JP2004165471A

JP2004165471A - アンダーフィル用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置

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Publication number: JP2004165471A
Application number: JP2002330422A
Authority: JP
Inventors: Akiko Matsumura; 松村亜紀子; Kazutaka Uwada; 宇和田一貴; Naoki Sadayori; 直樹貞頼; Yuji Hotta; 祐治堀田
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2002-11-14
Filing date: 2002-11-14
Publication date: 2004-06-10
Also published as: US6846550B2; US20040096633A1

Abstract

【課題】配線回路基板、半導体素子および接続用電極部に発生する応力を緩和するアンダーフィル用接着フィルムであって、速硬化性で、半導体装置の配線回路基板と半導体素子との間に速やかに高耐熱性の封止樹脂層を形成する。
【解決手段】下式（１）：
【化１】

にて表される構造単位をｍ個、及び下式（２）：
【化２】

（式中、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を意味する。）
にて表される構造単位ｎ個を有し、かつ両末端にモノイソシアナートより誘導された末端構造単位を有する芳香族−脂肪族共重合ポリカルボジイミドであって、ｍは２〜１０００の整数、ｎは１〜５００の整数であり、ｍ＋ｎが３〜１５００、ｎ／（ｍ＋ｎ）が１／１５００〜１／３であって、式（２）の構造単位が連続することはないポリカルボジイミドからなるアンダーフィル用接着フィルム。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の分野】
本発明は半導体素子をフェースダウン構造にて、マザーボードあるいはドーターボード等の配線回路基板上に実装する際の封止に用いられるアンダーフィル用接着フィルムに関する。また、本発明はこの接着フィルムを用いて封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【発明の背景】
近年、半導体デバイスの一層の性能向上をはかるため、半導体素子をフェースダウン構造とし、配線回路が形成されたマザーボードあるいはドーターボード等の配線回路基板上に実装する方法（フリップチップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式等）が注目されている。すなわち、従来の実装方法では性能面に種々の問題が生じており、例えば半導体素子から金ワイヤーでリードフレーム上にコンタクトをとりパッケージングされた形態で配線回路基板に実装すると、配線による情報伝達の遅れや、クロストークによる情報伝達エラー等の発生することがある。
【０００３】
これに対し、フェースダウン方式による実装方法では、半導体素子の表面電極が配線回路基板に直接接合されるので、半導体装置の薄型化および軽量化が可能となる。しかし、このようなフリップチップ方式、ダイレクトチップアタッチ方式等では、線膨張係数が相互に異なる半導体素子と、配線回路基板とを直接に電気接続することから接続部分の信頼性の向上が重要な課題となる。
【０００４】
このような課題を解決するため、半導体素子と配線回路基板との空隙にアンダーフィル材と呼ばれる液状の熱硬化性樹脂を注入し、これを硬化させて樹脂硬化体を形成し、電気接続部に集中する応力を該樹脂硬化体に分散させて接続の信頼性向上をはかる方法が採用されている。
【０００５】
しかしながら、半導体素子と配線回路基板との間に液状の熱硬化性樹脂を注入するには、注入ノズルを配置する空間を半導体素子の実装位置周辺に確保する必要がある。半導体装置の小型化、薄型化が進むに伴い、このような空間の確保は困難になり、液状樹脂の流入（アンダーフィル）工程の改善が求められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このためフィルム状のアンダーフィルを用いた半導体装置の製造法も考案されている。かかるアンダーフィル用フィルムを用いた方法では、電極間の接続と同時に、フィルムを溶融、硬化させ基板とチップ間を封止しなければならず、高温、高荷重、長時間のボンディング条件を必要とし、パッドや基板へのダメージ、残留応力による信頼性への影響などが懸念される。そこで、より低温、低荷重、短時間のボンディング条件にて使用可能なアンダーフィル用接着フィルムが求められている。
【０００７】
本発明の目的は、半導体素子と配線回路基板および接続用電極部に生ずる応力に対して優れた緩和効果を有すると共に、半導体素子と配線回路基板との電気的接続の信頼性に優れたアンダーフィル用接着フィルムを提供することにある。また、本発明は該接着フィルムを封止樹脂層として用いた半導体装置の提供するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは前記の課題を解決するため、種々検討を行った。その結果、半導体装置のアンダーフィル用フィルムとして、後記ポリカルボジイミドを用いることにより、硬化後の耐熱性の低下がなく速硬化性にも優れ、可撓性の良好な封止樹脂層が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は下式（１）：
【０００９】
【化３】

