JP2004238251A - 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】静電容量の温度特性を損なうことなく、より一層高い交流破壊電圧を得ることのできる高誘電率系の誘電体磁器組成物を得る。
【解決手段】誘電体磁器組成物が、一般式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３ （０＜ｘ≦０．２５、０＜ｙ≦０．２５、０．９６０≦ａ≦１．０３５）を主成分とし、さらに、副成分として、主成分１００重量部に対し、Ｅｒ化合物が、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算して５重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ｍｇ化合物が、ＭｇＯに換算して２重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ａｌ化合物が、Ａｌ_２Ｏ_３に換算して２．５重量部以下（但し、０重量部を除く）でそれぞれ含有されている。
【選択図】 選択図なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は誘電体磁器組成物、及セラミック電子部品に関し、より詳しくは高誘電率系の誘電体磁器組成物、及び該誘電体磁器組成物を使用して製造された単板コンデンサ、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】
高誘電率磁器材料としては、既に、ＢａＯ−ＣａＯ−ＴｉＯ_２−ＺｒＯ_２系の誘電体磁器組成物を主成分としたものが実用化されている。
【０００３】
この種の誘電体磁器組成物は、比誘電率が大きくなると静電容量の温度特性が悪化し、交流破壊電圧も低くなることから、従来より、組成物の配合比を工夫することにより、静電容量の温度特性や交流破壊電圧を改善した誘電体磁器組成物が提案されている（特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】
特開平７−２６７７３２号公報
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１では、交流破壊電圧の改善はなされているものの、該交流破壊電圧は最大でも４．５ｋＶ／ｍｍと未だ不十分であり、より一層高い交流破壊電圧を有するセラミック電子部品の出現が望まれている。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、静電容量の温度特性を損なうことなく、より一層高い交流破壊電圧を得ることのできる高誘電率系の誘電体磁器組成物、及び該誘電体磁器組成物を使用して製造されたセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３で表されると共に、０＜ｘ≦０．２５、０＜ｙ≦０．２５、０．９６０≦ａ≦１．０３５とされ、かつ、前記主成分１００重量部に対し、Ｅｒ化合物が、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算して５重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ｍｇ化合物が、ＭｇＯに換算して２重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ａｌ化合物が、Ａｌ_２Ｏ_３に換算して２．５重量部以下（但し、０重量部を除く）でそれぞれ含有されていることを特徴としている。
【０００８】
上記誘電体磁器組成物によれば、ｘ、ｙを上述の範囲とすることにより、１４００℃未満の焼成温度で良好な焼結性を得ることができる。
【０００９】
また、Ｅｒ化合物及びＭｇ化合物を上述の範囲で含有させることにより、誘電率の低下を招くこともなく、静電容量の温度特性を良好なものとすることができる。
【００１０】
そして、Ａｌ化合物を上述の範囲で含有させることにより、交流破壊電圧をより一層高くすることができる。
【００１１】
尚、１．０×１０^１１Ω以上の高絶縁抵抗を得るには、ａは、０．９６５≦ａ≦１．０３０であるのが好ましい。
【００１２】
また、より低温で焼結させるためには、前記主成分１００重量部に対し、Ｍｎ化合物が、ＭｎＯに換算して２重量部以下及び／又はＳｉ化合物が、ＳｉＯ_２に換算して２重量部以下含有するのが好ましい。
【００１３】
特に、上記Ｍｎ化合物の添加は、静電容量の温度特性向上に寄与する。
【００１４】
