JP2006281176A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 連続した帯状支持体に、液滴吐出ヘッドを用いることによって形成する膜全体の厚さを均一にすることができるようにした薄膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 連続して供給される支持体の表面の濡れ張力が３０〜７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、かつ前記塗布液の表面張力が１５〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、前記支持体の表面濡れ張力は前記塗布液の表面張力より高くする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を帯状支持体上に塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置に関する。

従来、薄膜形成技術としては、例えば薄膜塗布法の一つであるスピンコート法が一般的に用いられている。このスピンコート法は、塗布液を帯状支持体上に滴下した後に、帯状支持体を回転させて遠心力により帯状支持体全面に塗布を行って薄膜を形成する方法であり、回転数及び回転保持時間、あるいは塗布液の粘度などにより膜厚を制御するものである。このスピンコート法は、例えば半導体製造工程等に用いられるフォトレジスト膜やＳＯＧ（スピンオンガラス）等の層間絶縁膜の形成、液晶装置製造工程等におけるオーバーコート膜（平坦化膜）や配向膜の形成、さらには光ディスク等の製造工程における保護膜の形成等に広く用いられている。
しかしながら、このスピンコート法では、帯状支持体に連続して塗布することができず、毎回塗布支持体を取り替える必要があり、多くの塗布液を供給する必要があるとともに無駄が多く、生産コストが高くなるといった不都合があった。これらの対策のため、近年、いわゆるインクジェット法を応用した技術が提案されている。
例えば、特許文献１にはインクジェット法を応用して帯状支持体上に塗布液を塗布し、薄膜を形成する技術が記載されている。この技術は、相対移動手段によってヘッドを帯状支持体に対して直線的に相対移動させ、これによって塗布液を角型帯状支持体上に均一に塗布できるようにしたものである。
また、特許文献２には同じくインクジェット法を応用し、溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液Ｌを基板ＳＵＢ上に塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であり、塗布された塗布液の近傍に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給機構を有することにより均一に塗布できるようにしたものであることが記載されている。
特開平８−２５０３８９号公報 特開２００３−２４５５８２号公報

しかしながら、特許文献１及び２に記載の技術では、高生産性を得るために必要な連続して帯状支持体に高品位な塗布を実施できない。なぜなら帯状支持体に連続塗布をするためには、帯状支持体と一定速度で供給する巻き出し機や元巻きと元巻きの交換作業のために時間的な余裕を保持するためのアキュームレーター機、搬送する支持体の張力を安定させるためにダンサーロールやニップロール、これらの機器との間をつなぐ多数の搬送ロールが必要であり、ロールに接触するたびに支持体の表面の物理的な性質が変化する。たとえば、金属ロールに支持体が接触した後、金属ロールから剥離されると、剥離帯電により支持体表面の帯電量が変化する。
特に、高速での搬送性向上のために、搬送ロールの表面にマット加工を施したり、ロールの一部または全部溝きり加工することが知られているが、このような表面性が違うロールから剥離すると、表面状態の違いにより、帯電量は変化する。
また、搬送ロールからの伝熱により、搬送ロールに接触したあとの支持体表面温度が変化する。この場合も、前記高速での搬送性向上のために、搬送ロールの表面をマット加工や溝きり加工があると、表面状態の違いにより伝熱量が変化し、支持体の表面温度のバラツキを発生させる。
帯電量が高い支持体にインクジェット法を応用して帯状支持体上に塗布液を塗布し、薄膜を形成しようとすると、液滴吐出ヘッドから吐出される液滴が数ピコリットルと非常に小さいため、静電気により所定の着弾位置と異なる位置に着弾したり、ひどい場合には着弾自体しなくなり、均一な膜厚を得ることができないだけでなく、塗布機を汚染し、生産性が極端に劣化する。仮に着弾したとしてもその後レベリングが阻害され、膜厚分布が劣化し、配向ムラや色ムラが生じることがある。

