RU2339110C1 - Многослойный анод - Google Patents

Многослойный анод Download PDF

Info

Publication number
RU2339110C1
RU2339110C1 RU2007141591/09A RU2007141591A RU2339110C1 RU 2339110 C1 RU2339110 C1 RU 2339110C1 RU 2007141591/09 A RU2007141591/09 A RU 2007141591/09A RU 2007141591 A RU2007141591 A RU 2007141591A RU 2339110 C1 RU2339110 C1 RU 2339110C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
metal
layer
base
substrate
anode
Prior art date
Application number
RU2007141591/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Игорь Владимирович Щербаков (RU)
Игорь Владимирович Щербаков
Владимир Владимирович Слепцов (RU)
Владимир Владимирович Слепцов
Original Assignee
Ооо "Восток"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ооо "Восток" filed Critical Ооо "Восток"
Priority to RU2007141591/09A priority Critical patent/RU2339110C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2339110C1 publication Critical patent/RU2339110C1/ru
Priority to DE212008000076U priority patent/DE212008000076U1/de
Priority to US12/740,987 priority patent/US8462483B2/en
Priority to PCT/RU2008/000714 priority patent/WO2009064220A2/ru
Priority to EP08849478.6A priority patent/EP2209130A4/de

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22Electrodes
    • H01G11/30Electrodes characterised by their material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области электротехники, в частности к многослойным пленочным электродам для электролитических конденсаторов. Предложенный многослойный анод выполнен в виде подложки с развитой поверхностью, на которой последовательно размещены конформный слой вентильного металла, связанный посредством гетероперехода, образованного геометрически замкнутыми между собой наночастицами металла подложки и вентильного металла, и оксидное покрытие. При этом подложка связана с пленочной основой через нанокомпозитный барьерный слой, представляющий собой дифференцированную смесь соединяемых материалов, содержание которых встречно изменяются, взаимно дополняя друг друга до 100%, где рабочая поверхность образована практически металлом подложки. Новым является то, что в качестве материала подложки использован металл с твердостью в 2-4 раза выше, чем у вентильного металла, преимущественно титан, а поры слоя вентильного металла ограничены размером в диапазоне 1-104 нм. Предложенное техническое решение позволило усовершенствовать многослойный анод для электролитического конденсатора, обеспечивая более высокие основные технические характеристики. 2 ил.