また、絶縁抵抗を大きくするためには、前記主成分１００重量部に対し、Ｎｂ化合物が、Ｎｂ_２Ｏ_５に換算して１重量部以下含有させるのが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック焼結体が上記誘電体磁器組成物からなり、前記セラミック焼結体に電極が形成されていることを特徴としている。
【００１６】
上記セラミック電子部品によれば、上述した誘電体磁器組成物を使用して製造されているので、絶縁抵抗や静電容量の温度特性が良好で、しかも交流破壊電圧が高く誘電率の高いセラミック電子部品を１４００℃以下の低焼成温度で得ることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について詳説する。
【００１８】
図１は本発明の誘電体磁器組成物を使用して製造されたセラミック電子部品としての単板コンデンサの一実施の形態を示す一部破断正面図である。
【００１９】
該単板コンデンサは、本発明の誘電体磁器組成物からなるセラミック焼結体１と、該セラミック焼結体１の表裏両面に形成された電極部２と、はんだ３によって前記電極部２と電気的に接続された一対のリード線４ａ、４ｂと、セラミック焼結体１を被覆する樹脂製の外装５とから構成されている。
【００２０】
そして、本実施の形態では、セラミック焼結体１を形成する誘電体磁器組成物が、下記一般式〔Ａ〕を主成分としている。
【００２１】
（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３ …〔Ａ〕
ここで、ｘ、ｙ、ａは０＜ｘ≦０．２５、０＜ｙ≦０．２５、０．９６０≦ａ≦１．０３５に設定されている。
【００２２】
さらに、上記誘電体磁器組成物は、副成分として、前記主成分１００重量部に対し、Ｅｒ化合物が、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算して５重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ｍｇ化合物が、ＭｇＯに換算して２重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ａｌ化合物が、Ａｌ_２Ｏ_３に換算して２．５重量部以下（但し、０重量部を除く）でそれぞれ含有されている。
【００２３】
そして、これにより最大比誘電率が高く、静電容量の温度特性に優れ、かつより高い交流破壊電圧を有する単板セラミックコンデンサを得ている。
【００２４】
以下、上述のように数値限定した理由を述べる。
【００２５】
（１）ｘ
ｘが０．２５を超えると、Ｂａに対するＣａの含有量が過剰となるため、焼結性が低下し、１４００℃で焼成しても焼結不足になる。すなわち、ｘが０．２５を超えた場合は、焼結させるには１４００℃以上の温度で焼成する必要があり、生産コストが高騰化する。
【００２６】
そこで、本実施の形態では、モル比ｘを、０＜ｘ≦０．２５としている。
【００２７】
（２）ｙ
ｙが０．２５を超えると、Ｔｉに対するＺｒの含有量が過剰となるため、焼結性が低下し、１４００℃で焼成しても焼結不足になる。すなわち、ｙが０．２５を超えた場合、上記（１）と同様、焼結させるには１４００℃以上の温度で焼成する必要があり、生産コストが高騰化する。
【００２８】
そこで、本実施の形態では、ｙを、０＜ｙ≦０．２５としている。
【００２９】
（３）ａ
一般式ＡＢＯ_３で表されるペロブスカイト型複合酸化物において、Ａサイト成分を構成する（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）とＢサイト成分を構成する（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）とのａは化学量論的には１．０００であるが、必要に応じて適宜変更するのが望ましい。
【００３０】
しかしながら、ａが０．９６０未満になると静電容量の温度特性が悪化し、一方、ａが１．０３５を超えると最大比誘電率が低下する。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、ａを、０．９６０≦ａ≦１．０３０としている。
【００３２】
尚、１．０×１０^１１Ω以上のより高い絶縁抵抗を確保するためには、ａを０．９６５≦ａ≦１．０３０とするのが好ましい。
【００３３】
（４）Ｅｒ化合物の含有量
Ｅｒ化合物は、静電容量の温度特性を平坦にする作用を奏し、前記温度特性の向上に寄与するが、その含有量が、前記主成分１００重量部に対し、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算し５重量部を超えると、最大比誘電率の低下が顕著になる。
