JP2006241065A - ハロゲン−リチウム交換反応を用いる有機化合物の製造法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハロゲン化合物とリチウム試薬とを、反応温度が−10〜40℃かつ滞留時間が0.001〜10秒の条件下でマイクロリアクターを用いて反応させて下記一般式(I)で表されるリチウム化合物(式中、Aで表される環は、芳香環、飽和環、部分飽和環又はヘテロ環を表す)を製造し、引き続きマイクロリアクターを用いて連続して求電子化合物と反応させて、Li基を求電子基に交換する。
【選択図】図1
Description
有機リチウムマグネシウムアート錯体(特許文献1参照)や有機リチウム銅アート錯体(非特許文献4参照)は、適度な反応性と安定性を有する試薬として知られている。これらは、反応活性の異なる反応基質に対して、アート錯体の置換基のアルキル鎖の種類や反応温度を工夫することで反応性を調節することができ、極低温条件を必要としないため工業的に有用である。しかし、反応の度にアート錯体を調整する必要があり、製造工程が1工程増えるため製造が煩雑になる。
更に、上記リチウム中間体の中でもリチオピリジンに代表されるヘテロ芳香族リチウム化合物は特に不安定であり、リチオ化反応並びに求電子化合物との反応を−80℃で行った場合でも目的物の収率が極めて低い。不安定なリチウム化合物を用いる方法として、イン・サイト・クエンチ法が報告されている(非特許文献6、7参照)。これは、予めハロゲン化合物と求電子化合物を共存させた溶液にリチウム試薬を滴下し、リチウム中間体を発生させると同時に反応系中で求電子化合物との捕捉反応を行う方法である。しかし、この方法は求電子化合物とリチウム中間体との反応速度よりリチオ化反応の反応速度が大きい場合に限られ、原料基質の種類と反応温度設定によって反応が大きく影響するという欠点がある。
マイクロリアクターによるリチオ化反応の実験例も幾つか報告されており、例えば、脱プロトン化によるリチウム中間体およびそれを経由するホウ素化合物の合成法(特許文献7参照)、ハロゲン−リチウム交換反応を用いたTramadolの合成(非特許文献11参照)3−リチオアニソールの合成およびそれとN,N−ジメチルホルムアミド(以下DMFと略記する)との反応(非特許文献12参照)等が挙げられる。これらの例では、マイクロリアクターを使用しない従来のバッチ反応に比べていずれも収率が向上しているが、しかし、特許文献7や非特許文献11では実際には、やはり−30℃や−14℃といった低温条件下で反応が行われている。非特許文献12では、マイクロリアクターを2個直列に接続した装置を用い、第一反応のリチオ化を0℃、滞留時間0.19分の条件で行い、次いで第二反応のDMFとの反応を0℃、滞留時間0.15分の条件で行っている。この方法は、これまでの方法に比べて取扱いの容易な反応温度で目的物が88%の高収率で得られており、画期的な方法である。しかし、この条件では、特に不安定なヘテロ芳香族リチウム化合物に適しているとはいえず、更なる方法が模索されている。
(1)ハロゲン化合物とリチウム試薬とを、反応温度が−10〜40℃かつ滞留時間が0.001〜10秒の条件下でマイクロリアクターを用いて反応させることを特徴とする下記一般式(I)で表されるリチウム化合物の製造方法。
(2)滞留時間が0.001〜5秒である上記(1)のリチウム化合物の製造方法。
(3)滞留時間が0.001〜3秒である上記(1)のリチウム化合物の製造方法。
(4)Aで表される環がヘテロ環である上記(1)のリチウム化合物の製造方法。
(5)上記(1)の方法により製造したリチウム化合物を、引き続きマイクロリアクターを用いて連続して求電子化合物と反応させることを特徴とする下記一般式(II)で表される化合物の製造方法。
本発明は、特定の反応温度および滞留時間の条件下でハロゲン−リチウム交換反応によるリチウム化合物の合成反応(第1反応)をマイクロリアクターを用いて行い、次いでリチウム化合物と求電子化合物による捕捉反応(第2反応)を連続して行う方法である。
