JP2006145902A

JP2006145902A - 光伝送用チップおよびその製造方法

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Publication number: JP2006145902A
Application number: JP2004336706A
Authority: JP
Inventors: Akio Maeda; 明雄前田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2004-11-19
Filing date: 2004-11-19
Publication date: 2006-06-08
Also published as: CN1776469A; FR2878340A1; FR2878340B1; US20060110095A1

Abstract

【課題】光導波路で比較的に簡単に平坦面を確立することができる光伝送用チップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】光伝送用チップ１６は、誘電体結晶から構成され、表面に直交する１対の平坦面１７ａ、１７ｂで仕切られる本体１７を備える。本体１７内には、無機材料の拡散に基づき本体１７の表面に沿って光導波路１８が形成される。本体１７の表面には、平坦面１７ａ、１７から引っ込んだ位置で光導波路１８の先端を露出させる窪み２４が形成される。こうした光伝送用チップ１６では、本体１７の窪み２４は例えばエッチング加工に基づき比較的に簡単に形成されることができる。エッチング加工に基づき光導波路１８の先端で平滑面が確立されることができる。例えば光ファイバとの間で光の損失はできる限り回避される。
【選択図】図２

Description

本発明は、例えば光変調器といった光送受信器に用いられる光伝送用チップの製造方法に関する。

例えば特許文献１に開示されるように、光導波路を備える光伝送用チップは広く知られる。こうした光伝送用チップの製造にあたって、ウェハ上に樹脂製の光導波路が形成される。ウェハおよび光導波路にはクラッド層や保護層が覆い被さる。その後、ダイシング加工に基づきウェハ上で光導波路やクラッド層は所定の形状に切断される。こうして光導波路の先端は露出する。その後、ウェハは切り分けられる。
特開２００２−２２９９３号公報特開２００４−１７０６０８号公報

光導波路の先端は切断面で露出する。切断面にはダイシング用ブレードとの摩擦に基づき例えば多数の引っ掻き傷が形成されてしまう。こういった引っ掻き傷が光導波路の先端に存在すると、光の散乱に基づき光の損失を招く。こういった引っ掻き傷の解消にあたって切断面には例えば研磨処理が施されてもよい。しかしながら、平坦面の確立にあたって砥粒の粒度が微小化されると、研磨処理に多大な時間が費やされてしまう。生産効率は低下してしまう。

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、光導波路で比較的に簡単に平坦面を確立することができる光伝送用チップおよびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、第１発明によれば、誘電体結晶から構成され、表面に直交する１対の平坦面で仕切られる本体と、無機材料の拡散に基づき本体の表面に沿って本体内に形成される光導波路と、本体の表面に形成されて、平坦面から引っ込んだ位置で光導波路の先端を露出させる窪みとを備えることを特徴とする光伝送用チップが提供される。

こういった光伝送用チップでは、本体の窪みは例えばエッチング加工に基づき比較的に簡単に形成されることができる。エッチング加工に基づき光導波路の先端で平滑面が確立されることができる。例えば光ファイバとの間で光の損失はできる限り回避されることができる。こうした光伝送用チップでは、窪みは、平坦面から延びる溝で構成されればよい。

第２発明によれば、誘電体結晶から構成されるウェハを準備する工程と、ウェハの表面から無機材料の拡散を施し、ウェハの表面に沿ってウェハ内を延びる光導波路を形成する工程と、ウェハの表面でエッチング加工を施し、光導波路に直交する基準面に沿って面を切り出す工程とを備える光伝送用チップの製造方法が提供される。

こうした製造方法によれば、エッチング加工に基づき光導波路に直交する基準面に沿って面が切り出される。光導波路の先端は面で露出する。こうして光導波路の先端で比較的に簡単に平滑面は確立されることができる。

こうした光伝送用チップの製造方法は、面の切り出しにあたって、ウェハの表面に光導波路を横切る溝を形成する工程と、溝内で向き合う光導波路の先端同士の間で仮想平面に沿ってウェハを切り分ける工程とを備えればよい。

