JP2004128251A - 塗布機及び塗布方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ上に成膜された塗布膜109dのウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去するための塗布機であって、塗布膜109dに対する溶解速度が異なる複数種の溶剤を混合してエッジリンスを行う機構102,103を有する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造プロセスのフォトリソグラフィ工程で用いる有機反射防止膜やフォトレジストの塗布機及び塗布方法に関するものであり、特に、有機反射防止膜とフォトレジストのエッジ盛り上がりや溶解残りを抑制する塗布機及び塗布方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図14から図19を参照して、従来の回転塗布型塗布機及び塗布方法について説明する。
【0003】
従来の回転塗布型塗布機では、リンス液が1種類しか使用できないため、有機反射防止膜やレジスト毎に溶解速度の調節ができない。このため、塗布機に接続された複数種の有機反射防止膜やフォトレジストのそれぞれについてエッジの盛り上がりや溶解残りを抑制することができなかった(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
図14に示されているように、従来の塗布機は、カップ305(ウェハの回転で振り切られた有機反射防止膜やレジストやリンス液を廃液として収集する)、ウェハホルダー306、ウェハホルダー306を回転させるためのモータ307、有機反射防止膜またはフォトレジストを滴下するための塗布ノズル301(図では省略されているが、一般には、有機反射防止膜またはフォトレジストの種類や粘度毎に複数の塗布ノズルが用意されてる)、リンス液を滴下するためのリンスノズル303から構成されている。
【0005】
図14に示されているように、リンスノズル303は1本しか備えられておらず、複数の溶剤を混合する機構も備えていない。
【0006】
この従来の塗布機で有機反射防止膜の塗布を行う様子を図15から図19に示す。リンス液が1種類しか使用できないため、有機反射防止膜やレジスト毎に溶解速度の調節ができない。このため、塗布機に接続された複数種の有機反射防止膜やフォトレジストのそれぞれについてエッジの盛り上がり(図18の309e)や溶解残り(図19の309g)を抑制することができなかった。
【0007】
以上のようなエッジリンスの際に生じる有機反射防止膜やフォトレジストのエッジ盛り上がり309eや溶解残り309gはエッチング残渣やゴミの発生を誘発するため、歩留まり低下や汚染の原因となっており由々しき問題であった。
【0008】
【特許文献1】
特開平10−242045号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、従来の技術の問題点に鑑みて成されたものであり、その目的とするところは、エッジリンスの際に形成される有機反射防止膜やフォトレジストのエッジ盛り上がりや溶解残りが生じることのない塗布機及び塗布方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、ウェハ上に成膜された塗布膜のウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去するための塗布機において、塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤を混合してエッジリンスを行う機構を有することを特徴とする。
【0011】
この際、前記塗布膜の溶解速度は塗布膜の種類毎に異なり、前記混合は塗布膜のエッジの盛り上がりが最小となるように行われる。
【0012】
前記エッジリンスを行う機構は、前記塗布膜毎にリンス液に含有される複数の溶剤の比率を可変とするための流量調節機構を有する。
【0013】
前記流量調節機構を使用して、前記塗布膜の溶解速度に合わせてリンス液中の溶剤の混合比率を調節する。
【0014】
前記塗布膜は、例えば、有機反射防止膜またはフォトレジストである。
【0015】
例えば、前記複数種の溶剤は、イソプロピルアルコールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
【0016】
また、本発明では、ウェハ上に成膜された塗布膜のウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去するめたの塗布機において、上記塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤の中から任意のものを選択してエッジリンスを行う機構を有することを特徴とする。
【0017】
この際、前記塗布膜の溶解速度は塗布膜の種類毎に異なり、前記選択は塗布膜のエッジの盛り上がりが最小となるように行われる。
【0018】
前記エッジリンスを行う機構は、塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤をそれぞれ供給するための複数のリンスノズルを有する。
【0019】
前記塗布膜は、例えば、有機反射防止膜またはフォトレジストである。
【0020】
例えば、前記複数種の溶剤は、イソプロピルアルコールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
図1を参照して、本発明の第1の実施の形態の概略について説明する。
【0022】
リンス液に対する有機反射防止膜やフォトレジストの溶解速度にはエッジの盛り上がりが最小となる最適な値が存在するが、有機反射防止膜やフォトレジストの溶解性も種類毎に異なる。
【0023】
そこで、有機反射防止膜109dやフォトレジストに対する溶解速度が異なる2種類の溶剤(例えば、イソプロピルアルコール(IPA)とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA))を混合してエッジリンスを行う。この際、塗布を行う有機反射防止膜やフォトレジスト毎に、各溶剤の流量調節機構102、103であらかじめ求められた混合比となるように調節を行い、エッジの盛り上がりを最小とする。
【0024】
以上のような塗布機及び塗布方法を用いることで、塗布機に接続された全種類の有機反射防止膜やフォトレジストに対して、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じない最適な溶解速度を有するリンス液を供給することが可能となる。
【0025】
