置は、チップ抵抗器１０の電極部１２の位置に正確
に対応している。更に、ロウ材２５が塗布される面積
は、チップ抵抗器１０の電極部１２の面積と同等であ
る。

【００５４】次に、チップ抵抗器１０を導電パターン２
１上に塗布されたロウ材２５に実装する。チップ抵抗器
１０は、抵抗体１１および電極部１２が形成された面を
下面にして、導電パターン２１に実装される。また、チ
ップ抵抗器１０を実装する作業は、チップマウンターや
真空コレットを用いたダイボンダーを用いて行うことが
できる。

【００５５】ここで、電極部１２はチップ抵抗器１０の
下面のみに形成されているので、ロウ材２５はチップ抵
抗器１０の側面には付着しない。具体的には、従来例の
ようなロウ材によるフィレットが、チップ抵抗器１０の
側面部に形成されない。このことから、ロウ材２５は、
電極部１２と、導電パターン２１とを接合させているこ
ととなる。

【００５６】本工程では、導電パターン２１上にチップ
抵抗器１０の他に半導体素子等も実装される。回路装置
２０を製造する工程としては、この後に次のような工程
がある。即ち、絶縁性樹脂で封止する工程と、エッチン
グ等により導電パターン２１を分離させる工程と、ダイ
シングにより個々の回路装置２０を分離させる工程等が
ある。このような工程を経て、図２に示すような回路装
置２０が完成する。

【００５７】次に、図７（Ｂ）を参照して、チップ抵抗
器１０を混成集積回路装置３０の導電パターン３２に実
装する工程を説明する。先ず、導電パターン３２のチッ
プ抵抗器１０が実装される箇所に、半田等のロウ材３５
を塗布する。ロウ材３５が塗布される位置は、チップ抵
抗器１０の電極部１２の位置に正確に対応している。更
に、ロウ材３５が塗布される面積は、チップ抵抗器１０
の電極部１２の面積と同等である。

【００５８】次に、チップ抵抗器１０を導電パターン３
２上に塗布されたロウ材３５に実装する。チップ抵抗器
１０は、抵抗体１１および電極部１２が形成された面を
下面にして、導電パターン３２に実装される。また、チ
ップ抵抗器１０を実装する作業は、チップマウンターや
真空コレットを用いたダイボンダーを用いて行うことが
できる。

【００５９】ここで、電極部１２はチップ抵抗器１０の
下面のみに形成されているので、ロウ材３５はチップ抵
抗器１０の側面には付着しない。具体的には、従来例の
ようなロウ材によるフィレットが、チップ抵抗器１０の
側面部に形成されない。このことから、ロウ材３５は、
電極部１２と、導電パターン３２とを接合させているこ
ととなる。

【００６０】本工程では、導電パターン２１上にチップ
抵抗器１０の他に半導体素子等も実装される。回路装置
２０を製造する工程としては、この後に次のような工程
がある。即ち、導電パターン３２およびチップ抵抗器１
０等を絶縁性樹脂で封止する工程と、リード３４を所望
の長さにカットする工程等がある。このような工程を経
て、図４に示すような混成集積回路装置３０が完成す
る。

【００６１】

【発明の効果】本発明では、以下に示すような効果を奏
することができる。

【００６２】第１に、本発明のチップ抵抗器１０は、抵
抗体１１が形成される絶縁基板５３の表面のみに電極部
１２が形成されている。従って、従来例と比較すると簡
素化された構造を有するチップ抵抗器を得ることができ
る。

【００６３】第２に、本発明の回路装置２０および混成
集積回路装置３０は、抵抗体１１が形成される絶縁基板
５３の表面のみに電極部１２が形成されたチップ抵抗器
１０が実装されている。従って、抵抗体１１と導電パタ
ーンとの距離を短くすることができる。

【００６４】第３に、本発明の回路装置２０および混成
集積回路装置３０において、チップ抵抗器１０と導電パ
ターンとを接続するロウ材は、チップ抵抗器１０の電極
部の下面と導電パターンとを接続する。即ち、従来例の
ようにチップ抵抗器の側面部にロウ材からなるフィレッ
トが形成されない。従って、チップ抵抗器１０の実装面
積を小さくすることが可能となり、装置全体の実装密度
を向上させることができる。

【００６５】第４に、ロウ材としてソルダークリームを
使用する場合、従来構造ではチップ抵抗器の側面部にも
電極部が形成されていたため、側面の電極に半田が濡れ
る時、両電極の溶融のタイミングがずれると片側の半田
がチップ抵抗器を引っ張り、チップダチが発生する問題
があった。この現象は、ツームストーン現象という。本
発明のチップ抵抗器では、側面部に電極が形成されてい
ないので、ツームストーン現象の発生を防止することが
できる。

【００６６】第５に、本発明では、フィレットが形成さ
れないので、この部分の電気容量を小さくできる利点が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のチップ抵抗器を説明する断面図
（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図２】本発明のチップ抵抗器が実装された回路装置を
説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図３】本発明のチップ抵抗器が実装された回路装置を
説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図４】本発明のチップ抵抗器が実装された混成集積回
路装置を説明する斜視図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図５】本発明のチップ抵抗器の製造方法を説明する平
面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図６】本発明のチップ抵抗器の製造方法を説明する平
面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図７】本発明のチップ抵抗器の実装方法方法を説明す
る断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

【図８】従来のチップ抵抗器およびその実装方法を説明
する断面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E028 AA10 BA07 BB01 CA02 DA04 JC11 5E336 AA04 BB01 BB02 CC32 CC52 EE01 GG06 GG30

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、前記絶縁基板の表面に形成
   された抵抗体と、前記抵抗体の両端に形成された電極部
   とを有するチップ抵抗器に於いて、 前記電極部を前記絶縁基板の表面のみに形成したことを
   特徴とするチップ抵抗器。
2. 【請求項２】 導電パターンと、前記導電パターンにロ
   ウ材を介して実装されたチップ抵抗器と、前記導電パタ
   ーンの裏面を露出させて前記導電パターンおよび前記チ
   ップ抵抗器を封止する絶縁性樹脂とを有する回路装置に
   於いて、 前記チップ抵抗器を、抵抗体と電極部が形成された面を
   下面にして前記導電パターンに実装することを特徴とす
   る回路装置。
3. 【請求項３】 前記ロウ材は前記電極部と前記導電パタ
   ーンを接合させることを特徴とする請求項２記載の回路
   装置。
4. 【請求項４】 前記絶縁性樹脂が前記導電パターンおよ
   び前記チップ抵抗と接着することにより、前記チップ抵
   抗と前記導電パターンとの接続強度を確保することを特
   徴とする請求項２記載の回路装置。
5. 【請求項５】 基板と、前記基板の表面に形成された導
   電パターンと、前記導電パターン上にロウ材を介して実
   装されたチップ抵抗器と、前記チップ抵抗器を封止する
   絶縁性樹脂とを有する混成集積回路装置に於いて、 前記チップ抵抗器を、抵抗体と電極部が形成された面を
   下面にして前記導電パターンに実装することを特徴とす
   る混成集積回路装置。
6. 【請求項６】 前記ロウ材は前記電極部と前記導電パタ
   ーンを接合させることを特徴とする請求項５記載の混成
   集積回路装置。
7. 【請求項７】 前記絶縁性樹脂が前記基板、前記導電パ
   ターンおよび前記チップ抵抗と接着することにより、前
   記チップ抵抗と前記導電パターンとの接続強度を確保す
   ることを特徴とする請求項５記載の混成集積回路装置。