こういった製造方法によれば、例えばダイシング用ブレードの光導波路に対する接触は回避される。光導波路の先端ではひび割れは確実に回避されることができる。加えて、切り出しの速度は高められる。作業時間は短縮されることができる。

以上のように本発明によれば、光導波路で比較的に簡単に平坦面を確立することができる光伝送用チップおよびその製造方法が提供されることができる。

以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。

図１は本発明の第１実施形態に係る光送受信器すなわち光変調器１１の構造を概略的に示す。この光変調器１１は例えばマッハツェンダ型に構成される。光変調器１１はケーシング１２を備える。ケーシング１２には入力側光ファイバ１３ａおよび出力側光ファイバ１３ｂが差し込まれる。差し込みにあたって、光ファイバ１３ａ、１３ｂの先端には例えばフェルール１４が取り付けられる。フェルール１４は例えばガラス材料から構成されればよい。フェルール１４はコネクタ１５に取り付けられる。コネクタ１５はケーシング１２に着脱自在に構成される。光ファイバ１３ａ、１３ｂは１直線上で延びる。周知の通り、光ファイバ１３ａ、１３ｂは、コアと、コアの周囲を取り囲むクラッド層と、クラッド層を覆う被覆層とを備える。

ケーシング１２には光伝送用チップ１６を備える。光伝送用チップ１６は、光ファイバ１３ａ、１３ｂ同士の間に配置される。光伝送用チップ１６は、本体１７と、本体１７の表面に沿って形成される光導波路１８とを備える。本体１７は例えば平板状に形成される。本体１７は、表面に直交する１対の平坦面１７ａ、１７ｂで仕切られる。光導波路１８は、本体１７の平坦面１７ａ、１７ｂ同士の間で本体１７の長さ方向に延びる。光導波路１８は本体１７内で光を伝播させることができる。

光導波路１８の先端は光ファイバ１３ａ、１３ｂに接続される。光導波路１８の中心は光ファイバ１３ａ、１３ｂの軸心に一致する。こうした光導波路１８は、入力路１８ａと、入力路１８ａと同一直線上に規定される出力路１８ｂと、入力路１８ａおよび出力路１８ｂを接続し、所定の分岐点１９、２１で二股に分岐する第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄとを備える。第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄは相互に平行に延びればよい。

光ファイバ１３ａおよび光伝送用チップ１６の平坦面１７ａの間、および、光伝送用チップ１６の平坦面１７ｂおよび光ファイバ１３ｂの間にはレンズ２２、２２が組み込まれる。これらのレンズ２２の働きで、光ファイバ１３ａから入力される入力光は光導波路１８の先端に集光される。同様に、光導波路１８の先端から出力される出力光は光ファイバ１３ｂの先端に集光される。

本体１７の平坦面１７ｂおよびレンズ２２の間にはフォトダイオード２３が挟み込まれてもよい。こうしたフォトダイオード２３に基づき光導波路１８の先端から出力される出力光は電気信号に変換される。この電気信号に基づき出力光の状態はモニタされることができる。

図２に示されるように、光導波路１８すなわち入力路１８ａおよび出力路１８ｂの先端は、本体１７の表面に形成される窪み２４内で露出する。こうして入力路１８ａおよび出力路１８ｂの先端は平坦面１７ａや平坦面１７ｂから引っ込んだ位置で露出する。こうした窪み２４は、平坦面１７ａ、１７ｂから延びる溝で構成されればよい。ここでは、光導波路１８の先端は、本体１７の表面に直交する平坦面２５で露出する。

図３に示されるように、本体１７の表面には、第１分岐路１８ｃ上に延びる信号電極２６が形成される。本体１７の表面にはさらに、信号電極２６を挟んで、第２分岐路１８ｄ上に延びる第１接地電極２７と、第２接地電極２８とが形成される。これらの電極２６、２７、２８の一端は信号源２９に接続される。その一方で、電極２６、２７、２８の他端は終端抵抗３１に接続される。信号源２９は信号電極２６に電気信号を入力することができる。