にて表される構造単位をｍ個、及び下式（２）：
【００１０】
【化４】

（式中、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を意味する。）
にて表される構造単位ｎ個を有し、かつ両末端にモノイソシアナートより誘導された末端構造単位を有する芳香族−脂肪族共重合ポリカルボジイミドであって、ｍは２〜１０００の整数、ｎは１〜５００の整数であり、ｍ＋ｎが３〜１５００、ｎ／（ｍ＋ｎ）が１／１５００〜１／３であって、式（２）の構造単位が連続することはないポリカルボジイミドからなるアンダーフィル用接着フィルムを提供するものである。
【００１１】
【発明の詳述】
つぎに、本発明をさらに詳細に説明する。本発明のアンダーフィル用フィルムに用いられるポリカルボジイミドは、トリレンジイソシアナートから誘導される構造単位、及び炭素数１〜１８の脂肪族イソシアナートから誘導される構造単位を有し、末端にモノイソシアナートより誘導される構造単位を有する芳香族−脂肪族共重合ポリカルボジイミドである。
【００１２】
前記のポリカルボジイミドは、トリレンジイソシアナート、炭素数１〜１８の脂肪族鎖状ジイソシアナート、及び鎖長制御用のモノイソシアナートの混合物を、非プロトン性の溶媒中にて、触媒の存在下に製造することができる。
【００１３】
（トリレンジイソシアナート）
前記のトリレンジイソシアナートとしては、幾何学的に可能な異性体のいずれを用いてもよく、またそれらの混合物であってもよい。具体的には２，３−トリレンジイソシアナート、２，４−トリレンジイソシアナート、２，５−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、３，４−トリレンジイソシアナート及びそれらの２種以上からなる混合物を用いることができる。
【００１４】
（脂肪族鎖状ジイソシアナート）
脂肪族鎖状ジイソシアナートの代表例としては、最も入手が容易なヘキサメチレンジイソシアナートが挙げられる。その他の公知の炭素鎖長１〜１８の脂肪族鎖状ジイソシアナート、例えばドデカメチレンジイソシアナートなどを用いることができる。
【００１５】
脂肪族ジイソシアナートの使用量は、芳香族ジイソシアナート１００モルに対して０．０７〜５０モル、好ましくは５〜１５モルである。これより脂肪族ジイソシアナートが多いと耐熱性が低下する。一方、少ないとフィルムの可撓性が低下し、取扱い性が低下する。
【００１６】
（鎖長制御剤）
鎖長制御に用いられるモノイソシアナートとしては、例えばフェニルイソシアナート、トリルイソシアナート、ナフチルイソシアナート、イソプロピルフェニルイソシアナート、メトキシフェニルイソシアナート、クロロフェニルイソシアナート、炭素数１〜１０のアルキルイソシアナート等を挙げることができる。
【００１７】
これらモノイソシアナートの使用量は、全イソシアナート１００モルに対して１〜１０モルを用いるのが好ましい。モノイソシアナートの使用量がこの範囲より少ないと得られるポリカルボジイミドの分子量が大きくなりすぎたり、架橋反応による溶液粘度の上昇、あるいは溶液の固化を生じたり、ポリカルボジイミド溶液の保存安定性の著しい低下を引き起こす。また、モノイソシアナートの量が前記の範囲より多いと、得られるポリカルボジイミド溶液の溶液粘度が低すぎるために溶液の塗布乾燥によるフィルム成型において良好な成膜ができなくなる。
【００１８】
（重合触媒）
ポリカルボジイミド重合に用いられる触媒としては、かかる目的に用いられる公知の触媒が種々使用し得るが、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、１−フェニル−２−ホスホレン−１−オキシド、１−フェニル−２−ホスホレン−１−スルフィド、１−エチル−３−メチル−２−ホスホレン−１−オキシド、３−メチル−１−フェニル−１−ホスフア−３−シクロペンテン−１−オキシド、２，５−ジヒドロ−３−メチル−１−フェニルホスホール−１−オキシドなどが好ましい。また、トリフェニルホスフィンオキシド、トリトリルホスフィンオキシド、ビス（オキサジフェニルホスフィノ）エタンなどのホスフィンオキシド類を使用してもよい。
【００１９】
触媒の使用量は、イソシアナート成分全量に対して０．００１〜５モル％、好ましくは０．１〜２モル％である。触媒の使用量が、この範囲より少ないと重合に時間がかかりすぎ実用的でなく、逆にこれより多いと反応が速すぎて反応途中にゲル状に固化してしまったり、保存安定性が著しく低下したものが得られたりする。
【００２０】
（重合温度）
