JPH11102854A - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置Info
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- JPH11102854A JPH11102854A JP26361397A JP26361397A JPH11102854A JP H11102854 A JPH11102854 A JP H11102854A JP 26361397 A JP26361397 A JP 26361397A JP 26361397 A JP26361397 A JP 26361397A JP H11102854 A JPH11102854 A JP H11102854A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 揮発性の低い洗浄液であっても効率よく短時
間で乾燥させることができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 タンク１０に貯留されたＮＭＰ（Ｎ−メ
チルピロリドン）およびタンク２０に貯留されたＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）はそれぞれ液体マスフロコ
ントローラ１５、２５によって供給量が調整されて二流
体ノズル４０に送られる。二流体ノズル４０は二種類の
洗浄液ＮＭＰ、ＩＰＡをそれぞれの供給量に応じて混合
し、その混合洗浄液はノズル先端部４５からポリイミド
が付着した基板Ｗの周縁部に吐出される。ＩＰＡは、Ｎ
ＭＰと溶解しかつ揮発性が高いため、基板Ｗの周縁部分
のポリイミドを除去したＮＭＰはＩＰＡと共に短時間で
効率よく蒸発・乾燥される。
間で乾燥させることができる基板洗浄装置を提供する。 【解決手段】 タンク１０に貯留されたＮＭＰ（Ｎ−メ
チルピロリドン）およびタンク２０に貯留されたＩＰＡ
（イソプロピルアルコール）はそれぞれ液体マスフロコ
ントローラ１５、２５によって供給量が調整されて二流
体ノズル４０に送られる。二流体ノズル４０は二種類の
洗浄液ＮＭＰ、ＩＰＡをそれぞれの供給量に応じて混合
し、その混合洗浄液はノズル先端部４５からポリイミド
が付着した基板Ｗの周縁部に吐出される。ＩＰＡは、Ｎ
ＭＰと溶解しかつ揮発性が高いため、基板Ｗの周縁部分
のポリイミドを除去したＮＭＰはＩＰＡと共に短時間で
効率よく蒸発・乾燥される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主面に膜が形成さ
れた半導体基板や液晶ガラス基板などの薄板状基板（以
下、単に「基板」と称する）の周縁部を洗浄する基板洗
浄装置に関する。
れた半導体基板や液晶ガラス基板などの薄板状基板（以
下、単に「基板」と称する）の周縁部を洗浄する基板洗
浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、上記基板に対しては、レジスト
塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに付随する
加熱処理、冷却処理などの諸処理が順次施されて、所望
の基板処理が行われている。そして、被処理基板は上記
処理を行う各処理部間を所定の処理手順に従って基板搬
送ロボットにより循環搬送される。
塗布処理、露光処理、現像処理およびそれらに付随する
加熱処理、冷却処理などの諸処理が順次施されて、所望
の基板処理が行われている。そして、被処理基板は上記
処理を行う各処理部間を所定の処理手順に従って基板搬
送ロボットにより循環搬送される。
【０００３】ところで、基板に対する種々の処理の中に
は薬液を使用する処理も存在する。例えば、レジスト塗
布処理ではレジスト溶液を使用し、現像処理では現像液
を使用する。また、その他にもポリイミドやＳＯＧ（Sp
in-on-Glass）などの薬液を塗布する処理を行う場合も
ある。
は薬液を使用する処理も存在する。例えば、レジスト塗
布処理ではレジスト溶液を使用し、現像処理では現像液
を使用する。また、その他にもポリイミドやＳＯＧ（Sp
in-on-Glass）などの薬液を塗布する処理を行う場合も