図４に示されるように、光伝送用チップ１６の本体１７は、例えばＬｉＮｂＯ_３といった誘電体結晶から構成される基層３２を備える。基層３２は所定の平面に沿って広がる。基層３２内には前述の光導波路１８が形成される。光導波路１８は例えばＴｉといった無機材料の熱拡散に基づき基層３２の表面に沿って基層３２内に形成される。

本体１７は、基層３２の表面に広がるＳｉＯ_２層３３を備える。こうしてＳｉＯ_２層３３は基層３２との間に光導波路１８を挟み込む。こうしたＳｉＯ_２層３３はバッファ層として機能する。本体１７は、ＳｉＯ_２層３３の表面に広がるＳｉ層３４をさらに備える。Ｓｉ層３４は、基層３２の表面を仕切る側面および裏面を覆う。Ｓｉ層３４の表面には、前述の信号電極２６、第１および第２接地電極２７、２８が受け止められる。電極２６、２７、２８は例えばＡｕといった導電材料から構成されればよい。電極２６、２７、２８およびＳｉ層３４の間にはＴｉ層３５が挟み込まれる。

第１接地電極２７および信号電極２６の間には溝３６が区画される。こうして第１接地電極２７は信号電極２６から所定の間隔で隔てられる。同様に、信号電極２６および第２接地電極２８の間には溝３７が区画される。こうして第２接地電極２８は信号電極２６から所定の間隔で隔てられる。こうした溝３６、３７の両端は、図３から明らかなように、光導波路１８に平行に延びる本体１７の側面に至る。

次に、光変調器１１の動作を簡単に説明する。光源からの入力光が入力側光ファイバ１３ａを介してケーシング１２内に入力されると、入力光はレンズ２２から光導波路１８の先端すなわち入力路１８ａの先端に入射する。続いて、入力光は分岐点１９で第１分岐路１８ｃおよび第２分岐路１８ｄに分岐する。入力光は分岐点１９で実質的に二等分されて第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄに導かれる。

その一方で、信号電極２６には信号源２９から電気信号が入力される。こうした電気信号に基づき第１分岐路１８ｃには電界がかけられる。こうして第１分岐路１８ｃでは光の屈折率が変化する。いわゆる電気光学効果の働きで、第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄの間で光の位相が変化する。位相の変化は電気信号の「１」と「０」とに対応する。第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄに導かれる光は分岐点２１で結合される。

分岐点２１では、光の位相差に基づき、光は、出力路１８ｂに導かれる出力光と、本体１７内の基層３２内に漏れる漏れ光とに分岐する。出力路１８ｂの先端から出力される出力光はレンズ２２から出力側光ファイバ１３ｂに入射する。こうして出力側光ファイバ１３ｂに基づき出力光すなわち光信号は伝送先に向けて伝送される。こうして伝送先では出力光の光の強度に基づき情報は読み出されることができる。

以上のような光変調器１１では、光導波路１８の先端は窪み２４内で平坦面１７ａ、１７ｂから引っ込んだ位置で露出する。光導波路１８は、誘電体結晶から構成される本体１７内に無機材料の拡散に基づき形成される。本体１７の窪み２４は、後述されるように、例えばエッチング加工に基づき比較的に簡単に形成されることができる。エッチング加工に基づき光導波路１８の先端で平滑面が確立されることができる。光ファイバ１３ａ、１３ｂとの間で光の損失はできる限り回避される。

次に、光伝送用チップ１６の製造方法を詳細に説明する。まず、図５に示されるように、ウェハ４１が用意される。ウェハ４１は例えばＬｉＮｂＯ_３といった誘電体結晶から構成される。ウェハ４１は本体１７の基層３２に相当する。

