JP2005290171A - 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 - Google Patents
半導体用接着フィルムおよび半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005290171A JP2005290171A JP2004106274A JP2004106274A JP2005290171A JP 2005290171 A JP2005290171 A JP 2005290171A JP 2004106274 A JP2004106274 A JP 2004106274A JP 2004106274 A JP2004106274 A JP 2004106274A JP 2005290171 A JP2005290171 A JP 2005290171A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- adhesive film
- resin
- weight
- thermosetting resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
【要約書】
【課題】 本発明の目的は、半導体素子とリードフレーム、ビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板などの半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ、低温接着性および高温での密着性に優れた半導体用接着フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供することである。
【解決手段】 本発明は、アクリル酸共重合体、第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成してなる半導体用接着フィルムである。
【課題】 本発明の目的は、半導体素子とリードフレーム、ビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板などの半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ、低温接着性および高温での密着性に優れた半導体用接着フィルムおよびそれを用いた半導体装置を提供することである。
【解決手段】 本発明は、アクリル酸共重合体、第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成してなる半導体用接着フィルムである。
Description
本発明は、半導体用接着フィルム及び半導体装置に関する。
近年、電子機器の高機能化等に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、半導体パッケージの大容量高密度化が進んでいる。このような要求に対応するため、例えば半導体素子の上にリードを接着するリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造が採用されている。ＬＯＣ構造では、半導体素子とリードフレームとを接合するため、その接合部での接着信頼性が半導体パッケージの信頼性に大きく影響している。
従来、半導体素子とリードフレームとの接着には、ペースト状接着剤が用いられている。ペースト状接着剤をリードフレームに薄く均一にかつ適量塗布することは困難であり、半導体素子やリードフレームから接着剤がはみ出すことがあった。
例えばＬＯＣ構造ではポリイミド樹脂を用いたホットメルト型の接着剤フィルム等の耐熱性基材に接着剤を塗布したフィルム状接着剤が用いられてきている（例えば、特許文献１参照）。ホットメルト型の接着剤フィルムは、高温で接着する必要があるため、高密度化した半導体素子、リードフレームに熱損傷を与える場合があった。
特に近年の半導体パッケージはチップの上にチップを多段で積層することでパッケージ
の小型化、薄型化、大容量化を実現している。そういったパッケージにはリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。こういった有機基板の増加とともにパッケージをはんだ付けするための赤外線リフロー時に密着性不良によるパッケージクラックが技術課題となっており特に半導体素子接着剤の寄与するところが大きいことが分かっている。
特開平６−２６４０３５号公報
の小型化、薄型化、大容量化を実現している。そういったパッケージにはリードフレームに代わりビスマレイミド−トリアジン基板やポリイミド基板のような有機基板の使用が増加している。こういった有機基板の増加とともにパッケージをはんだ付けするための赤外線リフロー時に密着性不良によるパッケージクラックが技術課題となっており特に半導体素子接着剤の寄与するところが大きいことが分かっている。
本発明の目的は、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ低温接着性および高温での密着性に優れた半導体用接着フィルムおよび半導体装置を提供することである。
このような目的は、下記（１）〜（６）に記載の本発明により達成される。
（１）アクリル酸共重合体、第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成してなることを特徴とする半導体用接着フィルム。
（２） 前記第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂をエポキシ樹脂とする第（１）項記載の半導体用接着フィルム。
（３） 第一の熱硬化樹脂の融点Ａと、第二の熱硬化樹脂の融点Ｂとが、Ａ＞Ｂとなる第（１）又は（２）項記載の半導体用接着フィルム。
（４）第一の熱硬化性樹脂の融点Ａが７０〜１５０℃となる第（１）〜（３）項記載の半導体用接着フィルム。
（５）第二の熱硬化性樹脂の融点Ｂが３０〜８０℃となる第（１）〜（４）項記載の半導体用接着フィルム。
（６） 第（１）〜（５）項のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
（１）アクリル酸共重合体、第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成してなることを特徴とする半導体用接着フィルム。
（２） 前記第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂をエポキシ樹脂とする第（１）項記載の半導体用接着フィルム。
（３） 第一の熱硬化樹脂の融点Ａと、第二の熱硬化樹脂の融点Ｂとが、Ａ＞Ｂとなる第（１）又は（２）項記載の半導体用接着フィルム。
（４）第一の熱硬化性樹脂の融点Ａが７０〜１５０℃となる第（１）〜（３）項記載の半導体用接着フィルム。
（５）第二の熱硬化性樹脂の融点Ｂが３０〜８０℃となる第（１）〜（４）項記載の半導体用接着フィルム。
（６） 第（１）〜（５）項のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