次に、図4を用いて、本発明の第1の実施の形態の回転塗布型塗布機の具体的構成を説明する。
【0026】
塗布機は、カップ105(ウェハの回転で振り切られた有機反射防止膜やレジストやリンス液を廃液として収集する)、ウェハホルダー106、ウェハホルダー106を回転させるためのモータ107、有機反射防止膜またはフォトレジストを滴下するための塗布ノズル101(図では省略されているが、一般には、有機反射防止膜またはフォトレジストの種類や粘度毎に複数の塗布ノズルが用意されてる)、リンス液を滴下するためのリンスノズル111から構成されている。
【0027】
本発明の第1の実施の形態による塗布機の特徴は、塗布を行う有機反射防止膜やフォトレジスト毎に、リンス液に含有される複数の溶剤の比率を可変とするための流量調節機構102、103が備えられている点である。この流量調節機構102,103を用い、塗布を行う有機反射防止膜やレジストの溶解性に合わせてリンス液中の溶剤の混合比率を調節することで、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じなくすることが可能となる。
【0028】
図5から図8を参照して、ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法について説明する。
【0029】
図5のホルダ106にに吸着されたウェハ104上に塗布ノズル101から有機反射防止膜109aを滴下し、液盛りする。一般的に、塗布ノズル101は有機反射防止膜・フォトレジストの種類や粘度ごとに複数設置されているが、図5では簡略化のために実際に使用される1本のみ表示している。
【0030】
続いて、図6に示すようにモータ107を回転させることによりウェハ104を任意の回転数で回転させ、液盛りした有機反射防止膜109aを所望の膜厚となるように成膜する。この際、ウェハ104の側面に有機反射防止膜のふちだまり109cが形成される。
【0031】
このふちだまり109cはウェハキャリアなどに接触した場合に剥がれてゴミ発生の原因となるために、図7に示すように、リンス液110でエッジリンスを行い除去する必要がある。ところで、リンス液に対する有機反射防止膜やフォトレジストの溶解速度にはエッジリンス後のエッジの盛り上がりが最小となり、溶解残りも生じない最適な値が存在するが、有機反射防止膜やフォトレジストの溶解性も種類毎に異なる。
【0032】
そこで、有機反射防止膜やフォトレジストに対する溶解速度が異なる2種類の溶剤(例えば、イソプロピルアルコール(IPA)とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA))を混合してエッジリンスを行う。
【0033】
この際、塗布を行う有機反射防止膜やフォトレジスト毎に、各溶剤の流量調節機構102、103であらかじめ求められた混合比となるように調節を行い、エッジの盛り上がりを最小とする。
【0034】
以上のような塗布機及び塗布方法を用いることで、塗布機に接続された全種類の有機反射防止膜やフォトレジストに対して、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じない最適な溶解速度を有するリンス液を供給することが可能となる。図8は以上のような処理に基づき回転塗布が終了した状態を有機反射防止膜109eと共に示している。
【0035】
ここで、最適な溶解速度を図2を用いて説明する。
【0036】
図2はリンス液中のIPAとPEGMEAの混合比率を変化させたときのある有機反射防止膜の溶解速度で、IPAの混合比率が多くなるにつれて溶解速度が低下することを表している。
【0037】
図2中、溶解速度が低いaの領域では十分なエッジリンスが行われず溶解残りが発生する。一方、溶解速度が高いcの領域では溶解残りは生じないものの、有機反射防止膜の樹脂が膨潤を起こしエッジの盛り上がりを生じる。両者の中間のbの領域(IPAの混合比率が20から40vol%)ではエッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じない。
【0038】
図3は先よりも溶解性が高い有機反射防止膜の例であり、同様にIPAとPEGMEAの混合比率を変化させたときの有機反射防止膜の溶解速度を示している。この場合はエッジの盛り上がりも溶解の残りも生じないIPAの混合比率は63から77vol%となる。以上のように、塗布を行う有機反射防止膜やレジストの溶解性に合わせてリンス液中の溶剤の混合比率を調節することにより、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じなくすることが可能である。
【0039】
(第2の実施の形態)
図9から図13を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。
【0040】
まず、図9を用いて本発明の第2の実施の形態による回転塗布型塗布機の構成について説明する。
【0041】
塗布機は、カップ205(ウェハの回転で振り切られた有機反射防止膜やレジストやリンス液を廃液として収集する)、ウェハホルダー206、ウェハホルダーを回転させるためのモータ207、有機反射防止膜またはフォトレジストを滴下するための塗布ノズル201(図では省略されているが、一般には、有機反射防止膜またはフォトレジストの種類や粘度毎に複数の塗布ノズルが用意されてる)、リンス液を滴下するためのリンスノズル211から構成されている。
【0042】
本発明の第2の実施の形態による塗布機の特徴は、それぞれ異なるリンス液を供給するための複数のリンスノズル202と203が備えられている点である。この複数のリンスノズル202,203のそれぞれごとに、有機反射防止膜やフォトレジストに対する溶解速度が異なる溶剤をリンス液として供給する(例えばイソプロピルアルコール(IPA)とプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PEGMEA)をそれぞれ異なる比率であらかじめ混合したて溶剤など)。
【0043】
以上のような複数のリンスノズル202,203を用いた塗布機では、塗布を行う有機反射防止膜やレジストの溶解性に合わせてリンス液の種類を選択することができ、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じなくすることが可能となる。
【0044】
続いて、図10から図13を参照して、ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法について説明する。
【0045】