図６に示されるように、ウェハ４１上には無機材料層すなわちＴｉ層４２がウェハ４１の全面にわたって形成される。形成にあたってウェハ４１は蒸着装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。Ｔｉの純度は４Ｎに設定される。チャンバ内の真空度は例えば６．６×１０^−４［Ｐａ］程度に設定される。Ｔｉ層４２の膜厚は例えば１００ｎｍ程度に設定される。ウェハ４１はチャンバから取り出される。

Ｔｉ層４２の表面には全面にわたってフォトレジスト材４３が塗布される。フォトレジスト材４３の膜厚は例えば１μｍ程度に設定される。フォトレジスト材４３には露光および現像が実施される。その結果、図７に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜４３ａが形成される。フォトレジスト膜４３ａは、所定の間隔で隔てられつつ１直線上で延びる１対の直線部と、直線部の内端から分岐して直線部の内端同士を結ぶ１対の分岐直線部とを備える。フォトレジスト膜４３ａの周囲でＴｉ層４２の表面は露出する。

続いて、Ｔｉ層４２にウェットエッチング加工が施される。フォトレジスト膜４３ａの周囲でＴｉ層４２は取り払われる。こうして、図８に示されるように、ウェハ４１の表面には、規定のパターンに象られたＴｉ層４２が残存する。その後、フォトレジスト膜４３ａは取り払われる。

続いて、ウェハ４１は拡散装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。チャンバ内では、ウェハ４１は、摂氏１０００度で１０時間にわたって加熱される。チャンバ内には毎分１０リットルの純酸素ガスが流通する。こうした加熱に基づき、図９に示されるように、ウェハ４１の表面からウェハ４１内にＴｉが拡散する。こうしてウェハ４１の表面に沿ってウェハ４１内を延びる光導波路４４が形成される。ウェハ４１はチャンバから取り出される。

図１０に示されるように、光導波路４４には、所定の間隔で隔てられつつ１直線上で延びる１対の直線部４４ａ、４４ｂと、直線部４４ａ、４４ｂの内端から分岐して直線部４４ａ、４４ｂの内端同士を結ぶ１対の分岐直線部４４ｃ、４４ｄとが区画される。

続いて、ウェハ４１の表面には全面にわたってフォトレジスト材４５が塗布される。フォトレジスト材４５の膜厚は例えば１５μｍ程度に設定されればよい。フォトレジスト材４５には露光および現像が実施される。その結果、フォトレジスト膜４５ａには規定のパターンで空隙４６が形成される。図１１に示されるように、空隙４６は光導波路４４の直線部４４ａ、４４ｂを横切る。空隙４６内でウェハ４１の表面は露出する。

続いて、ウェハ４１にドライエッチング加工が施される。ここでは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法が実施される。ウェハ４１はドライエッチング装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。反応ガスには例えばＡｒガスおよびＣ_３Ｆ_８ガスの混合ガスが用いられる。高周波電源のアンテナ出力は１２００Ｗに設定される。バイアス電源のバイアス出力は２００Ｗに設定される。成膜圧力は０．２５Ｐａに設定される。冷蔵室の温度は摂氏−１０度程度に設定される。エッチング加工は１〜３時間にわたって実施される。

チャンバ内では、反応ガスのプラズマ化に基づきフォトレジスト材４５の表面や空隙４６内にはイオンが降り注ぐ。同時に、ウェハ４１の表面では反応ガスに基づき化学反応が引き起こされる。こうして空隙４６内で光導波路４４やウェハ４１は取り払われる。ウェハ４１はチャンバから取り出される。その後、フォトレジスト膜４５ａは取り払われる。こうして、図１２に示されるように、空隙４６内ではウェハ４１の表面に溝４７が形成される。溝４７は光導波路４４を横切る。溝４７内には光導波路４４に直交する基準面に沿って平坦面４８、４８が確立される。こうして光導波路４４の先端には平坦面４８に沿って先端面４９が切り出される。