本発明によれば、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを接着することができ低温接着性および高温での密着性の優れた半導体用接着フィルムおよび半導体装置を提供することができる。
本発明の半導体用接着フィルムは、アクリル酸共重合体、第一の熱硬化性樹脂及び第二
の熱硬化性樹脂を含有してなる樹脂組成物からなることを特徴とする。
の熱硬化性樹脂を含有してなる樹脂組成物からなることを特徴とする。
本発明に用いるアクリル酸共重合体のは、接着力の向上、凝集力の向上という点で優れている。またアクリル酸共重合体のガラス転移温度は−２０〜１２０℃であることが好ましい。さらに−２０〜６０℃がより好ましく、特に−１０〜５０℃が好ましい。ガラス転移温度が前記下限値未満であると半導体用接着フィルムの粘着力が強くなり作業性が低下する場合があり、前記上限値を超えると低温接着性を向上する効果が低下する場合がある。
前記アクリル酸共重合体は、アクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルおよびアクリルニトリルのうち少なくとも１つをモノマー成分とした共重合体が挙げられ、中でも官能基としてエポキシ基、水酸基、カルボキシル基、二トリル基等を持つ化合物を有するアクリル酸共重合体が好ましい。これにより、半導体素子等の被着体への密着性をより向上することができる。前記官能基を持つ化合物として、具体的にはグリシジルエーテル基を持つグリシジルメタクリレート、水酸基を持つヒドロキシメタクリレート、カルボキシル基を持つカルボキシメタクリレート、二トリル基を持つアクリロニトリル等が挙げられる。
前記官能基を持つ化合物の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル酸共重合体全体の０．５〜４０重量％が好ましく、特に５〜３０重量％が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると粘着力が強すぎて作業性を向上する効果が低下する場合がある。
前記アクリル酸共重合体の重量平均分子量は、特に限定されないが、１０万以上が好ましく、特に１５万〜１００万が好ましい。重量平均分子量が前記範囲内であると、特に半導体用接着フィルムの製膜性を向上することができる。
次に、本発明に用いる第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂は、例えばビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられ、またフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂等も挙げられる。
第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂が好ましく、特に結晶性エポキシ樹脂が好ましい。このような結晶性エポキシ樹脂としては、ビフェニル骨格、ビ
スフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子量であるものが挙げられる。結晶性エポキシ樹脂が好ましい理由は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するからである。それによって、初期密着性をより向上することができる。
スフェノール骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比較的低分子量であるものが挙げられる。結晶性エポキシ樹脂が好ましい理由は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するからである。それによって、初期密着性をより向上することができる。
第一の熱硬化性樹脂の融点Ａと、第二の熱硬化性樹脂の融点Ｂとの差（Ａ−Ｂ）を大きくすることが好ましい。第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂に低融点の熱硬化性樹脂のみを使用すると、フロー性が大きくなりすぎ、樹脂はみ出しの原因となる。また、第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂に高融点の熱硬化性樹脂のみを使用すると、低温接着性が減少する。第一の硬化性樹脂と第二の硬化性樹脂に、前記融点の差（Ａ−Ｂ）の大きい熱硬化性樹脂を組み合わせることで、低温貼付性及び樹脂はみ出し特性の両立した半導体用接着フィルムを提供することができる。
第一の熱硬化性樹脂の融点は、７０〜１５０℃が好ましく、特に８０〜１４０℃が好ましい。融点が前記範囲内であると特に高温での密着性を向上することができる。また、第二の熱硬化性樹脂の融点は、３０〜８０℃が好ましく、特に４０〜７０℃が好ましい。融点が前記範囲内であると、特に低温接着性を向上することができる。前記融点は、例えば示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度５℃／分で昇温した結晶融解の吸熱ピークの頂点温度で評価することができる。
前記第一の熱硬化性樹脂の含有量は特に限定されないが、前記アクリル酸共重合体１００重量部に対して１０〜１００重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスの原因や耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
前記第二の熱硬化性樹脂の含有量は特に限定されないが、前記アクリル酸共重合体１００重量部に対して１０〜１００重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスの原因や耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。
前記樹脂組成物は硬化剤（特に、フェノール系硬化剤）を含むことが好ましい。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等
のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