Description

Изобретение относится к основным элементам электрического оборудования, а более конкретно к многослойным пленочным электродам для электролитических конденсаторов.
Уровень данной области техники характеризует многослойный фольговый анодированный электрод с высокоразвитой поверхностью, описанный в изобретении DE 102004011567, Н05К 3/38, 2004 г., на токоведущей подложке которого, закрепленной на несущей пленочной основе, пригодной для рулонной переработки, нанесены слои вентильного металла и оксидного покрытия бимодальной морфологии, при сохранении фракталоподобной шероховатости границ раздела.
Адгезионное соединение, которое представляет собой наноструктурированный переходный слой развитой поверхности пленочной основы (из различных материалов) с осаждаемым из паровой фазы в вакууме алюминием подложки анода.
На активированную ионной бомбардировкой шероховатую поверхность основы в квазиедином процессе в среде инертного газа пониженного давления напыляют металл, предпочтительно алюминий. При этом формируется наноструктура в виде дифференцированной смеси материала основы и напыляемого металла, количество которого по мере роста переходного нанослоя увеличивается, достигая 100%, так как составляющая материала основы соответственно плавно уменьшается в объеме, практически исчезая на поверхности этого адгезионного слоя.
Таким образом материал основы в формируемом нанокомпозитном адгезионном слое толщиной от нескольких нанометров до нескольких микрометров постепенно переходит в напыляемый токоведущий металл, чем обеспечивается высокая прочность соединения структурных элементов анода, имеющих сродственную связь.
Нанокомпозитный переходный слой обеспечивает лиофобность соединения и служит барьером, предотвращающим взаимодиффузию по границе раздела основа-подложка.
Прочность адгезионного соединения токоведущего слоя с полимерной основой может быть увеличена за счет выполнения переходного слоя упорядоченным посредством формирования алмазоподобного нанослоя sp3-гибридизации атомов аморфного углерода (α-С:Н) по способу RU 2217394, С03С 17/34, G02В 5/28, 2003 г., что существенно улучшает пластические свойства переходного участка, обеспечивая эластичность многослойному материалу, пригодному для рулонной технологии изготовления анодов.
Далее напыляется вентильный металл (предпочтительно пористый алюминий) методом испарения на поверхность алюминиевой фольги в условиях атмосферы инертного газа низкого давления в присутствии кислорода, имеющего давление на 1-2 порядка ниже. Развитие рабочей поверхности при этом происходит за счет добавления материала, а не его удалением (как при обычном травлении), поэтому анод для электролитических конденсаторов характеризуется использованием более тонкой фольги в качестве токоведущей подложки.
Особенностью диэлектрического оксидного слоя этого анода является его бимодальная морфология, плотный однородный оксид, дискретно осажденный на развитую поверхность подложки, и пористое оксидное покрытие, сформированное электролитическим анодированием.
Недостатком описанного многослойного анода является неудовлетворительная функциональная надежность из-за миграционных процессов взаимодиффузии при эксплуатации по границам автономных включений вентильного металла с материалами примыкающих слоев подложки и оксидного, что приводит к нестабильности основных технических характеристик электролитического конденсатора, заметно снижая срок его службы.
Отмеченный недостаток устранен в многослойном пленочном аноде для электролитического конденсатора, описанном в патенте RU 56709, Н01G 9/04, 2006 г., который по технической сущности и числу совпадающих признаков выбран в качестве наиболее близкого аналога предложенному.
Известный многослойный анод для электролитического конденсатора характеризуется более широкими технологическими возможностями за счет использования различных материалов несущей пленочной основы, которые равно адаптируются с функциональными пленочными покрытиями посредством адгезионного нанокомпозитного барьерного слоя.
При этом анод имеет повышенные удельную емкость и диэлектрическую проницаемость, а также за счет высокой адгезионной прочности сцепления структурных слоев в нем улучшены механические характеристики и пластичность, что позволяет изготавливать многослойный анод по рулонной технологии последовательного нанесения на пленочную основу всех покрытий и слоев в квазиедином процессе ионно-плазменного напыления материалов из паровой фазы в вакууме контролируемой атмосферы инертного и химически активного газов. Это создает универсальность технологии, исключает разрывы потока и снижает затраты на производство.
Выполнение включений пористого алюминия в виде конформного слоя оксидного покрытия, подобного развитому профилю подложки, кратно увеличивает контактную поверхность взаимодействия с электролитом конденсатора, чем заметно увеличивается его удельная емкость.
Вентильный металл в виде слоя покрытия из пористого алюминия обеспечивает развитую открытую поверхности, доступную для заполнения электролитом, что позволяет использовать в конденсаторе твердый электролит, расширяя тем самым технологические возможности использования по назначению.
Технологическое обеспечение средствами ионно-плазменного напыления вентильного металла электрохимической активности в итоге направлено на создание более толстого слоя качественного оксида для увеличения рабочего напряжения конденсатора повышенной емкости.