続いて、図１３に示されるように、ウェハ４１の表面にはＳｉＯ_２層５２が形成される。形成にあたってウェハ４１はスパッタリング装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。ＳｉＯ_２層５２の膜厚は例えば１μｍ程度に設定されればよい。ウェハ４１はチャンバから取り出される。その後、ウェハ４１は摂氏６００度で１０時間にわたって加熱される。チャンバ内には毎分１０リットルの純酸素ガスが流通する。

その後、ＳｉＯ_２層５２の表面およびウェハ４１の裏面にはＳｉ層５３が形成される。Ｓｉ層５３の形成にあたってウェハ４１は蒸着装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。チャンバ内の真空度は例えば１［Ｐａ］程度に設定される。Ｓｉ層５３の膜厚は例えば１００ｎｍ程度に設定される。ウェハ４１はチャンバから取り出される。

続いて、Ｓｉ層５３の表面にはＴｉ層５４および第１Ａｕ層５５が順次形成される。形成にあたってウェハ４１は蒸着装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。チャンバ内の真空度は例えば６．６×１０^−４［Ｐａ］程度に設定される。Ｔｉの純度は４Ｎに設定される。Ｔｉ層５４の膜厚は例えば５０ｎｍ程度に設定される。Ａｕの純度は４Ｎ以上に設定される。第１Ａｕ層５５の膜厚は例えば２００ｎｍに設定される。ウェハ４１はチャンバから取り出される。

第１Ａｕ層５５の表面には全面にわたってフォトレジスト材５６が塗布される。フォトレジスト材５６の膜厚は例えば１μｍ程度に設定される。フォトレジスト材５６には露光および現像が実施される。その結果、フォトレジスト膜５６には規定のパターンで溝５７、５８が形成される。溝５７は前述の溝３６の輪郭に象られる。同様に、溝５８は前述の溝３７の輪郭に象られる。

その後、第１Ａｕ層５５およびＴｉ層５４にはウェットエッチング加工が施される。溝５７、５８内で第１Ａｕ層５５およびＴｉ層５４は取り払われる。その後、フォトレジスト材５５は取り払われる。こうして、図１４に示されるように、溝５７、５８内でＳｉ層５３の表面は露出する。第１Ａｕ層５５およびＴｉ層５４に基づき前述の溝３６、３７の輪郭が象られる。

続いて、ウェハ４１の表面には全面にわたってフォトレジスト材が塗布される。フォトレジスト材の膜厚は例えば１３μｍ程度に設定される。フォトレジスト材には露光および現像が実施される。その結果、図１５に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜５９が形成される。すなわち、フォトレジスト膜５９は溝５７、５８内に残存する。続いて、めっきに基づき第２Ａｕ層６１が形成される。第２Ａｕ層６１の膜厚は例えば４μｍ程度に設定される。その後、フォトレジスト膜５９は取り払われる。

続いて、図１６に示されるように、フォトレジスト材６２の塗布、フォトレジスト材６２の露光および現像並びに第３Ａｕ層６３の形成が順次実施される。フォトレジスト膜６２は溝５７、５８内に残存する。フォトレジスト膜６２の膜厚は例えば１３μｍ程度に設定される。第３Ａｕ層６３の形成にあたってめっきが実施される。第３Ａｕ層６３の膜厚は例えば１３μｍ程度に設定される。その後、フォトレジスト膜６２は取り払われる。

続いて、ウェハ２１の表面にはフォトレジスト材６４が塗布される。フォトレジスト材６４の膜厚は例えば１４μｍ程度に設定される。フォトレジスト材６４には露光および現像が実施される。その結果、図１７に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜６４が形成される。溝５７、５８内にはフォトレジスト膜６４が残存する。

