JP2004238670A - コンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに電解コンデンサ - Google Patents
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 83
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 12
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 3
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 3
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 2
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910018580 Al—Zr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
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Abstract
【課題】小型でかつ従来よりも大容量の電解コンデンサの提供を可能ならしめる電極材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子又はＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子１が相接して多孔質体に成形、焼結され、かつ金属間化合物微粒子１の表面に酸化皮膜３が形成された構成とする。本構成の電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子又はＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、これを加熱焼結し、次いで化成処理を行うことによって製造できる。金属間化合物微粒子１の粒径は０．０５〜１５０μｍの範囲に設定するのが好ましい。
【選択図】 図１
【解決手段】Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子又はＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子１が相接して多孔質体に成形、焼結され、かつ金属間化合物微粒子１の表面に酸化皮膜３が形成された構成とする。本構成の電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子又はＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、これを加熱焼結し、次いで化成処理を行うことによって製造できる。金属間化合物微粒子１の粒径は０．０５〜１５０μｍの範囲に設定するのが好ましい。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、大きな静電容量が得られるコンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに該電極材料を用いた電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気機器のデジタル化が進むのに伴い、例えば携帯電話やパーソナルコンピューター等の電子機器に使用されるコンデンサとしては小型で大容量のものが望まれている。このようなコンデンサの中でアルミニウム型電解コンデンサの電極箔としては、従来のアルミニウム材料からＡｌ−Ｔｉ系合金、Ａｌ−Ｎｂ系合金等に代替することが提案されている（特許文献１参照）。この技術は、Ａｌマトリックス（α相）中にＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｂ等の金属間化合物を微細分散させることによって静電容量を増大させたものである。
【０００３】
また、Ａｌ−ＺｒまたはＡｌ−Ｈｆの金属間化合物の微粒子を多孔質状に成形、焼結してなる電極材料を用いることが提案されている（特許文献２、３参照）。この技術では、金属間化合物の微粒子を焼結しているので、特許文献１に記載された電極と比べて金属間化合物の分布がより均一になると共に電極の表面に高密度で金属間化合物が現れるので、静電容量をさらに増大させることが可能である。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１−１２４２１２号公報（請求項１）
【０００５】
【特許文献２】
特開平５−３１１２７５号公報（請求項１）
【０００６】
【特許文献３】
特開平６−２９５８４４号公報（請求項１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、電気自動車、燃料電池自動車の開発が盛んになってきており、一部において実用化もされているが、このような電気自動車や燃料電池自動車等に用いられるコンデンサとしては、小型であってさらに大容量のものが必要とされている。しかしながら、前記特許文献２、３に記載された電極を用いて構成したコンデンサでは、これらの用途に用いるには静電容量は未だ十分と言えるものではなく、これらの新しい用途にも十分に適したコンデンサを提供するべく、コンデンサの静電容量をさらに一層向上させることが強く求められていた。
【０００８】
この発明は、かかる技術的背景に鑑みてなされたものであって、従来よりもさらに大きな静電容量が得られるコンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに小型でかつ大容量の電解コンデンサを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
【００１０】
（１）Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面に酸化皮膜が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
【００１１】
（２）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面に酸化皮膜が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
【００１２】
（３）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
【００１３】
（４）前記金属間化合物微粒子の粒径が０．０５〜１５０μｍである前項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極材料。
【００１４】
（５）前記金属間化合物微粒子の粒径が０．５〜１００μｍである前項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極材料。
【００１５】
（６）前項１〜５のいずれか１項に記載の電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。