さらに支持体表面に帯電量が不均一な場合は、膜厚分布やこれに伴い発生する配向ムラや色ムラ等が発生する。
また、既に膜材料が形成された支持体表面に、更に別の膜材料を取り扱う場合は、搬送ロールにより既膜材料が剥がされたものが、ロールに転写後、支持体面に再付着しこの状態で液滴吐出ヘッドから吐出された液滴が支持体表面に均一につかないで点状の色ムラが発生する。
支持体表面温度についても、支持体表面温度が低下すると、着弾後の塗布液の粘度が上昇しレベリングを阻害することになり、膜厚分布が劣化し、配向ムラや色ムラが生じることがある。
同様に支持体表面の温度が不均一な場合もまた膜厚分布や、これに伴い発生する配向ムラや色ムラ等が発生する。これらを回避するために搬送ロールを改造することは非常にコストが高くなり、生産性が悪くなる。

本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、連続した帯状支持体に、液滴吐出ヘッドを用いることによって形成する膜全体の厚さを均一にすることができるようにした薄膜形成装置を提供することにある。

上記目的は下記構成により達成できる。
（請求項１）
溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置において、
連続して供給される支持体の表面の濡れ張力が３０〜７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、かつ前記塗布液の表面張力が１５〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、前記支持体の表面の濡れ張力は前記塗布液の表面張力より高いことを特徴とする薄膜形成装置。
（請求項２）
前記支持体の表面濡れ張力を制御するコロナ放電処理手段を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
（請求項３）
コロナ放電処理を実施した位置から前記吐出機構まで、支持体の表面にロール接触がないことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜形成装置。
（請求項４）
溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
塗布液を塗布する直前の前記支持体の表面の帯電量が−１ｋＶ〜＋１ｋＶの範囲内になるように制御する制御手段を有することを特徴とする薄膜形成装置。
（請求項５）
前記支持体の表面の帯電量を制御する制御手段位置から前記吐出機構まで、支持体の表面にロール接触がないことを特徴とする請求項４に記載の薄膜形成装置。
（請求項６）
溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
連続して供給される前記支持体の表面に均一な除電処置を施した後に、除塵処理を行う除塵処理手段を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の薄膜形成装置。
（請求項７）
溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
連続して供給される前記支持体の表面温度を２０〜８０℃の範囲内に加温する処理を行う加温手段を有することを特徴とする薄膜形成装置。
（請求項８）
加温処理を行う前記加温手段の位置から前記吐出機構まで、前記支持体の表面にロール接触がないことを特徴とする請求項７に記載の薄膜形成装置。
（請求項９）
溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
連続して供給される前記支持体の表面粗さＲａが０．０１〜１０μｍであり、塗布膜厚が０．５〜５０μｍであり、支持体の表面粗さＲａは塗布膜厚の０．１％〜１０％であることを特徴とする薄膜形成装置。
（請求項１０）
前記塗布液が反射防止膜フィルム用塗布液であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成装置。
（請求項１１）
前記塗布液が液晶ディスプレイフィルム用塗布液であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成装置。
（請求項１２）
前記塗布液が有機ＥＬディスプレイフィルム用塗布液であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成装置。

本発明によれば、支持体表面の濡れ張力３０〜７０ｄｙｎｅ／ｃｍとなるようにコロナ放電処理を行い、また塗布液の表面張力が１５〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、かつ支持体表面の濡れ張力が塗布液の表面張力より高くすることにより、吐出液が支持体に容易に着弾するようになるだけでなく、着弾後の塗布液と支持体との接触角が小さくなり、塗布液の流動性が増し、レベリングが速くなる。レベリングは塗布膜厚の厚い場所から薄い場所に向かった流動が発生するため、膜厚の厚い場所はより薄く、薄い場所はより厚くなるので膜厚が均一になり配向ムラや色ムラを改良できる。

連続して供給される支持体の表面の帯電量が−１ｋＶ〜＋１ｋＶとなるように制御することにより、支持体表面と吐出された液滴との間で電気的な反発力の発生がなくなり、吐出後の液滴が支持体に向かって真っ直ぐに移動し、着弾位置が安定するので塗布機汚染がない。

コロナ放電処理を実施した位置から吐出機構まで、支持体表面にロール接触がないことにより支持体表面への剥離帯電による濡れ張力上昇を抑制でき、膜厚を均一にすることができ、配向ムラや色ムラを改良できる。

