JP2004245833A

JP2004245833A - デジタルｘ線パネルの密閉カバーを堆積する方法及び装置

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Publication number: JP2004245833A
Application number: JP2004033028A
Authority: JP
Inventors: Michael Clement Dejule; マイケル・クレメント・デジュレ; Ching-Yeu Wei; チン−イウ・ウェイ; David Francis Fobare; デビッド・フランシス・フォベア
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 2003-02-12
Filing date: 2004-02-10
Publication date: 2004-09-02
Anticipated expiration: 2024-02-10
Also published as: JP4445281B2; FR2851051A1; US20040155320A1; US7473903B2; DE102004005883A1

Abstract

【課題】デジタルＸ線パネル１０、Ｘ線検出器パネル組立体の製造方法を提供する。
【解決手段】検出器基板１２上に検出器マトリクス１０４を形成し、該検出器基板１２上に該出器マトリクスを取り囲むダム１０６を形成し、検出器マトリクス上にシンチレータ材料１１０を形成し、シンチレータ材料上へ少なくとも１つがダムの表面に延び、且つダムを過ぎて延びる密閉カバー１１８を形成する。
【選択図】図２

Description

本発明は、一般にデジタルイメージングシステムに関し、より具体的には、Ｘ線検出器組立体の製造に関する。

デジタルＸ線イメージングシステムは、有用なＸ線画像に再構築することができるデ
ジタルデータの作成において次第に普及している。幾つかの既知のデジタルＸ線イメージングシステムにおいて、線源からの放射線は、医学的診断用途で患者などの被検体に向かって配向される。放射線の一部は患者を透過して検出器に衝突し、そこで検出器が放射線を光フォトンに変換して該光フォトンが感知される。検出器は離散的画素、すなわちピクセルのマトリクスに分割され、各ピクセル領域に衝突する放射線の質又は強度に基いて出力信号をコード化する。放射線強度は放射線が患者を透過すると変化するので、出力信号に基づいて再構築された画像は、従来のＸ線用感光性フィルム技術により利用可能な画像像と同様の患者の組織投影を提供する。

医療用画像用途において重要な要素は、検出器の空間分解能である。シンチレータ材料で１つの検出器ピクセルにわたって発生するフォトンは、高画像解像能を得るため下に位置するピクセルよってのみ計数される必要がある。隣接するピクセルへ散乱したフォトンは、画像の鮮明度を低下させる。従って、シンチレータ材料は円柱状又は針状に蒸着される。個々の針は互いに離され、約１００又はそれ以上の縦横比（長さ／直径）を持つ。個々のシンチレータ針が分離したままである条件下では、シンチレータ材料の屈折率が空気より高いことに起因して、シンチレータ針を下降するフォトンは個々の針内に収容される傾向にある。ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）シンチレータ材料は、吸湿性の高い塩として知られている。ＣｓＩシンチレータ材料を湿気に曝すと、ＣｓＩシンチレータ材料が湿気を吸収し、さらに個々のＣｓＩシンチレータ針が合着又は融合を引き起こす。

放射線イメージング機器の運搬、保管、及び操作は、大気湿度や操作中及び輸送中のはね水からの湿気といった不利な環境条件に機器を曝す恐れがある。このような環境条件は放射線イメージング機器に損傷を与える可能性がある。例えば、このような画像装置は、放射線を可視光線に変換するシンチレータを備えるが、このような状況下で合着に直面し、結果として画像の劣化を生じさせ、放射線画像装置を使用不能にする可能性がある。用語「合着」は、湿気の吸収に起因してシンチレータの結晶が共に成長することをいう。いったん合着が始まると、損傷の初期ポイント又は領域を越えてさらに広がる恐れがある。

１つの態様において、Ｘ線検出器パネル組立体の製造方法が提供される。組立体は検出器基板を備え、該基板は検出器ベース面と、検出器ベース面から垂直に延びる複数の側壁とを含む。該方法は、検出器基板上に検出器マトリクスを形成し、検出器基盤上に検出器マトリクスを取り囲むダムを形成し、検出器マトリクス上にシンチレータ材料を形成し、シンチレータ材料上に少なくとも１つがダムの表面に延び、且つダムを過ぎて延びる密閉カバーを形成する段階を含む。

別の態様において、デジタルＸ線パネル組立体が提供される。デジタルＸ線パネル組立体は、検出器基板と、前記検出器基板上に形成された検出器マトリクスと、前記検出器基板上に形成され、検出器マトリクスを取り囲むダムと、検出器マトリクス上に形成されたシンチレータ材料と、シンチレータ材料上に形成され、少なくとも１つが検出器マトリクスとダムとを過ぎて延び、且つ検出器マトリクスを過ぎてダムの表面上に延びる密閉カバーとを備える。

