JP2003297795A - 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 - Google Patents

半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法

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JP2003297795A
JP2003297795A JP2003051446A JP2003051446A JP2003297795A JP 2003297795 A JP2003297795 A JP 2003297795A JP 2003051446 A JP2003051446 A JP 2003051446A JP 2003051446 A JP2003051446 A JP 2003051446A JP 2003297795 A JP2003297795 A JP 2003297795A
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真求 朴
Joong-Yeon Lee
仲淵 李
Neung-Goo Yoon
能九 尹
Shokon Ri
昌根 李
Sang-Ho Lee
相虎 李
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 洗浄・乾燥効果が高められ、使用済みの洗浄
液は循環させてリサイクルでき洗浄液の浪費を防ぎ、環
境汚染を低減する半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及
び洗浄・乾燥方法を提供する。 【解決手段】 イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と超
純水とよりなる洗浄液を処理槽１１に供給する前に所望
の濃度にあらかじめ混合する。これにより、超純水によ
る残留化合物の除去、ならびにＩＰＡによる水斑の発生
が効率よく抑制される。したがって、ウェーハの洗浄・
乾燥効果を高められるとともに、洗浄液をリサイクルす
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハの洗
浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法に係り、特にイソプ
ロピルアルコール（ＩｓｏＰｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏ
ｌ；以下、ＩＰＡと略称する）と超純水とよりなる混合
液を洗浄液として用い、特に洗浄液を、洗浄の行われる
処理槽に供給する前に正確な濃度にあらかじめ混合する
ことによって洗浄・乾燥効果を高められ、工程済みの洗
浄液は循環させてリサイクルできる半導体ウェーハの洗
浄・乾燥装置、及びこれを用いた洗浄・乾燥方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】１９７０年代に開発された半導体ウェー
ハの洗浄方法に基づいて多量の化学液を用いた洗浄方法
が今まで使われている。ウェーハに残留する汚染物を除
去するための洗浄方法には、アンモニア、過酸化水素及
び水を１：４：２０の比率で混合して常温または高温で
パチクルと有機汚染物とを除去するために使われるＳＣ
１（ｓｔａｎｄａｒｄ ｃｌｅａｎ １）洗浄と、塩
酸、過酸化水素及び水を１：１：５の比率で混合して高
温で遷移性金属汚染物を除去するために使われるＳＣ２
洗浄とがある。
【０００３】また、硫酸と過酸化水素とを混合して高温
で感光剤や界面活性剤のような有機汚染物を除去するた
めに行われるものであって、洗浄工程のうち最初に行わ
れるピラニア洗浄と、洗浄工程のうち最後に行われるも
のであって、ウェーハ表面の自然酸化膜を効率よく除去
すると同時に自然酸化膜内の金属汚染物を効率よく除去
できるＨＦ洗浄などがある。
【０００４】前記従来の洗浄方法は、洗浄時に化学液を
使い過ぎており、大部分の化学液は過酸化水素を基材と
する酸と塩基との混合液であるために廃水処理が容易で
はないという問題点を有している。このような過量の化
学液及び洗浄水の使用は洗浄コストを高めるだけでな
く、環境的にも制約されることになる。
【０００５】また、大部分の洗浄工程が高温下で進めら
れるので、洗浄のための化学液の分解及び蒸発による洗
浄液の寿命及び洗浄効果の減少が現れ、超純水の使い過
ぎ及び添加化学液によってリサイクル率が低下する。し
かも、前記のような従来の洗浄工程は、半導体製造工程
のうち多段階で行われるので、このための装備の巨大化
が招かれる。
【０００６】また、かかる洗浄工程の後には、ウェーハ
乾燥工程に進む。前記乾燥工程は、ウェーハを高速回転
させて遠心力で残留液を除去するスピンドライ、ＩＰＡ
蒸気をウェーハ表面に接触させてウェーハ表面に残留す
る湿気などの残留液をＩＰＡに置き換えて除去するＩＰ
Ａ蒸気乾燥、超純粋層とその上のＩＰＡ層とに分離され
ている洗浄液内にウェーハを浸漬させた後、ウェーハに
超純水とＩＰＡとを順次に接触させて残留液を超純水で
洗浄した後、これをＩＰＡに置き換える、いわゆるマラ
ンゴニ乾燥と呼ばれるＩＰＡ層乾燥方法などがある。
【０００７】しかし、前記スピンドライは、ウェーハの
帯電現象によるホコリの吸着、回転装置でのホコリの発
生及びこれによるウェーハの汚染などの問題があり、特
にウェーハチップ、トレンチまたはコンタクトホール内
に水分が残留し、それによる水斑の発生などの問題があ
る。
【０００８】また、ＩＰＡ蒸気による乾燥は蒸気領域が
不安定であってＩＰＡ蒸気がウェーハに均一に接触され
得ないために水斑発生の可能性が高く、燃焼性ＩＰＡ蒸
気が使われるために不意の火災に対応しなければならな
い問題がある。また、マランゴニ乾燥はスピン乾燥やＩ
ＰＡ蒸気乾燥の問題点をある程度は解決できるが、ウェ
ーハの表面に存在する各種の微粒子などの不純物の除去
には限界がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点を
解消するために創出したものであって、ＩＰＡ及び超純
水よりなる混合液を洗浄液として用い、特に洗浄の行わ
れる処理槽に洗浄液を供給する前に正確な濃度にあらか
じめ混合することによって洗浄・乾燥効果を高められ、
使用済みの洗浄液は循環させてリサイクルできて洗浄液
の浪費を防ぎ、環境汚染を減らせる半導体ウェーハの洗
浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法を提供することにそ
の目的がある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記技術的な課題を解決
するための本発明に係る半導体ウェーハの洗浄・乾燥装
置は、外部から供給される洗浄液を収容し、その内部で
ウェーハの洗浄・乾燥が行われる処理槽と、前記処理槽
内に供給する洗浄液を所定濃度に混合するものであっ
て、外部のイソプロピルアルコールを供給されて収容す
るイソプロピルアルコールタンクと、外部の超純水を供
給されて収容し、前記イソプロピルアルコールタンクと
連通してイソプロピルアルコールタンクに収容されてい
るイソプロピルアルコールを供給されてその内部でイソ
プロピルアルコールと超純水とを混合させる混合タンク
と、前記イソプロピルアルコールタンクに供給されるイ
ソプロピルアルコールの流量及び混合タンクに供給され
る超純水の流量を感知する流量感知手段とを有する洗浄
液混合ユニットと、前記混合タンクと処理槽とを連結
し、混合タンク内の混合状態の洗浄液を前記処理槽内に
供給する洗浄液供給部と、前記処理槽内で洗浄済みの洗
浄液を前記混合タンクに帰還させるリターンラインとを
備えている。
【００１１】前記洗浄液混合ユニットのＩＰＡタンク
は、２つ以上が相互並列構成され、前記混合タンクは、
各ＩＰＡタンクに一対一で対応して連結され、相互並列
構成されて１つのＩＰＡタンクと１つの混合タンクとが
１組をなし、洗浄液は２組以上のタンクのうち選択され
た何れか１組の混合タンクを経て循環することを特徴と
する。
【００１２】前記流量感知手段は、ＩＰＡタンク及び混
合タンクに各々設けられた多数のレベルセンサーである
ことを特徴とする。前記洗浄液混合ユニットには超純水
とＩＰＡとの混合を円滑にするために混合タンク内に窒
素ガスを注入する窒素気泡発生器がさらに備えられ、前
記ＩＰＡタンクと混合タンクとの間にはＩＰＡタンク内
のＩＰＡを混合タンクに所望量だけ追加供給するＩＰＡ
補充ポンプがさらに備えられる。
【００１３】また、前記洗浄液供給部は、混合タンク内
の洗浄液をポンピングして処理槽に移動させる循環ポン
プと、前記循環ポンプにより流動する洗浄液を通過さ