支持体の表面の帯電量が均一になるように制御された後に、除塵処理を行う除塵処理手段を有することにより、静電気により支持体上に付着した異物が容易に脱離しやすくなる。

また、連続して供給される支持体の表面温度を２０℃〜８０℃に加温することにより、塗布液の粘度が上昇しレベリング速度が速くなり、膜厚が均一にすることができ、配向ムラや色ムラを改良できる。

連続して供給される支持体の表面粗さＲａを塗布膜厚の１０％以下にすることにより、塗布膜が凹凸の傾斜によって発生する流動を抑制することができ、配向ムラや色ムラを改良できる。連続して供給される支持体の表面粗さＲａを塗布膜厚の０．１％以上にすることにより、支持体表面の濡れ張力が高くなり、前述と同様に膜厚均一性が向上し、配向ムラや色ムラを改良できる。

本発明に係る実施の形態を図１〜図を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１は吐出機構（インクジェットヘッドという）を使用した薄膜形成装置の従来例を示す概略図である。図中１は塗布装置を示す。塗布装置１は、ロール状に巻かられた連続した支持体２を巻き出す巻きだし機３と支持体の張力を一定に保つダンサーロール４、支持体の搬送抵抗力を与えるサクションロール５、装置を止めないで支持体を繋ぐ時等に使用するアキュムレータ６、支持体の搬送途中の蛇行を制御する蛇行制御ロール７、バックアップローラ８を有し、バックアップローラ８の上方にはインクジェットヘッド９が一定の間隔を持って配置されている。

図２は本発明の請求項２に係る薄膜形成装置の一例を示す概略図である。従来例（図１）と異なるところは連続した支持体２がインクジェットヘッド９を通過する前にコロナ放電処理手段１５を設けた点である。

図３は本発明の請求項３に係る薄膜形成装置の一例を示す概略図である。図３では図２に示したコロナ放電処理手段１５とインクジェットヘッド９まで、支持体２の表面にロール接触がないように空気により支持体を浮上させた無接触搬送手段１６を設けている。

図４は本発明の請求項６に係る薄膜形成装置の一例を示す概略図である。図４では図３に示す無接触搬送手段１６の替わりに支持体２の表面の帯電量を制御する除電バー１７と除塵処理を行う除塵処理手段１８を設けている。

図５は本発明の請求項６に係る薄膜形成装置の一例を示す概略図である。図５では図４
に示す除電バー１７と除塵処理手段１８の替わりに支持体２の表面温度を２０〜８０℃の範囲内に加温する処理を行う加温手段１９を設けている。

図６はインクジェットヘッド９と、塗布液供給部１０と、インクジェットヘッドを駆動制御する駆動制御部９０３を有した溶剤吐出機構を示す。インクジェットヘッド９は同じ種類のヘッドを複数個支持体２の表面幅方向に並べたものであり、支持体２の幅により適宜並べる数を変更することが可能である。又、複数列にして幅方向に並べてもかまわない。あるいはインクジェットヘッド９を、塗布時に移動手段（不図示）により待機部から移動用レールに沿って移動（不図示）し、被塗布物上の塗布するインクジェットヘッド移動型でもかまわない。

本発明に係るインクジェットヘッドとしては特に限定はなく、例えば発熱素子を有し、この発熱素子からの熱エネルギーによりインクの膜沸騰による急激な体積変化によりノズルからインクを吐出させるサーマルヘッドでも良いし、インク圧力室に圧電素子を備えた振動板を有しており、この振動板によるインク圧力室の圧力変化でインクを吐出させる剪断モード型（ピエゾ型）インクジェットヘッドであっても良い。特に好ましいのは剪断モード型（ピエゾ型）インクジェットヘッドである。

本発明ではインクジェットヘッド９が剪断モード型（ピエゾ型）インクジェットヘッドの場合に付き説明している。

図６で本発明に使用したインクジェットヘッドについて説明する。塗布液供給部１０は塗布液貯蔵タンク１０１と、塗布液貯蔵タンク１０１内の塗布液１０２（図６を参照）をインクジェットヘッド９に供給する配管１０３と、塗布液１０２の供給量を制御する制御バルブ１０４と、一部外気と連通させるための配管１０５とを有している。配管１０３はインクジェットヘッド９に接合されおり、柔軟性の材料で出来ていることが望ましく、例えばフレキホース、ポリエチレン製ホース、ポリプロピレン製ホース等が挙げられる。