【００１６】
（７）Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、該多孔質体を加熱して焼結し、次いで化成処理を行うことを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００１７】
（８）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、該多孔質体を加熱して焼結し、次いで化成処理を行うことを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００１８】
（９）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、前記窒化したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を加熱して焼結する工程と、前記焼結した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００１９】
（１０）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、前記窒化した多孔質体を加熱して焼結する工程と、前記焼結した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００２０】
（１１）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を加熱して焼結する工程と、前記焼結した多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、前記窒化した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００２１】
（１２）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱することによって窒化すると共に焼結する工程と、前記焼結体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００２２】
（１３）前項７〜１２のいずれか１項に記載の製造方法により製造された電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。
【００２３】
（１）の発明では、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００２４】
（２）の発明では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００２５】
（３）の発明では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。更に、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層の間にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層が存在するので、漏れ電流の発生を効果的に防止することができる。これにより、小型でかつ一層大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００２６】
（４）の発明では、十分な電極表面積が得られるので、静電容量をより一層大きくすることができる。
【００２７】
（５）の発明では、静電容量をさらに大きくすることができる利点がある。
【００２８】
（６）の発明では、小型でかつ大容量の電解コンデンサが提供される。
【００２９】
（７）の発明では、（１）の発明に係る電極材料を生産効率良くかつ確実に製造することができる。この製造方法により得られたコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。
【００３０】
（８）の発明では、（２）の発明に係る電極材料を生産効率良くかつ確実に製造することができる。この製造方法により得られたコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。
【００３１】
（９）〜（１２）の発明では、（３）の発明に係る電極材料を生産効率良くかつ確実に製造することができる。この製造方法により得られたコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できると共に、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層の間にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層が存在するので、漏れ電流の発生を効果的に防止することができる。
【００３２】
なお、これら（９）〜（１２）の発明の中でも、（３）の発明の電極材料の製造方法として特に好適なのは（９）の発明に係る製造方法である。この製造方法では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物が微粒子状態で窒化処理されるので、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面に窒化層を確実に形成することができて、より高品質の電極材料を製造することができる。
【００３３】
（１３）の発明では、小型でかつ大容量の電解コンデンサが提供される。
【００３４】
【発明の実施の形態】
この発明に係るコンデンサ用電極材料における微細構造の一例を図１に示す。このコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子（１）…またはＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されたものからなり、前記金属間化合物微粒子（１）の表面に酸化皮膜（３）が形成されたものである。多数の金属間化合物微粒子（１）…が空隙部（４）を残存する態様で相接して成形されることによって多孔質構造に形成されている。
【００３５】
このように金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形、焼結されていることに加えて、微粒子（１）表面に形成されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏ系酸化皮膜又はＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保することができる。
【００３６】
前記金属間化合物微粒子（１）としてＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を用いる場合には、図２に示すように、金属間化合物微粒子（１）の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）が形成された構成を採用するのが好ましい。Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）の表面とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）の間にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）が存在することによって、漏れ電流の発生を効果的に防止することができるものとなる。