ある。
【０００４】これら薬液処理が行われた基板を搬送する
際に基板搬送ロボットの搬送アームに薬液が付着する
と、当該搬送アームが新たな基板を保持したときにその
薬液を転写して清浄な基板を汚染するおそれがある。特
に、薬液のうちポリイミドは基板の主面を保護するため
に塗布するものであるが、その粘着性が高いことが知ら
れており、搬送アームに付着すると新たな基板を粘着す
ることもある。搬送アームが基板を粘着すると、基板の
受け渡しを行うときにその基板に過大な応力を作用させ
るようになるため好ましくない。
際に基板搬送ロボットの搬送アームに薬液が付着する
と、当該搬送アームが新たな基板を保持したときにその
薬液を転写して清浄な基板を汚染するおそれがある。特
に、薬液のうちポリイミドは基板の主面を保護するため
に塗布するものであるが、その粘着性が高いことが知ら
れており、搬送アームに付着すると新たな基板を粘着す
ることもある。搬送アームが基板を粘着すると、基板の
受け渡しを行うときにその基板に過大な応力を作用させ
るようになるため好ましくない。
【０００５】そこで、従来よりポリイミドを塗布した基
板の周縁部に洗浄液を吐出して当該部分のポリイミドを
除去する専用のノズル（以下、ＥＢＲ（Edge-Bead-Remo
ver）ノズルと称する）を設けている。基板の周縁部
は、半導体などの素子として使用されることはなく保護
する必要もないため、ポリイミドを除去しても問題はな
い。また、基板搬送ロボットの搬送アームは基板の端部
を保持するので、基板の周縁部のポリイミドを除去すれ
ば搬送アームにポリイミドが付着するおそれもなくな
る。
板の周縁部に洗浄液を吐出して当該部分のポリイミドを
除去する専用のノズル（以下、ＥＢＲ（Edge-Bead-Remo
ver）ノズルと称する）を設けている。基板の周縁部
は、半導体などの素子として使用されることはなく保護
する必要もないため、ポリイミドを除去しても問題はな
い。また、基板搬送ロボットの搬送アームは基板の端部
を保持するので、基板の周縁部のポリイミドを除去すれ
ば搬送アームにポリイミドが付着するおそれもなくな
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来におい
て、基板の周縁部のポリイミドを除去するためにＥＢＲ
ノズルから吐出される洗浄液には、ポリイミドに対する
溶解度が高いＮ−メチルピロリドン（以下、「ＮＭＰ」
と称する）が用いられている。ＮＭＰはポリイミドに対
する溶解度は高いものの、揮発性が低いという特徴を有
する。そして、このことが以下のような問題の原因とな
る。
て、基板の周縁部のポリイミドを除去するためにＥＢＲ
ノズルから吐出される洗浄液には、ポリイミドに対する
溶解度が高いＮ−メチルピロリドン（以下、「ＮＭＰ」
と称する）が用いられている。ＮＭＰはポリイミドに対
する溶解度は高いものの、揮発性が低いという特徴を有
する。そして、このことが以下のような問題の原因とな
る。
【０００７】図３は、従来の基板周縁部洗浄処理を説明
するための図である。ＥＢＲノズルからのＮＭＰ吐出に
よって基板Ｗの周縁部ＷＥにおけるポリイミドＰが除去
されている。ポリイミドＰの除去に使用されたＮＭＰは
揮発性が低いため、いわゆるスピンドライによってこれ
を乾燥させている。すなわち、図示を省略するモータに
よって基板保持部材９０およびそれによって吸着保持さ
れた基板Ｗを回転させることにより基板Ｗに残留付着し
たＮＭＰを乾燥させている。
するための図である。ＥＢＲノズルからのＮＭＰ吐出に
よって基板Ｗの周縁部ＷＥにおけるポリイミドＰが除去
されている。ポリイミドＰの除去に使用されたＮＭＰは
揮発性が低いため、いわゆるスピンドライによってこれ
を乾燥させている。すなわち、図示を省略するモータに
よって基板保持部材９０およびそれによって吸着保持さ
れた基板Ｗを回転させることにより基板Ｗに残留付着し
たＮＭＰを乾燥させている。
【０００８】しかしながら、ＮＭＰを乾燥させるために
は基板Ｗを長時間かつ高速回転させる必要がある。そし
て、図示のように、ＮＭＰを乾燥させることができる回
転数で長時間の乾燥処理を行うと、その回転による遠心
力によってポリイミドＰが回転中心から外側に徐々に滲