前記硬化剤としては、例えばジエチレントリアミン（ＤＥＴＡ）、トリエチレンテトラミン（ＴＥＴＡ）、メタキシレリレンジアミン（ＭＸＤＡ）などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）、ｍ−フェニレンジアミン（ＭＰＤＡ）、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）などの芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）、有機酸ジヒドララジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸（ＨＨＰＡ）、メチルテトラヒドロ無水フタル酸（ＭＴＨＰＡ）などの脂環族酸無水物（液状酸無水物）、無水トリメリット酸（ＴＭＡ）、無水ピロメリット酸（ＰＭＤＡ）、ベンゾフェノンテトラカルボン酸（ＢＴＤＡ）等の芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノール樹脂等のフェノール系硬化剤が挙げられる。これらの中でもフェノール系硬化剤が好ましく、具体的にはビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）メタン（通称テトラメチルビスフェノールＦ）、４，４’−スルホニルジフェノール、４，４’−イソプロピリデンジフェノール（通称ビスフェノールＡ）、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンおよびこれらの内ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、（２−ヒドロキシフェニル）（４−ヒドロキシフェニル）メタンの３種の混合物（例えば、本州化学工業（株）製、ビスフェノールＦ−Ｄ）等のビスフェノール類、１，２−ベンゼンジオール、１，３−ベンゼンジオール、１，４−ベンゼンジオール等のジヒドロキシベンゼン類、１，２，４−ベンゼントリオール等のトリヒドロキシベンゼン類、１，６−ジヒドロキシナフタレン等
のジヒドロキシナフタレン類の各種異性体、２，２’−ビフェノール、４，４’−ビフェノール等のビフェノール類の各種異性体等の化合物が挙げられる。
前記硬化剤（特にフェノール系硬化剤）の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル酸共重合体１００重量部に対して１〜３０重量部が好ましく、特に３〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
前記樹脂組成物は、硬化促進剤としてイミダゾール類を含んでも良く１−ベンジル−２メチルイミダゾール、１−ベンジル−２フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾールなどの化合物が挙げられる。
前記硬化促進剤の含有量は、特に限定されないが、前記アクリル酸共重合体１００重量部に対して０．０１〜３０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると硬化性が不十分である場合があり、前記上限値を超えると保存性が低下する場合がある。
前記樹脂組成物はさらにカップリング剤を含むことが好ましい。これにより樹脂と被着体及び樹脂とシリカ界面との密着性を向上させることができる。
前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
前記カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
前記カップリング剤としてはシラン系、チタン系、アルミニウム系などが挙げられるが中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
前記カップリング剤としては例えばビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。
前記カップリング剤の含有量は、特に限定されないが、前記前記アクリル酸共重合体１００重量部に対して０．０１〜１０重量部が好ましく、特に０．５〜１０重量部が好ましい。含有量が前記下限値未満であると密着性の効果が不十分である場合があり、前記上限値を超えるとアウトガスやボイドの原因になる場合がある。
本発明の半導体用接着フィルムは、例えば前記樹脂組成物をメチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等の溶剤に溶解して、ワニスの状態にした後、コンマコーター、ダイコーター、グラビアコーター等を用いてキャリアフィルムに塗工し、乾燥させることで得られる。
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
前記半導体用接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、３〜１００μｍが好ましく、特に５〜７０μｍが好ましい。厚さが前記範囲内であると、特に厚さ精度の制御を容易にできる。
次に、本発明の半導体装置について説明する。
得られた半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と金属製のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
基板等の有機基板の接合に用いることができる。
得られた半導体用接着フィルムを用いて半導体素子と金属製のリードフレーム、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸した基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂
基板等の有機基板の接合に用いることができる。
接合の条件としては半導体素子と前記半導体搭載用支持部材とを該接着フィルムを介して温度８０〜２００℃、時間０．１〜３０秒で圧着する。その後必要に応じてワイヤボンディング、封止材により封入を経て半導体装置を得ることができる。
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、半導体用接着フィルムの実施例および比較例について説明する。
（実施例１）
１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、日本化薬（株）製、融点８０℃）２０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）８０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを得た。
（実施例１）
１．半導体用接着フィルム樹脂ワニスの調製
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、日本化薬（株）製、融点８０℃）２０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）８０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解して樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを得た。
２．半導体用接着フィルムの製造
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙（株）製、ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。
コンマコーターを用いて上述の樹脂ワニスを、キャリアフィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルム（王子製紙（株）製、ＲＬ−０７、厚さ３８μｍ）に塗布した後、７０℃、１０分間乾燥して、キャリアフィルム付き厚さ２５μｍの半導体用接着フィルムを得た。
