JP2005347364A - 伸縮可能な圧電素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 伸縮弾性を有する基板2の片面側又は両面側に基板を伸長させた状態で、電極層3及び圧電体結晶薄膜1が形成されている伸縮可能な圧電素子Aである。
また、伸縮弾性を有する基板2の片面側又は両面側に、伸縮弾性を有する電極層3及び圧電体結晶薄膜1が形成された伸縮可能な圧電素子Aである。
そして、電極層3は、導電ペースト、導電性ゴム、導電性高分子等が採用される。
【選択図】 図1
Description
特に、圧力の検出、アクチュエータ、ロボットの人工皮膚等に用いるのに適した伸縮可能な圧電素子に関する。
具体的には、金属ダイヤフラムの表面に歪ゲージを貼り付け抵抗値の変化を検出するものや、ダイヤフラムと歪ゲージをシリコーン半導体で一体形成したものがある。
更に高分子中に導電性粒子を分散させ変形による抵抗値変化を検出するものや、また圧電効果(ピエゾ効果)を利用した圧電素子が知られている。
しかし、変形しない剛直化した圧電素子は、例えば人体やロボット等の複雑な形状をした被検体に十分適用することはできない。
そのために、いわゆる可撓性を有する圧電素子が開発されている(例えば、特許文献1参照)。
すなわち、従来の圧電素子では、伸縮変形が生じ易い被検体の圧力センサーとしては高い信頼性を持って適用することが困難であったのである。
すなわち、本発明は、伸縮弾性を有する基板を伸長させても電極層が容易に切断することなく、高い信頼性を持って圧力の検出ができる伸縮可能な圧電素子を提供することを目的とする。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る圧電素子Aを示している。
この第1実施形態の圧電素子Aは、伸縮弾性を有する基板2上に圧電体1である圧電体結晶薄膜が形成されている。
圧電体結晶薄膜1の両面には電極層3が形成されている。
基板2として圧電素子Aの伸縮性を発現する礎となる部分であり、その基板2の材料には、伸縮弾性の顕著な高分子物質であるエラストマーを用いることが好ましい。
エラストマーの具体例としては、例えば、架橋した天然ゴムや合成ゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
次いで、電極層3を形成した後、基板2を伸長させたままの状態で、圧電体結晶薄膜1を形成する。
この圧電体結晶薄膜1の上面にも、同様の方法で電極層3を形成する。
例えば水熱合成法によれば、伸縮弾性を有する基板2に圧電体結晶薄膜1を形成することが容易に可能であり、伸縮性に加え圧電性能の優れた圧電素子Aが提供される。
上記Bサイトとしては、Ti単独か、或いはZr,Zn,Ni,Mg,Co,W,Nb,Sb,Ta,Feの中から選択される少なくとも1種の元素とTiとの複合物が挙げられる。
このような複合酸化物の具体例としては、Pb(Zr,Ti)O3、PbTiO3、BaTiO3、SrTiO3、(Pb,La)(Zr,Ti)O3、LiNbO3等が挙げられる。
ウルツ鉱型構造としては具体的には、例えば、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ヨウ化銀、硫化亜鉛、硫化カドミウム、窒化ガリウム等があり、これらの中から1種選択すればよい。
ところで圧電体結晶薄膜1の厚みは、通常、0.1〜100μm、特に0.5〜30μmに設定することが好適である。
すなわち、厚みが0.1μm未満では、例えばセンサーやアクチュエータ等に用いた場合に十分な出力が得られにくく、逆に100μmを超えると弾性を有する基板2を用いているにもかかわらず、柔軟性が乏しくなり出力が小さくなる恐れがある。
特に、伸縮弾性を有する電極層3としては、導電ペースト、導電性ゴム、又は導電性合成樹脂が採用される。
この電極層3は、基板2又は圧電体結晶薄膜1の表面に被覆することで形成する。
そして、電極層3の厚みは、通常、1μm以下、特に0.1μm以下に設定することが好適である。
このように外部から圧力を加えられた場合、基板2が伸縮弾性を有しているために、硬い基板上に形成された圧電素子に比べ圧電体結晶薄膜1は大きな歪を生じ、電極層3間に発生する電位差や電荷が大きくなるという長所がある。
そのため電極層3としても伸縮弾性を有するものではなくてもよい。
電極層3や圧電体結晶薄膜1が切断されるようなことはなく、高い信頼性を持って圧力の検出を行うことができる。
以上述べたものは、伸縮弾性を有する基板2を伸長した状態で、基板2の片面側又は両面側に電極層3や圧電体結晶薄膜1を形成したものである。
しかし、伸縮弾性を有する基板2を伸長しない状態、すなわち通常の状態で基板2の片面側又は両面側に電極層3や圧電体結晶薄膜1を形成することも可能である。
その場合は電極層3としては、導電性ゴム又は導電性合成樹脂等の伸縮弾性を有する電極層3を使うこととなる。
尚、圧電体結晶薄膜1は、その構造上、基板2の伸長にも追従していくことができる。
以下、第2実施の形態から第6実施の形態においても同様である。
図2は、本発明の第2実施形態に係る圧電素子Aを示している。
この第2実施形態の圧電素子Aは、上記第1実施の形態における圧電体結晶薄膜1及び電極層3が基板2を介して対称的に反対面にも形成されている構造を有する。
具体的には、基板2の上下面の各々に電極層3が形成され、この各電極層3上に更に圧電体結晶薄膜1及びもう1層の電極層3が形成されている。
更に、この第2実施形態では、基板2の両面に圧電体である圧電体結晶薄膜1を形成するようにしたので、基板2の上下方向に同程度の振動を加えることができ、左右対称に振動を伝播させることが望まれる装置にとって好適である。
また、一方の圧電体結晶薄膜1にクラック等が生じて機能が低下しても、他方の圧電体結晶薄膜1が機能するために、フェールセーフとなり安全性が向上する。
図3は、本発明の第3実施形態に係る圧電素子Aを示している。
この第3実施形態の圧電素子Aは第1及び第2実施形態の圧電素子と比べて、電極層3が1層少ない点で相違する。