み出し、やがてはＥＢＲノズルによって洗浄された基板
Ｗの周縁部ＷＥに再びポリイミドＰが付着して上記搬送
不良の原因となることがなる。
は基板Ｗを長時間かつ高速回転させる必要がある。そし
て、図示のように、ＮＭＰを乾燥させることができる回
転数で長時間の乾燥処理を行うと、その回転による遠心
力によってポリイミドＰが回転中心から外側に徐々に滲
み出し、やがてはＥＢＲノズルによって洗浄された基板
Ｗの周縁部ＷＥに再びポリイミドＰが付着して上記搬送
不良の原因となることがなる。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、揮発性の低い洗浄液であっても効率よく乾燥さ
せることができる基板洗浄装置を提供することを目的と
する。
であり、揮発性の低い洗浄液であっても効率よく乾燥さ
せることができる基板洗浄装置を提供することを目的と
する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、主面に膜が形成された基板の周
縁部を洗浄する基板洗浄装置であって、(a)前記膜の成
分を溶解可能な第１の洗浄液を供給する第１洗浄液供給
手段と、(b)前記第１の洗浄液と溶解し前記第１の洗浄
液よりも揮発性の高い第２の洗浄液を供給する第２洗浄
液供給手段と、(c)前記第１の洗浄液の供給量を調整す
る第１洗浄液供給量調整手段と、(d)前記第２の洗浄液
の供給量を調整する第２洗浄液供給量調整手段と、(e)
前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とを混合して混合
洗浄液を生成する混合手段と、(f)前記基板の周縁部に
前記混合洗浄液を吐出する吐出手段と、を備えている。
め、請求項１の発明は、主面に膜が形成された基板の周
縁部を洗浄する基板洗浄装置であって、(a)前記膜の成
分を溶解可能な第１の洗浄液を供給する第１洗浄液供給
手段と、(b)前記第１の洗浄液と溶解し前記第１の洗浄
液よりも揮発性の高い第２の洗浄液を供給する第２洗浄
液供給手段と、(c)前記第１の洗浄液の供給量を調整す
る第１洗浄液供給量調整手段と、(d)前記第２の洗浄液
の供給量を調整する第２洗浄液供給量調整手段と、(e)
前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とを混合して混合
洗浄液を生成する混合手段と、(f)前記基板の周縁部に
前記混合洗浄液を吐出する吐出手段と、を備えている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１２】図１は、本発明に係る基板洗浄装置の概略
構成図である。この装置は、ポリイミドが塗布された基
板Ｗの周縁部に洗浄液を吐出して当該部分のポリイミド
を除去する装置である。
構成図である。この装置は、ポリイミドが塗布された基
板Ｗの周縁部に洗浄液を吐出して当該部分のポリイミド
を除去する装置である。
【００１３】ポリイミドを除去するためには、ポリイミ
ドを溶解可能なＮＭＰ（第１の洗浄液）を使用する必要
がある。ところが、ＮＭＰは揮発性が低く、上述のよう
な問題を生じる可能性があるため、本発明に係る基板洗
浄装置ではＮＭＰと溶解しかつ揮発性の高いイソプロピ
ルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）をＮＭＰに
混合させて吐出できるようにしている。そして、本発明
に係る基板処理装置は、ＮＭＰとＩＰＡ（第２の洗浄
液）との混合比を精度よく安定して制御できるように構
成している。以下、その構成について順に説明する。
ドを溶解可能なＮＭＰ（第１の洗浄液）を使用する必要
がある。ところが、ＮＭＰは揮発性が低く、上述のよう
な問題を生じる可能性があるため、本発明に係る基板洗
浄装置ではＮＭＰと溶解しかつ揮発性の高いイソプロピ
ルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）をＮＭＰに
混合させて吐出できるようにしている。そして、本発明
に係る基板処理装置は、ＮＭＰとＩＰＡ（第２の洗浄
液）との混合比を精度よく安定して制御できるように構
成している。以下、その構成について順に説明する。