Связь конформного слоя вентильного металла с развитой поверхностью подложки посредством гетероперехода, который представляет собой наноструктурированную композицию из материала подложки и напыленного вентильного металла при стимулированной ионами инертного и химически активного газов диффузии, позволяет расширить технологические возможности создания пленочного анода на практически любом носителе, исключив резкие границы раздела формообразующих слоев.
Однако недостатком известного многослойного пленочного анода, в котором для токоведущей подложки и легко оксидируемого вентильного металла покрытия использован алюминий, является, как следствие, нестабилизированная геометрия сформированной развитой поверхности подложки, что снижает показатели назначения при использовании в электролитическом конденсаторе.
Задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является повышение функциональной надежности и основных технических характеристик многослойного анода при использовании в электролитических конденсаторах.
Требуемый технический результат достигается тем, что в известном многослойном аноде для электролитического конденсатора, содержащем токоведущую фольговую подложку из напыленного металла, имеющую развитую поверхность, на которой последовательно размещены конформный слой вентильного металла с регулируемой объемной пористостью из химически активного алюминия и оксидное покрытие, причем подложка и конформный слой вентильного металла связаны посредством гетероперехода, образованного геометрически замкнутыми между собой наночастицами металла подложки и вентильного металла, при этом подложка связана с пленочной основой через нанокомпозитный барьерный слой, представляющий собой дифференцированную смесь соединяемых материалов, содержание которых встречно изменяется по мере роста толщины слоя, где рабочая поверхность образована практически металлом подложки, согласно изобретению в качестве материала подложки использован металл с твердостью в 2-4 раза выше, чем у вентильного металла, преимущественно титан, а поры слоя вентильного металла ограничены размером в диапазоне 1-104 нм.
Отличительные признаки позволили усовершенствовать многослойный анод для электролитического конденсатора, обеспечив более высокие основные технические характеристики.
Выбор титана в качестве материала подложки в многослойном аноде определен технологической и адгезионной совместимостью с напыляемым алюминием вентильного слоя, что принципиально необходимо для стабильной работы в электролитическом конденсаторе.
Использование в качестве материала токоведущей подложки титана, микротвердость пленки которого по Бринеллю составляет около 600 МПа, позволило стабилизировать профиль микроструктуры развитой поверхности, на которую напыляется химически активный алюминий, формирующий конформный слой с микротвердостью 150-250 МПа, которая меньше твердости подложки в 4 и 2,4 раза соответственно.
При использовании металла подложки с твердостью, превышающей твердость вентильного металла - алюминия, который наиболее технологичен для этих целей, меньше, чем в 2 раза, не представляется возможным получить стабильную геометрию переходной наноструктуры их взаимосвязи для практического использования по назначению.
Металл подложки с твердостью, превышающей твердость вентильного металла более чем в 4 раза, создает хрупкость многослойной пленочной композиции, что ограничивает ее использование в качестве анода электролитического конденсатора.
В гетеропереходе по границам раздела примыкающих наночастиц металлов подложки и вентильного (титан-алюминий) сформирован двойной электрический слой, который существенно увеличивает адгезию беззазорного их примыкания, что повышает и стабилизирует рабочие электрические характеристики электродной фольги при эксплуатации.
Выполнение гетероперехода из геометрически замкнутых между собой наночастиц титана и алюминия создает практически герметичное запечатывание границ раздела, обеспечивая тем самым формируемому адгезионному слою барьерные свойства, предотвращая тем самым взаимную диффузию, что позволяет сохранить при эксплуатации в составе электролитического конденсатора неизменными электрофизические свойства многослойного пленочного анода.
В изобретении посредством технологических параметров ионно-плазменного напыления в вакууме регулируется оптимизированный размер пор в химически активном алюминии формируемого конформного слоя, нанесенного на развитую поверхность подложки из титана, в диапазоне от одного до 104 нм по следующим ограничениям.
Если размер пор составит более 104 нм, то эффективная поверхность нанопористой структуры вентильного металла является недостаточной для достижения практически необходимой емкости конденсатора, так как они физически находятся в прямо пропорциональной зависимости.
При размере пор менее 1 нм электролит не проникает внутрь и поэтому развитая поверхность порового пространства не участвует в формировании емкости конденсатора, что существенно снижает его электротехнические характеристики.
Следовательно, каждый существенный признак необходим, а их совокупность в устойчивой взаимосвязи является достаточной для достижения новизны качества, не присущей признакам в разобщенности, что позволяет решить поставленную техническую задачу не суммой эффектов, а с новым сверхэффектом суммы признаков.
