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  1. 半導体デバイスを製造する際の欠陥を低減するための方法であって、
    基材を用意する工程、及び
    当該基材を次の式（Ｉ）又は（ＩＩ）
    Figure 2006201809
     （式中のＲ1とＲ4は炭素原子数３〜１０の直鎖又は枝分かれしたアルキル鎖であり、Ｒ2とＲ3はＨかあるいは炭素原子数１〜５のアルキル鎖であり、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは０〜２０の範囲の数である）
    を有する少なくとも１種の界面活性剤を約１０ｐｐｍ〜約１０，０００ｐｐｍ含む処理溶液と接触させる工程、
    を含む、半導体デバイス製造の際の欠陥低減方法。
  2. 前記処理溶液が約１０〜約１０，０００ｐｐｍの少なくとも１種の分散剤を更に含む、請求項１記載の方法。
  3. 前記少なくとも１種の分散剤が非イオン性化合物、イオン性化合物及び界面活性剤のうちの少なくとも１つを含む、請求項２記載の方法。
  4. （ｎ＋ｍ）の値の範囲が０〜３０である、請求項１記載の方法。
  5. （ｎ＋ｍ）の値の範囲が１．３〜１５である、請求項４記載の方法。
  6. （ｐ＋ｑ）の値の範囲が０〜３０である、請求項１記載の方法。
  7. （ｐ＋ｑ）の値の範囲が１〜１０である、請求項６記載の方法。
  8. 接触角が３０秒で約６０°以下である、請求項１記載の方法。
  9. 接触角が３０秒で約５０°以下である、請求項８記載の方法。
  10. 接触角が３０秒で約４０°以下である、請求項９記載の方法。
  11. 前記接触工程が動的なリンスを含む、請求項１記載の方法。
  12. 前記処理溶液が、２３℃及び最大気泡圧力法による１気泡／秒において約４５ｄｙｎ／ｃｍの動的表面張力を示す、請求項１１記載の方法。
  13. 前記処理溶液が６０秒を超える時点において実質的のゼロの発泡を示す、請求項１１記載の方法。
  14. 半導体デバイスを製造する際の欠陥を低減するための方法であって、
    基材を用意する工程、及び
    当該基材を下式
    Figure 2006201809
     （式中のＲ1とＲ4は炭素原子数３〜１０の直鎖又は枝分かれしたアルキル鎖であり、Ｒ2とＲ3はＨかあるいは炭素原子数１〜５のアルキル鎖であり、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは０〜２０の範囲の数である）
    を有する少なくとも１種の界面活性剤を約１０ｐｐｍ〜約１０，０００ｐｐｍ含む処理溶液と接触させる工程、
    を含む、半導体デバイス製造の際の欠陥低減方法。
  15. 次の式（Ｉ）又は（ＩＩ）
    Figure 2006201809
     （式中のＲ1とＲ4は炭素原子数３〜１０の直鎖又は枝分かれしたアルキル鎖であり、Ｒ2とＲ3はＨかあるいは炭素原子数１〜５のアルキル鎖であり、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは０〜２０の範囲の数である）
    を有する少なくとも１種の界面活性剤を約１０〜約１０，０００ｐｐｍ含む処理溶液。
  16. 約１０〜約１０，０００ｐｐｍの少なくとも１種の分散剤を更に含む、請求項１５記載の処理溶液。
  17. 前記少なくとも１種の分散剤が非イオン化合物を含む、請求項１６記載の処理溶液。
  18. 前記少なくとも１種の分散剤がイオン性化合物を含む、請求項１６記載の処理溶液。
  19. （ｎ＋ｍ）の値の範囲が０〜３０である、請求項１５記載の処理溶液。
  20. （ｎ＋ｍ）の値の範囲が１．３〜１５である、請求項１９記載の処理溶液。
  21. （ｐ＋ｑ）の値の範囲が０〜３０である、請求項１５記載の処理溶液。
  22. （ｐ＋ｑ）の値の範囲が１〜１０である、請求項２１記載の処理溶液。
  23. 光活性化合物、溶媒、ポリマー、塩基及び酸のうちの少なくとも１つを更に含む、請求項１５記載の処理溶液。
  24. 下式
    Figure 2006201809
     （式中のＲ1とＲ4は炭素原子数３〜１０の直鎖又は枝分かれしたアルキル鎖であり、Ｒ2とＲ3はＨかあるいは炭素原子数１〜５のアルキル鎖であり、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは０〜２０の範囲の数である）
    を有する少なくとも１種の界面活性剤を約１０〜約１０，０００ｐｐｍ含む処理溶液。
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