図１は、矩形の検出器基板１２を含むデジタルＸ線パネル１０の平面図であり、該基板は検出器ベース面１４と、該検出器ベース面１４から垂直に延びる少なくとも１つの側壁１６と、検出器ベース面１４の反対側にある裏面１８とを含む。検出器ベース面１４は、有効検出器領域２０と、ダム領域２２と、接触フィンガー領域２４と、胸壁側面２６と、を含む。

有効検出器領域２０は、検出器ベース面１４上にある実質的に矩形の領域であり、該検出器ベース面は入射放射線に応答して該入射放射線を電気信号に変換するよう構成され、該電気信号は接触フィンガー領域２４上で間隔を置いて配置された複数の接触フィンガー２８で受信される。ダム領域２２は、有効検出器領域２０を取り囲む平坦接着剤コーティングを含む。例示的な実施形態において、パネル１０は乳房撮影機器で使用される。従って、ダム領域２２の胸壁側部分は幅３０を含み、胸壁側面２６に隣接しないダム領域２２部分は幅３２を含む。１つの実施形態において、幅３０は０．０１５インチと０．０５５インチとの間の範囲にある。別の実施形態において、幅３０は０．０２５インチと０．０４５インチとの間の範囲にある。例示的な実施形態において、幅３０は約０．０３５インチである。１つの実施形態において、幅３２は０．１３８インチと０．１７８インチとの間の範囲にある。別の実施形態において、幅３２は０．１４８インチと０．１６８インチとの間の範囲にある。例示的な実施形態において、幅３２は約０．１５８インチである。厚みの範囲は例証の目的で与えられており、限定を意図するものではない。

例示的な実施形態において、幅３０の寸法は幅３２の寸法よりも小さい。例えば、この構成は、有効検出器領域２０ができるだけ患者の胸壁に近いことが望ましい乳房撮影機器においてデジタルＸ線パネル１０が使用される場合に用いることができる。例えばＲＡＤ、又は心臓用機器などのような別の実施形態において、幅３０の寸法は幅３２の寸法以上とすることができる。幅３４は有効検出器領域２０の幅であり、幅３６は胸壁側面２６に隣接する基板１２の幅であり、幅３８は胸壁側面２６に隣接しない接触フィンガー領域２４の幅である。接触フィンガー２８は胸壁側面２６側のパネル１０には存在しない。１つの実施形態において、幅３６は実質的にゼロであり、これは領域３０のダム１０６が基板１２の端部まで実質的に延びていることを意味する。

操作中、患者の一部が、デジタルＸ線パネル１０と放射線すなわちＸ線源（図示せず）との間に配置される。入射放射線は患者を透過し、該入射放射線の一部は患者に吸収される。患者に吸収されなかった入射放射線の一部は、シンチレータ材料１１０に実質的に吸収される。シンチレータ材料１１０はＸ線信号を光信号に変換し、該光信号は次いで、検出器基板上のフォトダイオードによって電荷に変換される。従って、電気信号は、デジタルＸ線パネル１０が受信した放射線量に比例する。電気信号は接触フィンガー２８に示され、さらに解釈電子機器（図示せず）に接続される。

図２は、図１に示されるＸ線検出器パネルで使用することができる密閉シール構造の断面図である。図２に示す、図１に示された構成要素と同一のものは、図１で使用した同じ符号で示されている。従って、検出器基板１２は、検出器ベース面１４と、該検出器ベース面１４から垂直に延びる側壁１６と、検出器ベース面１４と反対側にある裏面１８とを含む。

検出器ベース面１４は、有効検出器領域２０と、ダム領域２２と、接触フィンガー領域２４と、接着領域１０２とを含む。フォトンを検出するために配置されたフォトセンサーのアレイを含む検出器マトリクス１０４は、有効検出器領域２０内の検出器ベース面１４上に形成される。検出器マトリクス１０４の素子は、接触フィンガー２８に電気的に接続され、接触フィンガー２８との接続の組み合わせにより、検出器マトリクス１０４の各素子のステータスを決定することができるようにする。平坦接着剤ダム１０６は、有効検出器領域２０の周囲に形成され、検出器マトリクス１０４に隣接するダム１０６の第１の側面からダム１０６の反対側にある第２の面１０９までの距離である厚さ１０８を含む。例示的な実施形態において、厚さ１０８は約０．００５インチである。本明細書で述べる、例えば「上に」、「覆って」、及び「上方に」といった用語は、図面に示されたものの相対的位置を言及するものであり、組み立てられた装置の構造的又は操作上の制限を意味するものではない。