ポリカルボジイミド製造時の重合温度は１００℃以下、好ましくは７０℃以下、より好ましくは０〜６０℃であり、３０〜５０℃が最も好ましい。
【００２１】
重合温度が前記の範囲より高いと、式（１）のポリカルボジイミドの構造は得られず、トリレンジイソシアナートのみが重合して脂肪族イソシアナートが未反応のまま残留し、可撓性の高い所望の硬化物は得られない。また、ポリカルボジイミド溶液にイソシアナート官能基が残存するので溶液の安定性が低い。
【００２２】
すなわち、本発明の接着フィルムに用いられるポリカルボジイミドにおいて、分子中のトリレンジイソシアナートから誘導される構造単位をｍ個、炭素数１〜１８の脂肪族イソシアナートから誘導される構造単位をｎ個とすると、ｍは２〜１０００の整数、ｎは１〜５００の整数であり、ｍ＋ｎが３〜１５００、ｎ／（ｍ＋ｎ）が１／１５００〜１／３であって、式（２）の構造単位が連続することはない。かかる構造は前記の反応温度により得られる。
【００２３】
（重合溶媒）
ポリカルボジイミド共重合体の製造にあたっては、非プロトン性有機溶媒中にてカルボジイミド化反応を行なうことによりポリカルボジイミド溶液が得られる。このような非プロトン性有機溶媒としてはトルエン、キシレン、炭素数３〜５のアルキルトルエン、ベンゼン、炭素数３〜３６のアルキルベンゼン、ナフタレン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アセトン、ブタノン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で用いてもよく、２種類以上を混合して用いてもよい。また反応に関与しない成分が混合されていてもよい。
【００２４】
ポリカルボジイミドの製造において、溶液中のポリカルボジイミド濃度が１〜９０重量％となるよう溶媒量を調整するのが好ましい。ポリマー濃度が９０重量％を超えると粘度が高くなり、また、溶液の保存安定性も悪くなる。一方、ポリマー濃度が前記の範囲より低いと、得られたポリマーを成型するにあたって大量の溶媒を除去する必要があり実用的でない。
【００２５】
（接着フィルムの製造）
本発明の接着フィルムを製造するには、前記ポリカルボジイミド共重合体ワニスを公知の方法（キャスティング、スピンコーティング、ロールコーティングなど）を用い、適当な厚さに製膜する。製膜された膜は、通常、溶媒の除去に必要な温度で乾燥する。すなわち、硬化反応をあまり進行させずに乾燥させるよう、塗工温度は、通常２０〜３５０℃、好ましくは５０〜２５０℃、最も好ましくは７０〜２００℃とする。乾燥温度がこれらの範囲より低いと、フィルム中に溶剤が残存し、フィルムの信頼性が乏しくなり好ましくない。また乾燥温度が前記の範囲より高いと、フィルムの熱硬化が進みやすい。
【００２６】
接着フィルムの製造にあたっては、その加工性、耐熱性を損なわない範囲で微細な無機充填剤を配合してもよい。また表面平滑性を付与するため平滑剤、レベリング剤、脱泡剤などの各種添加剤を必要に応じて添加してもよい。これらの配合量は、共重合体１００重量部に対して、０．１〜１００重量部、好ましくは０．２〜５０重量部である。
【００２７】
また、接着力向上のため、接着フィルムにシランカップリング剤、チタン系カップリング剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコーン系添加剤などの各種添加剤を必要に応じて添加してもよい。
【００２８】
接着フィルムの製造にあたっては、熱伝導性の向上、弾性率の調節などをはかるため、例えばアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、あるいは合金、アルミナ、シリカ、マグネシア、窒化ケイ素などのセラミック、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末を必要に応じ１種または２種以上配合してもよい。
【００２９】
さらに、これらのフィルムを支持体上に設けて積層接着シートとしてもよい。このような積層接着シートを製造するには、支持体上に前記ポリカルボジイミドのワニスを塗工してもよく、また、あらかじめフィルムを形成しておき、これをプレスなどにより支持体にラミネートしてもよい。
【００３０】
前記の支持体としては、金属箔、絶縁性フィルムなどが挙げられる。金属箔としてはアルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、インジウム、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム等がいずれも用いられてよく、これらを単独で、あるいは合金として用いてもよい。また、絶縁性フィルムとしては、ポリイミド、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレートなど、耐熱性や耐薬品性を有するフィルムであればいずれも用いることができる。