せ、洗浄液内の異物をろ過するフィルターと、前記フィ
ルターを通過した洗浄液内のＩＰＡの濃度をチェックす
るＩＰＡ濃度計と、前記処理槽流入する洗浄液内の液状
微粒子の量を検出する液状微粒子検出器とを有してい
る。前記リターンラインには処理槽から混合タンクに帰
還する洗浄液内の液状微粒子を検出する液状微粒子検出
器がさらに備えられる。
【００１４】また、本発明に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥装置は、前記洗浄液混合ユニットと連結され、混
合タンクから洗浄液を供給されて洗浄液を純粋なＩＰＡ
と超純水とに分離するものであって、前記混合タンクか
ら洗浄液を供給され、洗浄液を加熱して沸騰点の違いを
用いて洗浄液からＩＰＡを蒸発させる加熱タンクと、前
記加熱タンクと連結され、蒸気状態のＩＰＡを通過させ
て不純物をろ過するＩＰＡフィルターと、前記ＩＰＡフ
ィルターを通過したＩＰＡを収容し、ＩＰＡを凝縮させ
るＩＰＡ回収タンクと、前記加熱タンクに連結され、加
熱タンク内に残っている液状の超純水を通過させ、超純
粋内の不純物をろ過する超純水フィルターと、前記超純
水フィルターを通過した超純水を収容し、臨時貯蔵する
超純粋回収タンクとをさらに備える。
【００１５】前記処理槽の下部には、外部から供給され
た超純水を収容し、処理槽の下部を超純水に浸漬させる
シンクがさらに備えられ、前記シンクには超音波を発生
させて超音波が超純水及び処理槽とを通過して処理槽内
の洗浄中のウェーハに伝達させる超音波発生部が備えら
れる。
【００１６】また、本発明に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法は、超純水とＩＰＡとを混合して洗浄液を作
る混合段階と、前記洗浄液を処理槽に供給して処理槽内
でウェーハと接触させることによってウェーハを洗浄す
る洗浄段階と、前記洗浄段階の後、洗浄液と前記ウェー
ハとを相互分離する分離段階と、前記洗浄液から分離さ
れたウェーハの表面を乾燥させてウェーハに残留する洗
浄液を除去する乾燥段階とを含む。
【００１７】前記洗浄段階は、前記処理槽内への洗浄液
の供給前にウェーハを前記処理槽内にあらかじめ入れる
段階であり、前記洗浄段階は、処理槽に洗浄液の供給が
完了された後前記ウェーハを洗浄液内に浸漬させる段階
であり、前記分離段階は、前記処理槽からウェーハを持
ち上げてウェーハと洗浄液とを分離させる段階であり、
前記分離段階は、前記処理槽から洗浄液を下部に排出し
てウェーハと洗浄液とを分離させる段階である。前記混
合段階の洗浄液は、洗浄液でのＩＰＡ濃度を経時的に変
化させて所望の濃度に調節された洗浄液である。前記乾
燥段階は、高温の窒素ガスをウェーハの表面に噴射して
接触させることによって、ウェーハの表面を乾燥させる
段階である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明を詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例に係
る半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置の全体的な構成を概
略的に示す図面である。図面を参照すれば、本実施例に
係る半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置は、その内部でウ
ェーハＷの洗浄・乾燥が行われる処理槽１１と、前記処
理槽１１内に供給される洗浄液をあらかじめ所定濃度に
混合させる洗浄液混合ユニット５０と、前記洗浄液混合
ユニット５０内で混合された洗浄液を前記処理槽１１の
内部に移動させて洗浄液の状態をチェックする洗浄液供
給部５２と、前記処理槽１１内で洗浄を終えて溢れた洗
浄液を前記洗浄液混合ユニット５０に帰還させるリター
ンライン５４と、必要時に前記処理槽１１内の洗浄液を
洗浄液混合ユニット５０に帰還させるドレインライン９
０と、前記洗浄液混合ユニット５０と連結され、汚染さ
れた洗浄液を回収して純粋なＩＰＡとＤＩＷとに分離す
る回収ユニット８２を含んで構成される。
【００１９】前記処理槽１１は、その内部に洗浄・乾燥
する１枚以上のウェーハＷを収容し、前記洗浄液供給部
５２及びリターンライン５４と連結されている。前記処
理槽１１の上部は公知のチャンバカバー１２によって密
閉される。前記ウェーハＷは、処理槽１１の内部で昇降
支持台（図１０の９２）に支持されている。前記昇降支
持台９２は、ウェーハの洗浄時に処理槽１１の内部に位
置してウェーハＷを洗浄液５に浸漬させ、ウェーハの乾
燥時には図１１のように処理槽１１の上部に浮き上が
る。
【００２０】前記チャンバカバー１２は、処理槽１１を
密閉して処理槽１１から溢れ出た洗浄液がリターンライ
ン５４に移動するように誘導する。また、前記チャンバ
カバー１２の内側面には多数の窒素噴射ノズル１４が備
えられている。前記窒素噴射ノズル１４は外部から供給
された窒素ガスをチャンバカバー１２内に供給してチャ
ンバカバー１２の内部空間を窒素で充填させ、特にウェ
ーハＷが洗浄液の液面上に浮き上がる時にウェーハに窒
素ガスを噴射してウェーハ表面の洗浄液を除去する。
【００２１】また、前記窒素噴射ノズル１４に向かう窒
素ガスを加熱するためにヒーター８０を設ける。前記ヒ
ーター８０は、必要時に窒素ガスを加熱してウェーハ表
面の洗浄液をさらに効率よく除去可能にする。また、前
記処理槽１１の下部にはシンク８４が設けられる。前記
シンク８４は、その内部に超純水を収容する容器であっ
て、超純水を一定水位に貯蔵し、処理槽１１の下部を超
純水の水面以下に浸ける役割を行う。前記シンクの内部
には水位センサー８８が備えられる。前記水位センサー
８８は、超純水の水位をチェックし、処理槽１１の下部
を常に超純水の水位以下に位置させる。
【００２２】前記シンク８４の下部には超音波発生部８
６が備えられる。前記超音波発生部８６は公知の一般の
超音波発生部を使用しうる。前記超音波発生部８６から
発生した超音波はシンク８４内の超純水を通過して処理
槽１１と洗浄液５とを通じてウェーハＷに伝達される。
つまり、前記シンク８４の内部に超純水を供給し、かつ
処理槽１１の下部を超純水に浸けたのは、ウェーハの洗
浄作業時に超音波発生部８６から発生した超音波が超純
水を経て処理槽に伝達さるべくするためである。
【００２３】一方、前記洗浄液混合ユニット５０は、２
つのＩＰＡタンク１８、１９と、前記各ＩＰＡタンク１
８、１９と各々連結される２つの混合タンク２４、２５
とを有する。前記２つのＩＰＡタンク１８、１９は並列
に構成されているために、外部から供給されるＩＰＡは
両側のＩＰＡタンク１８、１９に同時に供給されうる。
また、前記２つの混合タンク２４、２５も並列に構成さ
れているために、外部から供給される超純水は両側の混
合タンク２４、２５内に同時に供給されうる。
【００２４】また、前記各ＩＰＡタンク１８、１９に
は、多数のレベルセンサー２０が備えられている。前記
レベルセンサー２０は、ＩＰＡタンク１８、１９内に供
給されるＩＰＡの流量を感知して所望量だけのＩＰＡを
供給可能にする。同様に、前記混合タンク２４、２５に
も多数のレベルセンサー２１が設けられている。前記レ
ベルセンサー２１は、混合タンク２４内に供給される超
純水の流量を感知して所望量だけの超純粋を供給可能に
する。
【００２５】図面番号４４はオーバフロードレイン管で
ある。前記オーバフロードレイン管４４は、後述するよ
うにリターンライン５４やドレインライン９０を通じて
帰還した洗浄液が混合タンク２４、２５内で所定レベル
以上に上昇する時、洗浄液を混合タンク２４、２５の外
部に排出するパイプである。前記各ＩＰＡタンク１８、
１９は連結パイプ５６を通じて混合タンク２４、２５と
連結されている。したがって、各ＩＰＡタンク１８、１
９に供給されているＩＰＡはそれぞれの連結パイプ５６
を通じて混合タンク２４、２５に移動しうる。
【００２６】前記各混合タンク２４、２５内には必要量
だけの超純水が独立して供給される。したがって、各混
合タンク２４、２５の内部にはＩＰＡタンク１８、１９
から供給されたＩＰＡと超純水とが所定比率で混在す
る。特に、前記混合タンク２４、２５の内部に独立して
供給される超純水の量及びＩＰＡタンク１８、１９に供
給されるＩＰＡの量は、各々レベルセンサー２０、２１
を通じて計測可能なので、超純水に対するＩＰＡの濃度
が制御可能になって混合タンク２４、２５内で所望の濃
度の洗浄液が得られる。また、図１２ないし図１９に示
されているグラフのような濃度をも得られることは言う
までもない。
【００２７】前記各連結パイプ５６は、２本に分岐さ
れ、分岐された一側の連結パイプにはＩＰＡ補充ポンプ