図10のホルダ206に吸着されたウェハ204上に塗布ノズル201から有機反射防止膜209aを滴下し、液盛りする。一般的に、塗布ノズル201は有機反射防止膜・フォトレジストの種類や粘度ごとに複数設置されているが、図10では簡略化のために実際に使用される1本のみ表示している。
【0046】
続いて、図11に示すように、モータ207を回転させることによりウェハ204を任意の回転数で回転させ、液盛りした有機反射防止膜を所望の膜厚となるように成膜する。この際、ウェハ204の側面に有機反射防止膜209aのふちだまり209cが形成される。
【0047】
このふちだまり209cはウェハキャリアなどに接触した場合に剥がれてゴミ発生の原因となるために、図12に示すように、リンス液210でエッジリンスを行い除去する必要がある。
【0048】
この際、塗布機に接続された複数の溶剤のなかから、塗布を行う有機反射防止膜に合わせた溶解性を有するものを選択してリンス液として供給できるために、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じなくすることが可能となる。
【0049】
図13は、以上のような処理に基づき回転塗布が終了した状態を有機反射防止膜209eと共に示している。
【0050】
以上のように、塗布を行う有機反射防止膜やレジストの溶解性に合わせてリンス液の種類を選択することにより、エッジの盛り上がりが問題ない程度に抑制され溶解残りも生じなくすることが可能である。
【0051】
以上示した実施形態では、有機反射防止膜やフォトレジストに対する溶解速度が異なる溶剤の例として、IPAとPEGMEAをとりあげたが、これ以外にも乳酸エチル、酢酸ブチル、エチルエトキシプロピオネート、メチルエチルケトン、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジメチルエーテルなども同様に適用可能である。
【0052】
【発明の効果】
本発明によれば、塗布機に接続された全種類の有機反射防止膜やフォトレジストのエッジ盛り上がりを抑制し溶解残りも生じなくすることができる。
【0053】
さらに、エッジ盛り上がり起因のエッチング残渣や溶解残り起因のゴミの発生がなくなるため、歩留まり向上や汚染の危険性低減といった効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の概略について説明するための図である。
【図2】リンス液中のIPA混合比と溶解速度の関係を示す図である。
【図3】リンス液中のIPA混合比と溶解速度の関係を示す図である。
【図4】本発明の第1の実施の形態の回転塗布型塗布機の具体的構成を示す図である。
【図5】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図6】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図7】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図8】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図9】本発明の第2の実施の形態による回転塗布型塗布機の構成を示す図である。
【図10】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図11】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図12】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図13】ウェハ上に有機反射防止膜を回転塗布する方法を説明するための図である。
【図14】従来の塗布機及び塗布方法を説明するための図である。
【図15】従来の塗布機及び塗布方法を説明するための図である。
【図16】従来の塗布機及び塗布方法を説明するための図である。
【図17】従来の塗布機及び塗布方法を説明するための図である。
【図18】従来の塗布機及び塗布方法を説明するための図である。
【図19】従来の塗布機及び塗布方法を説明するための図である。
【符号の説明】
101 塗布ノズル
102 流量調節機構
103 流量調節機構
104 ウェハ
105 カップ
106 ウェハホルダー
107 モータ
109a 有機反射防止膜
109c ふちだまり
110 リンス液
111 リンスノズル
201 塗布ノズル
202 リンスノズル
203 リンスノズル
204 ウェハ
205 カップ
206 ウェハホルダー
207 モータ
209a 有機反射防止膜
209c ふちだまり
210 リンス液
211 リンスノズル
Claims (19)
- ウェハ上に成膜された塗布膜のウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去するための塗布機において、
塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤を混合してエッジリンスを行う機構を有することを特徴とする塗布機。 - 前記塗布膜の溶解速度は塗布膜の種類毎に異なり、前記混合は塗布膜のエッジの盛り上がりが最小となるように行われることを特徴とする請求項1に記載の塗布機。
- 前記エッジリンスを行う機構は、前記塗布膜毎にリンス液に含有される複数の溶剤の比率を可変とするための流量調節機構を有することを特徴とする請求項1に記載の塗布機。
- 前記流量調節機構を使用して、前記塗布膜の溶解速度に合わせてリンス液中の溶剤の混合比率を調節することを特徴とする請求項3に記載の塗布機。
- 前記塗布膜は、有機反射防止膜またはフォトレジストであることを特徴とする請求項1に記載の塗布機。
- 前記複数種の溶剤は、イソプロピルアルコールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項5に記載の塗布機。
- ウェハ上に成膜された塗布膜のウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去するめたの塗布機において、
上記塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤の中から任意のものを選択してエッジリンスを行う機構を有することを特徴とする塗布機。 - 前記塗布膜の溶解速度は塗布膜の種類毎に異なり、前記選択は塗布膜のエッジの盛り上がりが最小となるように行われることを特徴とする請求項7に記載の塗布機。
- 前記エッジリンスを行う機構は、塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤をそれぞれ供給するための複数のリンスノズルを有すること特徴とする請求項7に記載の塗布機。