【００３１】
前記の金属箔と絶縁性フィルムは、それぞれ単独で用いてもよく、また両者を２層以上積層した、例えば金属箔／絶縁性フィルムなどの２層基材を用いてもよい。このような２層基材としては、例えば銅／ポリイミド２層基材などが挙げられる。
【００３２】
このようにして得られるアンダーフィル用接着フィルムは、封止作業にあたり、例えば、次のようにして硬化処理を行うことができる。すなわち、前記方法により得られたシート状封止材料を１００〜２２５℃、好ましくは１２０〜２００℃にて、３〜３００分間、好ましくは５〜１８０分間加熱することにより硬化が生じ半導体装置の封止を行うことができる。
【００３３】
つぎに、本発明の接着フィルムにより半導体装置の封止を行う方法を、一具体例により図面を参照しながら更に詳細に説明する。
【００３４】
まず、図２に示すように、アンダーフィル用接着フィルム６が貼り付けられた半導体素子５を、接続用電極部２が設けられた配線回路基板１上の所定位置に配置する（図３参照）。つぎに、これを加熱および加圧して両接続用電極部２，３間のアンダーフィル用接着フィルム６を加熱溶融し押し出し、前記電極部２，３を接触させ電気的接続を行うと共に、溶融したアンダーフィル用接着フィルム６を硬化して封止樹脂層４を形成し、配線回路基板１と半導体素子５の電気的接続および固着を行う（図１参照）。
【００３５】
このようにして、図１に示すごとく、配線回路基板に設けられた接続用電極部、及び半導体素子に設けられた接続用電極部を介して、配線回路基板上に半導体素子が搭載され、配線回路基板と半導体素子との間の空隙が接着フィルムの封止樹脂層４により封止されたフェイスダウン構造を有する半導体装置が得られる。
【００３６】
なお、前記アンダーフィル用接着フィルム６の半導体素子５への貼り付けは、図４に示す半導体ウェハ７より半導体素子５を切り分ける前に行ってもよく、また切り分け後に行ってもよい。
【００３７】
さらに、前記の方法とは逆に、図５に示すように複数の接続用電極部２が設けられた配線回路基板１上に、接続用電極部２を介してアンダーフィル用接着フィルム６を載置し、封止を行ってもよい。かかる回路基板の所定位置に、接続用電極部３を設けた半導体素子５を配置する。つぎに加熱および加圧して両接続用電極部２，３間の接着フィルムを加熱溶融し押し出して電気的接続を行うとともに、溶融した接着フィルム６を硬化して封止樹脂層４を形成し、配線回路基板１と半導体素子５の電気的接続および固着を行う。この方法によっても前記と同様に、図１に示す半導体装置を得られる。
【００３８】
アンダーフィル用接着フィルム６の大きさは、搭載される半導体素子５の大きさ（面積）により適宜に設定してよいが、通常、半導体素子５の大きさ（面積）とほぼ同じに設定することが好ましい。
【００３９】
アンダーフィル用接着フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、半導体素子と配線回路基板との空隙を充填し、かつ接続用電極部間の電気的接続を妨げない範囲で適宜に設定してよく、通常、５〜２００μｍ、好ましくは１０〜１２０μｍである。
【００４０】
アンダーフィル用接着フィルムを半導体素子と、配線回路基板との間の空隙に充填するにあたっては加圧を行うのが好ましい。かかる加圧の条件は、接続用電極部２，３の材質および個数等や、温度により適宜設定することができるが、一般に０．０９８〜４．９Ｎ／個、好ましくは０．１９６〜２．９４Ｎ／個の範囲が好ましい。
【００４１】
前記半導体装置の製法では、配線回路基板１を下方にして、その上方に半導体素子５を搭載するという位置関係に基づいて説明したが、製法はこれに限定されるものではなく、反対の位置関係、すなわち、半導体素子５を下方にして、その上方に配線回路基板１を搭載してもよい。
【００４２】
【実施例】
つぎに、本発明を実施例及び比較例によりさらに具体的に説明する。ポリマーの製造はすべて窒素気流下で行った。なお、得られたポリカルボジイミドの特性は次のようにして測定した。
【００４３】
ＩＲ
ＦＴ／ＩＲ‐２３０（日本電子製）を用いて測定した。
【００４４】
引っ張り弾性率（Ｅ ’）
動的粘弾性装置ＤＭＳ２１０（（株）セイコー電子工業製）を用いて測定した。１７５℃×５ｈｒキュアしたアンダーフィル用接着フィルムで測定した。
【００４５】
ガラス転移点温度（Ｔｇ）