【００３４】
そこで、本実施の形態では、Ｅｒ化合物の含有量を、主成分１００重量部に対し、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算して５重量部（但し、０重量部を除く）以下としている。
【００３５】
（５）Ｍｇ化合物の含有量
Ｍｇ化合物は、Ｅｒ化合物と同様、静電容量の温度特性の向上に寄与するが、その含有量が、前記主成分１００重量部に対し、ＭｇＯに換算し２重量部を超えると、最大比誘電率の低下が顕著になる。
【００３６】
そこで、本実施の形態では、Ｍｇ化合物の含有量を、主成分１００重量部に対し、ＭｇＯに換算し２重量部（但し、０重量部を除く）以下としている。
【００３７】
（６）Ａｌ化合物の含有量
Ａｌ化合物は、交流破壊電圧を大きくする作用を奏するが、その含有量が、前記主成分１００重量部に対し、Ａｌ_２Ｏ_３に換算し２．５重量部を超えると、絶縁抵抗の低下が顕著になる。
【００３８】
そこで、本実施の形態では、Ａｌ化合物の含有量を、主成分１００重量部に対し、Ａｌ_２Ｏ_３に換算し２．５重量部（但し、０重量部を除く）以下としている。
【００３９】
次に、上記単板コンデンサの製造方法について詳述する。
【００４０】
まず、上記誘電体磁器組成物を作製する。
【００４１】
すなわち、出発素材として、例えばＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３を準備し、次いで上述した成分組成の誘電体磁器組成物が得られるように、これらの出発素材を配合し、その後、この配合物をボールミルに投入して湿式混合し、粉砕する。そしてこの後、粉砕物を蒸発乾燥し、次いで、所定温度（例えば、１１５０℃）で約２時間仮焼処理を施し、これにより誘電体磁器組成物を作製する。
【００４２】
次に、この誘電体磁器組成物をポリ酢酸ビニル系バインダ等のバインダと共にボールミルに投入し、所定時間湿式混合し、その後、該混合物を脱水乾燥し、整粒した後、加圧し、所定の円板状に成形し、セラミック成形体を作製する。そしてこの後、該セラミック成形体を１３５０〜１３９０℃で約２時間焼成処理を施し、セラミック焼結体１を作製する。
【００４３】
次いで、該セラミック焼結体１の表裏両面にＡｇ等を主成分とした導電性ペーストを塗布し、焼付処理を施し、電極部２を形成する。
【００４４】
そして、はんだ３によって電極部２とリード線４ａ、４ｂとを接続し、その後樹脂モールドを施して外装５を形成し、これにより単板コンデンサが製造される。
【００４５】
このように本実施の形態では、単板コンデンサが上述した誘電体磁器組成物を使用して製造されており、したがって、静電容量の温度特性や絶縁性を損なうことなく、高い最大比誘電率を有し、かつより高い交流破壊電圧を有する単板コンデンサを１４００℃未満の焼成温度で容易に得ることができる。
【００４６】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、出発素材としてＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３を一度に混合し仮焼したが、主成分を構成するＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２を予め混合して仮焼し、その後、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３を添加することにより、本発明の誘電体磁器組成物を作製してもよい。
【００４７】
さらに、焼結温度を低下させて生産性を向上させる観点からは、Ｍｎ化合物やＳｉ化合物を上記誘電体磁器組成物に含有させるのが好ましい。
【００４８】
但し、その含有量は、Ｍｎ化合物の場合は、主成分１００重量部に対し、ＭｎＯに換算して２重量部以下が好ましく、Ｓｉ化合物の場合は、主成分１００重量部に対し、ＳｉＯ_２に換算して２重量部以下が好ましい。これはＭｎ化合物及びＳｉ化合物が、主成分１００重量部に対し、ＭｎＯ又はＳｉＯ_２換算で２重量部を超えると絶縁抵抗が低下するからである。
【００４９】
また、より大きな絶縁抵抗を確保する観点からは、Ｎｂ化合物を誘電体磁器組成物に含有させるのも好ましい。
【００５０】
但し、その含有量は、主成分１００重量部に対し、Ｎｂ_２Ｏ_５に換算して１重量部以下が好ましい。これはＮｂ化合物が、主成分１００重量部に対し、Ｎｂ_２Ｏ_５換算で１重量部を超えると、Ｎｂ化合物が過剰となり、却って絶縁抵抗が低下するからである。
【００５１】