なお、塗布液１０２は、絶対濾過精度または準絶対濾過精度が０．４〜５０μｍの濾材を少なくとも１回は通過させることが好ましい。

９０３はインクジェットヘッド９の圧電振動素子９１を駆動させるための制御部を示す。制御部９０３はコネクタ（不図示）を介してインクジェットヘッド９に接続されている。この制御部９０３により、圧電振動素子９１の動作強度や周波数、塗布液吐出時のノズルの選択等が行われる。１０５は一部外気と連通させるための配管１０５を示す。また９１０は溶液貯蔵タンクで溶液９１１は用途により変更すすることが可能である。例えばインクジェットヘッドを洗浄する場合は洗浄液を、塗布前にインクジェットヘッドに塗布液を充填する場合は塗布液を入れて使用することが可能である。

図７は剪断モード型のインクジェットヘッドの一部破断面を有する概略斜視図である。図中、９０１ｄ１は塗布液を液滴として吐出するノズル吐出口、９０１ａはインクジェットヘッド９のノズル板９０１ｄの表面を示す。９０１ｄ１のノズル吐出口の間隔は、０．０２〜０．３ｍｍが好ましい。

以下に本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらの例に限定されるものではない。
＜試料の作製＞
［塗布液の準備］
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 ６０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート２量体 ２０質量部
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート３量体以上の成分 ２０質量部
ジメトキシベンゾフェノン ４質量部
酢酸エチル ４５質量部
メチルエチルケトン ４５質量部
イソプロピルアルコール ６０質量部
［塗布液の調製、支持体の準備］
塗布液粘度 ５．２ｍＰａ・ｓ（Ｂ型粘度計 ２５℃）
支持体 ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ７５μｍ幅６００ｍｍ長さ１０００ｍ）
［塗布形成］
図２に示す塗布装置を使用した。バックアップロール上に支持された支持体上にインクジェットヘッドから液滴を射出し塗膜を得た。インクジェットヘッドはせん断モード型（ピエゾ型）であり、ノズル吐出口の径０．０４ｍｍ、塗布液１滴当たりの平均吐出量５０ｐｌ、ノズル間のピッチは０．０７ｍｍ、ノズル数５００のものを使用した。インクジェットヘッドは千鳥に配置し５５０ｍｍの塗布幅が得られるように複数個を配置した。被塗布物である支持体の搬送速度は１０ｍ／ｍｉｎとし、着弾時のウェット膜厚が５μｍとなるように射出周期を制御した。その後塗膜を設けた支持体を連続的に搬送し、塗布工程の下流側に設けられた乾燥工程で溶媒を乾燥させ乾燥塗膜を得た。乾燥条件は１００℃、２０秒間とした。塗工部の環境温度は２５℃とし、塗布液温度も２５℃となるように保温した。

［支持体表面の濡れ張力の調整］
支持体の濡れ張力はコロナ処理の電圧および支持体の種類を変化させることにより調整を実施した。

［支持体表面の濡れ張力の測定］
春日電機株式会社製濡れ張力試験用混合液を使用して測定を実施した。

［塗布液の表面張力の調整］
溶剤種類を変えることと界面活性剤量を変化させることにより表面張力の調整する。

［塗布液の表面張力の測定］
ウィルヘルミ（プレート）法を用いた協和界面科学株式会社製表面張力計 ＣＢＶＰ−Ｚを使用して測定を実施した。

［塗布膜厚のバラツキ測定］
大塚電子（株）製 光干渉膜厚計 ＦＥ−３０００を用い、２ｍｍ間隔で２０ｃｍ角の面内膜厚を測定し、最大膜厚と最小膜厚との差を平均膜厚で除した値Ａを塗布膜厚のばらつきとした。