すなわち、圧電素子Aに外部から圧力を加えられると、電極層3と接地電位部との間の電位差Vや
電荷は変化し、この電位差Vや電荷を計測することにより加えられた圧力を求めることができるのである。
図4は、本発明の第4実施形態に係る圧電素子Aを示している。
この第4実施形態の圧電素子Aは、上記第3実施の形態における圧電体結晶薄膜1及び電極層3が基板2を介して対称的に反対面にも形成されている構造を有する。
具体的には、基板2の上下面の各々に電極層3が形成され、この各電極層3上に更に圧電体結晶薄膜1が形成されている。
図5は、本発明の第5実施形態に係る圧電素子Aを示している。
この第5実施形態の圧電素子Aは第3実施形態の圧電素子と比べて、電極層3と圧電体結晶薄膜1との位置が入れ替わっている点で相違する。
圧電素子Aに外部から圧力を加えられると、電極層3と接地電位部と間の電位差Vや電荷が変化し、この電位差Vや電荷を計測することにより加えられた圧力を求めることができる。
図6は、本発明の第6実施形態に係る圧電素子Aを示している。
この第6実施形態の圧電素子Aは、上記第5実施の形態における圧電体結晶薄膜1及び電極層3が基板2を介して対称的に反対面にも形成されている構造を有する。
具体的には、基板2の上下面の各々に圧電体結晶薄膜1が形成され、この各圧電体結晶薄膜1上に更に電極層3が形成されている。
一方の圧電体結晶薄膜1や電極3にクラック等が生じて機能が低下しても、他方の圧電体結晶薄膜1や電極3が機能するために安全性が向上する。
例えば、上述した実施形態では、弾性を有する基板2の片面側又は両面側に基板2を伸ばした状態で、伸縮弾性を有する電極層3を形成することも当然可能である。
図に示すように、伸縮弾性を有する基板であるシリコーンゴムシート5上には、該シリコーンゴムシート5を伸長させた状態にして白金電極層6と圧電体結晶薄膜である窒化アルミニウム薄膜7を順次RFマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し圧電素子8を形成した。
窒化アルミニウム薄膜7は白金電極層6を完全には覆っておらず、一部露出した状態にされている。
この変化の電気的出力をチャージアンプ10で増幅させ、オシロスコープ11により測定した結果、440pCの電荷が検出された。
またシリコーンゴムシート5に繰り返し引っ張り力を加えて(200回)圧電素子8を観察したところ、白金電極層6や窒化アルミニウム薄膜7には亀裂が全く生じていないことが分かった。
図に示すように、シリコーンゴムチューブ5A上には、導電性ゴム電極層6Aと窒化アルミニウム薄膜7Aを順次RFマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し圧電素子8を形成した。
このようにして作製した圧電素子8Aに空気をダイヤフラム式エアーポンプを用いて流した。
導電性ゴム電極層6Aと接地電位部との間で変化した電荷をチャージアンプ10で増幅させ、オシロスコープ11により測定したところ、空気圧に対応した信号が検出された。
またシリコーンゴムゴムチューブ5Aに繰り返し引っ張り力を加えて(250回)圧電素子8Aを観察したところ、導電性ゴム電極層6Aや窒化アルミニウム薄膜7Aには亀裂が全く生じていないことが分かった。
また、原理から見て、スピーカー、圧電リレー、超音波加工等への応用も可能である。
1 圧電体(圧電体結晶薄膜)
2 基板
3 電極層
5,5A シリコーンゴムシート
6 白金電極層
6A 導電性ゴム電極層
7,7A 窒化アルミニウム薄膜
8,8A 圧電素子
9 錘
10 チャージアンプ
11 オシロスコープ
V 電源
Claims (11)
- 伸縮弾性を有する基板の片面側又は両面側に基板を伸長させた状態で、電極層及び圧電体結晶薄膜が形成されていることを特徴とする伸縮可能な圧電素子。
- 伸縮弾性を有する基板の片面側又は両面側に、伸縮弾性を有する電極層及び圧電体結晶薄膜が形成されたことを特徴とする伸縮可能な圧電素子。
- 前記伸縮弾性を有する基板は、合繊樹脂を主成分として含むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記伸縮弾性を有する基板は、エラストマーを主成分として含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記エラストマーとして、シリコーンゴムを使用することを特徴とする請求項3に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記圧電体結晶薄膜は、複合酸化物を主成分として含むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記複合酸化物として、ジルコンチタン酸鉛(PZT)、ニオブ酸リチウム、又はチタン酸バリウムのいずれか1種であることを特徴とする請求項5に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記圧電体結晶薄膜は、ウルツ鉱型構造の化合物を主成分として含むものであることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記ウルツ鉱型構造の化合物として、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ヨウ化銀、硫化亜鉛、硫化カドミウム、窒化ガリウムのいずれか1種であることを特徴とする請求項7記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記電極層は、金属又は金属酸化物を主成分として含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の伸縮可能な圧電素子。
- 前記電極層は、導電ペースト、導電性ゴム、又は導電性高分子のいずれか1種を主成分として含むものよりなることを特徴とする請求項2に記載の伸縮可能な圧電素子。
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