尚、この場合も、ＭｎＯ、ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５を前記主成分やＥｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３と共に一度に混合して仮焼してもよいし、主成分組成の仮焼粉末に対し、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３と共にＭｎＯ、ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５を添加して製造してもよいことはいうまでもない。
【００５２】
また、出発素材として、ＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２等を使用しているが、本発明はこれらの化合物形態に限定されるものではない。例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＺｒＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などの化合物や、炭酸塩、シュウ酸塩、水酸化物、アルコキシドなどを出発素材としてもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態では、セラミック電子部品として単板コンデンサを例示したが、積層セラミックコンデンサについても同様、最大比誘電率が高く、静電容量の温度特性や絶縁性を損なうことなく、より高い交流破壊電圧を有するセラミック電子部品を１４００℃以下の低温焼成で得ることができる。
【００５４】
【実施例】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【００５５】
〔第１の実施例〕
まず、出発材料としてＢａＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３を準備し、これら出発素材を、表１、表２に示す誘電体磁器組成物が得られるように配合し、ボールミルで湿式混合した後、蒸発乾燥し、粉末混合物を得た。なお、表１、表２中の副成分量（重量部）は、主成分１００重量部に対する重量部である。
【００５６】
次に、該粉末混合物を１１５０℃で２時間仮焼処理を施し、仮焼粉末を作製した。次いで該仮焼粉末１００重量部に対して５重量部の酢酸ビニル系バインダを前記仮焼粉末に添加し、ボールミルで湿式混合し、その後、蒸発乾燥し、整粒により粉末状にした。
【００５７】
次いで、この粉末を２４５ＭＰａ（２．５ｔｏｎ／ｃｍ^２）の圧力で直径１５ｍｍ、厚さ１．０ｍｍの円板状のセラミック成形体を成形した。
【００５８】
次いで、このセラミック成形体を１３９０〜１４００℃の焼成温度で焼成した。その後、焼結体の両主面にＡｇペーストを塗布し、次いで、８００℃で焼付処理を施して円板状の電極を形成し、試料Ｎｏ．１〜３６を作製した。
【００５９】
【表１】

【００６０】
【表２】

次に、静電容量の温度特性、最大比誘電率、交流破壊電圧、及び絶縁抵抗を測定した。
【００６１】
まず、静電容量の温度特性を以下のようにして評価した。
【００６２】
すなわち、１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの条件下、静電容量が最大を示す点（転移点）の温度を基準（０％）とし、転移点から±５０℃偏位した時の静電容量の温度変化率（以下、「容量温度変化率」という）ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０を測定し、静電容量の温度特性を評価した。
【００６３】
尚、温度特性をこのように評価したのは、例えば、−２５℃と＋８５℃の静電容量の温度変化率で評価した場合、転移点が常温近傍にない試料もあるため比較し難くなるためである。
【００６４】
また、各試料の静電容量の最大値、すなわち転移点における静電容量Ｃｍａｘ（Ｆ）と試料の電極の直径Ｄ（ｍ）及び厚みＴ（ｍ）とから数式（１）に基づき最大比誘電率εｍａｘを算出した。
【００６５】
【数１】

ここで、ε_０は真空誘電率（＝８．８５４×１０^−１２（Ｆ／ｍ））である。
【００６６】
交流破壊電圧は、試料の両端に交流電圧を印加し、破壊したときの電圧を厚み１ｍｍ当たりに換算して算出した。
【００６７】
絶縁抵抗は、絶縁抵抗計を使用し、２５０Ｖの電圧を２分間印加して測定した。
【００６８】
表３、表４は、これらの測定結果を示している。
【００６９】
【表３】

【００７０】
【表４】

試料番号１〜１１は、ｘ、ｙが本発明範囲内と本発明範囲外の試料を示している。
【００７１】