２２、２３が設けられる。前記ＩＰＡ補充ポンプ２２、
２３は、必要時にＩＰＡをＩＰＡタンク１８、１９から
混合タンク２４、２５に追加供給する時に使用するもの
であって、正確な量のＩＰＡを迅速に移動させうる。
【００２８】前記ＩＰＡは、揮発性物質なので洗浄液の
循環中に洗浄液から徐々に揮発してなくなることがあ
る。このようにＩＰＡが揮発した場合、洗浄液内のＩＰ
Ａの濃度が薄くなるので、前記ＩＰＡ補充ポンプ２２、
２３に不足分だけのＩＰＡを補充すれば良い。
【００２９】前述したように、各混合タンク２４、２５
の内部にはＩＰＡと超純水とが所望の比率で混在すが、
超純水とＩＰＡとを確実に混合可能に窒素気泡発生器２
６がさらに設けられる。前記窒素気泡発生器２６は、外
部から供給された窒素ガスを混合タンク２４、２５の内
側下部に噴射して収容されている超純水とＩＰＡとを完
全に混合させる。また、本実施例では前記洗浄液混合ユ
ニット５０に２つずつのＩＰＡタンク１８、１９と混合
タンク２４、２５とを適用したが、前記ＩＰＡタンク及
び混合タンクの数は実施例によって幾らでも増加させう
る。
【００３０】前記各混合タンク２４、２５は、混合液供
給弁２８、２９を通じて供給パイプ５８に連結される。
前記２つの混合液供給弁２８、２９は同時に開放される
ことではなく、交互に開放される。すなわち、一方の混
合液供給弁２８が開放される時、他方の混合液供給弁２
９は閉塞され、逆に、一方の混合液供給弁２８が閉塞さ
れる時、他方の混合液供給弁２９は開放される。
【００３１】これは一方の混合タンク２４内の洗浄液だ
けが循環して処理槽１１に供給され、その間に他方の混
合タンク２５内の洗浄液は混合タンク２５内で待ってい
ることを意味する。すなわち、一方の混合液供給弁２８
のみを開放し、一方の混合タンク２４内の洗浄液だけで
ウェーハの洗浄を行っていて、一定時間後に洗浄液が許
容値以上に汚染された場合、該当混合液供給弁２８は閉
塞し、他方の混合液供給弁２９を開放して待っていた他
方の混合タンク２５内の未使用の洗浄液を循環させて洗
浄し続ける。
【００３２】前記のように他方の混合タンク２５内の洗
浄液を処理槽１１に供給する間に、一方の混合タンク２
４の混合液排液弁３０を開放して混合タンク２４内の汚
染された洗浄液を排出する。混合タンク２４が完全に空
になると、排液弁３０を閉塞して外部から新しいＩＰＡ
と超純水とを供給されて所望の比率に混合させた状態で
待つ。
【００３３】前述したように混合タンク２４、２５を２
つ備えて交互に使用することによって、装置を止めずに
きれいな洗浄液を供給し続けるために、ウェーハの洗浄
・乾燥が迅速でかつ効率よく行われる。各混合タンク２
４、２５の下部に備えられている排液管６４、６５は、
必要時に混合タンク２４内の洗浄液を回収ユニット８２
側に排出するパイプであって各々混合液排液弁３０、３
１により開閉される。
【００３４】基本的に、前記回収ユニット８２はウェー
ハの洗浄により許容値以上に汚染された洗浄液を収容
し、汚染された洗浄液を純粋なＩＰＡ及びＤＩＷとリサ
イクルする役割を行う。前記回収ユニット８２は、前記
排液管６４、６５と連結され、汚染された洗浄液を収容
する加熱タンク７０と、前記加熱タンク７０に各々連結
するＩＰＡ回収タンク７４及びＤＩＷ回収タンク７８
と、前記加熱タンク７０からＩＰＡ回収タンク７４に移
動するＩＰＡ内の不純物を除去するＩＰＡフィルター７
２と、前記加熱タンク７０からＤＩＷ回収タンク７８に
移動するＤＩＷ内の不純物を除去するＤＩＷフィルター
７６と、を含む。
【００３５】前記加熱タンク７０は、洗浄液を受け入
れ、該受け入れた洗浄液を加熱して洗浄液内で沸騰点の
相対的に低いＩＰＡを蒸発させてＤＩＷとＩＰＡとを相
互分離する。すなわち、沸騰点の違いを用いて洗浄液を
ＩＰＡとＤＩＷとに分離する。加熱タンク７０の内部で
気体状態に相変化したＩＰＡはＩＰＡフィルター７２を
経て不純物の除去された状態でＩＰＡ回収タンク７４に
移動し続けつつ冷却されて経時的に液状に再凝縮され
る。また、前記ＩＰＡの凝縮のために別の冷却手段を設
けても良い。前記ＩＰＡ回収タンク７４に集まったＩＰ
Ａ液は洗浄液混合ユニット５０のＩＰＡタンク１８、１
９に供給されてリサイクルされる。
【００３６】前記ＩＰＡが溢れ出た後の加熱タンク７０
内には汚染された状態の超純水が残っている。前記超純
水はＤＩＷフィルター７６を通過して浄化された後、Ｄ
ＩＷ回収タンク７８内に臨時貯蔵される。前記ＤＩＷ回
収タンク７８内に集まったＤＩＷ液は洗浄液混合ユニッ
ト５０のＤＩＷタンク２４、２５に供給されてリサイク
ルされる。前記のように洗浄液をリサイクルすることに
よって洗浄液を大きく節約できる。
【００３７】一方、前記洗浄液混合ユニット５０内で所
定濃度の洗浄液を処理槽１１に移動させる洗浄液供給部
５２は、循環ポンプ３６、フィルター３８、ＩＰＡ濃度
計４０及び液状微粒子検出器４２を含んで構成される。
前記循環ポンプ３６は、各混合液供給弁２８、２９を通
じて混合タンク２４、２５に連結される。前記循環ポン
プ３６は混合タンク２４、２５内の洗浄液を洗浄液供給
部５２を通じて処理槽１１側にポンピングする。
【００３８】前記循環ポンプ３６により処理槽１１に移
動する洗浄液はまずフィルター３８を通過しつつ浄化さ
れる。前記フィルター３８は洗浄液を通過させ、内部に
混ざっている不純物をろ過して洗浄液の使用時間を最大
限に延ばす。前記フィルター３８に直列に連結されたＩ
ＰＡ濃度計４０は循環する洗浄液内のＩＰＡの濃度をチ
ェックする。前記ＩＰＡは揮発性なので、洗浄液が循環
し続ける間にはその濃度が徐々に薄くなり得るので、Ｉ
ＰＡ濃度計４０を設けて洗浄液内のＩＰＡの濃度を持続
的に点検する。前記ＩＰＡ濃度計４０を通じてＩＰＡの
濃度が薄くなったことを見つけた場合には、前記ＩＰＡ
補充ポンプ２２、２３を作動させてＩＰＡタンク１８、
１９内のＩＰＡを混合タンク２４、２５にポンピングす
ることによって洗浄液の最適の濃度を回復させる。
【００３９】また、前記液状微粒子検出器４２は循環す
る洗浄液内の液状微粒子の量を検出して洗浄液の入れ替
えの如何を決定可能にする。前記液状微粒子は前記フィ
ルター３８によりろ過されていない汚染物質である。前
記洗浄液供給部５２を通過して処理槽１１内に供給され
た洗浄液は処理槽内でウェーハＷを洗浄した後、処理槽
１１から溢れ出てリターンライン５４に移動する。
【００４０】前記リターンライン５４を通じて流動する
洗浄液は再び液状微粒子検出器４３を通過する。前記液
状微粒子検出器４３は、処理槽１１を通過した後の洗浄
液内の液状微粒子を検出して洗浄済みの洗浄液の汚染程
度を再びチェックする。前記リターンライン５４を通過
する洗浄液は開放されているリターン弁６０または６１
を経て混合タンク２４、２５内に帰還する。
【００４１】一方、前記ウェーハＷの乾燥は、ウェーハ
を洗浄液の液面上に持ち上げることによってなされる。
ウェーハＷを液面上に持ち上げれば洗浄液の表面張力に
よりウェーハ表面の１次乾燥がなされる。次いで、ウェ
ーハが浮き上がる間に、窒素噴射ノズル１４でウェーハ
に窒素ガスを噴射してウェーハの２次乾燥を行う。
【００４２】ウェーハを洗浄液の液面上に持ち上げる方
法は、洗浄液の水位はそのまま保った状態で前記昇降支
持台（図１０の９２）を用いてウェーハを液面上に移動
させる方法と、ウェーハは移動せずに洗浄液の水位を下
げる方法とがある。前記ドレインライン９０がウェーハ
を移動せず、洗浄液の水位を下げるための手段である。
前記ドレインライン９０は、処理槽１１の下部と混合タ
ンク２４、２５とに連結され、処理槽１１内の洗浄液５
を下部に排水することによって１次乾燥を行う。
【００４３】前記ドレインライン９０は弁を調節して２
つの混合タンク２４、２５のうち使用中の混合タンク２
４、２５に洗浄液をリターンさせる。前述したように行
われる本実施例に係る半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置
は、洗浄液を所望の濃度にあらかじめ混合して準備する
洗浄液混合ユニット５０と、前記洗浄液混合ユニット５
０から洗浄液を供給されて処理槽１１に供給する洗浄液
供給部５２と、前記処理槽１１内で洗浄済みの洗浄液を
洗浄液混合ユニット５０に帰還させるリターンライン５
４とを含むものであって、洗浄液が常に正確な濃度に保
たれるので、ウェーハの洗浄・乾燥効果に優れる。ま
た、洗浄液混合ユニット５０から排出された洗浄液がリ
ターンライン５４を通じて帰還された後、再び処理槽１
１に移動して洗浄を行うので経済的であり、かつ回収ユ
ニット８２をして許容値以上に汚染された洗浄液をきれ
いなＩＰＡとＤＩＷとにリサイクルさせるために、捨て
られる洗浄液の量を顕著に減らせ、それだけ環境汚染を
減らせる。
【００４４】一方、前記洗浄・乾燥装置を用いた洗浄・