シンチレータ材料１１０は、検出器マトリクス１０４上に形成され、有効検出器領域２０を覆う。例示的な実施形態において、シンチレータ材料１１０は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）物質をＣｓＩの針構造１１１で含む。別の実施形態において、他のシンチレータ材料もまた許容可能である。例示的な実施形態において、ＣｓＩ針構造１１１はタリウムがドープされた物質を含む。封入層１１２は、シンチレータ材料１１０を覆って形成され、有効検出器領域２０、ダム領域２２、及び接着領域１０２の一部を覆って延びる。例示的な実施形態において、封入層１１２は、シンチレータ針１１１の各底部まで完全に、及び全シンチレータ針の側壁全体に沿ってシンチレータ針構造１１１間に堆積される。接着領域１０２は、封入層１１２におけるシンチレータ材料１１０を覆ってシールを形成するための結合領域を形成する。１つの実施形態において封入層１１２がコーティングしているのは、ポリパラキシリレン材料（パリレン（商標）Ｎ）である。別の実施形態において、封入層１１２がコーティングしているのはモノクロロポリパラキシリレン（パリレン（商標）Ｃ）である。別の実施形態において、封入層１１２がコーティングしているのは、パリレン（商標）Ｃ及びパリレン（商標）Ｎの両方である。パリレン（商標）は、インディアナ州４６２４１インディアナポリス、ウェストミネソタ通り５７０１所在のＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｏａｔｉｎｇＳｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．の商標である。

反射層１１４は、例えば、銀、金、二酸化チタン、又はアルミニウムを含み、封入層１１２を覆って形成され、接着領域１０２の上方の封入層１１２の端部まで延びる。例示的な実施形態において、反射層１１４は、封入層１１２の端部まで延びる。別の実施形態において、反射層１１４は、封入層１１２の端部までではなく、封入層１１２の端部を超えて延びる。

薄膜マスク１１６は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）、ダイヤモンド様炭素、炭化ホウ素（Ｂ₄Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮＯ₂）、硝酸ケイ素（ＳｉＮＯ₃）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）といった比較的原子量が低い物質を含み、反射層１１４上に形成される。薄膜マスク１１６はプラズマエッチングに侵されない。１つの実施形態において、薄膜マスク１１６は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）工程中に反射層１１４が除去されない場合などは、使用されない。別の実施形態において、薄い障壁層（図示せず）を反射層１１４と薄膜マスク１１６との間に形成することができ、これは反射層１１４が銀を含み、且つ薄膜マスク１１６がアルミニウムを含む場合などである。このような場合、銀及びアルミニウムは共に拡散する傾向にあり、これらの間の薄い障壁層は、例えばクロムを含み、この拡散の低減を促進する。

密閉層１１８は薄膜マスク１１６上に形成される。密閉層１１８もまた、例えばアルミニウム（Ａｌ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）、ダイヤモンド様炭素、炭化ホウ素（Ｂ₄Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮＯ₂）、硝酸ケイ素（ＳｉＮＯ₃）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）といった比較的原子量が低い物質を含む。密閉層１１８は、薄膜マスク１１６上に封入層１１２に隣接して接着領域１０２を覆って延びて終端するように形成される。密閉層１１８及び接着領域１０２は、水分障壁を与える。腐食保護層１２０は、密閉層１１８上に該密閉層１１８に隣接して接着領域１０２上で終端するように形成される。腐食保護層１２０は、例えば、アクリル、パリレン（商標）、アルミニウム（Ａｌ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）、ダイヤモンド型炭素、炭化ホウ素（Ｂ₄Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮＯ₂）、硝酸ケイ素（ＳｉＮＯ₃）、酸化ケイ素（ＳｉＯ）、金（Ａｕ）といった低Ｘ線吸収性の物質を含む。

デジタルＸ線パネル１０は、次のようにして作られる。デジタルＸ線パネル１０の有効領域２０が、基板１２の周囲に配置された多数の接触フィンガー２８で製造される。接着材料がダム領域２２の検出器基板１２上に堆積される。本発明の１つの実施形態において、接着材料はエポキシ材である。本発明の１つの実施形態において、封入コーティング１１２は、パリレン（商標）Ｎ、パリレン（商標）Ｃ、及びその組み合わせの少なくとも１つである。