試料番号１０、１１はｘが０．３０であり０．２５を超えているため、Ｃａの含有量が過剰となり、このため焼結性が低下し、１４００℃で焼成しても焼結不足になることが確認された。すなわち、試料番号１０、１１では、焼結させるには１４００℃を超える温度で焼成する必要があり、生産コストの高騰化を招くおそれがある。
【００７２】
また、試料番号８、９はｙが０．３０であり０．２５を超えているため、Ｚｒの含有量が過剰となり、このため焼結性が低下し、１４００℃で焼成しても焼結不足になることが確認された。すなわち、試料番号８、９は、試料番号１０、１１と同様、焼結させるには１４００℃を超える温度で焼成する必要があり、生産コストの高騰化を招くおそれがある。
【００７３】
これに対して試料番号１〜７はｘ、ｙが本発明範囲内であるので、１４００℃未満での焼成温度で焼結可能なことが分った。
【００７４】
試料番号１２〜１６は、Ｅｒ_２Ｏ_３の含有量が本発明範囲内と本発明範囲外とを示している。
【００７５】
試料番号１２は、組成物中にＥｒ_２Ｏ_３を含んでいないため、容量温度変化率ΔΔＣ_−５０、Ｃ_＋５０のいずれもが−６０％よりも負側に偏位し、温度特性が劣化している。また、試料番号１６は、Ｅｒ_２Ｏ_３の含有量が、５重量部を超えているため、最大比誘電率が５６００であり、６０００未満に低下することが分った。
【００７６】
これに対して試料番号１３〜１５は、Ｅｒ_２Ｏ_３の含有量が本発明範囲内であるので、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが−６０％以内であり、６０００以上の最大比誘電率を確保しつつ、良好な静電容量の温度特性を得ることができる。
【００７７】
試料番号１７〜２０は、ＭｇＯの含有量が本発明範囲内と本発明範囲外とを示している。
【００７８】
試料番号１７は、組成物中にＭｇＯを含んでいないため、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが−６０％よりも負側に偏位し、温度特性が劣化している。また、試料番号２０は、ＭｇＯの含有量が、２重量部を超えているため、最大比誘電率が５５００であり、６０００未満に低下することが分った。
【００７９】
これに対して試料番号１８、１９は、ＭｇＯの含有量が本発明範囲内であるので、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが−６０％以内であり、６０００以上の最大比誘電率を確保しつつ、良好な静電容量の温度特性を得ることができる。
【００８０】
試料番号２１〜２５は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が本発明範囲内と本発明範囲外とを示している。
【００８１】
試料番号２１は、組成物中にＡｌ_２Ｏ_３を含んでいないため、交流破壊電圧が４．６ｋＶ／ｍｍと小さい。また、試料番号２５は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が、２．５重量部を超えているため、絶縁抵抗が３．３×１０^８Ωに低くなることが分った。
【００８２】
これに対し、試料番号２２〜２４は、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量が本発明範囲内であるので、１．０×１０^１０Ω以上の絶縁抵抗を確保しつつ、５．０ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧を得ることができる。
【００８３】
試料番号２６〜２９は、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３の含有量のうち、２種の材料が本発明範囲外の試料を示している。
【００８４】
試料番号２６は、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３のいずれも含まれていないため、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが、−６０％よりも負側に偏位し、また交流破壊電圧が、４．６ｋＶ／ｍｍであり、５．０ｋＶ／ｍｍよりも小さくなることが分った。
【００８５】
試料番号２７は、Ｅｒ_２Ｏ_３は０．９重量部含まれているが、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３が含まれていないため、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが、−６０％よりも負側に偏位し、また交流破壊電圧が、４．８ｋＶ／ｍｍであり、５．０ｋＶ／ｍｍよりも小さくなることが分った。