乾燥方法は、４つの段階に分けられる。各段階別の特徴
を説明すれば次の通りである。第１段階は、超純水とＩ
ＰＡとを混合する混合段階である。前記のように超純水
とＩＰＡとの混合は、前記洗浄液混合ユニット５０で行
われる。すなわち、前記混合タンク２４、２５の内部に
ＩＰＡとＤＩＷとを各々収容し、窒素気泡発生器２６で
ＩＰＡとＤＩＷとをより完全に混合する。
【００４５】第２段階は、前記第１段階を通じて混合さ
れた状態の洗浄液を処理槽１１に供給して処理槽内で洗
浄液とウェーハとを接触させる段階である。ウェーハに
洗浄液を接触させる方法としては２つがある。その１つ
は処理槽内にウェーハＷをあらかじめ置いた状態で処理
槽１１に洗浄液を供給して洗浄液の液面を徐々に上げて
ウェーハを洗浄液に浸漬する。残りの１つの方法は、処
理槽１１の内部に洗浄液を供給し続けて洗浄液を一定水
位に保った状態でウェーハを下降させてウェーハを洗浄
液内に浸漬する。
【００４６】図２及び図３は、ウェーハＷを洗浄液内に
下降させる例を示す図面である。図２は、ウェーハＷを
垂直方向に直接下降させる場合であり、図３はウェーハ
を左右に振りつつ下降させる場合である。図２に比べて
ウェーハを左右に振りつつ下降させれば、ウェーハと洗
浄液５との摩擦が生じて洗浄効果が向上する。ウェーハ
を洗浄液の内部に浸漬する方法は、前記２種の方法以外
に幾らでも多様に変更可能であることは言うまでもな
い。
【００４７】また、処理槽内にウェーハをあらかじめ置
いた状態で洗浄液を供給してウェーハを洗浄液に徐々に
浸漬するためには、処理槽１１があらかじめ空になって
おらねばならない。処理槽を空にするためには前記ドレ
インライン９０を開放して処理槽１１内の洗浄液を混合
タンク２４、２５にリターンさせれば良い。とにかく、
洗浄液の内部にウェーハが浸漬されたならば、ウェーハ
を洗浄液から分離する前までにウェーハを運動させてウ
ェーハと洗浄液とを摩擦させることが望ましい。
【００４８】図４（ａ）〜図４（ｄ）はウェーハを運動
させる例を示している。図４ａは、ウェーハＷを垂直方
向に振ることを示し、図４ｂはウェーハを水平方向に振
ることを示している。また、図４ｃはウェーハを垂直方
向の軸（Ｙ軸）を中心に回転させる例であり、図４ｄは
水平方向の回転軸軸（Ｘ軸）を中心に回転させる例であ
る。
【００４９】前述したように洗浄液の内部でウェーハを
運動させることによってウェーハの表面に存在する各種
微粒子などの不純物を効率よく除去しうる。第２段階に
続く第３段階は洗浄液５からウェーハＷを分離する段階
である。図５ないし図７は、洗浄液５からウェーハを分
離する方法を示す図面である。
【００５０】図５及び図６は、洗浄液の液面はそのまま
保った状態でウェーハを持ち上げる場合であり、図７
は、ウェーハは移動せず、洗浄液だけを排出する場合で
ある。また、図５はウェーハＷを垂直に取り出す場合で
あり、図６はウェーハを持ち上げつつ左右に移動させて
ウェーハと洗浄液５との摩擦を増加させる場合である。
図５及び図６に示されたように、ウェーハＷを処理槽１
１から取り出す経路は実施例によって多様に変更でき、
図５及び図６とは異なる方法で取り出しても良い。
【００５１】また、図７に示す方法を行うためには処理
槽１１に供給される洗浄液の供給を中断し、前記ドレイ
ンライン９０を開放すべきである。ドレインライン９０
を開放すれば、処理槽１１内の洗浄液が作動中の混合タ
ンクに帰還する。洗浄液からウェーハが分離されたなら
ば、第４段階に進む。第４段階は洗浄液から分離された
ウェーハの表面から残留洗浄液を除去する段階であっ
て、洗浄液の除去された処理槽１１の内部または洗浄液
が処理槽１１に残っている状態であれば処理槽１１の上
部で行われる。前記第４段階は、ウェーハ表面に高温の
窒素ガス、望ましくは５０ないし１５０℃の窒素ガスを
一定圧力でウェーハ表面に噴射してウェーハ表面に残留
する洗浄液を乾燥を通じて除去する段階である。
【００５２】図８は、ウェーハが処理槽１１の上部に持
ち上げられた状態で高温窒素ガスをウェーハ表面に集中
噴射する状態を示す。このようにウェーハに窒素ガスを
噴射すれば、窒素ガスの噴射圧力及び熱によりウェーハ
表面に残留する洗浄液が除去される。図９は、ウェーハ
の上部で高温の窒素ガスが垂直の層流をもってウェーハ
に加えられる状態を示す。このように供給される高温の
窒素ガスはウェーハ表面に接触されて熱をウェーハ表面
に供給し、これによって混合液を蒸発及び乾燥させる。
【００５３】図１０ないし図１３は、前述したようにウ
ェーハに窒素ガスを噴射する時、昇降支持台及び側部支
持台に対するウェーハの相対位置を変化させることを説
明するために示す図面である。前記昇降支持台及び側部
支持台は多様な種類が提案されている。基本的に前記昇
降支持台９２は、多数のウェーハを垂直に支持した状態
で昇降する。また側部支持台９４はウェーハＷの上昇時
にウェーハを昇降支持台９２から臨時に離隔させて図１
２に示したようにウェーハの下端エッジ部Ｚを昇降支持
台９２から離隔させるものである。前記側部支持台９４
は昇降支持台９２の上昇時にウェーハＷがそれらの間を
通過可能に十分に広げた状態で待つ。
【００５４】図１０を参照すれば、ウェーハＷが昇降支
持台９２に支持された状態で洗浄液５に浸漬されている
ことが分かる。また、処理槽１１の上部には側部支持台
９４が待っている。前記側部支持台９４は相互平行して
おり、矢印方向に水平進退自在であって、必要時に図１
２に示したようにウェーハの側部を支持する。図１０に
示したように、ウェーハＷが洗浄液５内で洗浄が完了さ
れれば、昇降支持台９２を矢印ｕの方向に上昇させて洗
浄液５からウェーハを分離させ、ウェーハに窒素ガスを
噴射し始める。
【００５５】図１１を参照すれば、昇降支持台９２が上
部に完全に移動してウェーハＷが側部支持台９４の間に
位置していることが分かる。一方、この際、ウェーハＷ
の下端エッジ部ｚは昇降支持台９２に接した状態なの
で、下端エッジ部ｚには窒素ガスが到達できず、下端エ
ッジ部ｚは乾燥が完全に進められない。したがって、両
側の側部支持台９４を矢印ａ方向に移動させ、ウェーハ
Ｗの側部を支持させると共に、図１２に示したように昇
降支持台９２を下部に臨時下降させる。
【００５６】図１２を参照すれば、ウェーハＷの両側部
が前記側部支持台９４により支持されて前記昇降支持台
９２はウェーハを側部支持台９４に渡して下降すること
によって、下端エッジ部ｚに窒素ガスが噴射さるべくす
る。この際、昇降支持台９２は洗浄液５の内部に浸って
はならない。ウェーハの乾燥が完了されれば、前記昇降
支持台９２を上昇させると共に、側部支持台９４を離隔
させてウェーハを、昇降支持台９２をして再び支持させ
て処理済みのウェーハを取り出す。つまり、前記第１段
階ないし第４段階を通じてウェーハの洗浄・乾燥工程が
完了される。
【００５７】図１３ないし図２０は、処理槽に供給され
る洗浄液の経時的な変化によるＩＰＡ濃度の調節パター
ンを簡単に説明するためのグラフである。洗浄液内のＩ
ＰＡの濃度を作業条件やその他の必要によって適切に調
節すればより向上された洗浄効果が得られることは前述
した通りである。また、前記ＩＰＡの濃度調節は、図１
のＩＰＡ補充ポンプ２２、２３を通じて容易に具現でき
る。
【００５８】図１３は、一定量のＩＰＡ及びＤＩＷが混
合されて構成された一定濃度の洗浄液を濃度変化無しに
処理槽に供給できることを示す。図１４は、処理槽に超
純水だけを供給していてＩＰＡの添加量を漸進的に増加
させてＩＰＡ濃度が一定レベルに到達した時にＩＰＡの
添加を止めることを示す。図１５は、処理槽に供給され
る洗浄液のＩＰＡ濃度を漸進的に増加させていてＩＰＡ
濃度が一定のレベルに到達した時にＩＰＡの添加を止め
ることを示す。
【００５９】図１６は、超純水に対するＩＰＡの濃度を
漸進的に変化させず、一定の時間間隔をおいて段階的に
増加させうることを示す。図１７は、図１６の逆過程で
あって処理槽に純粋なＩＰＡだけを供給していて所定の
時間間隔で超純水を供給してＩＰＡ濃度を段階的に下げ
られることを示す。図１８は、処理槽に一定のＩＰＡ濃
度を有する洗浄液を供給していて、ある時点よりＩＰＡ
の添加量を減らして結局超純水だけを供給できることを
示す。
【００６０】図１９は、初期に一定のＩＰＡ濃度を有す
る洗浄液を処理槽に供給していてＩＰＡの添加量を漸進
的に増加させてＩＰＡの濃度を初期ＩＰＡの濃度より濃
くしうることを説明する。図２０は、前記図１９と逆の
場合であって、初期に一定のＩＰＡ濃度を有する洗浄液
を処理槽に供給していてＩＰＡの添加量を徐々に減らし
てＩＰＡの濃度を初期ＩＰＡの濃度より薄くしうること
を意味する。
【００６１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る半導体