エポキシ材料は、Ｔｅｆｌｏｎ（商標）（デラウェア州１９８９８ウィルミントン、マーケット通り１００７所在のｔｈｅＥ．Ｉ．ｄｕＰｏｎｔｄｅＮｅｍｏｕｒｓａｎｄＣｏｍｐａｎｙの商標）平坦化取付具（図示せず）を使用して平坦化し、約０．００４インチと約０．００６インチとの間の範囲にある厚さ１０８を有する平坦接着ダム１０６を形成する。厚さ１０８の範囲は、例証の目的で与えられたものであり、限定を意図するものではない。平坦化取付具は、平坦接着ダム１０６の硬化後、取り除かれる。合金Ｋｏｖａｒ（商標）（デラウェア州１９８１０ウィルミントン、シルバーサイドロード３４１１Ｂａｙｎａｒｄビル２０９所在のｔｈｅＣＲＳＨｏｌｄｉｎｇｓ, Ｉｎｃ．の商標）（Ｎｉ２９％、Ｆｅ５３％、Ｃｏ１７％、極微量不純物１％）シャドーマスク（図示せず）が、平坦接着ダム１０６上に布設されて、合金シャドーマスクが接触フィンガー２８を覆い、合金Ｋｏｖａｒ（商標）シャドーマスクの一方端が、接触フィンガー２８に最も近接した検出器マトリクス１０４の周囲を過ぎて延びないようにする。

シンチレータ材料１１０は、合金シャドーマスクを通って検出器基板１２上に堆積され、検出器基板１２上の検出器マトリクス１０４と接触する。シンチレータ材料１１０が基板１２上に堆積する間、接触フィンガー２８は、平坦接着ダム１０６によって、シンチレータ材料１１０でコーティングされることから保護されるが、該接着ダムは接触フィンガー２８とシンチレータ材料１１０でコートされることになる有効領域２０との間の基板１２上に堆積される。次いで、接触シャドーマスクが、シンチレータ材料１１０の堆積中に、ダム１０６の上部に載置される。シャドーマスクの中央にある窓により、シンチレータ材料１１０を接触フィンガー２８上でなく、有効領域２０内にだけ堆積することが可能になる。ダム１０６とシャドーマスクは、接触フィンガー２８がシンチレータ材料１１０で堆積されることから保護する。

合金シャドーマスクが除去される。封入層１１２がシンチレータ材料１１０上に堆積され、これはシンチレータ針構造１１１の間及びこれに沿ったコーティングを含む。封入層１１２はまた、ダム領域２２、接着領域１０２、平坦接着ダム１０６、接触フィンガー２８上でも堆積される。次いで接触シャドーマスク（図示せず）が、平坦接着ダム１０６上の封入層１１２に布設され、接触シャドーマスクが接触フィンガー２８を覆い、該接触シャドーマスクの一方端がダム領域２２を越えて延びないようにする。反射層１１４は、封入層１１２上に堆積され、シンチレータ材料１１０、平坦接着ダム１０６、接着領域１０２を覆う。１つの実施形態において、反射層１１４は、接着領域１０２の一部上だけに堆積される。

次に、薄膜マスク１１６が反射層１１４上に堆積される。薄膜マスク１１６は、封入層１１２が酸素ＲＩＥによって除去されときに反射層１１４を保護する。次いで接触シャドーマスクが取り除かれる。封入層１１２はＲＩＥにより接触フィンガー２８から除去されている。次に密閉層接触シャドーマスク（図示せず）は、シャドーマスクが接触フィンガー２８を覆い、且つ密閉層接触シャドーマスクの一方端が接着領域１０２の一部を覆って延びないように布設される。密閉層１１８は薄膜マスク１１６上に堆積され、該密閉層１１８は薄膜マスク１１６に隣接して接着領域１０２で終端し、密閉層１１８と接着領域１０２との間に水分障壁を形成するようにする。任意的な腐食保護層１２０は密閉層１１８上に堆積され、該腐食保護層１２０は、密閉層１１８に隣接して接着領域１０２で終端する。

密閉層１１８と腐食保護層１２０は、パネル１０の密閉カバーを構成する。任意的な腐食保護層１２０が使用されない場合には、密閉層１１８は、容易に腐食せず、密閉層及び腐食保護層の双方の目的を果たす材質から選択される。