その後、第３〜第１Ａｕ層６３、６１、５５やＴｉ層５４にウェットエッチング加工が施される。こうして第１および第２接地電極２７、２８の側面が切り出される。その後、フォトレジスト膜６４は取り払われる。こうして、図１８に示されるように、ウェハ４１の表面には信号電極２６、第１および第２接地電極２７、２８が形成される。

続いて、図１９に示されるように、仮想平面６５に沿ってウェハ４１は切り分けられる。仮想平面６５は光導波路４４に平行に規定されればよい。切り分けにあたってメタルブレード（図示されず）が用いられればよい。こうして光伝送用チップ１６の側面は切り出される。

続いて、図２０に示されるように、溝４７内で向き合う平坦面４８すなわち光導波路４４の先端面４９同士の間で仮想平面６６に沿ってウェハ４１はさらに切り分けられる。仮想平面６６は光導波路４４に直交すればよい。切り分けにあたってレジンダイヤモンドブレード（図示されず）が用いられればよい。こうして、図２１に示されるように、光伝送用チップ１６の平坦面１７ａ、１７ｂは切り出される。

その後、光伝送用チップ１６の側面にはＳｉ層（図示されず）が形成される。Ｓｉ層の膜厚は例えば１００ｎｍ程度に設定されればよい。続いて、光伝送用チップ１６の平坦面１７ａ、１７ｂにはＡＲコートが施されればよい。こうして光伝送用チップ１６は製造されることができる。

以上のような光伝送用チップ１６の製造方法によれば、例えば反応性イオンエッチングといったエッチング加工に基づき光導波路４４の先端面４９は切り出される。先端面４９は光導波路４４に直交する基準面に沿って切り出される。こうしてエッチング加工に基づき光導波路４４の先端面４９で比較的に簡単に平滑面は確立されることができる。

しかも、光伝送用チップ１６の切り出しにあたって、ウェハ４１は、溝４７内で向き合う光導波路４４の先端面４９同士の間で仮想平面６６に沿って切り分けられる。その結果、ブレードの光導波路４４に対する接触は回避される。光導波路４４の先端面４９ではひび割れは確実に回避されることができる。加えて、切り出しの速度は高められる。作業時間は短縮されることができる。

その一方で、従来では、光伝送用チップの切り出しにあたって、ウェハの表面には光導波路に直交する直線に沿って保護部材が接着される。ブレードは保護部材に沿って移動する。こうしてブレードは光導波路を切断する。切断面にはブレードとの摩擦に基づき例えば多数の引っ掻き傷が形成されてしまう。切断面には研磨処理が施されなければならない。しかも。ブレードの応力に基づき切断面ではひび割れが発生してしまう。加えて、保護部材の接着剤に基づき切断面は汚染してしまう。大きな光の損失は避けられない。

以上のような光伝送用チップ１６の製造方法では、溝４７の形成は例えばＳｉ層５３の形成後でＴｉ層５４の形成前に実施されてもよい。同様に、溝４７の形成は、例えば信号電極２６や第１および第２接地電極２７、２８の形成後でウェハ４１の切り分け前に実施されてもよい。

図２２は、本発明の第２実施形態に係る光変調器１１ａの構造を概略的に示す。この光変調器１１ａでは、光ファイバ１３ａ、１３ｂは直接に光伝送用チップ１６に接続される。すなわち、光伝送用チップ１６にはフェルール１４の先端が受け止められる。その他、光変調器１１ａでは、コネクタ１５やレンズ２２、フォトダイオード２３は省略されればよい。

図２３に示されるように、フェルール１４は窪み２４に受け入れられる。光ファイバ１３の先端は光導波路１８の先端に受け止められればよい。光ファイバ１３ａ、１３ｂの軸心は光導波路１８の中心に一致する。こうした光伝送用チップ１６は前述と同様の製造方法に基づき製造されればよい。なお、前述の第１実施形態と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。