ウェーハの洗浄・乾燥装置、及びこれを用いた洗浄・乾
燥方法は、処理槽内に供給する超純水とＩＰＡとを処理
槽に供給する前に、あらかじめ完全に混合することによ
って洗浄・乾燥作業を効率よく行え、かつ洗浄液をリサ
イクルすることによって洗浄液の浪費を防止しうる。ま
た、本発明では、被洗浄物として半導体ウェーハを例に
取ったが、ウェーハに限定されず、液晶表示装置用基
板、記録ディスク用基板またはマスク用基板などを含む
様々な被洗浄物にも本発明を幅広く適用しうる。
【００６２】以上、本発明を具体的な実施例に基づいて
詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、
本発明の技術的思想の範囲内で当業者によって多様な変
形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
及び乾燥装置の全体的な構成を概略的に示す図面であ
る。
【図２】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法によって処理槽にウェーハを入れる例を示す
図面である。
【図３】本発明に一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法によって処理槽にウェーハを入れる他の例を
示す図面である。
【図４】処理槽に入れられたウェーハをよって効率よく
洗浄するためにウェーハを洗浄液内で運動させる多様な
例を示す図面である。
【図５】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法によってウェーハを処理槽内で洗浄した後、
洗浄液からウェーハを分離する一例を示す図面である。
【図６】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法によってウェーハを処理槽内で洗浄した後、
洗浄液からウェーハを分離する他の例を示す図面であ
る。
【図７】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法によってウェーハを処理槽内で洗浄した後、
洗浄液からウェーハを分離するさらに他の例を示す図面
である。
【図８】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法においてウェーハを乾燥させるための窒素ガ
ス噴射方法の一例を示す図面である。
【図９】本発明に一実施例に係る半導体ウェーハの洗浄
・乾燥方法においてウェーハを乾燥させるための窒素ガ
ス噴射方法の他の例を示す図面である。
【図１０】ウェーハに窒素ガスを噴射する時、昇降支持
台に対するウェーハの相手位置の変化を説明するために
示す図面である。
【図１１】ウェーハに窒素ガスを噴射する時、昇降支持
台に対するウェーハの相手位置の変化を説明するために
示す図面である。
【図１２】ウェーハに窒素ガスを噴射する時、昇降支持
台に対するウェーハの相手位置の変化を説明するために
示す図面である。
【図１３】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図１４】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図１５】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図１６】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図１７】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図１８】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図１９】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【図２０】本発明の一実施例に係る半導体ウェーハの洗
浄・乾燥方法において使われる洗浄液のＩＰＡ濃度調節
方法の多様な例を説明するグラフを示す図である。
【符号の説明】
１１ 処理槽 ５０ 洗浄液混合ユニット ５２ 洗浄液供給部 ５４ リターンライン ９０ ドレインライン ８２ 回収ユニット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ｋ ６５１ ６５１Ｌ (72)発明者 尹 能九 大韓民国京畿道平沢市二忠洞381番地現代 アパート102棟302号 (72)発明者 李 昌根 大韓民国京畿道平沢市二忠洞381番地現代 アパート101棟1501号 (72)発明者 李 相虎 大韓民国ソウル特別市竜山区西氷庫洞241 −21番地新東亜アパート14棟605号

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 外部から供給される洗浄液を収容し、そ
    の内部でウェーハの洗浄・乾燥が行われる処理槽と、 前記処理槽内に供給する洗浄液を所定濃度に混合するも
    のであって、外部のイソプロピルアルコールを供給され
    て収容するイソプロピルアルコールタンクと、外部の超
    純水を供給されて収容し前記イソプロピルアルコールタ
    ンクと連通してイソプロピルアルコールタンクに収容さ
    れているイソプロピルアルコールを供給されてその内部
    でイソプロピルアルコールと超純水とを混合させる混合
    タンクと、前記イソプロピルアルコールタンクに供給さ
    れるイソプロピルアルコールの流量及び混合タンクに供
    給される超純水の流量を感知する流量感知手段とを有す
    る洗浄液混合ユニットと、 前記混合タンクと処理槽とを連結し、混合タンク内の混
    合状態の洗浄液を前記処理槽内に供給する洗浄液供給部
    と、 前記処理槽に内で洗浄済みの洗浄液を前記混合タンクに
    帰還させるリターンラインと、 を備えることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・乾燥
    装置。
  2. 【請求項２】 前記洗浄液混合ユニットのイソプロピル
    アルコールタンクは２つ以上が相互並列構成され、前記
    混合タンクは各イソプロピルアルコールタンクに一対一
    で対応して連結され、相互並列構成されて１つのイソプ
    ロピルアルコールタンクと１つの混合タンクとが１組を
    なし、洗浄液は２組以上のタンクのうち選択された何れ
    か１組の混合タンクを経て循環することを特徴とする請
    求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  3. 【請求項３】 前記流量感知手段は、イソプロピルアル
    コールタンク及び混合タンクに各々設けられた多数のレ
    ベルセンサーであることを特徴とする請求項１または２
    に記載の半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  4. 【請求項４】 前記洗浄液混合ユニットには超純水とイ
    ソプロピルアルコールとの混合を円滑にするために混合
    タンク内に窒素ガスを注入する窒素気泡発生器がさらに
    備えられたことを特徴とする請求項１または２に記載の
    半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  5. 【請求項５】 前記イソプロピルアルコールタンクと混
    合タンクとの間にはイソプロピルアルコールタンク内の
    イソプロピルアルコールを混合タンクに所望量だけ追加
    供給するイソプロピルアルコール補充ポンプがさらに備
    えられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半
    導体ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  6. 【請求項６】 前記洗浄液供給部は、 混合タンク内の洗浄液をポンピングして処理槽に移動さ
    せる循環ポンプと、 前記循環ポンプにより流動する洗浄液を通過させ、洗浄
    液内の異物をろ過するフィルターと、 前記フィルターを通過した洗浄液内のイソプロピルアル
    コールの濃度をチェックするイソプロピルアルコール濃
    度計と、 前記処理槽流入する洗浄液内の液状微粒子の量を検出す
    る液状微粒子検出器と、 を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半
    導体ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  7. 【請求項７】 前記リターンラインには処理槽から混合