＜実施例１＞
支持体表面濡れ張力と塗布液の表面張力の関係を塗布膜厚ばらつきで表した。

［塗布膜厚のバラツキの評価ランク］
◎：Ａ≦０．０５
○：０．０５＜Ａ≦０．１
△：０．１＜Ａ≦０．５
×：０．５＜Ａ

表からわかるように、
１−１ 支持体表面濡れ張力が塗布液の表面張力より高い方が塗布膜厚のばらつきは少ない。（試料Ｎｏ．１０１、１１５）
１−２ 塗布液の表面張力が１５ｄｙｎｅ／ｃｍ〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍのとき塗布膜厚のばらつきは少ない。（試料Ｎｏ．１０８、１１５）
１−３ 支持体の濡れ張力が３０ｄｙｎｅ／ｃｍ〜７０ｄｙｎｅ／ｃｍのとき塗布膜厚のばらつきが少ない。（試料Ｎｏ．１０１、１０７）
以上１−１、１−２、１−３より、支持体の表面の濡れ張力が３０〜７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、かつ塗布液の表面張力が１５〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、支持体の表面濡れ張力は塗布液の表面張力より高いことの３条件が揃ったとき塗布膜厚のばらつきが少ないことが解った。

＜実施例２＞
図２のコロナ処理装置から塗布機までの金属ロールをはずして、替わりに空気を多孔板から噴出して、支持体を接触しないで支持する図３のよう搬送装置を用いて実施例１試料Ｎｏ．１０５の条件で塗布膜厚のばらつきを評価した。また比較のために図２装置においてのコロナ処理装置から塗布機の間に搬送用ロールを更に３本追加した例を比較として実験評価した。

表からコロナ放電処理を実施した位置から吐出機構まで、支持体表面にロール接触がないと、塗布膜厚ばらつきはない。

＜実施例３＞
図４に示すように図３の無接触搬送手段の替わりに支持体２の表面の帯電量を制御する除電バーと除塵処理を行う除塵処理手段を設け、実施例１試料Ｎｏ．１０５の条件で支持体上の帯電量と塗布膜厚のばらつきの関係を評価した。

［帯電量の調整］
除電バーと支持体の間隙を変化させることにより、支持体表面上の帯電量を変化させた。

［帯電量の測定］
シシド静電気株式会社製スタチロンＤＸで、塗布直前の支持体表面での静電気の帯電量を測定した。

表３より静電気の帯電量は−１ｋＶ〜＋１ｋＶの範囲内にあるとき塗布膜厚のばらつきが少ない。
さらに試料Ｎｏ．３０１と同条件で除塵装置（（株）伸高製ＵＶＵウェブクリーナー）を設置した結果、試料Ｎｏ．４０１に示すように塗布膜厚のばらつきがなり効果の確認ができた。

＜実施例４＞
図５に示すように図４の除電バーと除塵処理手段の替わりに支持体２の表面温度を２０〜８０℃の範囲内に加温する処理を行う加温手段を設け、温度と塗布膜厚のばらつきの関係を評価した。

［支持体温度の調整］
コロナ放電処理機のあとに、温水を通水できるジャケットロールを設置し、温水の温度を変化させることにより、塗布時の支持体の温度を測定した。

［温度の測定］
支持体の温度は株式会社キーエンス製非接触ハンディ温度計ＩＴ２−８０により測定した。

表４より塗布時の支持体の表面温度は２０℃〜８０℃のとき塗布膜厚のばらつきが少ない。

＜実施例５＞
支持体の表面粗さがどのように塗布膜厚に影響を与えるかを、支持体の表面粗さと塗布膜厚の比率の関係で測定評価した。

［塗布膜厚の調整］
塗布膜厚は支持体の搬送速度を変化することにより調整した。

［支持体の支持体表面荒さＲａの調整］
支持体の表面を微細な砥石で磨くことにより、砥石の番手と磨き時間を調整することにより、表面凹凸を調整し、Ｒａを変化させた。

［支持体の支持体表面荒さＲａの測定］
支持体の表面凹凸の変形量を キーエンス（株）製 ＣＣＤレーザー変位計 ＬＫ−Ｇ を用いて測定した結果より計算により算出した。