Проведенный сопоставительный анализ предложенного технического решения с выявленными аналогами уровня техники, из которого изобретение явным образом не следует для специалиста по электротехнике, показал, что оно не известно, а с учетом возможности практического серийного изготовления многослойного анода по рулонной технологии, можно сделать вывод о соответствии критериям патентоспособности.
Сущность изобретения поясняется чертежами, которые служат чисто иллюстративным целям и не ограничивают объема притязаний формулы.
На чертежах схематично изображены:
фиг.1 - структура предложенного анода;
фиг.2 - фрагмент гетероперехода.
На фиг.1 толщина различных пленок и слоев условно показана безотносительно к масштабу.
Многослойный пленочный анод изготавливают по рулонной технологии в смонтированных на общей станине и связанных шлюзовыми камерами вакуумных модулях, оснащенных блоком питания ионных источников, магнетронных систем, устройством вакуумирования и приводом перемотки обрабатываемой бесконечной пленки.
В качестве несущей основы 1 многослойного анода служат различные материалы, например алюминиевая, медная фольга, полиэфирная пленка и другие подобные.
В модулях плазменного магнетронного напыления материалов из паровой фазы установлены технологические барабаны, охлаждаемые до температуры минус 50-100°С для предотвращения прожигания примыкающей при обработке пленки.
Поверхность основы 1 предварительно очищают и активируют ионной бомбардировкой, достигая дополнительной проработки рельефа, кратно увеличивая фактор развития, то есть соотношение реальной и геометрической ее поверхностей, в частности в диапазоне кратности 100-1000 раз.
В вакуумированной атмосфере инертного газа (аргона) с примесью химически активного газа (кислорода) на основу 1 осаждают токопроводящий слой металла (титана) толщиной 12-50 мкм, создавая фольговую подложку 2.
При этом на границе раздела формируется адгезионный барьерный слой 3 в виде нанокомпозита, представляющего собой дифференцированную по содержанию смесь соединяемых материалов.
Взаимно дополняя друг друга, содержание материала основы 1 и осаждаемого титана подложки 2 встречно изменяются от 100% до нуля., соответственно: основа 1 (100-0) и титан (0-100).
Затем на титановую поверхность адгезионного слоя 3 в квазиедином процессе ионно-плазменной технологии из паровой фазы осаждают титан, формируя токоведущий слой подложки 2.
Важной особенностью является то, что процесс перемешивания соединяемых материалов происходит в то время, когда еще не закончился процесс активации поверхности основы 1. В результате квазиединого процесса происходит построение нанокомпозита адгезионного слоя 3, где материал основы 1 переходит на поверхности в осаждаемый металл (титан), который далее формируют в подложку 2.
В частности, на модифицированной полиэфирной пленке основы 1 из паров циклогексана плазменным осаждением формируют наноразмерное (10-50 нм) покрытие из аморфного углерода sp3-гибридизированного состояния - алмазоподобный (α-С:Н) адгезионный слой, который является потенциальным барьером, взаимодействующим с титаном.
Адгезионный слой 3 представляет собой барьер для активных составляющих полимера основы 1, что обеспечивает стабильность электрофизических свойств анода во время эксплуатации.
Формирование барьерного слоя 3 нанокомпозитным (толщиной 20 нм-20 мкм) обеспечивает высокоадгезионное соединение практически всех потребных для создания пленочного анода материалов.
Композитная структура адгезионного слоя 3 обеспечивает лиофильное запечатывание основы 1, улучшая ее эксплуатационные свойства.
Для последующего осаждения вентильного металла - пористого алюминия, формирующего слой конформный 4, в камере рабочих модулей воздух откачивают до давления (5-1)×10-5 мм рт.ст., после чего в ионные источники напускают аргон до давления (5-10)×10-4 мм рт.ст. и добавляют кислород в количестве 30-40 об.%. Давление в камере рабочих модулей изменяется в диапазоне от 0,1 до 0,0001 мм рт.ст.
Затем включают ионные источники, подавая с блока питания напряжение 3,0-4,5 кВ и ток разряда 250-400 мА, в результате чего проходит плазменное напыление алюминия, атомы которого конденсируются на подложке 2, формируя тонкий пористый слой 4 толщиной до 100 нм.
При этом растущий слой 4 вентильного металла обрабатывается ионами аргона и кислорода, в результате чего создается гетеропереход 5 в виде наноструктурной композиции, включающей наночастицы 6, 7 (фиг.2) пористого вентильного металла слоя 4 и материала подложки 2, алюминия и титана соответственно.
Наночастицы 6 и 7 гетероперехода 5 между собой образуют геометрическое замыкание, при этом по границам раздела возникает двойной электрический слой противного потенциала, что существенно увеличивает силы адгезии, стабилизируя геометрию развитой поверхности основы 2, информационной матрицы изделия в целом.
Ионоуплотненный гетеропереход 5 обеспечивает высокую адгезию соединения примыкающих слоев 2, 4 и служит барьером, предотвращающим миграционные процессы между подложкой 2 и пористым слоем 4 вентильного металла.
При ассистировании магнетронного напыления слоя 4 пористого алюминия ионами инертного газа (аргона) стимулируется диффузия композиции гетероперехода 5, что обеспечивает равномерность взаимного распределения структурных элементов примыкающих слоев 2 и 4. При этом наночастицы 6 напыляемого алюминия, прорастают в наночастицы 7 титана, образуя геометрическое замыкание между собой (фиг.2) и структурируют гетеропереход 5 с высокими адгезионными и барьерными свойствами.