【００３７】
このような窒化層（２）は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）の周囲の少なくとも一部に形成されていれば良いが、特に好ましい形態は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）からなる核部の周囲全体にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）が形成された構成である。このようにＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）の表面の全体が窒化されている場合には、漏れ電流をさらに低減できるので、より大容量（静電容量）の電解コンデンサを提供できる。
【００３８】
前記Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物としては、特に限定されるものではないが、例えばＴｉ３ Ａｌ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌ２ 、ＴｉＡｌ３ 等を例示できる。また、前記Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物としては、特に限定されるものではないが、例えばＮｂ３ Ａｌ、Ｎｂ２ Ａｌ、ＮｂＡｌ３ 等を例示できる。
【００３９】
この発明において、前記金属間化合物微粒子（１）の粒径は０．０５〜１５０μｍであるのが好ましい。０．０５μｍのものは製造が困難であり、このような粒径のものを得ようとすると非常に高コストとなるので好ましくないし、一方１５０μｍを超えると一定体積当たりの電極表面積が小さくなって静電容量が低下するので好ましくない。中でも、金属間化合物微粒子（１）の粒径は０．５〜１００μｍの範囲であるのがより好ましい。前記金属間化合物微粒子（１）は、例えばアトマイズ法によって作ることができる。
【００４０】
この発明に係る電解コンデンサは、上記コンデンサ用電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたものである。この発明のコンデンサ用電極材料を電極に用いているので、小型でかつ大容量の電解コンデンサとなる。
【００４１】
この発明に係るコンデンサ用電極材料は、例えば次のような製造方法で製造できる。まず、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子（１）…またはＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…を加圧成形することによって多孔質体を得る。これらに少量のＡｌやＴｉ、Ｎｂ、並びに不可避不純物を含んでも、本効果が損なわれることはない。前記加圧成形の手法としては、例えば一軸成形プレス機を用いて行う方法等が挙げられるが、特にこのような手法に限定されるものではない。この時、加圧圧力は５０〜１５０ＭＰａに設定するのが好ましい。
【００４２】
次いで、得られた多孔質体を加熱して焼結する。焼結温度は１０００〜１４５０℃の範囲に設定するのが好ましい。
【００４３】
次に、得られた多孔質焼結体の化成処理を行う。化成処理としては、特に限定されるものではないが、例えばホウ酸浴あるいはアジピン酸浴中での化成処理等が挙げられる。この化成処理の条件も特に限定されない。
【００４４】
前記加圧成形工程、焼結工程、化成処理工程を経ることによって、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子（１）…またはＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形、焼結されてなり、かつ前記金属間化合物微粒子（１）の表面に酸化皮膜（３）が形成されたコンデンサ用電極材料が得られる（図１参照）。
【００４５】
次に、図２に示すような、金属間化合物微粒子（１）の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）が形成された構成の電極材料を製造するのに好適に用いられる製造方法について説明する。
【００４６】
まず、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で高温加熱して窒化する。この時の加熱温度は４００〜７００℃の範囲に設定するのが好ましく、この場合にはＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物の生成量を増大できる。特に好ましい加熱温度は５００〜６００℃である。なお、前記窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％未満の場合には、窒化物の生成量が少なくなり、漏れ電流発生防止効果が十分に得られなくなる。中でも、前記窒化処理の際の雰囲気は、窒素ガス含有率が４０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気とするのが好ましい。このような条件で製造する場合には、窒化物の生成量を増大できるので、漏れ電流を一層低減することができる。
【００４７】
前記不活性雰囲気として、窒素ガス以外のガスを用いる場合には、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを用いるのが好ましく、これにより酸化等の反応を生じさせることなく目的とする窒化反応を確実に行わしめることができる。
【００４８】
次いで、窒化したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…を加圧成形することによって多孔質体を得る。加圧成形の手法としては、例えば一軸成形プレス機を用いて行う方法等が挙げられるが、特にこのような手法に限定されるものではない。この時、加圧圧力は５０〜１５０ＭＰａに設定するのが好ましい。
【００４９】
次いで、得られた多孔質体を加熱して焼結する。焼結温度は１０００〜１４５０℃の範囲に設定するのが好ましい。
【００５０】
次に、前記焼結した多孔質体を化成処理する。化成処理としては、特に限定されるものではないが、例えばホウ酸浴あるいはアジピン酸浴中での化成処理等が挙げられる。この化成処理の条件も特に限定されない。
【００５１】
前記窒化工程、成形工程、焼結工程、化成処理工程を経ることによって、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形、焼結されてなり、かつ前記金属間化合物微粒子（１）の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）が形成されたコンデンサ用電極材料が得られる（図２参照）。
【００５２】