【００８６】
試料番号２８は、ＭｇＯは０．６重量部含まれているが、Ｅｒ_２Ｏ_３とＡｌ_２Ｏ_３が含まれていないため、試料番号３３と同様、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが、−６０％よりも負側に偏位し、また交流破壊電圧が、４．８ｋＶ／ｍｍであり、５．０ｋＶ／ｍｍよりも小さくなることが分った。
【００８７】
試料番号２９は、Ａｌ_２Ｏ_３は０．１重量部含まれているため交流破壊電圧は５．２ｋＶ／ｍｍと良好であるが、Ｅｒ_２Ｏ_３とＭｇＯが含まれていないため、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０のいずれもが、−６０％よりも負側に偏位し、温度特性が悪いことが分った。
【００８８】
これに対し試料番号３０は、Ｅｒ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３のいずれもが本発明範囲内であるので、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０は−６０％よりも正側を維持し、しかも交流破壊電圧が５．４ｋＶ／ｍｍであり、５．０ｋＶ／ｍｍ以上の高い交流破壊電圧を得ることのできることが分った。
【００８９】
試料番号３１〜３６はａを本発明範囲内で増減させた場合の特性を示している。
【００９０】
各測定結果は、いずれも容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０が−６０％以内、最大比誘電率は６０００以上、交流破壊電圧は５．０ｋＶ／ｍｍ以上であり、絶縁抵抗は１．０×１０^９Ω以上となり、良好な電気的特性を得ている。
【００９１】
特に、試料番号３２〜３５は、モル比ａが０．９６５〜１．０３０であるので、絶縁抵抗が１．０×１０^１１Ω以上となり、より一層高い絶縁抵抗を得ることができた。
【００９２】
〔第２の実施例〕
出発材料として、第１の実施例の出発材料に加え、ＭｎＯ、ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５のうちの少なくも１種を適宜添加し、第１の実施例と同様の方法・手順で試料番号４１〜５８の試料を作製した。
【００９３】
表５はその成分組成を示す。
【００９４】
【表５】

次に、第１の実施例と同様、容量温度変化率ΔＣ_−５０、ΔＣ_＋５０、最大比誘電率、絶縁抵抗、及び交流破壊電圧を測定した。
【００９５】
表６はその測定結果を示している。
【００９６】
【表６】

試料番号４１〜４４は、ＭｎＯの含有量に対する特性変化を示している。
【００９７】
試料番号４１〜４３から明らかなように、誘電体磁器組成物にＭｎＯを含有させることにより、焼成温度を低下させることができる。
【００９８】
しかしながら、試料番号４４のようにＭｎＯの含有量が主成分１００重量部に対し２重量部を超えると、焼成温度をさらに低下させることができず、絶縁抵抗が８．３×１０^９Ωに低下することが分かった。
【００９９】
試料番号４５〜４９は、ＳｉＯ_２の含有量に対する特性変化を示している。
【０１００】
試料番号４５〜４８から明らかなように、誘電体磁器組成物にＳｉＯ_２を含有させることにより、焼成温度を低下させることができる。
【０１０１】
しかしながら、試料番号４９のようにＳｉＯ_２の含有量が主成分１００重量部に対し２重量部を超えると、焼成温度をさらに低下させることができず、絶縁抵抗が７．３×１０^９Ωに低下することが分った。
【０１０２】
試料番号５０〜５４は、Ｎｂ_２Ｏ_５の含有量に対する特性変化を示している。
【０１０３】
試料番号５０〜５３から明らかなように、誘電体磁器組成物にＮｂ_２Ｏ_５を含有させることにより、絶縁抵抗を大きくすることができる。
【０１０４】
しかしながら、試料番号５４のようにＮｂ_２Ｏ_５の含有量が主成分１００重量部に対し１重量部を超えると、過剰添加となり絶縁抵抗が２．３×１０^９Ωに低下することが分った。
【０１０５】
試料番号５５〜５８は、ＭｎＯ、ＳｉＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５のうちの少なくとも２つ以上を所定量添加した場合を示している。
【０１０６】
この試料番号５５〜５８から明らかなように、ＭｎＯ又は／及びＳｉＯ_２を添加することにより、焼成温度を低下させることができ、さらにこれらＭｎＯ又は／及びＳｉＯ_２に加え、Ｎｂ_２Ｏ_５を添加することにより、焼成温度を低下させることができ、また絶縁抵抗を大きくできることが確認された。