【００１４】ＮＭＰおよびＩＰＡは、それぞれタンク１
０およびタンク２０に液体として貯留されている。そし
て、ＮＭＰおよびＩＰＡはタンク１０、２０に接続され
た加圧ガス供給手段３０からのガス加圧（本実施形態で
は、窒素ガスまたはヘリウムガスの圧力が加えられる）
によって、液体マスフロコントローラ（ＬＭＦＣ）１
５、２５にそれぞれ送給される。
０およびタンク２０に液体として貯留されている。そし
て、ＮＭＰおよびＩＰＡはタンク１０、２０に接続され
た加圧ガス供給手段３０からのガス加圧（本実施形態で
は、窒素ガスまたはヘリウムガスの圧力が加えられる）
によって、液体マスフロコントローラ（ＬＭＦＣ）１
５、２５にそれぞれ送給される。
【００１５】液体マスフロコントローラ１５、２５は、
ＮＭＰおよびＩＰＡの供給量を予め指定された流量に制
御する機能を有している。すなわち、液体マスフロコン
トローラ１５、２５を介することにより、ＮＭＰおよび
ＩＰＡが所定の供給量で安定して供給されることにな
る。
ＮＭＰおよびＩＰＡの供給量を予め指定された流量に制
御する機能を有している。すなわち、液体マスフロコン
トローラ１５、２５を介することにより、ＮＭＰおよび
ＩＰＡが所定の供給量で安定して供給されることにな
る。
【００１６】液体マスフロコントローラ１５、２５によ
って供給量が調整されたＮＭＰおよびＩＰＡは、それぞ
れ二流体ノズル４０に送られる。二流体ノズル４０は、
二種類の洗浄液ＮＭＰ、ＩＰＡをそれぞれの供給量に応
じて混合し、その混合洗浄液をノズル先端部（吐出手
段）４５に供給する機能を有する。
って供給量が調整されたＮＭＰおよびＩＰＡは、それぞ
れ二流体ノズル４０に送られる。二流体ノズル４０は、
二種類の洗浄液ＮＭＰ、ＩＰＡをそれぞれの供給量に応
じて混合し、その混合洗浄液をノズル先端部（吐出手
段）４５に供給する機能を有する。
【００１７】ノズル先端部４５は、ポリイミドが塗布さ
れた基板Ｗの周縁部に当該混合洗浄液を吐出する。ノズ
ル先端部４５からの混合洗浄液吐出中および吐出後の所
定時間は、基板Ｗが回転されるようにされている。すな
わち、基板Ｗは回転台５０によって水平姿勢に保持され
ており、当該回転台５０の下面側中央には図示を省略す
るモータの回転軸１１が垂設されている。そして、その
モータの回転は回転軸１１、回転台５０を介して基板Ｗ
を回転することとなる。
れた基板Ｗの周縁部に当該混合洗浄液を吐出する。ノズ
ル先端部４５からの混合洗浄液吐出中および吐出後の所
定時間は、基板Ｗが回転されるようにされている。すな
わち、基板Ｗは回転台５０によって水平姿勢に保持され
ており、当該回転台５０の下面側中央には図示を省略す
るモータの回転軸１１が垂設されている。そして、その
モータの回転は回転軸１１、回転台５０を介して基板Ｗ
を回転することとなる。
【００１８】以上のような構成によれば、ＮＭＰと溶解
しかつＮＭＰよりも揮発性の高いＩＰＡをＮＭＰに混合
させて基板Ｗの周縁部に吐出しており、当該部分のポリ
イミドを除去したＮＭＰはＩＰＡと共に短時間で蒸発・
乾燥される。すなわち、ＩＰＡによってＮＭＰも効率よ
く乾燥されることとなるため、ＮＭＰのみを乾燥させる
ときのように長時間かつ高速回転させる必要はない。従
って、ポリイミドが滲み出して基板Ｗの周縁部に付着す
ることもなく、搬送不良が生じる懸念がない。
しかつＮＭＰよりも揮発性の高いＩＰＡをＮＭＰに混合
させて基板Ｗの周縁部に吐出しており、当該部分のポリ
イミドを除去したＮＭＰはＩＰＡと共に短時間で蒸発・
乾燥される。すなわち、ＩＰＡによってＮＭＰも効率よ
く乾燥されることとなるため、ＮＭＰのみを乾燥させる
ときのように長時間かつ高速回転させる必要はない。従
って、ポリイミドが滲み出して基板Ｗの周縁部に付着す
ることもなく、搬送不良が生じる懸念がない。
【００１９】また、ＮＭＰとＩＰＡとを１系統のノズル
から供給できるようにしているため、それぞれを別個の
複数のノズルから吐出するよりも少ないスペースでノズ
ル先端部４５の配置を行うことが可能である。
から供給できるようにしているため、それぞれを別個の
複数のノズルから吐出するよりも少ないスペースでノズ
ル先端部４５の配置を行うことが可能である。
【００２０】次に、上記基板洗浄装置における基板周縁