Наноструктура композиции гетероперехода 5 выполняет роль накопителя внутренней энергии слоя за счет роста радиационных дефектов, образованных в результате ионной обработки поверхности титановой подложки 2 и формируемого вентильного слоя 4 из пористого химически активного алюминия. При этом происходит упрочнение границ раздела наночастиц 6-7 гетероперехода 5, а также деформационное упрочнение и частичное растворение, что препятствует появлению и движению дислокации, то есть исключается трещинообразование в примыкающих структурных слоях 2, 4 анода.
Ассистирование ионами химически активного газа (кислорода) обеспечивает достижение управляемой электрохимической активности слоя 4 вентильного металла. В результате на гетеропереходе 5 формируется объемно-пористый слой 4 алюминия, характеризующийся кратным увеличением развитой поверхности подложки 2 для взаимодействия анода с электролитом конденсатора.
Толщина слоя 4 пористого алюминия составляет от 0,05 до 30 мкм.
Количество и структура пор в слое 4 осажденного алюминия определяются по математической модели планирования эксперимента как функция многих переменных: состав и давление газовой среды, температура подложки 2, напряжение и ток разряда магнетронов, а также количество электронов, переходящих на подложку 2 в процессе роста слоя 4.
Варьируя этими параметрами, можно в широких пределах изменять диаметр пор в оптимальном диапазоне от 1 нм до 104 нм.
Если в слое 4 преобладают более крупные поры, то получается структура, которая кратно увеличивает емкость конденсаторов.
Преобладание более мелких пор в слое 4 обеспечивает повышение его электрохимической активности.
Скорость роста слоя 4 пористого алюминия составляет 1,5 мкм/мин.
Наличие регулируемой объемной пористости в оптимизированном диапазоне размеров и создание ионной обработкой радиационных дефектов в слое 4 вентильного металла приводит к повышению электрохимической активности материала, которая управляемо меняется за счет регулирования количества и размера пор в объеме напыляемого алюминия.
Сформированная таким образом пористая структура напыленного алюминиевого слоя 4 более легко подвергается электрохимическому оксидированию с образованием менее механически напряженного оксидного слоя 8.
В итоге следует, что конформный слой 4 из пористого алюминия на стабилизированном профиле титановой подложки 2, нанесенный в вакууме по режимам ионно-плазменной технологии, позволяет получить более толстое уплотненное оксидное покрытие 8 качественно нового многослойного анода (фиг.1), что является предпосылкой для создания высоковольтных электролитических конденсаторов с напряжением функционирования более 600 В.
Наноразмерные поры внутри слоя 4 напыляемого алюминия обеспечивают повышение электрической емкости анода в слое оксидного покрытия 8, который пригоден для использования в низко- и средневольтных конденсаторах (соответственно 30-60 В и 200-250 В).
Относительное увеличение количества пор в объеме слоя 4 алюминия размером в оптимизированном диапазоне микрометров практически позволяет формировать высоковольтную фольгу с функциональным покрытием 4 толщиной 1 мкм, которая обеспечивает накопление заряда напряжением 700 В, исходя из общеизвестной характеристики 1,5 нм/В для оксидного покрытия 8.
Готовый многослойный анод, намотанный в рулон в модуле выгрузки, извлекают из установки для дальнейшего электрохимического оксидирования (формовки) на заданное рабочее напряжение, образуя на слое 4 оксидное покрытие 8.
Предложенный многослойный анод изготавливается по квазиединой технологической схеме, при поэтапном изменении режимов и параметров вакуумных процессов ионной обработки поверхности и плазменного напыления вентильного металла при ассистировании ионов нейтрального и химически активного газов.
Изобретение позволяет получить известными технологическими приемами качественно новую взаимосвязь структурных составляющих многослойного анода для электролитических конденсаторов, универсально пригодного для функционирования как с жидким, так и с твердым электролитами.
Предложенный анод характеризуется стабильной структурой, улучшающей показатели назначения, в частности значительным повышением удельной электрической емкости.
Барьерные свойства наноструктурированного гетероперехода, в котором практически исключены механические напряжения, обеспечивают стабильность электротехнических характеристик анода в течение всего, заметно более продолжительного, времени эксплуатации в составе электролитического конденсатора.
Технология получения многослойного анода с объемно-пористым конформным слоем напыленного вентильного металла (алюминия) на развитой поверхности токоведущей подложки из титана, адгезионно связанных через нанокомпозитный барьер с несущей основой из разных материалов, отработана и пригодна для промышленного использования.
Предложенное техническое решение создает принципиальную возможность создания на базе описанного многослойного анода в едином технологическом процессе ионно-плазменного напыления конечный продукт - электролитический конденсатор путем последовательного нанесения на его оксидное покрытие слоев твердого электролита и вентильного металла, выполняющего функции катода.