図３は、図１に示されたＸ線検出器パネル１０で使用することができる別の密閉シール構造２００の断面図である。図３に示す、図１及び図２に示された構成要素と同一のものは、図１及び２で使用した同じ符号で図３に示されている。従って、検出器基板１２は、検出器ベース面１４と、該検出器ベース面１４から垂直に延びる側壁１６と、検出器ベース面１４と反対側にある裏面１８とを含む。

密閉シール構造２００は、幅２０２の縮小を促進する。この構造は、例えば乳房撮影機器に使用されるデジタルＸ線パネル１０において有効検出器領域２０を胸壁側面２６にできる限り近付けることを促進するのに使用される。Ｘ線検出器パネル１０は、密閉層２０４及び腐食保護層２０６が、例えば図３に示されるように右側から密閉層１１８及び腐食保護層１２０に対して直角に堆積されることを除いて、構造１００と同様にして構造２００で作られる。密閉層２０４は、封入層１１２、反射層１１４、薄膜マスク１１６、密閉層１１８、及び腐食保護層１２０の端部と、胸壁側面１２６の側壁１６とを覆って形成される。

図４は図１に示されたＸ線検出器パネル１０で使用することができる別の密閉シール構造３００の断面図である。図４に示す、図１及び図２に示された構成要素と同一のものは、図１及び２で使用した同じ符号で図４に示されている。従って、検出器基板１２は、検出器ベース面１４と、該検出器ベース面１４から垂直に延びる側壁１６と、検出器ベース面１４の反対側にある裏面１８とを含む。

密閉シール構造３００は、図２及び図３にそれぞれ示された密閉シール構造１００及び密閉シール構造２００と同様に作られる。密閉層１１８と腐食保護層１２０に垂直に堆積された密閉層２０４及び腐食保護層から形成されたシールの代わりに、図４に示す実施形態では、接着シーラント３０２と末端チャネル３０４を使用して、デジタルＸ線パネル１０の胸壁側面２６を密閉している。例示的な実施形態において、胸壁側面２６は、末端チャネル３０４を使って密閉されたデジタルＸ線パネル１０のただ１つの側面であり、他方の側面は図２に示された実施形態に従って密閉される。

接着材料３０６は、腐食保護層１２０に対して保護カバー３０８を支持及び接着するのに十分な量で腐食保護層１２０に塗布され、保護カバー３０８と腐食保護層１２０の間にギャップが残るようにする。例示的な実施形態において、保護カバー３０８は、アルミ箔で封入された黒鉛／樹脂のコアを含む。腐食保護層１２０が使用されない別の実施形態においては、接着材料３０６は密閉層１１８に塗布される。接着シーラント３０２は、接着シーラント３０６及び保護カバー３０８を含むデジタルＸ線パネル１０の構成要素と末端チャネル３０４との間の空隙を充填するのに十分な量で胸壁側面２６に塗布される。

図５は、図１に示されたＸ線検出器パネル１０で使用することができる別の密閉シール構造４００の断面図である。図５に示す、図１、図２、図３及び図４に示された構成要素と同一のものは、図１、図２、図３及び図４で使用した同じ符号で図５に示されている。従って、検出器基板１２は、検出器ベース面１４と、該検出器ベース面１４から垂直に延びる側壁１６と、検出器ベース面１４の反対側にある裏面１８とを含む。

密閉シール構造４００は、図４に示された密閉シール構造３００と同様に作られる。図４におけるような末端チャネル３０４内に配置された保護カバー３０８の代わりに、保護カバー３０８は図５では末端チャネル３０４の外面４０２の外に配置されて示されている。

接着シーラント３０２は、デジタルＸ線パネル１０の構成要素と末端チャネル３０４との間の空隙を充填するのに十分な量で胸壁側面２６に塗布される。接着材料３０６は、末端チャネル外面４０２に対して保護カバー３０８を支持及び接着するのに十分な量で表面４０２に塗布される。保護カバー３０８は、腐食保護層が使用されない場合には、腐食保護カバー１２０又は密閉層１１８を覆うように配置される。

図６は、図１に示されたＸ線検出器パネル１０で使用することができる別の密閉シール構造５００の断面図である。密閉シール構造５００は、図２に示された密閉シール構造１００と同様に作られる。図６に示す、図１に示された構成要素と同一のものは、図１で使用した同じ符号で図６に示されている。従って、検出器基板１２は、検出器ベース面１４と、検出器ベース面１４から垂直に延びる側壁１６と、検出器ベース面１４の反対側にある裏面１８とを含む。