以上のような光変調器１１ａでは、フェルール１４は直接に光伝送用チップ１６の窪み２４に受け入れられる。こうして光ファイバ１３ａ、１３ｂは光導波路１８に直接に接続されることができる。その結果、光ファイバ１３の軸心は光導波路１８の中心に簡単に位置決めされる。位置決めの調整にあたって作業時間は短縮されることができる。しかも、光の損失はできる限り低減されることができる。

その他、例えば図２４に示されるように、窪み２４の幅は平坦面１７ａ、１７ｂから平坦面２５に向かうにつれて徐々に狭められてもよい。こういった光伝送用チップ１６は前述と同様の製造方法に基づき製造されることができる。このとき、溝４７は例えば六角形に形成されればよい。

その他、例えば図２５に示されるように、窪み２４に代えて、本体１７には段差７１が形成されてもよい。段差７１は平坦面１７ａ、１７ｂに沿って本体１７の幅方向に延びればよい。こういった光伝送用チップ１６は、前述と同様の製造方法に基づき製造されることができる。このとき、溝４７は、ウェハ４１の表面で例えば光導波路４４に直交しつつ複数の光導波路４４に跨って形成されればよい。

本発明の第１実施形態に係る光変調器の構造を概略的に示す図である。一具体例に係る光伝送用チップの構造を概略的に示す部分拡大斜視図である。光伝送用チップの構造を概略的に示す平面図である。図３の４−４線に沿った断面図である。光伝送用チップの製造工程を示す図である。図５の６−６線に沿った断面図であり、ウェハ上でＴｉ層およびフォトレジスト材を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。光導波路を形成する工程を概略的に示すウェハの平面図である。光導波路を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。光導波路を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。フォトレジスト材に空隙を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。溝を形成する工程を概略的に示すウェハの表面の部分拡大斜視図である。溝を形成する工程を概略的に示すウェハの表面の部分拡大斜視図である。信号電極や接地電極を形成する工程を概略的に示すウェハの平面図である。信号電極や接地電極を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。信号電極や接地電極を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。信号電極や接地電極を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。信号電極や接地電極を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。信号電極や接地電極を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。ウェハを切り分ける工程を概略的に示すウェハの平面図である。ウェハを切り分ける工程を概略的に示すウェハの平面図である。ウェハを切り分ける工程を概略的に示すウェハの平面図である。本発明の第２実施形態に係る光変調器の構造を概略的に示す図である。光伝送用チップの構造を概略的に示す部分拡大斜視図である。一変形例に係る光伝送用チップの構造を概略的に示す部分拡大斜視図である。一変形例に係る光伝送用チップの構造を概略的に示す部分拡大斜視図である。

符号の説明

１６光伝送用チップ、１７本体、１７ａ平坦面、１７ｂ平坦面、１８光導波路、２４窪み、４１ウェハ、４４光導波路、４７溝、４８面（平坦面）、６６仮想平面。

Claims

誘電体結晶から構成され、表面に直交する１対の平坦面で仕切られる本体と、無機材料の拡散に基づき本体の表面に沿って本体内に形成される光導波路と、本体の表面に形成されて、平坦面から引っ込んだ位置で光導波路の先端を露出させる窪みとを備えることを特徴とする光伝送用チップ。
請求項１に記載の光伝送用チップにおいて、前記窪みは、前記平坦面から延びる溝で構成されることを特徴とする光伝送用チップ。
誘電体結晶から構成されるウェハを準備する工程と、ウェハの表面から無機材料の拡散を施し、ウェハの表面に沿ってウェハ内を延びる光導波路を形成する工程と、ウェハの表面でエッチング加工を施し、光導波路に直交する基準面に沿って面を切り出す工程とを備えることを特徴とする光伝送用チップの製造方法。
請求項３に記載の光伝送用チップの製造方法において、前記面の切り出しにあたって、ウェハの表面に光導波路を横切る溝を形成する工程と、溝内で向き合う光導波路の先端同士の間で仮想平面に沿ってウェハを切り分ける工程とをさらに備えることを特徴とする光伝送用チップの製造方法。