- 前記塗布膜は、有機反射防止膜またはフォトレジストであることを特徴とする請求項7に記載の塗布機。
- 前記複数種の溶剤は、イソプロピルアルコールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項10に記載の塗布機。
- ウェハ上に塗布膜を成膜し、ウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去する塗布方法において、上記塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤を混合してエッジリンスを行うことを特徴とする塗布方法。
- 前記塗布膜の溶解速度は塗布膜の種類毎に異なり、前記混合は前記塗布膜のエッジの盛り上がりが最小となるように行われることを特徴とする請求項12に記載の塗布方法。
- 前記塗布膜は、有機反射防止膜またはフォトレジストであることを特徴とする請求項12に記載の塗布方法。
- 前記複数種の溶剤は、イソプロピルアルコールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項14に記載の塗布方法。
- ウェハ上に塗布膜を成膜し、ウェハ側面に形成されたふちだまりをリンス液でエッジリンスを行うことにより除去する塗布方法において、上記塗布膜に対する溶解速度が異なる複数種の溶剤の中から任意のものを選択してエッジリンスを行うことを特徴とする塗布方法。
- 前記塗布膜の溶解速度は塗布膜の種類毎に異なり、前記選択は塗布膜のエッジの盛り上がりが最小となるように行われることを特徴とする請求項16に記載の塗布方法。
- 前記塗布膜は、有機反射防止膜またはフォトレジストであることを特徴とする請求項16に記載の塗布方法。
- 前記複数種の溶剤は、イソプロピルアルコールとプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項18に記載の塗布方法。
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286208A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 剥離液および薄膜除去方法 |
| JP2014067910A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2017148690A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2017216483A (ja) * | 2012-11-15 | 2017-12-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI362059B (en) * | 2004-11-25 | 2012-04-11 | Az Electronic Mat Ip Japan Kk | Photoresist coating solution supply system and method for supplying photoresist coating solution using thereof, and photoresist coating system using thereof |
| US7358199B2 (en) * | 2005-06-09 | 2008-04-15 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating semiconductor integrated circuits |
| CN100377305C (zh) * | 2005-06-29 | 2008-03-26 | 联华电子股份有限公司 | 制造半导体集成电路的方法 |
| WO2009056908A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-05-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Apparatus and method for removing coating material from a semiconductor wafer |
| CN101664731B (zh) * | 2009-09-11 | 2014-05-07 | 晶能光电(江西)有限公司 | 实现半导体圆片连续涂胶的方法及其净化系统 |
| CN103646867B (zh) * | 2013-11-29 | 2016-04-06 | 上海华力微电子有限公司 | 改善晶圆剥落缺陷的方法 |
| CN104614945A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-05-13 | 合肥工业大学 | 一种用于旋涂粘稠光刻胶的旋涂仪卡盘系统 |
| CN108700815B (zh) * | 2015-12-23 | 2024-03-19 | Asml荷兰有限公司 | 用于去除衬底上的光敏材料的方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06208948A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
| JPH09308868A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板端縁部被膜の除去方法 |
| JPH11102854A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2000091212A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板被膜の端縁部除去方法及びその装置 |
| JP2001319849A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2002343704A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Nec Corp | 塗付膜形成方法およびその装置 |
| JP2003324052A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜除去方法および塗布膜形成除去装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US242045A (en) * | 1881-05-24 | beilly | ||