（実施例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、日本化薬（株）製、融点８０℃）８０重量部と、シアネート樹脂（Ｌ−１０、旭化成エポキシ（株）製、常温で液状）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、日本化薬（株）製、融点８０℃）８０重量部と、シアネート樹脂（Ｌ−１０、旭化成エポキシ（株）製、常温で液状）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
（実施例３）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹
脂としてエポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−８６５、大日本インキ化学工業（株）製、融点７５℃）８０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ−６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹
脂としてエポキシ樹脂（ＥＰＩＣＬＯＮ Ｎ−８６５、大日本インキ化学工業（株）製、融点７５℃）８０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ−６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
（実施例４）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（エピコート ＹＸ４０００Ｈ、油化シェルエポキシ（株）製、融点１０５〜１１０℃）８０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ−６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様にして半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（エピコート ＹＸ４０００Ｈ、油化シェルエポキシ（株）製、融点１０５〜１１０℃）８０重量部と、エポキシ樹脂（ＮＣ−６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）２０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
（比較例１）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、日本化薬（株）製、融点８０℃）８０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＥＯＣＮ−１０２０−８０、日本化薬（株）製、融点８０℃）８０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
（比較例２）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＮＣ−６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）８０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂（ＮＣ−６０００、日本化薬（株）製、融点６０℃）８０重量部と、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
（比較例３）
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（Ｌ−１０、旭化成エポキシ（株）製、常温で液状）８０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
半導体用接着フィルム樹脂ワニスの配合を以下のようにした以外は、実施例１と同様に
して半導体用接着フィルムを得た。
アクリル酸共重合体（エチルアクリレート−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ナガセケムテックス（株）製、ＳＧ−８０Ｈ、Ｔｇ：１５℃、重量平均分子量：３５００，０００）１００重量部と、熱硬化性樹脂としてシアネート樹脂（Ｌ−１０、旭化成エポキシ（株）製、常温で液状）８０重量部、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（２ＰＨＺ−ＰＷ、四国化成（株）製）０．４重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ４０３、信越化学（株）製）０．２重量部、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５７３、信越化学（株）製）２重量部とをメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解した樹脂固形分３０％の樹脂ワニスを用いた。
次に、半導体用接着フィルムを用いた半導体装置について説明する。
３．半導体装置の製造
実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムを５インチ５５０μｍウエハーの
裏面に１００℃で貼り付けし、半導体用接着フィルム付きウエハーを得た。
その後ダイシングフィルムを前記ウエハーの接着フィルム面に貼り付け、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、半導体用接着フィルムが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしダイシングフィルム及び半導体用接着フィルム層間で剥離し半導体用接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド−トリアジン樹脂基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１８０℃１時間で加熱し、樹脂で封止して１０個の半導体装置を得た。
実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムを５インチ５５０μｍウエハーの
裏面に１００℃で貼り付けし、半導体用接着フィルム付きウエハーを得た。
その後ダイシングフィルムを前記ウエハーの接着フィルム面に貼り付け、ダイシングソーを用いて、スピンドル回転数３０，０００ｒｐｍ、切断速度５０ｍｍ／ｓｅｃで５ｍｍ×５ｍｍ角の半導体素子のサイズにダイシング（切断）して、半導体用接着フィルムが接合した半導体素子を得た。次に、ダイシングシート裏面から突上げしダイシングフィルム及び半導体用接着フィルム層間で剥離し半導体用接着フィルムが接合した半導体素子をビスマレイミド−トリアジン樹脂基板に、１３０℃、１ＭＰａ、１．０秒間圧着して、ダイボンディングし、１８０℃１時間で加熱し、樹脂で封止して１０個の半導体装置を得た。