検出器ベース面１４は、有効検出器領域５２０と、ダム領域５２２と、接触フィンガー領域５２４と、領域５２０とダム領域５２２との間にあるクリアランス領域５２５とを備える。フォトンを検出するために配置されたフォトセンサーのアレイを含む検出器マトリクス５２６は、有効検出器領域５２０内の検出器ベース面１４上に形成される。検出器マトリクス５２６の素子は、接触フィンガー５２８に電気的に接続され、該接触フィンガー５２８との接続の組み合わせにより、検出器マトリクス５２６の各素子のステータスを決定することができるようにする。平坦接着剤ダム５３０は、有効検出器領域５２０の周囲に形成され、検出器マトリクス５２６に隣接するダム５３０の第１の側面からダム５３０の反対側にある第２の面５３３までの距離である厚さ５３２を含む。１つの実施形態において、厚さ５３２は、厚さ０．００３インチと０．００７インチの間の範囲にある。別の実施形態において、厚さ５３２は、厚さ０．００４インチと０．００６インチの間の範囲にある。例示的な実施形態において、厚さ５３２は約０．００５インチである。本明細書で述べる、例えば「上に」、「覆って」、及び「上方に」といった用語は、図面に示されたものの相対的位置を言及するものであり、組み立てられた装置の構造的又は操作上の制限を意味するものではない。

シンチレータ材料５３４は、検出器マトリクス５２６上に形成され、有効検出器領域５２０を覆う。例示的な実施形態において、シンチレータ材料５３４は、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）をＣｓＩ針構造５３６で含む。別の実施形態において、他のシンチレータ材料もまた許容可能である。例示的な実施形態において、ＣｓＩ針構造５３６は、タリウムがドープされた物質を含む。第１封入層５４２は、シンチレータ材料５３４を覆って形成され、有効検出器領域５２０、クリアランス領域５２５、ダム領域５２２の一部の距離５３８を覆って延びる。例示的な実施形態において、封入層５４２は、シンチレータ針５３６の各底部まで完全に、及び全シンチレータ針５３６の側壁全体に沿ってシンチレータ針構造５３６間に堆積される。１つの実施形態において、封入層５４２は、厚さが約２．０マイクロメートルと５．０マイクロメートルの間の範囲にある。別の実施形態において、封入層５４２は、厚さが約２．７５マイクロメートルと４．２５マイクロメートルの間の範囲にある。例示的な実施形態において、封入層５４２は、厚さが約３．５マイクロメートルである。厚さの範囲は例証の目的で与えられたものであり、限定を意図するものではない。１つの実施形態において、封入層５４２はポリパラキシリレン材料（パリレン（商標）Ｎ）を含む。別の実施形態において、封入層５４２はモノクロロポリパラキシリレン材料（パリレン（商標）Ｃ）を含む。別の実施形態において、封入層５４２は、パリレン（商標）Ｃ及びパリレン（商標）Ｎの両方を含む。パリレン（商標）は、インディアナ州４６２４１インディアナポリス、ウェストミネソタ通り５７０１所在のＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｏａｔｉｎｇＳｙｓｔｅｍｓ，Ｉｎｃ．の商標である。

反射層５４６は、例えば、銀又は金、二酸化チタン、及びアルミニウムを含み、封入層５４２を覆って形成され、クリアランス領域５２５まで延びる。例示的な実施形態において、反射層５４６は、銀の層、二酸化チタン層、及び厚さ０．５マイクロメートルのアルミニウム層を含む。１つの実施形態において、銀の層は厚さが約１，０００オングストロームと２，０００オングストロームの間の範囲にある。別の実施形態において、銀の層は厚さが約１，２５０オングストロームと１，７５０オングストロームの間の範囲にある。例示的な実施形態において、銀の層は厚さが約１，５００オングストロームである。１つの実施形態において、二酸化チタン層は、厚さが約３００オングストロームと７００オングストロームの間の範囲にある。別の実施形態において、二酸化チタン層は、厚さが約４００オングストロームと６００オングストロームの間の範囲にある。例示的な実施形態において、二酸化チタン層は、厚さが約５００オングストロームである。１つの実施形態において、アルミニウム層は、厚さが約０．３マイクロメートルと０．７マイクロメートルの間の範囲にある。別の実施形態において、アルミニウム層は、厚さが約０．４マイクロメートルと０．６マイクロメートルの間の範囲にある。例示的な実施形態において、アルミニウム層は、厚さが約０．５マイクロメートルである。厚さの範囲は、例証の目的で与えられたものであり、限定を意図するものではない。反射層５４６の層は、シンチレータ材料５３４からシンチレータ針５３６に戻る入射光の反射を促進する大きさにされている。銀及びアルミニウムの層は、共に拡散する傾向にあり、これらの間の薄い障壁層は、例えばチタンを含み、この拡散の低減を促進する。反射層５４６は、領域５２０を覆う封入層５４２を覆い、クリアランス領域５２５の一部を越えて延びる。