なお、上記実施形態では、成形工程の前に窒化処理を行うようにしているが、この窒化処理は、例えば成形工程と焼結工程の間で行うものとしても良いし、或いは焼結工程と化成処理工程の間で行うものとしても良いし、或いはまた焼結工程において焼結と同時に行うようにして良い。
【００５３】
【実施例】
次に、この発明の具体的実施例について説明する。
【００５４】
＜実施例１＞
平均粒径０．０５μｍのＡｌ３ Ｔｉ金属間化合物微粒子（粉末）を一軸プレス成形機を用いて圧力１００ＭＰａで加圧成形することによって、リード線が繋がれた多孔質成形体（３ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ）を得た。この多孔質成形体を真空中において１４００℃で１時間加熱して焼成した。次に、得られた焼結体をホウ酸水溶液で煮沸処理した後、燐酸アンモニウム水溶液中で２５Ｖの化成処理を行って、コンデンサ用電極材料を作製した。
【００５５】
＜実施例２〜５、１４＞
Ａｌ３ Ｔｉ金属間化合物微粒子として、粒径が表１に示す大きさであるものを用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００５６】
＜実施例６＞
平均粒径０．０５μｍのＡｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子（粉末）を一軸プレス成形機を用いて圧力１００ＭＰａで加圧成形することによって、リード線が繋がれた多孔質成形体（３ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ）を得た。この多孔質成形体を真空中において１４００℃で１時間加熱して焼成した。次に、得られた焼結体をアジピン酸アンモニウム水溶液中で２５Ｖの化成処理を行って、コンデンサ用電極材料を作製した。
【００５７】
＜実施例７〜１０＞
Ａｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子として、粒径が表１に示す大きさであるものを用いた以外は、実施例６と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００５８】
＜実施例１１＞
平均粒径０．０５μｍのＡｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子（粉末）を、窒素ガス雰囲気中で６００℃で１０時間加熱して窒化した。これを一軸プレス成形機を用いて圧力１００ＭＰａで加圧成形することによって、リード線が繋がれた多孔質成形体（３ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ）を得た。この多孔質成形体を真空中において１４００℃で１時間加熱して焼成した。次に、得られた焼結体をアジピン酸アンモニウム水溶液中で２５Ｖの化成処理を行って、コンデンサ用電極材料を作製した。
【００５９】
＜実施例１２、１３＞
Ａｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子として、粒径が表１に示す大きさであるものを用いた以外は、実施例１１と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００６０】
＜比較例１＞
微粒子として、平均粒径が４５μｍのアルミニウムを用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００６１】
上記のようにして得られた各コンデンサ用電極材料を電解液（アジピン酸アンモニウム水溶液）中にセットし、ＣＶ積（μＦＶ／ｃｍ２ ）およびＬＣ値（漏れ電流量）を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】
表１から明らかなように、この発明に係る実施例１〜１４の電極材料を用いた電解コンデンサは、大きな静電容量が得られた。また、窒化層が形成された実施例１１〜１３では、漏れ電流が非常に少ないものとなった。
【００６４】
これに対し、比較例１の電極材料を用いた電解コンデンサは、静電容量は小さいものであった。
【００６５】
【発明の効果】
第１、２の発明によれば、電極としてより大きな静電容量を確保できる。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００６６】
第３の発明によれば、電極としてより大きな静電容量を確保できると共に、窒化層の存在により漏れ電流の発生を十分に防止することができる。これにより、小型でさらに大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００６７】
第４の発明によれば、静電容量をより一層増大できる。
【００６８】
第５の発明によれば、静電容量をさらに増大させることができる。
【００６９】
第６の発明によれば、小型でかつ大容量の電解コンデンサを提供できる。
【００７０】
第７の発明によれば、第１の発明の電極材料を生産効率良くかつ確実に製造できる。
【００７１】
第８の発明によれば、第２の発明の電極材料を生産効率良くかつ確実に製造できる。
【００７２】
第９〜１２の発明によれば、第３の発明の電極材料を生産効率良くかつ確実に製造できる。
【００７３】
第１３の発明によれば、小型でかつ大容量の電解コンデンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の電極材料の微細構造の一例を拡大して示す模式図である。
【図２】この発明の電極材料の微細構造の他の例を拡大して示す模式図である。
【符号の説明】
１…金属間化合物微粒子
２…窒化層
３…酸化皮膜層
【発明の属する技術分野】
この発明は、大きな静電容量が得られるコンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに該電極材料を用いた電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電気機器のデジタル化が進むのに伴い、例えば携帯電話やパーソナルコンピューター等の電子機器に使用されるコンデンサとしては小型で大容量のものが望まれている。このようなコンデンサの中でアルミニウム型電解コンデンサの電極箔としては、従来のアルミニウム材料からＡｌ−Ｔｉ系合金、Ａｌ−Ｎｂ系合金等に代替することが提案されている（特許文献１参照）。この技術は、Ａｌマトリックス（α相）中にＡｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｂ等の金属間化合物を微細分散させることによって静電容量を増大させたものである。
【０００３】
また、Ａｌ−ＺｒまたはＡｌ−Ｈｆの金属間化合物の微粒子を多孔質状に成形、焼結してなる電極材料を用いることが提案されている（特許文献２、３参照）。この技術では、金属間化合物の微粒子を焼結しているので、特許文献１に記載された電極と比べて金属間化合物の分布がより均一になると共に電極の表面に高密度で金属間化合物が現れるので、静電容量をさらに増大させることが可能である。
【０００４】
【特許文献１】
特開平１−１２４２１２号公報（請求項１）
【０００５】
【特許文献２】
特開平５−３１１２７５号公報（請求項１）
【０００６】