Claims (1)

  1. Многослойный пленочный анод для электролитического конденсатора, содержащий токоведущую фольговую подложку из напыленного металла, имеющую развитую поверхность, на которой последовательно размещены конформный слой вентильного металла с регулируемой объемной пористостью из химически активного алюминия и оксидное покрытие, причем подложка и конформный слой вентильного металла связаны посредством гетероперехода, образованного геометрически замкнутыми между собой наночастицами металла подложки и вентильного металла, при этом подложка связана с пленочной основой через нанокомпозитный адгезионный барьерный слой, представляющий собой дифференцированную смесь соединяемых материалов, содержание которых встречно изменяется, взаимно дополняя друг друга до 100%, где рабочая поверхность образована практически металлом подложки, отличающийся тем, что в качестве материала подложки использован металл с твердостью в 2-4 раза выше, чем у вентильного металла, преимущественно титан, а поры слоя вентильного металла ограничены размером в диапазоне 1-104 нм.
RU2007141591/09A 2007-11-12 2007-11-12 Многослойный анод RU2339110C1 (ru)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007141591/09A RU2339110C1 (ru) 2007-11-12 2007-11-12 Многослойный анод
DE212008000076U DE212008000076U1 (de) 2007-11-12 2008-11-21 Mehrschichtanode
US12/740,987 US8462483B2 (en) 2007-11-12 2008-11-21 Multilayer anode
PCT/RU2008/000714 WO2009064220A2 (fr) 2007-11-12 2008-11-21 Anode multicouches
EP08849478.6A EP2209130A4 (de) 2007-11-12 2008-11-21 Mehrschichtige anode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2007141591/09A RU2339110C1 (ru) 2007-11-12 2007-11-12 Многослойный анод