表より支持体の表面粗さＲａが０．０１〜１０μｍであり（試料Ｎｏ．６０８参照）、塗布膜厚が０．５〜５０μｍであり（試料Ｎｏ．６０１、６０７、６１５参照）、支持体の表面粗さＲａは塗布膜厚の０．１％〜１０％である（試料Ｎｏ．６２１参照）の３条件が揃ったとき塗布膜厚のばらつきが少ないことがわかる。なお表５において試料Ｎｏ．６１４に示すように上記３条件が上限値、下限値のときは塗布膜厚のばらつきが大きく、ＮＧと判定した。

吐出機構（インクジェットヘッドという）を使用した薄膜形成装置の従来例を示す概略図である。 本発明に係る薄膜形成装置のコロナ放電処理手段１５を設けた概略図である。 本発明に係る薄膜形成装置の、支持体の表面にロール接触がないように空気により支持体を浮上させた無接触搬送手段を設けた図である。 本発明に係る薄膜形成装置の、支持体の表面の帯電量を制御する除電バーと除塵処理を行う除塵処理手段を設けた図である。 本発明に係る薄膜形成装置の、支持体の表面を加温する加温手段を設けた図である。 本発明に係る薄膜形成装置の、インクジェットヘッドと、塗布液供給部と、インクジェットヘッドを駆動制御する駆動制御部を有した溶剤吐出機構を示した図である。 本発明に係る薄膜形成装置の、剪断モード型のインクジェットヘッドの一部破断面を有する概略斜視図である。

符号の説明

１ 塗布装置
２ 支持体
３ 巻きだし機
４ ダンサーロール
５ サクションロール
６ アキュムレータ
７ 蛇行制御ロール
８ バックアップローラ
９ インクジェットヘッド
１０ 塗布液供給部
１５ コロナ放電処理手段
１６ 無接触搬送手段
１７ 除電バー
１８ 除塵処理手段
１９ 加温手段
９１ 圧電振動素子
１０１ 塗布液貯蔵タンク
１０２ 塗布液
９０３ 制御部
９１０ 溶液貯蔵タンク

Claims (12)

1. 溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置において、
   連続して供給される支持体の表面の濡れ張力が３０〜７０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、かつ前記塗布液の表面張力が１５〜５０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、前記支持体の表面の濡れ張力は前記塗布液の表面張力より高いことを特徴とする薄膜形成装置。
2. 前記支持体の表面濡れ張力を制御するコロナ放電処理手段を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
3. コロナ放電処理を実施した位置から前記吐出機構まで、支持体の表面にロール接触がないことを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜形成装置。
4. 溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
   塗布液を塗布する直前の前記支持体の表面の帯電量が−１ｋＶ〜＋１ｋＶの範囲内になるように制御する制御手段を有することを特徴とする薄膜形成装置。
5. 前記支持体の表面の帯電量を制御する制御手段位置から前記吐出機構まで、支持体の表面にロール接触がないことを特徴とする請求項４に記載の薄膜形成装置。
6. 溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
   連続して供給される前記支持体の表面に均一な除電処置を施した後に、除塵処理を行う除塵処理手段を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の薄膜形成装置。
7. 溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
   連続して供給される前記支持体の表面温度を２０〜８０℃の範囲内に加温する処理を行う加温手段を有することを特徴とする薄膜形成装置。
8. 加温処理を行う前記加温手段の位置から前記吐出機構まで、前記支持体の表面にロール接触がないことを特徴とする請求項７に記載の薄膜形成装置。
9. 溶剤中に膜材料が溶解又は分散させられてなる塗布液を支持体上に吐出する液滴吐出ヘッドを有する吐出機構から液滴を吐出することで塗布して薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
   連続して供給される前記支持体の表面粗さＲａが０．０１〜１０μｍであり、塗布膜厚が０．５〜５０μｍであり、支持体の表面粗さＲａは塗布膜厚の０．１％〜１０％であることを特徴とする薄膜形成装置。
10. 前記塗布液が反射防止膜フィルム用塗布液であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成装置。
11. 前記塗布液が液晶ディスプレイフィルム用塗布液であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成装置。
12. 前記塗布液が有機ＥＬディスプレイフィルム用塗布液であることを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の薄膜形成装置。

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