    タンクに帰還する洗浄液内の液状微粒子を検出する液状
    微粒子検出器がさらに備えられたことを特徴とする請求
    項１または２に記載の半導体ウェーハの洗浄・乾燥装
    置。
  8. 【請求項８】 前記洗浄液混合ユニットと連結され、混
    合タンクから洗浄液を供給されて洗浄液を純粋なイソプ
    ロピルアルコールと超純水とに分離するものであって、 前記混合タンクから洗浄液を供給され、洗浄液を加熱し
    て沸騰点の違いを用いて洗浄液からイソプロピルアルコ
    ールを蒸発させる加熱タンクと、 前記加熱タンクと連結され、蒸気状態のイソプロピルア
    ルコールを通過させて不純物をろ過するイソプロピルア
    ルコールフィルターと、 前記イソプロピルアルコールフィルターを通過したイソ
    プロピルアルコールを収容し、イソプロピルアルコール
    を凝縮させるイソプロピルアルコール回収タンクと、 前記加熱タンクに連結され、加熱タンク内に残っている
    超純水を通過させ、超純粋内の不純物をろ過する超純水
    フィルターと、 前記超純水フィルターを通過した超純水を収容して臨時
    貯蔵する超純粋回収タンクと、 をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記
    載の半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  9. 【請求項９】 前記処理槽の下部には外部から供給され
    た超純水を収容し、処理槽の下部を超純水に浸漬させる
    シンクがさらに備えられ、前記シンクには超音波を発生
    させて超音波を超純水及び処理槽を通過させて処理槽内
    の洗浄中のウェーハに伝達させる超音波発生部が備えら
    れたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体
    ウェーハの洗浄・乾燥装置。
  10. 【請求項１０】 超純水とイソプロピルアルコールとを
    混合して洗浄液を得る混合段階と、 前記洗浄液を処理槽に供給して処理槽内でウェーハと接
    触させることによってウェーハを洗浄する洗浄段階と、 前記洗浄段階の後、洗浄液と前記ウェーハとを相互分離
    する分離段階と、 前記洗浄液から分離されたウェーハの表面を乾燥させて
    ウェーハに残留する洗浄液を除去する乾燥段階と、 を含むことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄・乾燥方
    法。
  11. 【請求項１１】 前記洗浄段階は、前記処理槽内への洗
    浄液の供給前にウェーハを前記処理槽内にあらかじめ入
    れる段階であることを特徴とする請求項１０に記載の半
    導体ウェーハの洗浄・乾燥方法。
  12. 【請求項１２】 前記洗浄段階は、処理槽への洗浄液の
    供給が完了された後前記ウェーハを洗浄液内に浸漬させ
    る段階であることを特徴とする請求項１０に記載の半導
    体ウェーハの洗浄・乾燥方法。
  13. 【請求項１３】 前記分離段階は、前記処理槽からウェ
    ーハを持ち上げてウェーハと洗浄液とを分離させる段階
    であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ウェ
    ーハの洗浄・乾燥方法。
  14. 【請求項１４】 前記分離段階は、前記処理槽から洗浄
    液を下部に排出してウェーハと洗浄液とを分離させる段
    階であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体ウ
    ェーハの洗浄・乾燥方法。
  15. 【請求項１５】 前記混合段階の洗浄液は、洗浄液での
    イソプロピルアルコール濃度を経時的に変化させて所望
    の濃度に調節された洗浄液であることを特徴とする請求
    項１０に記載の半導体ウェーハの洗浄・乾燥方法。
  16. 【請求項１６】 前記乾燥段階は、高温の窒素ガスをウ
    ェーハの表面に噴射して接触させることによって、ウェ
    ーハの表面を乾燥させる段階であることを特徴とする請
    求項１０に記載の半導体ウェーハの洗浄・乾燥方法。
JP2003051446A 2002-02-28 2003-02-27 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置、及び洗浄・乾燥方法 Ceased JP2003297795A (ja)

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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008053680A (ja) * 2006-07-25 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008104993A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Denso Corp 湿式表面処理装置
JP2008526023A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリ表面から汚染を除去するための洗浄方法
JP2008540994A (ja) * 2005-05-13 2008-11-20 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト 表面の乾燥方法
JP2012222070A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
JP2012222071A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
WO2013094528A1 (ja) * 2011-12-20 2013-06-27 オルガノ株式会社 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置
JP2013131531A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置
JP2013131530A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置
WO2014185467A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 芝浦メカトロニクス株式会社 液供給装置及び基板処理装置
KR20170102815A (ko) * 2016-03-02 2017-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기록 매체
JP2018067368A (ja) * 2014-09-30 2018-04-26 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
KR102099267B1 (ko) * 2019-03-05 2020-05-06 주식회사 유닉 기판 세정 및 건조 장치
JP2022173634A (ja) * 2021-05-10 2022-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102961488B1 (ko) * 2024-08-13 2026-05-07 주식회사 앤아이윈 반도체 기판 건조장치용 멀티 상온 및 고온 혼합가스 공급 제어장치

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060048798A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-09 Honeywell International Inc. Methods of cleaning optical substrates
JP2006173378A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR101124049B1 (ko) * 2005-06-22 2012-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한기억 매체
JP4767767B2 (ja) * 2006-06-19 2011-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100862911B1 (ko) * 2006-11-14 2008-10-13 무진전자 주식회사 기판 세정 방법