以下に、ハロゲン化合物に2,6−ジブロモピリジンを、有機リチウム試薬にn−ブチルリチウムを、求電子化合物にDMFを用い、第1反応、第2反応共にマイクロリアクターを用いた本発明の一例を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。
マイクロリアクターは、通常数mm以下、好ましくは500μmより小さな等価直径の微小流路(マイクロチャンネル)を有し、その微小流路内で反応を行う装置として定義され、小型流動反応器、または静的マイクロミキサー(スタティックマイクロミキサー)を使用して定常状態で反応を実施するための反応装置である。ここで、等価直径とは流路断面を円形に換算した場合の直径である。静的マイクロミキサーとは、例えばWO96/30113号に記載されているような、混合のための微細な流路を有しているミキサーに代表される装置であり、また「“マイクロリアクターズ” 第3章、W.Ehrfeld、V.Hessel、H.Lowe著、Wiley−VCH社刊」に記載されている混合機(ミキサー)である。
本発明のマイクロミキサーやチューブの材質は、耐熱、耐圧及び耐溶剤性、加工容易性等の要求に応じて、ステンレス鋼、チタン、銅、ニッケル、アルミニウムなどの金属、ガラス、フォチュランガラス、各種セラミックス、ピーク樹脂、プラスチック、シリコン、及びPFA、TFAAなどのテフロン樹脂等を好適に使用できる。
(a)X線リソグラフィと電気メッキを組み合わせたLIGA技術
(b)EPON SU8を用いた高アスペクト比フォトリソグラフィ法
(c)機械的マイクロ切削加工(ドリル径がマイクロオーダのドリルを高速回転するマイクロドリル加工等)
(d)Deep RIEによるシリコンの高アスペクト比加工法
(e)Hot Emboss加工法
(f)光造形法
(g)レーザー加工法
(h)イオンビーム法
本発明で用いるマイクロリアクターは上記のどの微細加工技術を用いていても良く、特に制限されない。
第1反応と第2反応全体の滞留時間としては、好ましくは0.002秒〜10分、より好ましくは0.005秒〜5分、特に好ましくは0.01秒〜1分である。
従来の方法、例えばバッチ生産方式ではリチオ化反応は−75〜−40℃の超低温条件下で行なわれており、近年報告されたマイクロリアクターを使用したリチオ化反応でもその殆どが0℃未満の低温条件で行なわれている。これに対し、本発明では滞留時間と反応温度を調節することにより、室温程度の温和な条件でも効率良くリチオ中間体、特にヘテロ芳香環リチオ化合物を合成することが可能である。
本発明の第1反応の反応温度は−10〜40℃、好ましくは−10℃〜35℃、より好ましくは0〜35℃、特に好ましくは5〜35℃である。第2反応の反応温度は、リチウム化合物が分解されない温度であれば特に制限されないが、通常は−20〜70℃、好ましくは−10〜50℃、より好ましくは0〜40℃、特に好ましくは0〜35℃の範囲である。
本発明の一般式(I)で表されるリチウム化合物において、Aで表される環は具体的には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン等の単環式または多環式の6〜10員の芳香環;シクロプロパン、シクロブタン、シクロヘプタン、シクロヘキサン、シクロオクタン等の単環式または多環式の3〜10員の飽和環;シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロオクテン、インダン等の単環式または多環式の3〜10員の部分飽和環;チオフェン、フラン、ピラン、ピリジン、ピロール、ピラジン、アゼピン、アゾシン、アゾニン、アゼシン、オキサゾール、チアゾール、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアゾール、テトラゾール、イミダゾール、ピラゾール、モルホリン、チオモルホリン、ピペリジン、ピペラジン、キノリン、イソキノリン、インドール、イソインドール、キノキサリン、フタラジン、キノリジン、キナゾリン、キノキサリン、ナフチリジン、クロメン、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン等の5〜10員の単環式または多環式の窒素、酸素および硫黄から選択される1〜4個の原子を含有するヘテロ環を表す。