第２の封入層５４８は、反射層５４６上に形成される。封入層５４８は、封入層５４２と実質的に同じであり、パリレン（商標）を同様に含む。層５４８は層５４６を覆い、層５４６の端部を通り、ダム５３０上の層５４２の端部まで延びる。１つの実施形態において、封入層５４８は、厚さが約５マイクロメートルと９マイクロメートルの間の範囲にある。別の実施形態において、封入層５４８は、厚さが約６マイクロメートルと８マイクロメートルの間の範囲にある。例示的な実施形態において、封入層５４８は、厚さが約７マイクロメートルである。厚さの範囲は、例証の目的で与えられたものであり、限定を意図するものではない。

水分障壁層５５０は、層５４８上に堆積されている。例示的な実施形態において、層５５０は、二酸化チタン層とアルミニウム層とを含む。１つの実施形態において、二酸化チタン層は、厚さが約３００オングストロームと７００オングストロームの間の範囲にある。別の実施形態において、二酸化チタン層は、厚さが約４００オングストロームと６００オングストロームの間の範囲にある。例示的な実施形態において、二酸化チタン層は、厚さが約５００オングストロームである。１つの実施形態において、アルミニウム層は、厚さが約０．３マイクロメートルと０．７マイクロメートルの間の範囲にある。別の実施形態において、アルミニウム層は、厚さが約０．４マイクロメートルと０．６マイクロメートルの間の範囲にある。例示的な実施形態において、アルミニウム層は、厚さが約０．５マイクロメートルである。例示的な実施形態において、層５５０は、厚さが約５００オングストロームの二酸化チタン層と、厚さが約０．５マイクロメートルのアルミニウム層を含む。厚さの範囲は、例証の目的で与えられたものであり、限定を意図するものではない。層５５０は層５４８を覆い、ダム５３０上の層５４８の端部まで延びる。

任意的な水分障壁層５５２は、使用される場合には層５５０上に堆積される。層５５２は層５５０を覆い、層５５０の端部を通ってダム５３０上へ延びる。１つの実施形態において、層５５２は、厚さが３００オングストロームと７００オングストロームの間の範囲にある二酸化チタン層を含む。別の実施形態において、層５５２は、厚さが４００オングストロームと６００オングストロームの間の範囲にある。例示的な実施形態において、層５５２は厚さが約５００オングストロームである。厚さの範囲は、例証の目的で与えられたものであり、限定を意図するものではない。

上述したＸ線検出器パネルの密閉シールカバーは、例示的な方法で説明されている。密閉カバーの層の数及び順序の違いは、エンドユーザーの状況又は要求に適合するように企図される。

例示的な実施形態において、密閉シール構造５００は、末端チャネル３０４及び保護カバー３０８では使用されない。別の実施形態において、密閉シール構造５００は、図４に示されるように、末端チャネル３０４及び保護シール３０８で覆われている。別の実施形態において、密閉シール構造５００は、図５に示されるように末端チャネル３０４及び保護カバー３０８で覆われている。

上述のデジタルＸ線パネルにおいて堆積された密閉カバーは、費用効果があり信頼性が高い。堆積された密閉カバーは、複数の堆積層及び複数の密封端部を含む。さらに、任意的な保護カバーが提供され、検出器表面に当たる対象物からの該検出器の損傷を低減することを促進する。その結果、堆積された密閉カバーは、費用効果が高く信頼性のある方法で水分を減少させて検出器構成要素への損傷を低減することを促進する。

堆積された密閉カバーの例示的な実施形態は、上に詳細に説明されている。カバーは本明細書で説明された特定の実施形態に限定されるものではなく、むしろ、カバー構成要素は、本明細書で説明された他の構成要素から独立して別個に使用することができる。堆積された密閉カバー構成要素の各々はまた、他の堆積された密閉カバー構成要素と組み合わせて使用することができる。

本発明を様々な特定の実施形態に関して説明してきたが、本発明は請求項の精神及び範囲内にある変更を実施することができることは当業者には認識されるであろう。

デジタルＸ線パネルの平面図。図１に示されたＸ線検出器パネルで使用される密閉シール構造の断面図。図１に示されたＸ線検出器パネルで使用される別の密閉シール構造の断面図。図１に示されたＸ線検出器パネルで使用される別の密閉シール構造の断面図。図１に示されたＸ線検出器パネルで使用される別の密閉シール構造の断面図。図１に示されたＸ線検出器パネルで使用される別の密閉シール構造の断面図。