US7977121B2 (en) * 2006-11-17 2011-07-12 Air Products And Chemicals, Inc. Method and composition for restoring dielectric properties of porous dielectric materials
US8388762B2 (en) * 2007-05-02 2013-03-05 Lam Research Corporation Substrate cleaning technique employing multi-phase solution
WO2008139653A1 (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Kurashiki Boseki Kabushiki Kaisha 洗浄方法およびそれに用いる装置
TWI372444B (en) * 2007-10-10 2012-09-11 Semes Co Ltd Substrate support unit, and substrate treating apparatus and method using the same
SG172907A1 (en) * 2009-01-13 2011-08-29 Exa Co Ltd Wafer separating apparatus, wafer separating/transferring apparatus, wafer separating method, wafer separating/transferring method and solar cell wafer separating/transferring method
US8863763B1 (en) 2009-05-27 2014-10-21 WD Media, LLC Sonication cleaning with a particle counter
US8404056B1 (en) 2009-05-27 2013-03-26 WD Media, LLC Process control for a sonication cleaning tank
TWI485757B (zh) * 2010-07-30 2015-05-21 旺宏電子股份有限公司 製程系統與清洗製程
US20120216833A1 (en) * 2011-02-24 2012-08-30 Applied Materials, Inc. Real time liquid particle counter (lpc) end point detection system
CN102768972B (zh) * 2012-07-11 2015-02-18 清华大学 晶圆干燥装置
CN106206247A (zh) * 2015-05-25 2016-12-07 宁波时代全芯科技有限公司 清洗半导体元件的方法
WO2017196493A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 Applied Materials, Inc. Liquid particle counting of semiconductor component parts
CN107644822B (zh) * 2016-07-21 2020-12-15 弘塑科技股份有限公司 半导体干燥设备和半导体干燥用处理液体循环与过滤方法
US10081036B2 (en) 2016-09-19 2018-09-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems for liquid particle prequalification
CN108682643A (zh) * 2018-06-06 2018-10-19 上海华力微电子有限公司 一种降低干燥槽引起的颗粒杂质的装置
CN112635295B (zh) * 2019-09-24 2024-09-10 东莞新科技术研究开发有限公司 半导体的清洗方法
CN113130357B (zh) * 2021-04-25 2024-04-12 北京北方华创微电子装备有限公司 一种晶圆干燥系统及晶圆干燥方法
CN113539900B (zh) * 2021-07-16 2023-09-19 长江存储科技有限责任公司 用于干燥晶圆的方法和装置
JP7684139B2 (ja) * 2021-08-10 2025-05-27 オルガノ株式会社 品質管理システム、対象物管理システムおよび対象物管理方法
CN114225539A (zh) * 2021-11-30 2022-03-25 上海华力集成电路制造有限公司 一种异丙醇回收装置及其回收方法
CN114777425A (zh) * 2022-03-10 2022-07-22 格科半导体(上海)有限公司 晶圆干燥方法、晶圆干燥装置及化学机械研磨机台
CN115274498A (zh) * 2022-07-14 2022-11-01 威科赛乐微电子股份有限公司 一种清洗机
CN116072568B (zh) * 2022-09-08 2025-12-23 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种ipa晶圆干燥方法的集成模组
JP2025086559A (ja) 2023-11-28 2025-06-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
US20250279274A1 (en) * 2024-03-01 2025-09-04 Applied Materials, Inc. Vapor dryer with integrated particle monitoring
TWI923525B (zh) * 2025-10-22 2026-04-21 台亞半導體股份有限公司 晶圓清洗方法及其晶圓清洗設備

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799177A (ja) * 1993-08-06 1995-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の浸漬処理装置
JPH0861846A (ja) * 1994-08-22 1996-03-08 Sony Corp 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置
JPH08211592A (ja) * 1995-02-07 1996-08-20 Nikon Corp 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JPH08236494A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp ウェーハ洗浄装置及びウェーハの洗浄方法
JPH09153475A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Komatsu Ltd 半導体洗浄乾燥方法および半導体洗浄乾燥装置
JPH10128094A (ja) * 1996-10-31 1998-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の薬液処理装置
JPH1116873A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Mitsubishi Chem Corp 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JPH11233478A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法
JP2001308058A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Tamotsu Mesaki 半導体材料等の乾燥処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5261966A (en) * 1991-01-28 1993-11-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning semiconductor wafers using mixer containing a bundle of gas permeable hollow yarns