各実施例および比較例で得られた半導体接着用フィルムおよび半導体装置に関して次の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
１．半導体用接着フィルムの初期接着性
半導体用接着フィルムの初期接着性は、半導体用接着フィルムを接合した半導体素子と、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板とを１８０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、そのまま未処理（硬化処理前）の状態で半導体素子とビスマレイミド−トリアジン樹脂基板との剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
半導体用接着フィルムの初期接着性は、半導体用接着フィルムを接合した半導体素子と、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板とを１８０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、そのまま未処理（硬化処理前）の状態で半導体素子とビスマレイミド−トリアジン樹脂基板との剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
２．吸湿処理後の接着性
吸湿処理後の接着性は、半導体用接着フィルムを接合した半導体素子と、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板とを１８０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とビスマレイミド−トリアジン樹脂基板との剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
吸湿処理後の接着性は、半導体用接着フィルムを接合した半導体素子と、ビスマレイミド−トリアジン樹脂基板とを１８０℃、１ＭＰａ、１．０秒間の条件で接合し、８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、半導体素子とビスマレイミド−トリアジン樹脂基板との剪断強度を評価した。
◎：剪断強度が、１．０ＭＰａ以上である
○：剪断強度が、０．７５以上、かつ１．０ＭＰａ未満である
△：剪断強度が、０．５以上、かつ０．７５ＭＰａ未満である
×：剪断強度が、０．５ＭＰａ未満である
３．耐クラック性
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを
３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが全く無し
○：クラックが、７／１０個以上無し
△：クラックが、９／１０個以上、かつ７／１０個未満有り
×：クラックが、１０／１０個有り
耐クラック性は、各実施例および比較例で得られた半導体用接着フィルムを用いた半導体装置を８５℃／８５％ＲＨ／１６８時間吸湿処理をした後、２６０℃のＩＲリフローを
３回行い走査型超音波探傷機（ＳＡＴ）で評価した。各符号は、以下の通りである。
◎：クラックが全く無し
○：クラックが、７／１０個以上無し
△：クラックが、９／１０個以上、かつ７／１０個未満有り
×：クラックが、１０／１０個有り
表１から明らかなように、実施例１〜４は、接着性に優れ、かつ耐クラック性にも優れていた。
本発明の半導体用接着フィルムは、半導体素子とリードフレーム、有機基板等の半導体素子搭載用支持部材とを低温で接着することができ、かつ高温密着性も優れており、ＬＯＣ構造やチップの上にチップを多段で積層する多層構造の半導体装置等に好適に用いることができる。
Claims (6)
- アクリル酸共重合体、第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物を用いて形成してなることを特徴とする半導体用接着フィルム。
- 前記第一の熱硬化性樹脂及び第二の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体用接着フィルム。
- 第一の熱硬化性樹脂の融点Ａと、第二の熱硬化性樹脂の融点Ｂとが、Ａ＞Ｂとなる請求項１又は２記載の半導体用接着フィルム。
- 第一の熱硬化性樹脂の融点Ａが７０〜１５０℃となる請求項１〜３記載の半導体用接着フィルム。
- 第二の熱硬化性樹脂の融点Ｂが３０〜８０℃となる請求項１〜４記載の半導体用接着フィルム。
- 請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体用接着フィルムを用いて、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接合していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004106274A JP2005290171A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004106274A JP2005290171A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005290171A true JP2005290171A (ja) | 2005-10-20 |
Family
ID=35323476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004106274A Pending JP2005290171A (ja) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005290171A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256588A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04189885A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-07-08 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 熱硬化型感圧接着剤組成物及び熱硬化型感圧接着シート |
| JPH07300577A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-11-14 | Cheil Synthetics Inc | 柔軟性印刷回路基板用接着剤組成物 |
| JP2002322457A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体装置用接着剤組成物及び半導体装置用接着シート |
| JP2003206464A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置とその製造方法 |