好ましくはフェニル基、ヘテロ環であり、より好ましくはヘテロ環であり、更に好ましくは5または6員環のヘテロ環であり、特に好ましくはピリジン、ピリダジン、ピリミジン、ピラジン、フラン、オキサゾール、チオフェン、チアゾールである。
また、Aで表される環の置換基がカルボニル基の場合、リチウム試薬との反応の際に副反応の進行を防止できることから、tert−ブチル基の如き炭素数4以上の嵩高い、立体障害が大きい基が置換していることが好ましい。
有機リチウム試薬の使用量は、用いるハロゲン化合物の種類によって異なるが、ハロゲン化合物1モルに対して通常0.01〜20モル、好ましくは0.1〜2.0モル、より好ましくは0.5〜1.3モル、更に好ましくは0.9〜1.1モルである。
本発明で用いる求電子化合物は、具体的には、塩素分子、臭素分子、ヨウ素分子等のハロゲン分子;固体状硫黄、二酸化硫黄、酸素等の無機物類;二酸化炭素;アセトニトリル、プロピオニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類;ベンゾフェノンイミン、アセトフェノンイミン等のイミン類;クロロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン等のハロゲン化シリコン類;ニ塩化ジブチルスズ、ニ臭化ジフェニルスズ等のスズ化合物類;パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、アクリルアルデヒド、ベンズアルデヒド、ニコチンアルデヒド等のアルデヒド類;アセトン、2−ブタノン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、DMF、tert−ブチル−4−オキソ−1−ピペリジンカルボキシレート等のケトン類;クロロ蟻酸エチル、クロロ蟻酸フェニル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸オクチル、酢酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸フェニル等のエステル類;無水酢酸、無水フタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸等の酸無水物類;アセチルクロライド、ベンゾイルクロライド、2−ピリジンカルボニル クロライド等のハロゲン化アシル類;オキシラン、2−メチル−オキシラン等のオキシラン類;6−アザビシクロ[3,1,0]ヘキサン、7−アザビシクロ[4,1,0]ヘプタン等のアジリジン類;3−オキソ−1,3−ジフェニル−1−プロペン、2−メチル−3−オキソ−3−ジフェニル−1−プロペン等のα、β−不飽和ケトン類;ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化ブチル、臭化メチル、臭化エチル、臭化ヘキシル、臭化オクチル、1,2−ジヨードエタン、1,2−ジブロモエタン、1,6−ジヨードヘキサン、1,8−ジブロモオクタン、1,2−ジブロモシクロペンテン等のハロゲン化アルキル類;N−ブロモコハク酸イミド、N−ヨードコハク酸イミド、N−クロロコハク酸イミド、N−ブロモフタル酸イミド等の酸イミド類;ジメチルジスルフィド、ジフェニルジスルフィド等のジスルフィド類;クロロジフェニルホスフィン、クロロジメチルホスフィン等のホスフィン類;クロロジフェニルホスフィンオキシド、クロロジメチルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド類が挙げられる。これらの中で好ましくは、クロロトリメチルシラン、ベンズアルデヒド、DMFである。