【０１０７】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明に係る誘電体磁器組成物は、主成分が、一般式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３で表されると共に、０＜ｘ≦０．２５、０＜ｙ≦０．２５、０．９６０≦ａ≦１．０３５とされ、かつ、前記主成分１００重量部に対し、Ｅｒ化合物が、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算して５重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ｍｇ化合物が、ＭｇＯに換算して２重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ａｌ化合物が、Ａｌ_２Ｏ_３に換算して２．５重量部以下（但し、０重量部を除く）でそれぞれ含有されているので、静電容量の温度特性や絶縁性を損なうこともなく、最大比誘電率が高く、かつ高い交流破壊電圧を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
【０１０８】
また、前記主成分１００重量部に対し、Ｍｎ化合物を、ＭｎＯに換算して２重量部以下又は／及びＳｉ化合物が、ＳｉＯ_２に換算して２重量部以下含有することにより、焼成温度の低温化が可能となる。
【０１０９】
また、前記主成分１００重量部に対し、Ｎｂ化合物を、Ｎｂ_２Ｏ_５に換算して１重量部以下含有することにより、絶縁抵抗を向上させることが可能となる。
【０１１０】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック焼結体が上記誘電体磁器組成物からなり、前記セラミック焼結体に電極が形成されているので、転移点の静電容量を基準に該転移点から±５０℃偏位した時の容量温度変化率が−６０％以内であり、最大比誘電率が６０００以上と高く、交流破壊電圧も５．０ｋＶ／ｍｍ以上と高く、絶縁抵抗も１．０×１０^９Ω以上（好ましくは１．０×１０^１１Ω以上）を確保することができる電気的特性に優れた高誘電率系のセラミック電子部品を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の誘電体磁器組成物を使用して製造されたセラミック電子部品としての単板コンデンサの一実施の形態を示す一部破断正面図である。
【符号の説明】
１ セラミック焼結体
２ 電極部

Claims (6)

1. 主成分が、一般式（Ｂａ_１−ｘＣａ_ｘ）_ａ（Ｔｉ_１−ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３で表されると共に、
   ０＜ｘ≦０．２５、０＜ｙ≦０．２５、０．９６０≦ａ≦１．０３５とされ、
   かつ、前記主成分１００重量部に対し、Ｅｒ化合物が、Ｅｒ_２Ｏ_３に換算して５重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ｍｇ化合物が、ＭｇＯに換算して２重量部以下（但し、０重量部を除く）、Ａｌ化合物が、Ａｌ_２Ｏ_３に換算して２．５重量部以下（但し、０重量部を除く）それぞれ含有されていることを特徴とする誘電体磁器組成物。
2. ａが、０．９６５≦ａ≦１．０３０であることを特徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
3. 前記主成分１００重量部に対し、Ｍｎ化合物が、ＭｎＯに換算して２重量部以下含有されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の誘電体磁器組成物。
4. 前記主成分１００重量部に対し、Ｓｉ化合物が、ＳｉＯ_２に換算して２重量部以下含有されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
5. 前記主成分１００重量部に対し、Ｎｂ化合物が、Ｎｂ_２Ｏ_５に換算して１重量部以下含有されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。
6. セラミック焼結体が請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物からなり、前記セラミック焼結体に電極が形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。

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