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2339110C1 true RU2339110C1 (ru) 2008-11-20

Family

ID=40241443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007141591/09A RU2339110C1 (ru) 2007-11-12 2007-11-12 Многослойный анод

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8462483B2 (ru)
EP (1) EP2209130A4 (ru)
DE (1) DE212008000076U1 (ru)
RU (1) RU2339110C1 (ru)
WO (1) WO2009064220A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2400851C1 (ru) * 2009-10-07 2010-09-27 Закрытое акционерное общество "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро КАСКАД" (ЗАО "СКТБ КАСКАД") Способ получения катодной фольги и катодная фольга электролитических конденсаторов

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2525825C1 (ru) * 2012-11-02 2014-08-20 Владимир Владимирович Слепцов Пленочный конденсатор
CN116504987A (zh) * 2022-12-23 2023-07-28 安迈特科技(北京)有限公司 复合集流体及其制备方法和应用以及锂离子电池

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331477A (en) * 1978-10-04 1982-05-25 Nippon Electric Co., Ltd. Porous titanium-aluminum alloy and method for producing the same
RU2109362C1 (ru) * 1996-05-30 1998-04-20 Воронежский государственный технический университет Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов
RU2217394C1 (ru) * 2002-03-25 2003-11-27 Слепцов Владимир Владимирович Просветляющее оптическое многослойное покрытие
JP2004238670A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Showa Denko Kk コンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに電解コンデンサ
RU56709U1 (ru) * 2006-01-24 2006-09-10 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Многослойный анод
RU2295448C2 (ru) * 2005-05-31 2007-03-20 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Пленочный материал на полиэтилентерефталатной основе
RU2308112C1 (ru) * 2005-12-26 2007-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Анодная многослойная пленка

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3773870D1 (de) * 1986-12-24 1991-11-21 Showa Aluminium Co Ltd Eine aluminium-kondensatorelektrode fuer elektrolytische kondensatoren und verfahren zu ihrer herstellung.
DE4127743C2 (de) 1991-08-22 1994-05-11 Fraunhofer Ges Forschung Oberflächenvergrößerte Aluminiumfolie für Elektrolytkondensatoren und Vakuum-Beschichtungsverfahren zu deren Herstellung
US5844770A (en) * 1997-08-21 1998-12-01 K Systems Corporation Capacitor structures with dielectric coated conductive substrates
US6865071B2 (en) * 1998-03-03 2005-03-08 Acktar Ltd. Electrolytic capacitors and method for making them
DE10005124C2 (de) * 2000-02-07 2002-03-28 Becromal Spa Elektrode sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
WO2005022568A1 (en) * 2003-08-27 2005-03-10 Showa Denko K.K. Sheet for capacitor electrodes, method and apparatus for manufacturing the same, and electrolytic acpacitors
DE102004011567A1 (de) 2004-03-02 2005-09-22 Ist - Ionen Strahl Technologie Gmbh Haftfester Verbund und Verfahren zur Herstellung
DE202005004589U1 (de) * 2005-03-18 2005-07-07 Ixmos Gmbh Mobiler elektrostatischer Substrathalter aus hoch- und höchstreinen Werkstoffen
RU2296055C2 (ru) 2005-05-31 2007-03-27 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Наноструктурированное покрытие несущей основы
US7872965B2 (en) * 2005-08-01 2011-01-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Network resource teaming providing resource redundancy and transmit/receive load-balancing through a plurality of redundant port trunks
JP4716862B2 (ja) * 2005-12-09 2011-07-06 佐賀三洋工業株式会社 固体電解コンデンサ
US7460352B2 (en) * 2006-01-09 2008-12-02 Faradox Energy Storage, Inc. Flexible dielectric film and method for making