これら求電子化合物の使用量は、ハロゲン化合物1モルに対して、通常0.01〜20モル、好ましくは0.1〜2.0モル、より好ましくは0.5〜1.3モル、更に好ましくは0.9〜1.1モルである。
尚、本発明の変換法は公知のハロゲン−金属交換反応の改良方法であることから、本発明の該工程に用いられる製造条件は、有機リチウム試薬などのハロゲン−金属交換反応および求電子試薬との反応に使用されている反応生成物の精製法を含め、反応温度以外の製造条件を全て採用することができる。
n−ブチルリチウムと2,6−ジブロモピリジンによる6−ブロモ−2−リチオピリジンの合成、およびそれに続くDMFとの反応を図1に示すマイクロリアクターを用いて行った。マイクロミキサーM1、マイクロミキサーM2には共にミキシングティー(ジーエルサイエンス製、内径0.8mmΦ、断面積0.50mm2)を使用した。区間5→9は、滞留時間が0.1秒以上では内径0.5mm(外径1/16インチ)、滞留時間が0.02〜0.1秒では内径0.25mm、0.01秒以下の場合は内径0.1mmのステンレス製チューブを各々使用した。区間8→10は、内径1.0mm(外径1/16インチ)ステンレス製チューブを使用した。第1反応部(5→8)と第2反応部(8→10)の滞留時間は、流量を変えずにステンレス製チューブの長さを変えて調節した。また、マイクロリアクター全体を恒温槽に埋没させて、所定の反応温度に設定した。
実施例1において、反応温度及び滞留時間を表1に示す条件に変更した他は、実施例1と同様の操作で合成を行った。
アルゴンガスで置換した100ml二口フラスコに2,6−ジブロモピリジンの0.316モル/lTHF溶液を5ml仕込み、ドライアイス−アセトン浴に浸して−78℃に冷却した。磁気攪拌機を用いて攪拌しながら、n−ブチルリチウムの1.58モル/ln−ヘキサン溶液をマイクロシリンジポンプで1.0ml/分の速度で5ml滴下し、−78℃で15分間攪拌した。次に、DMFの3.16モル/lTHF溶液をシリンジポンプで1.0ml/分の速度で5ml滴下し、−78℃で30分間攪拌した後、徐々に室温まで30分間かけて昇温した。得られた反応液を定量分析した結果、目的物の収率は36%だった。反応液に0℃で10%酢酸水溶液を加え、30分間攪拌した後、分離した水層を除去し、有機層を水で洗浄し、有機層をロータリーエバポレータで蒸発させて粗生成物を得た。粗生成物はシリカゲルカラムクロマトにより精製し、結晶を得た。結晶の融点、NMR、IRスペクトルは市販標準試薬と一致した。
反応温度を−40℃および0℃とした以外は、比較例1と同じ条件で実施した。
滞留時間を“Org.Process Res.Dev.,2004年8巻440頁”に記載の条件に、また反応温度を表1に記載の条件に変更した以外は実施例1と同様の操作で合成を行った。
実施例1〜36および比較例1〜5の結果を表1に示す。
n−ブチルリチウムを用いた3−ブロモフェネトールのハロゲン−リチウム交換反応をインスティチュート・フュール・マイクロテクニック・マインツ(IMM)社製シングルミキサー(流路断面積12,000μm2、ニッケル オン カッパー インレイ)を用いた定常マイクロ反応器内で行った。このシングルミキサーは分割された流路から得られる多数の副流を接触させることにより混合を行う方式のものであり、定常マイクロ反応器の出口には外径Φ1.58mm、内径Φ0.8mmのSUS316製キャピラリーをHPLCコネクターを用いて接続し、キャピラリーの出口は一方にドレン流路の付いた三方バルブを介し、クロロトリメチルシランのTHF溶液を入れてあるアルゴンガス置換済みの100ml二口フラスコに導いた。また定常反応器とSUSキャピラリー、二口フラスコの温度は恒温冷却水槽の冷媒中で0℃に温度設定した。
反応液を水と酢酸エチルで抽出し、更に減圧蒸留を行い、目的物の無色液体を得た。ミリマス測定(DI−EI/MS)の結果、目的物の分子量と一致した。