【特許文献３】
特開平６−２９５８４４号公報（請求項１）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、電気自動車、燃料電池自動車の開発が盛んになってきており、一部において実用化もされているが、このような電気自動車や燃料電池自動車等に用いられるコンデンサとしては、小型であってさらに大容量のものが必要とされている。しかしながら、前記特許文献２、３に記載された電極を用いて構成したコンデンサでは、これらの用途に用いるには静電容量は未だ十分と言えるものではなく、これらの新しい用途にも十分に適したコンデンサを提供するべく、コンデンサの静電容量をさらに一層向上させることが強く求められていた。
【０００８】
この発明は、かかる技術的背景に鑑みてなされたものであって、従来よりもさらに大きな静電容量が得られるコンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに小型でかつ大容量の電解コンデンサを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
【００１０】
（１）Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面に酸化皮膜が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
【００１１】
（２）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面に酸化皮膜が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
【００１２】
（３）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
【００１３】
（４）前記金属間化合物微粒子の粒径が０．０５〜１５０μｍである前項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極材料。
【００１４】
（５）前記金属間化合物微粒子の粒径が０．５〜１００μｍである前項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極材料。
【００１５】
（６）前項１〜５のいずれか１項に記載の電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。
【００１６】
（７）Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、該多孔質体を加熱して焼結し、次いで化成処理を行うことを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００１７】
（８）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、該多孔質体を加熱して焼結し、次いで化成処理を行うことを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００１８】
（９）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、前記窒化したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を加熱して焼結する工程と、前記焼結した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００１９】
（１０）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、前記窒化した多孔質体を加熱して焼結する工程と、前記焼結した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００２０】
（１１）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を加熱して焼結する工程と、前記焼結した多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、前記窒化した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００２１】
（１２）Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、前記多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱することによって窒化すると共に焼結する工程と、前記焼結体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
【００２２】
（１３）前項７〜１２のいずれか１項に記載の製造方法により製造された電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。
【００２３】
（１）の発明では、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００２４】
（２）の発明では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００２５】
（３）の発明では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。更に、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層の間にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層が存在するので、漏れ電流の発生を効果的に防止することができる。これにより、小型でかつ一層大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００２６】
（４）の発明では、十分な電極表面積が得られるので、静電容量をより一層大きくすることができる。
【００２７】
（５）の発明では、静電容量をさらに大きくすることができる利点がある。
【００２８】
（６）の発明では、小型でかつ大容量の電解コンデンサが提供される。
【００２９】
（７）の発明では、（１）の発明に係る電極材料を生産効率良くかつ確実に製造することができる。この製造方法により得られたコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。
【００３０】
（８）の発明では、（２）の発明に係る電極材料を生産効率良くかつ確実に製造することができる。この製造方法により得られたコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できる。
【００３１】