熱機械分析装置ＴＭＡＳＳ／１００（（株）セイコー電子工業製）を用いて測定した。１７５℃×５ｈｒキュアしたアンダーフィル用接着フィルムで測定した。
【００４６】
ゲルタイム
ゲル試験機（日新科学（株））を用い１７５℃におけるゲルタイムを測定した。
【００４７】
【実施例】
次に実施例を挙げてこの発明をさらに具体的に説明する。
ＴＤＩ（２，４−ＴＤＩ８０％、２，６−ＴＤＩ２０％の混合物）１２．９ｇ（７４．１ｍｍｏｌ）、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアナート１１１．２６ｇ（４４４．６ｍｍｏｌ）、ナフタレンジイソシアナート３１．１５ｇ（１４８．２ｍｍｏｌ）、ヘキサメチレンジイソシアナート１２．４６ｇ（７４．１ｍｍｏｌ）、１−ナフチルイソシアナート１２．５４ｇ（７４．１ｍｍｏｌ）、及びトルエン２０２．５６を混合した。これに４０℃にて、３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシドの０．７１ｇ（３．７０５ｍｍｏｌ）を添加して攪拌しながら２時間保持した。赤外分光法により反応の経過を確認してから反応混合物の温度を１００℃とし、この温度で２時間保持した。反応の進行は赤外分光法により確認した。具体的にはイソシアナートのＮ−Ｃ−Ｏ伸縮振動（２２７０ｃｍ^−１）の吸収減少と、カルボジイミドのＮ−Ｃ−Ｎ伸縮振動（２１３５ｃｍ^−１）の吸収増加を観測した。
【００４８】
この製造したワニスを剥離剤で処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ（厚さ５０μｍ）の上にラミネーターを用いて（塗工速度１ｍ／分、乾燥温度１３０℃×１分→１５０℃×１分）塗工し、アンダーフィル用接着フィルム（接着フィルムの厚さ２５μｍ）を得た。ガラス転移点温度Ｔｇは２１３℃、引張り弾性率Ｅ’（３５℃）は２６００ＭＰａ、ゲルタイム（１７５℃）は２１ｓであった。
【００４９】
このようにして得られたアンダーフィル用接着フィルムを用い、前記半導体装置の製法に従って半導体装置を製造した。すなわち、図２に示すように、接続用電極部３（材質：Ａｕスタッドバンプ、高さ：５０μｍ、９１バンプ／ｃｈｉｐ、ペリフェラル）が設けられた半導体素子５（厚み：１５０μｍ、大きさ：８ｍｍ×８ｍｍ）上に、接着フィルム６を９０℃で貼りつけた。ついで、図３に示すように、接着フィルム６上の所定の位置に、Ｃｕ配線（Ｌ／Ｓ＝１００μｍ／１００μｍ、高さ１８μｍ、無電解Ｎｉ／Ａｕめっき処理）を設けた配線回路基板１（厚み４０ｍｍのフレキシブルプリント基板）を載置した。その後、フリップチップボンダー（澁谷工業（株）、ＤＢ１００）を用いて、加熱温度（ツール１８０℃、ステージ１００℃）×荷重１５ｋｇｆ／電極個数×６０ｓの条件にて接着フィルムを加熱溶融した。配線回路基板１と半導体素子５との間の空隙に溶融状態の樹脂が充填されて仮固着を生ずると共に上記双方の接続用電極部２，３が当接し、図１に示すように、空隙がアンダーフィル接着フィルム層４で樹脂封止された半導体装置を１０個が得られた。
【００５０】
【比較例】
トリレンジイソシアナートを２０５．８５ｇ（１１８２ｍｍｏｌ）、トルエン１５５．６６ｇを混合した。これを５０℃で１時間攪拌した後、１−ナフチルイソシアナート２０ｇ（１１８．２ｍｍｏｌ）と３−メチル−１−フェニル−２−ホスホレン−２−オキシド２．２７ｇ（１１．８２ｍｍｏｌ）とを添加して攪拌しながら１００℃に昇温し、さらに２時間保持した。反応の進行は赤外分光法により確認した。具体的にはイソシアナートのＮ−Ｃ−Ｏ伸縮振動（２２７０ｃｍ^−１）の吸収減少とカルボジイミドのＮ−Ｃ−Ｎ伸縮振動（２１３５ｃｍ^−１）の吸収の増加を観測した。また、結合部分のアミド基のＣ−Ｏ伸縮振動（１６９５ｃｍ^−１）の吸収を観測した。
【００５１】
このワニスを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、アンダーフィル用接着フィルムを得た。ガラス転移点温度Ｔｇは１９５℃、引張り弾性率Ｅ’（３５℃）は３２４０ＭＰａ、ゲルタイム（１７５℃）は５３ｓであった。また、実施例１と同様にして半導体装置を作製した。
【００５２】
前記実施例及び比較例にて得られた半導体装置の全てについて、初期の通電試験を２５℃にて行った。さらに、その導通の得られた半導体装置をアフターキュア（１７５℃×５ｈｒ）した後、通電試験を２５℃にて行った。通電試験は、抵抗値が無限大（断線している）ものを不良品としてカウントした。その結果を下記の表１に示した。
【００５３】
【表１】