部洗浄処理の一例について説明する。本発明に係る基板
洗浄装置では、液体マスフロコントローラ１５、２５に
よってＮＭＰおよびＩＰＡのそれぞれの供給量が安定し
て調整されるとともに、その供給量に応じて二流体ノズ
ル４０で混合される。従って、基板Ｗの周縁部に吐出す
る混合洗浄液中におけるＮＭＰとＩＰＡとの混合比率を
任意の比率に安定して調整することが可能である。
部洗浄処理の一例について説明する。本発明に係る基板
洗浄装置では、液体マスフロコントローラ１５、２５に
よってＮＭＰおよびＩＰＡのそれぞれの供給量が安定し
て調整されるとともに、その供給量に応じて二流体ノズ
ル４０で混合される。従って、基板Ｗの周縁部に吐出す
る混合洗浄液中におけるＮＭＰとＩＰＡとの混合比率を
任意の比率に安定して調整することが可能である。
【００２１】図２は、基板周縁部洗浄処理中のＮＭＰの
混合比率の推移の一例を示す図である。同図において、
縦軸は混合洗浄液中におけるＮＭＰの混合比を示し、ま
た横軸は基板周縁部洗浄処理開始後の時刻を示してい
る。
混合比率の推移の一例を示す図である。同図において、
縦軸は混合洗浄液中におけるＮＭＰの混合比を示し、ま
た横軸は基板周縁部洗浄処理開始後の時刻を示してい
る。
【００２２】図示のように、洗浄処理開始直後から時刻
ｔ1まではＮＭＰの混合比が１．０、すなわちＮＭＰの
みで洗浄処理を行っている。この期間は、ポリイミドの
溶解が主たる目的であり、ＮＭＰの濃度を高くした方が
より効率的にその目的を達成することができる。
ｔ1まではＮＭＰの混合比が１．０、すなわちＮＭＰの
みで洗浄処理を行っている。この期間は、ポリイミドの
溶解が主たる目的であり、ＮＭＰの濃度を高くした方が
より効率的にその目的を達成することができる。
【００２３】次に、時刻ｔ1から時刻ｔ2まではＮＭＰの
供給量を徐々に減少させるとともにＩＰＡの供給量を徐
々に増加させ、混合洗浄液中におけるＮＭＰの混合比を
漸次減少させている。この期間中は、ＮＭＰによってポ
リイミドの溶解を行いつつもそのＮＭＰをＩＰＡによっ
て置換する工程であり、時間の経過とともに基板Ｗに付
着しているＮＭＰが徐々にＩＰＡに置き換えられる。そ
して、時刻ｔ2においては、混合洗浄液中におけるＮＭ
Ｐの混合比は０となり（混合洗浄液はＩＰＡのみとな
り）、それと同時にノズル先端部４５からの混合洗浄液
の吐出が停止される。
供給量を徐々に減少させるとともにＩＰＡの供給量を徐
々に増加させ、混合洗浄液中におけるＮＭＰの混合比を
漸次減少させている。この期間中は、ＮＭＰによってポ
リイミドの溶解を行いつつもそのＮＭＰをＩＰＡによっ
て置換する工程であり、時間の経過とともに基板Ｗに付
着しているＮＭＰが徐々にＩＰＡに置き換えられる。そ
して、時刻ｔ2においては、混合洗浄液中におけるＮＭ
Ｐの混合比は０となり（混合洗浄液はＩＰＡのみとな
り）、それと同時にノズル先端部４５からの混合洗浄液
の吐出が停止される。
【００２４】最後に、時刻ｔ2から時刻ｔ3までの期間は
混合洗浄液の吐出を停止して基板Ｗを回転させつつ乾燥
を行う、いわゆるスピンドライ工程である。時刻ｔ2の
時点では、基板Ｗに付着している洗浄液は概ねＩＰＡに
置換されており、その乾燥処理は短時間で行うことが可
能である。
混合洗浄液の吐出を停止して基板Ｗを回転させつつ乾燥
を行う、いわゆるスピンドライ工程である。時刻ｔ2の
時点では、基板Ｗに付着している洗浄液は概ねＩＰＡに
置換されており、その乾燥処理は短時間で行うことが可
能である。
【００２５】上記のようにして一連の基板周縁部洗浄処
理が行われる。このようにすれば、基板Ｗの周縁部のポ
リイミドを効率よく除去できるとともに、ポリイミドを
溶解した混合洗浄液を短時間で乾燥させることができ
る。従って、基板Ｗの回転によりポリイミドが滲み出し
て基板Ｗの周縁部に再付着することはない。
理が行われる。このようにすれば、基板Ｗの周縁部のポ
リイミドを効率よく除去できるとともに、ポリイミドを
溶解した混合洗浄液を短時間で乾燥させることができ
る。従って、基板Ｗの回転によりポリイミドが滲み出し
て基板Ｗの周縁部に再付着することはない。
【００２６】また、混合洗浄液中におけるＮＭＰとＩＰ
Ａとの混合比率は安定して調整されているため、上記基