（９）〜（１２）の発明では、（３）の発明に係る電極材料を生産効率良くかつ確実に製造することができる。この製造方法により得られたコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形、焼結されている上に、微粒子表面に形成されたＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保できると共に、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層の間にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層が存在するので、漏れ電流の発生を効果的に防止することができる。
【００３２】
なお、これら（９）〜（１２）の発明の中でも、（３）の発明の電極材料の製造方法として特に好適なのは（９）の発明に係る製造方法である。この製造方法では、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物が微粒子状態で窒化処理されるので、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子の表面に窒化層を確実に形成することができて、より高品質の電極材料を製造することができる。
【００３３】
（１３）の発明では、小型でかつ大容量の電解コンデンサが提供される。
【００３４】
【発明の実施の形態】
この発明に係るコンデンサ用電極材料における微細構造の一例を図１に示す。このコンデンサ用電極材料は、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子（１）…またはＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されたものからなり、前記金属間化合物微粒子（１）の表面に酸化皮膜（３）が形成されたものである。多数の金属間化合物微粒子（１）…が空隙部（４）を残存する態様で相接して成形されることによって多孔質構造に形成されている。
【００３５】
このように金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形、焼結されていることに加えて、微粒子（１）表面に形成されたＡｌ−Ｔｉ−Ｏ系酸化皮膜又はＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜は誘電率が大きいので、より大きな静電容量を確保することができる。
【００３６】
前記金属間化合物微粒子（１）としてＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を用いる場合には、図２に示すように、金属間化合物微粒子（１）の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）が形成された構成を採用するのが好ましい。Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）の表面とＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）の間にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）が存在することによって、漏れ電流の発生を効果的に防止することができるものとなる。
【００３７】
このような窒化層（２）は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）の周囲の少なくとも一部に形成されていれば良いが、特に好ましい形態は、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）からなる核部の周囲全体にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）が形成された構成である。このようにＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）の表面の全体が窒化されている場合には、漏れ電流をさらに低減できるので、より大容量（静電容量）の電解コンデンサを提供できる。
【００３８】
前記Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物としては、特に限定されるものではないが、例えばＴｉ３ Ａｌ、ＴｉＡｌ、ＴｉＡｌ２ 、ＴｉＡｌ３ 等を例示できる。また、前記Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物としては、特に限定されるものではないが、例えばＮｂ３ Ａｌ、Ｎｂ２ Ａｌ、ＮｂＡｌ３ 等を例示できる。
【００３９】
この発明において、前記金属間化合物微粒子（１）の粒径は０．０５〜１５０μｍであるのが好ましい。０．０５μｍのものは製造が困難であり、このような粒径のものを得ようとすると非常に高コストとなるので好ましくないし、一方１５０μｍを超えると一定体積当たりの電極表面積が小さくなって静電容量が低下するので好ましくない。中でも、金属間化合物微粒子（１）の粒径は０．５〜１００μｍの範囲であるのがより好ましい。前記金属間化合物微粒子（１）は、例えばアトマイズ法によって作ることができる。
【００４０】
この発明に係る電解コンデンサは、上記コンデンサ用電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたものである。この発明のコンデンサ用電極材料を電極に用いているので、小型でかつ大容量の電解コンデンサとなる。
【００４１】
この発明に係るコンデンサ用電極材料は、例えば次のような製造方法で製造できる。まず、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子（１）…またはＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…を加圧成形することによって多孔質体を得る。これらに少量のＡｌやＴｉ、Ｎｂ、並びに不可避不純物を含んでも、本効果が損なわれることはない。前記加圧成形の手法としては、例えば一軸成形プレス機を用いて行う方法等が挙げられるが、特にこのような手法に限定されるものではない。この時、加圧圧力は５０〜１５０ＭＰａに設定するのが好ましい。
【００４２】
次いで、得られた多孔質体を加熱して焼結する。焼結温度は１０００〜１４５０℃の範囲に設定するのが好ましい。
【００４３】
次に、得られた多孔質焼結体の化成処理を行う。化成処理としては、特に限定されるものではないが、例えばホウ酸浴あるいはアジピン酸浴中での化成処理等が挙げられる。この化成処理の条件も特に限定されない。
【００４４】
前記加圧成形工程、焼結工程、化成処理工程を経ることによって、Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物微粒子（１）…またはＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形、焼結されてなり、かつ前記金属間化合物微粒子（１）の表面に酸化皮膜（３）が形成されたコンデンサ用電極材料が得られる（図１参照）。
【００４５】
次に、図２に示すような、金属間化合物微粒子（１）の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）が形成された構成の電極材料を製造するのに好適に用いられる製造方法について説明する。
【００４６】