【００５４】
表１より明らかなように、実施例にて得られた半導体装置は、実装後の初期抵抗値が低く、アフターキュア後の通電試験において不良が全く発生しなかった。これに対して、比較例にて得られた半導体装置は、実装後の初期抵抗値が高く、アフターキュア後の通電試験においては全てのサンプルに不良が発生した。このように、本発明の接着フィルムを用いて実装を行うと、半導体素子と配線回路基板の電極同士が接触した状態で封止樹脂層が充分な硬化を生じ、安定した通電が確保される。
【００５５】
【発明の効果】
本発明のアンダーフィル用接着フィルムは速硬化性であり、半導体装置の配線回路基板と半導体素子との間に速やかに高耐熱性の封止樹脂層を形成する。かかるアンダーフィル層を設けたことにより、配線回路基板、半導体素子および接続用電極部に発生する応力を緩和することができ、配線回路基板および半導体素子の反りの低減、半導体素子のクラック発生の防止、および配線回路基板に設けられた接続用電極部と半導体素子に設けられた接続用電極部との電気的接続の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の一具体例を示す模式断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造工程の一具体例を示す模式断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造工程の一具体例を示す模式断面図である。
【図４】半導体ウェハ上に形成された複数の半導体素子を示す模式図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程の他の具体例を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１配線回路基板
２接続用電極部
３接続用電極部
４封止樹脂層
５半導体素子
６接着フィルム
７半導体ウェハ

Claims

下式（１）：

にて表される構造単位をｍ個、及び下式（２）：

（式中、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を意味する。）
にて表される構造単位ｎ個を有し、かつ両末端にモノイソシアナートより誘導された末端構造単位を有する芳香族−脂肪族共重合ポリカルボジイミドであって、ｍは２〜１０００の整数、ｎは１〜５００の整数であり、ｍ＋ｎが３〜１５００、ｎ／（ｍ＋ｎ）が１／１５００〜１／３であって、式（２）の構造単位が連続することはないポリカルボジイミドからなるアンダーフィル用接着フィルム。
ポリカルボジイミドが、非プロトン性有機溶媒中、反応温度０〜６０℃にて得られたものである請求項１のアンダーフィル用接着フィルム。
請求項１又は２のアンダーフィル用接着フィルムにより半導体素子と配線回路基板との空隙が封止されてなる半導体装置。