符号の説明

１２検出器基板
１２検出器ベース面
１６側壁
１８裏面
２０有効検出器領域
２２ダム領域
２４接触フィンガー領域
２８接触フィンガー
１００密閉シール構造
１０２接着領域
１０４検出器マトリクス
１０６ダム
１０８厚さ
１０９第２の面
１１０シンチレータ材料
１１１針構造
１１２封入コーティング
１１４反射層
１１６薄膜マスク
１１８密閉層
１２０腐食保護層

Claims

検出器基板１２を備え、該基板が検出器ベース面１４と、該検出器ベース面から垂直に延びる複数の側壁１６とを含むＸ線検出器パネル組立体１０を製造する方法であって、
前記検出器基板上に検出器マトリクス２０を形成し、
前記検出器マトリクスを取り囲むダム１０６を前記検出器基板上に形成し、
前記検出器マトリクス上にシンチレータ材料１１０を形成し、
少なくとも１つが前記ダムの表面に延び且つ該ダムを過ぎて延びる密閉カバー１１８を前記シンチレータ材料上に形成する、
段階を含む方法。
前記密閉カバーを形成する段階が、
前記シンチレータ材料上に前記ダムを過ぎて延びる封入コーティング１１２を形成し、
前記封入コーティング上に前記ダムを過ぎて延びる反射層１１４を形成し、
前記反射層上に前記ダムを過ぎて延びる薄膜マスク１１６を形成する、
ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記密閉カバーを形成する段階が、
前記ダムを過ぎて延び、且つ前記薄膜マスクを過ぎて延びる密閉層を前記薄膜マスク上に形成し、
前記ダムを過ぎて延び、且つ前記密閉層を過ぎて延びる腐食保護層１２０を前記密閉層上に形成する、
ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
前記検出器ベース面１４が胸壁側面２６を含み、前記密閉カバーを形成する段階が、
前記ダムを過ぎて延び、且つ前記胸壁側面に隣接して少なくとも１つの側壁上に延びる密閉層を前記薄膜マスク上に形成し、
前記ダムを過ぎて延び、且つ前記胸壁側面に隣接して少なくとも１つの側壁上に延びる腐食保護層を前記密閉層上に形成する、
ことをさらに含む請求項３に記載の方法。
前記検出器ベース面が反対側にある裏面１８と胸壁側面とを含み、前記密閉カバーを形成する段階が、
薄膜マスク上に前記ダムを過ぎて延びる密閉層を形成し、
前記密閉層上に前記ダムを過ぎて延びる腐食保護層を形成し、
末端チャネル３０４を少なくとも１つの側壁に接続する、
ことを含む請求項３に記載の方法。
前記末端チャネルを接続する段階が、前記末端チャネルを前記胸壁側面に接続することを含む請求項５に記載の方法。
前記密閉層と前記末端チャネルの間に空隙があるように前記密閉層と前記末端チャネル間に機械カバー３０８を結合することをさらに含む請求項６に記載の方法。
前記密閉カバーを形成する段階が、
前記シンチレータ材料上に前記ダム表面に延びる第１の封入層５４２を形成し、
前記第１の封入層上に前記検出器マトリクスと前記ダム表面の間の領域まで延びる反射層５４６を形成し、
前記反射層上に前記ダムの表面上の第１の封入層の端部まで延びる第２の封入層５４８を形成する、
ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
検出器基板１２と、
前記検出器基板上に形成された検出器マトリクス２０と、
前記検出器基板上に形成され、前記検出器マトリクスを取り囲むダム１０６と、
前記検出器マトリクス上に形成されたシンチレータ材料１１０と、
前記シンチレータ材料上に形成された密閉カバー１１８と、
を備え、
前記密閉カバーの端部の少なくとも１つが、前記検出器マトリクスと前記ダムとを過ぎて延び、且つ該検出器マトリクスを過ぎて前記ダム上に延びることを特徴とするデジタルＸ線パネル１０。
前記密閉カバーが、
前記シンチレータ材料上で前記ダムを過ぎて延びる封入層１１２と、
前記封入層上で前記ダムを過ぎて延びる反射層１１４と、
前記反射層上で前記ダムを過ぎて延びる薄膜マスク１１６と、
を備える請求項９に記載のデジタルＸ線パネル。