まず、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で高温加熱して窒化する。この時の加熱温度は４００〜７００℃の範囲に設定するのが好ましく、この場合にはＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化物の生成量を増大できる。特に好ましい加熱温度は５００〜６００℃である。なお、前記窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％未満の場合には、窒化物の生成量が少なくなり、漏れ電流発生防止効果が十分に得られなくなる。中でも、前記窒化処理の際の雰囲気は、窒素ガス含有率が４０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気とするのが好ましい。このような条件で製造する場合には、窒化物の生成量を増大できるので、漏れ電流を一層低減することができる。
【００４７】
前記不活性雰囲気として、窒素ガス以外のガスを用いる場合には、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガスを用いるのが好ましく、これにより酸化等の反応を生じさせることなく目的とする窒化反応を確実に行わしめることができる。
【００４８】
次いで、窒化したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…を加圧成形することによって多孔質体を得る。加圧成形の手法としては、例えば一軸成形プレス機を用いて行う方法等が挙げられるが、特にこのような手法に限定されるものではない。この時、加圧圧力は５０〜１５０ＭＰａに設定するのが好ましい。
【００４９】
次いで、得られた多孔質体を加熱して焼結する。焼結温度は１０００〜１４５０℃の範囲に設定するのが好ましい。
【００５０】
次に、前記焼結した多孔質体を化成処理する。化成処理としては、特に限定されるものではないが、例えばホウ酸浴あるいはアジピン酸浴中での化成処理等が挙げられる。この化成処理の条件も特に限定されない。
【００５１】
前記窒化工程、成形工程、焼結工程、化成処理工程を経ることによって、Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子（１）…が相接して多孔質体に成形、焼結されてなり、かつ前記金属間化合物微粒子（１）の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層（２）を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層（３）が形成されたコンデンサ用電極材料が得られる（図２参照）。
【００５２】
なお、上記実施形態では、成形工程の前に窒化処理を行うようにしているが、この窒化処理は、例えば成形工程と焼結工程の間で行うものとしても良いし、或いは焼結工程と化成処理工程の間で行うものとしても良いし、或いはまた焼結工程において焼結と同時に行うようにして良い。
【００５３】
【実施例】
次に、この発明の具体的実施例について説明する。
【００５４】
＜実施例１＞
平均粒径０．０５μｍのＡｌ３ Ｔｉ金属間化合物微粒子（粉末）を一軸プレス成形機を用いて圧力１００ＭＰａで加圧成形することによって、リード線が繋がれた多孔質成形体（３ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ）を得た。この多孔質成形体を真空中において１４００℃で１時間加熱して焼成した。次に、得られた焼結体をホウ酸水溶液で煮沸処理した後、燐酸アンモニウム水溶液中で２５Ｖの化成処理を行って、コンデンサ用電極材料を作製した。
【００５５】
＜実施例２〜５、１４＞
Ａｌ３ Ｔｉ金属間化合物微粒子として、粒径が表１に示す大きさであるものを用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００５６】
＜実施例６＞
平均粒径０．０５μｍのＡｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子（粉末）を一軸プレス成形機を用いて圧力１００ＭＰａで加圧成形することによって、リード線が繋がれた多孔質成形体（３ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ）を得た。この多孔質成形体を真空中において１４００℃で１時間加熱して焼成した。次に、得られた焼結体をアジピン酸アンモニウム水溶液中で２５Ｖの化成処理を行って、コンデンサ用電極材料を作製した。
【００５７】
＜実施例７〜１０＞
Ａｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子として、粒径が表１に示す大きさであるものを用いた以外は、実施例６と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００５８】
＜実施例１１＞
平均粒径０．０５μｍのＡｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子（粉末）を、窒素ガス雰囲気中で６００℃で１０時間加熱して窒化した。これを一軸プレス成形機を用いて圧力１００ＭＰａで加圧成形することによって、リード線が繋がれた多孔質成形体（３ｍｍ×２ｍｍ×２ｍｍ）を得た。この多孔質成形体を真空中において１４００℃で１時間加熱して焼成した。次に、得られた焼結体をアジピン酸アンモニウム水溶液中で２５Ｖの化成処理を行って、コンデンサ用電極材料を作製した。
【００５９】
＜実施例１２、１３＞
Ａｌ３ Ｎｂ金属間化合物微粒子として、粒径が表１に示す大きさであるものを用いた以外は、実施例１１と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００６０】
＜比較例１＞
微粒子として、平均粒径が４５μｍのアルミニウムを用いた以外は、実施例１と同様にしてコンデンサ用電極材料を作製した。
【００６１】
上記のようにして得られた各コンデンサ用電極材料を電解液（アジピン酸アンモニウム水溶液）中にセットし、ＣＶ積（μＦＶ／ｃｍ２ ）およびＬＣ値（漏れ電流量）を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
表１から明らかなように、この発明に係る実施例１〜１４の電極材料を用いた電解コンデンサは、大きな静電容量が得られた。また、窒化層が形成された実施例１１〜１３では、漏れ電流が非常に少ないものとなった。
【００６４】
これに対し、比較例１の電極材料を用いた電解コンデンサは、静電容量は小さいものであった。
【００６５】
【発明の効果】
第１、２の発明によれば、電極としてより大きな静電容量を確保できる。これにより、小型でかつ大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００６６】
第３の発明によれば、電極としてより大きな静電容量を確保できると共に、窒化層の存在により漏れ電流の発生を十分に防止することができる。これにより、小型でさらに大容量の電解コンデンサの提供が可能となる。