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331477A (en) * 1978-10-04 1982-05-25 Nippon Electric Co., Ltd. Porous titanium-aluminum alloy and method for producing the same
RU2109362C1 (ru) * 1996-05-30 1998-04-20 Воронежский государственный технический университет Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов
RU2217394C1 (ru) * 2002-03-25 2003-11-27 Слепцов Владимир Владимирович Просветляющее оптическое многослойное покрытие
JP2004238670A (ja) * 2003-02-05 2004-08-26 Showa Denko Kk コンデンサ用電極材料及びその製造方法並びに電解コンデンサ
RU2295448C2 (ru) * 2005-05-31 2007-03-20 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Пленочный материал на полиэтилентерефталатной основе
RU2308112C1 (ru) * 2005-12-26 2007-10-10 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Анодная многослойная пленка
RU56709U1 (ru) * 2006-01-24 2006-09-10 Общество с ограниченной ответственностью "Восток" Многослойный анод

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2400851C1 (ru) * 2009-10-07 2010-09-27 Закрытое акционерное общество "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро КАСКАД" (ЗАО "СКТБ КАСКАД") Способ получения катодной фольги и катодная фольга электролитических конденсаторов

Also Published As

Publication number Publication date
US20110007450A1 (en) 2011-01-13
EP2209130A4 (de) 2013-12-04
US8462483B2 (en) 2013-06-11
DE212008000076U1 (de) 2010-07-22
EP2209130A2 (de) 2010-07-21
WO2009064220A2 (fr) 2009-05-22
WO2009064220A3 (en) 2009-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970004301B1 (ko) 전해 컨덴서의 전극용 플레이트 및 그 제조방법
CN110863962B (zh) 纳米颗粒团聚型纳米多孔电化学驱动器及其制备和测试方法
RU2339110C1 (ru) Многослойный анод
RU2296055C2 (ru) Наноструктурированное покрытие несущей основы
RU2308112C1 (ru) Анодная многослойная пленка
US20150138692A1 (en) Coated structured surfaces
EP1808876B1 (en) Electrodes, membranes, printing plate precursors and other articles including multi-strata porous coatings, and method for their manufacture
US6865071B2 (en) Electrolytic capacitors and method for making them
RU56709U1 (ru) Многослойный анод
CN110359019B (zh) 一种表面具有纳米级类骨TiO2膜层的钛合金
RU2402830C1 (ru) Пленочный конденсатор
CN101351573B (zh) 多孔阀金属薄膜及其制造方法以及薄膜电容器
JP2004524686A5 (ru)
RU2525825C1 (ru) Пленочный конденсатор
RU2391442C1 (ru) Способ получения анодной фольги
CN114769581B (zh) 一种过渡金属硫化物纳米洋葱、制备方法及其应用
JPH059710A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法
RU2649403C1 (ru) Пленочный конденсатор
JP7477898B2 (ja) 電解コンデンサ用陰極箔、及び電解コンデンサ
Lin et al. Influence of substrate treatment temperatures and bias potential on capacitive manganese–cobalt–zinc oxide thin films deposited by radio frequency sputtering
Kavaliauskas et al. Deposition of carbon electrodes for supercapacitors using atmospheric plasma torch
DE102008005008A1 (de) Mehrschichtige Anode
JP2006310493A (ja) コンデンサ用電極箔
JP5016472B2 (ja) 電解コンデンサ用電極箔の製造方法
JPH03147312A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
QB4A Licence on use of patent

Free format text: LICENCE

Effective date: 20111003

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20121113

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20140210

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20161113