| DE3885097D1 (de) * | 1988-08-12 | 1993-11-25 | Ibm | Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen eines zumindest Teilweise aus Metall bestehenden Ätzguts. |
| JP3590470B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2004-11-17 | アルプス電気株式会社 | 洗浄水生成方法および洗浄方法ならびに洗浄水生成装置および洗浄装置 |
| TW442336B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Film forming method |
| KR100735876B1 (ko) * | 1999-07-30 | 2007-07-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기판처리방법 및 기판처리장치 |
| TW504776B (en) * | 1999-09-09 | 2002-10-01 | Mimasu Semiconductor Ind Co | Wafer rotary holding apparatus and wafer surface treatment apparatus with waste liquid recovery mechanism |
| JP2002237481A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄方法 |
| US6766818B2 (en) * | 2001-04-06 | 2004-07-27 | Akrion, Llc | Chemical concentration control device |
| JP3944368B2 (ja) * | 2001-09-05 | 2007-07-11 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP4018958B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| KR100445259B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치 |
| US20040000322A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-01-01 | Applied Materials, Inc. | Point-of-use mixing with H2SO4 and H2O2 on top of a horizontally spinning wafer |
| US20040139985A1 (en) * | 2003-01-22 | 2004-07-22 | Applied Materials, Inc. | Rate monitor for wet wafer cleaning |
-
2002
- 2002-10-03 JP JP2002290957A patent/JP2004128251A/ja active Pending
-
2003
- 2003-10-02 US US10/676,032 patent/US20040221954A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-02 KR KR1020030068774A patent/KR20040031632A/ko not_active Withdrawn
- 2003-10-03 TW TW092127396A patent/TWI230403B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-10-08 CN CNA2003101007423A patent/CN1539560A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06208948A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板端縁洗浄装置 |
| JPH09308868A (ja) * | 1996-05-21 | 1997-12-02 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 基板端縁部被膜の除去方法 |
| JPH11102854A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板洗浄装置 |
| JP2000091212A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板被膜の端縁部除去方法及びその装置 |
| JP2001319849A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2002343704A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-29 | Nec Corp | 塗付膜形成方法およびその装置 |
| JP2003324052A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜除去方法および塗布膜形成除去装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005286208A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 剥離液および薄膜除去方法 |
| JP2014067910A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
| JP2017216483A (ja) * | 2012-11-15 | 2017-12-07 | 株式会社荏原製作所 | 基板洗浄装置 |
| JP2017148690A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200419648A (en) | 2004-10-01 |
| TWI230403B (en) | 2005-04-01 |
| KR20040031632A (ko) | 2004-04-13 |
| CN1539560A (zh) | 2004-10-27 |
| US20040221954A1 (en) | 2004-11-11 |
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