【００６７】
第４の発明によれば、静電容量をより一層増大できる。
【００６８】
第５の発明によれば、静電容量をさらに増大させることができる。
【００６９】
第６の発明によれば、小型でかつ大容量の電解コンデンサを提供できる。
【００７０】
第７の発明によれば、第１の発明の電極材料を生産効率良くかつ確実に製造できる。
【００７１】
第８の発明によれば、第２の発明の電極材料を生産効率良くかつ確実に製造できる。
【００７２】
第９〜１２の発明によれば、第３の発明の電極材料を生産効率良くかつ確実に製造できる。
【００７３】
第１３の発明によれば、小型でかつ大容量の電解コンデンサを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の電極材料の微細構造の一例を拡大して示す模式図である。
【図２】この発明の電極材料の微細構造の他の例を拡大して示す模式図である。
【符号の説明】
１…金属間化合物微粒子
２…窒化層
３…酸化皮膜層
Claims (13)
- Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面に酸化皮膜が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
- Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面に酸化皮膜が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
- Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子が相接して多孔質体に成形され、かつ焼結されてなり、前記金属間化合物微粒子の表面にＡｌ−Ｎｂ−Ｎ系窒化層を介してＡｌ−Ｎｂ−Ｏ系酸化皮膜層が形成されていることを特徴とするコンデンサ用電極材料。
- 前記金属間化合物微粒子の粒径が０．０５〜１５０μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極材料。
- 前記金属間化合物微粒子の粒径が０．５〜１００μｍである請求項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ用電極材料。
- 請求項１〜５のいずれか１項に記載の電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。
- Ａｌ−Ｔｉ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、該多孔質体を加熱して焼結し、次いで化成処理を行うことを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
- Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得た後、該多孔質体を加熱して焼結し、次いで化成処理を行うことを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。
- Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を、窒素ガス含有率が２０ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、
前記窒化したＡｌ−Ｎｂ金属間化合物微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、
前記多孔質体を加熱して焼結する工程と、
前記焼結した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。 - Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、
前記多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、
前記窒化した多孔質体を加熱して焼結する工程と、
前記焼結した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。 - Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、
前記多孔質体を加熱して焼結する工程と、
前記焼結した多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱して窒化する工程と、
前記窒化した多孔質体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。 - Ａｌ−Ｎｂ金属間化合物の微粒子を加圧成形して多孔質体を得る工程と、
前記多孔質体を、窒素ガス含有率が２０ ｖｏｌ％以上である不活性雰囲気中で加熱することによって窒化すると共に焼結する工程と、
前記焼結体を化成処理する工程とを包含することを特徴とするコンデンサ用電極材料の製造方法。 - 請求項７〜１２のいずれか１項に記載の製造方法により製造された電極材料を陽極及び／又は陰極に用いて構成されたことを特徴とする電解コンデンサ。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Country Status (1)
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| RU2339110C1 (ru) * | 2007-11-12 | 2008-11-20 | Ооо "Восток" | Многослойный анод |
| CN100465311C (zh) * | 2007-07-12 | 2009-03-04 | 北京科技大学 | 一种制备高铌钛铝多孔材料的方法 |
| WO2013162720A1 (en) * | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Contact and interconnect metallization for solar cells |
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2003
- 2003-02-05 JP JP2003028517A patent/JP2004238670A/ja active Pending
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| US9184333B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-11-10 | Applied Materials, Inc. | Contact and interconnect metallization for solar cells |
| TWI662716B (zh) * | 2012-04-26 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | 太陽能電池之阻障金屬膏 |
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