定常マイクロ反応器に、T字型に流体を衝突させる方式のT字型ミキサー(SUS316製、流路内径0.8mm、流路断面積0.5mm2)を用い、実施例38では反応温度を5℃に、実施例39では反応温度を20℃に変更した他は、実施例37と同様の条件で実施した。
n−ブチルリチウムと3−ブロモフェネトールを用いた3−リチオフェネトールの合成、および引き続きクロロトリメチルシランとの反応を図1に示すマイクロリアクターを用いて行った。マイクロミキサーM1にミキシングティー(ジーエルサイエンス製、内径0.8mmΦ、断面積0.5mm2)又はスエジロック製ティー(内径1.6mmΦ、断面積2.0mm2、および内径3.2mmΦ、断面積3.0mm2)を、マイクロミキサーM2には共にミキシングティー(ジーエルサイエンス製、内径0.8mmΦ、断面積0.5mm2)を使用した。区間5→9は内径0.5mm(外径1/16インチ)のステンレス製チューブを使用し、また、区間8→10は内径1.0mm(外径1/16インチ)ステンレス製チューブを使用した。第1反応部(5→8)と第2反応部(8→10)の滞留時間は流量を変えることで調整した。反応温度はマイクロリアクター全体を恒温槽に埋没させて用いることにより設定した。その他は実施例37と同じ条件で(3−エトキシフェニル)トリメチルシランを合成した。
アルゴンガスで置換した100ml二口フラスコにn−ブチルリチウム7mlとTHF35mlを仕込み、ドライアイス−アセトン浴に浸して−78℃に冷却した。攪拌下、3−ブロモフェネトール1.85gを滴下して−78℃で30分間攪拌した。次に、この中にクロロトリメチルシラン1.5gとTHF9mlの混合溶液を滴下して−78℃で20分間攪拌した後、徐々に室温まで30分間かけて昇温した。得られた反応液をHPLCで標準物質を用いる内部標準法により定量分析した結果、目的物の反応率は90%だった。
アルゴンガスで置換した100ml二口フラスコに3−ブロモフェネトール1.85gとTHF35mlを仕込み、ドライアイスーアセトン浴に浸して−78℃に冷却した。この中に攪拌下、n−ブチルリチウム7mlを滴下して−78℃で30分間攪拌した。次に、この中にクロロトリメチルシラン1.5gとTHF9mlの混合溶液を滴下して−78℃で20分間攪拌した後、徐々に室温まで30分間かけて昇温した。得られた反応液をHPLCで標準物質を用いる内部標準法により定量分析した結果、目的物の反応率は88%だった。
反応温度を0℃とした他は、比較例1と同様の条件で合成を行なった。
反応温度を0℃とした他は、比較例2と同様の条件で合成を行なった。
滞留時間を“Org.Process Res.Dev.,2004年8巻440頁”に記載の条件に、また反応温度を表2に記載の条件に変更した以外は実施例1と同様の操作で合成を行った。
実施例37〜50、比較例6〜11の結果を表2に示す。なお、反応率は全てHPLCで標準物質を用いる内部標準法により測定した。
ハロゲン化合物および求電子化合物を表3、4に記載したものに変えた以外は実施例1と同様の条件で合成を行った。その結果を表3、4に示す。
すなわち、熱不安定なリチウム化合物の合成法およびそれを用いた反応においては、バッチプロセスでは−78℃といった超低温冷却が必要であるのに対し、本発明のマイクロリアクターを用いた連続反応では反応温度と滞留時間を最適化することにより、超低温冷却を必要とせず、室温程度の温和な冷却条件で実施することが可能である。本製造方法は、ピリジン誘導体やキシレン誘導体の様なヘテロ環化合物にも適用可能であり、有用性が高い。
Claims (5)
- 滞留時間が0.001〜5秒である請求項1記載のリチウム化合物の製造方法。
- 滞留時間が0.001〜3秒である請求項1記載のリチウム化合物の製造方法。
- Aで表される環がヘテロ環である請求項1記載のリチウム化合物の製造方法。
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