板周縁部洗浄処理の処理結果および処理時間の再現性が
よい。基板周縁部洗浄処理も所定の処理手順に従った基
板の循環搬送における１工程であり、その処理結果およ
び処理時間の再現性はプロセス上の重要な要素である。
Ａとの混合比率は安定して調整されているため、上記基
板周縁部洗浄処理の処理結果および処理時間の再現性が
よい。基板周縁部洗浄処理も所定の処理手順に従った基
板の循環搬送における１工程であり、その処理結果およ
び処理時間の再現性はプロセス上の重要な要素である。
【００２７】以上、この発明の実施形態について説明し
たが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例
えば、上記実施形態では、ＮＭＰとＩＰＡとを混合して
いたが、これに限らず、ある洗浄液と溶解しかつ当該洗
浄液よりも揮発性の高い処理液を当該洗浄液に混合する
形態であればよい。
たが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例
えば、上記実施形態では、ＮＭＰとＩＰＡとを混合して
いたが、これに限らず、ある洗浄液と溶解しかつ当該洗
浄液よりも揮発性の高い処理液を当該洗浄液に混合する
形態であればよい。
【００２８】また、基板周縁部洗浄処理も図２に示すよ
うな例に限らず、例えば、洗浄処理開始直後からある程
度ＩＰＡを混入させるようにしてもよいし、また時刻ｔ
2の時点での混合洗浄液にＮＭＰが所定の混合比で含ま
れていてもよい。
うな例に限らず、例えば、洗浄処理開始直後からある程
度ＩＰＡを混入させるようにしてもよいし、また時刻ｔ
2の時点での混合洗浄液にＮＭＰが所定の混合比で含ま
れていてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の主面に形成された膜の成分を溶解可能な第１の洗
浄液を供給する第１洗浄液供給手段と、第１の洗浄液と
溶解し第１の洗浄液よりも揮発性の高い第２の洗浄液を
供給する第２洗浄液供給手段と、第１の洗浄液の供給量
を調整する第１洗浄液供給量調整手段と、第２の洗浄液
の供給量を調整する第２洗浄液供給量調整手段と、第１
の洗浄液と第２の洗浄液とを混合して混合洗浄液を生成
する混合手段と、基板の周縁部に混合洗浄液を吐出する
吐出手段とを備えているため、当該部分の膜を除去した
第１の洗浄液が揮発性の低い洗浄液であっても第２の洗
浄液と共に短時間で効率よく蒸発・乾燥される。また、
第１の洗浄液と第２の洗浄液との混合比率は安定して調
整されているため、洗浄処理の処理結果および処理時間
の再現性がよい。
基板の主面に形成された膜の成分を溶解可能な第１の洗
浄液を供給する第１洗浄液供給手段と、第１の洗浄液と
溶解し第１の洗浄液よりも揮発性の高い第２の洗浄液を
供給する第２洗浄液供給手段と、第１の洗浄液の供給量
を調整する第１洗浄液供給量調整手段と、第２の洗浄液
の供給量を調整する第２洗浄液供給量調整手段と、第１
の洗浄液と第２の洗浄液とを混合して混合洗浄液を生成
する混合手段と、基板の周縁部に混合洗浄液を吐出する
吐出手段とを備えているため、当該部分の膜を除去した
第１の洗浄液が揮発性の低い洗浄液であっても第２の洗
浄液と共に短時間で効率よく蒸発・乾燥される。また、
第１の洗浄液と第２の洗浄液との混合比率は安定して調
整されているため、洗浄処理の処理結果および処理時間
の再現性がよい。
【図１】本発明に係る基板洗浄装置の概略構成図であ
る。
る。
【図２】図１の基板洗浄装置の基板周縁部洗浄処理中に
おけるＮＭＰの混合比率の推移の一例を示す図である。
おけるＮＭＰの混合比率の推移の一例を示す図である。
【図３】従来の基板周縁部洗浄処理を説明するための図
である。
である。
１０、２０ タンク １５、２５ 液体マスフロコントローラ ４０ 二流体ノズル ４５ ノズル先端部 Ｗ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】 主面に膜が形成された基板の周縁部を洗
浄する基板洗浄装置であって、 (a) 前記膜の成分を溶解可能な第１の洗浄液を供給する
第１洗浄液供給手段と、 (b) 前記第１の洗浄液と溶解し前記第１の洗浄液よりも