| JP2003286391A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Nippon Steel Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、ワニス、このエポキシ樹脂組成物を用いたフィルム状接着剤及びその硬化物 |
| JP2004099833A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Three M Innovative Properties Co | 熱硬化性接着剤組成物、フィルム接着剤及び半導体装置 |
-
2004
- 2004-03-31 JP JP2004106274A patent/JP2005290171A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04189885A (ja) * | 1990-04-26 | 1992-07-08 | Nippon Carbide Ind Co Inc | 熱硬化型感圧接着剤組成物及び熱硬化型感圧接着シート |
| JPH07300577A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-11-14 | Cheil Synthetics Inc | 柔軟性印刷回路基板用接着剤組成物 |
| JP2002322457A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 半導体装置用接着剤組成物及び半導体装置用接着シート |
| JP2003206464A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置とその製造方法 |
| JP2003286391A (ja) * | 2002-03-28 | 2003-10-10 | Nippon Steel Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、ワニス、このエポキシ樹脂組成物を用いたフィルム状接着剤及びその硬化物 |
| JP2004099833A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Three M Innovative Properties Co | 熱硬化性接着剤組成物、フィルム接着剤及び半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009256588A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101058659B1 (ko) | 반도체용 필름, 반도체용 필름의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
| WO2010044179A1 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| WO2009113296A1 (ja) | 半導体素子接着フィルム形成用樹脂ワニス、半導体素子接着フィルム、および半導体装置 | |
| JP5115096B2 (ja) | 接着フィルム | |
| JP2011018806A (ja) | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 | |
| JP3754700B1 (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4893640B2 (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4303705B2 (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4380684B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置 | |
| JP4309710B2 (ja) | 半導体用接着フィルム、ダイシングフィルムおよび半導体装置 | |
| JP2008211224A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2006269887A (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4319108B2 (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
| JP2006165074A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP4466397B2 (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP4050290B2 (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2005203401A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP4400609B2 (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
| JP5003090B2 (ja) | 接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 | |
| JP5564782B2 (ja) | 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置 | |
| JP2008300862A (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
| JP3735106B2 (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 | |
| JP2006237483A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 | |
| JP2006206787A (ja) | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム及びそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。 | |
| JP2005290171A (ja) | 半導体用接着フィルムおよび半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061027 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090611 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090817 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100601 |