US5234504A (en) * 1991-11-25 1993-08-10 Grc Environmental, Inc. Methods for removing contaminants from contaminated solids (II)
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5845660A (en) * 1995-12-07 1998-12-08 Tokyo Electron Limited Substrate washing and drying apparatus, substrate washing method, and substrate washing apparatus
JP3690619B2 (ja) * 1996-01-12 2005-08-31 忠弘 大見 洗浄方法及び洗浄装置
US6695926B1 (en) * 1997-07-09 2004-02-24 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
JPH11226387A (ja) * 1998-02-13 1999-08-24 Karasawa Fine:Kk 流体による処理方法および装置
US6332483B1 (en) * 1999-03-19 2001-12-25 Healy Systems, Inc. Coaxial vapor flow indicator with pump speed control

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799177A (ja) * 1993-08-06 1995-04-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の浸漬処理装置
JPH0861846A (ja) * 1994-08-22 1996-03-08 Sony Corp 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置
JPH08211592A (ja) * 1995-02-07 1996-08-20 Nikon Corp 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JPH08236494A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp ウェーハ洗浄装置及びウェーハの洗浄方法
JPH09153475A (ja) * 1995-09-27 1997-06-10 Komatsu Ltd 半導体洗浄乾燥方法および半導体洗浄乾燥装置
JPH10128094A (ja) * 1996-10-31 1998-05-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の薬液処理装置
JPH1116873A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Mitsubishi Chem Corp 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置
JPH11233478A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法
JP2001308058A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Tamotsu Mesaki 半導体材料等の乾燥処理装置

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008526023A (ja) * 2004-12-23 2008-07-17 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリ表面から汚染を除去するための洗浄方法
JP4814251B2 (ja) * 2004-12-23 2011-11-16 ラム リサーチ コーポレーション シリコン電極アセンブリ表面から汚染を除去するための洗浄方法、電極アセンブリ及び酸溶液
JP2008540994A (ja) * 2005-05-13 2008-11-20 エスイーゼツト・アクチエンゲゼルシヤフト 表面の乾燥方法
JP2008053680A (ja) * 2006-07-25 2008-03-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008104993A (ja) * 2006-10-27 2008-05-08 Denso Corp 湿式表面処理装置
JP2012222070A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
JP2012222071A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム
JPWO2013094528A1 (ja) * 2011-12-20 2015-12-10 オルガノ株式会社 液体管理システムおよび液体管理方法
WO2013094528A1 (ja) * 2011-12-20 2013-06-27 オルガノ株式会社 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置
JP2013131531A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置
JP2013131530A (ja) * 2011-12-20 2013-07-04 Japan Organo Co Ltd 液体管理システム、および洗浄液の回収再生装置
US20160062372A1 (en) * 2013-05-14 2016-03-03 Shibaura Mechatronics Corporation Liquid feeding device and substrate treating device
WO2014185467A1 (ja) * 2013-05-14 2014-11-20 芝浦メカトロニクス株式会社 液供給装置及び基板処理装置
JPWO2014185467A1 (ja) * 2013-05-14 2017-02-23 芝浦メカトロニクス株式会社 液供給装置及び基板処理装置
KR101750647B1 (ko) * 2013-05-14 2017-06-23 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 액 공급 장치 및 기판 처리 장치
US9811096B2 (en) 2013-05-14 2017-11-07 Shibaura Mechatronics Corporation Liquid feeding device and substrate treating device
TWI619155B (zh) * 2013-05-14 2018-03-21 Shibaura Mechatronics Corporation 液供給裝置及基板處理裝置
JP2018067368A (ja) * 2014-09-30 2018-04-26 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法
KR20170102815A (ko) * 2016-03-02 2017-09-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기록 매체
KR102687910B1 (ko) * 2016-03-02 2024-07-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기록 매체
KR102099267B1 (ko) * 2019-03-05 2020-05-06 주식회사 유닉 기판 세정 및 건조 장치
JP2022173634A (ja) * 2021-05-10 2022-11-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7770107B2 (ja) 2021-05-10 2025-11-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102961488B1 (ko) * 2024-08-13 2026-05-07 주식회사 앤아이윈 반도체 기판 건조장치용 멀티 상온 및 고온 혼합가스 공급 제어장치

Also Published As

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