揮発性の高い第２の洗浄液を供給する第２洗浄液供給手
段と、 (c) 前記第１の洗浄液の供給量を調整する第１洗浄液供
給量調整手段と、 (d) 前記第２の洗浄液の供給量を調整する第２洗浄液供
給量調整手段と、 (e) 前記第１の洗浄液と前記第２の洗浄液とを混合して
混合洗浄液を生成する混合手段と、 (f) 前記基板の周縁部に前記混合洗浄液を吐出する吐出
手段と、を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26361397A JPH11102854A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26361397A JPH11102854A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102854A true JPH11102854A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17391977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26361397A Pending JPH11102854A (ja) | 1997-09-29 | 1997-09-29 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11102854A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002066487A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 塗布装置の洗浄方法 |
| JP2004128251A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-04-22 | Elpida Memory Inc | 塗布機及び塗布方法 |
| JP2005131637A (ja) * | 2003-10-09 | 2005-05-26 | Toppan Printing Co Ltd | 洗浄機構を有する塗工装置 |
| JP2006075691A (ja) * | 2004-09-08 | 2006-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | 洗浄機構を有する塗工装置及び洗浄方法 |
| JP2008183559A (ja) * | 2008-04-10 | 2008-08-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法及び基板の処理装置 |
| JP2010232521A (ja) * | 2009-03-27 | 2010-10-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
| US8147617B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-04-03 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method and computer readable storage medium |
| JP2013142763A (ja) * | 2012-01-11 | 2013-07-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物の塗膜形成方法 |
| JP2022009316A (ja) * | 2017-11-20 | 2022-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び塗布モジュールのパラメータの調整方法並びに記憶媒体 |
-
1997
- 1997-09-29 JP JP26361397A patent/JPH11102854A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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