JP2007071602A - 放射線検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 X線検出器3は、半導体であるシリコンを素材とする母材Mと、母材Mに生起された電流を出力するための第1電極21〜第4電極24とを備えている。母材Mは、フィルタX線の入射方向に沿って延設された板状を呈しており、その一端に接地側電極Eが設けられている。第1電極21〜第4電極24は、母材Mの上面にフィルタX線の入射方向に沿って順に並ぶかたちで設置されている。
【選択図】 図2
Description
〔第1実施形態〕
図1は第1実施形態に係るX線検査装置の概略構成図であり、図2は第1実施形態に係るX線検出器の斜視図である。また、図3は第1実施形態に係るX線エネルギスペクトルを示すグラフであり、図4および図5は第1実施形態に係る各電極の電流値を示すグラフである。
<X線検査装置>
図1に示すように、第1実施形態のX線検査装置1は、X線管2や、X線検出器(放射線検出器)3を縦横に配置してなるX線検出器アレイ4、前置増幅器5、主増幅器6、2種の積分器7,8、造影剤厚さ演算装置9、画像化装置10等から構成されている。
図2に示すように、第1実施形態のX線検出器3は、半導体であるシリコンを素材とする母材Mと、母材Mに生起された電流を出力するための第1電極21〜第4電極24とを備えている。母材Mは、フィルタX線の入射方向に沿って延設された矩形の板状を呈しており、その一端に接地側電極Eが設けられている。また、第1電極21〜第4電極24は、母材Mの上面にフィルタX線の入射方向に沿って順に並ぶかたちで設置されており、それぞれから出力された電流I1〜I4がダイオードDを介して前述した前置増幅器5に送られる。
X線検査装置1が起動し、X線管2から被検体SにフィルタX線が照射されると、被検体Sを透過したフィルタX線がX線検出器アレイ4内のX線検出器3に入射する。なお、本実施形態のX線管2では、50kVに加速した電子をタングステンターゲットに衝突させ、放出された白色X線からLaフィルタによって高エネルギ部分(38.9keV以上)を除去してフィルタX線を生成する。
図3における4つのエネルギ範囲E1〜E4の代表値をそれぞれ、26.1keV、31.7keV、37.5keV、および44.5keVとし、図2に示したX線検出器3の大きさを、どちらも幅が6mm、厚さが2mmで、長さ2mmの電極が1mm間隔で設置された全長11mmとしたもの(A)と、長さ4mmの電極が1mm間隔で設置された全長19mmのもの(B)とでそれぞれ試験を行った。その結果、前者(A)では図4に示すグラフが得られ、後者(B)では図5に示すグラフが得られた。なお、図4,図5では、どちらも、26.1keVのX線が第1電極21に対応する部位で吸収される割合を1と規格化している。
このように、第1実施形態では、電流測定を行いながらフィルタX線のエネルギスペクトルが得られるため、単位時間あたりのフィルタX線の照射量を多くすることができ、短時間で明瞭な透過X線画像を得ることができた。また、X線検出器3に設ける電極の個数を多くすれば、更に詳細なエネルギスペクトルを得ること(すなわち、より明瞭な透過X線画像を得ること)が可能となる。また、一定の数の電極で電流測定を行った後、予め計算で求めておいた応答関数(行列式C)を変更することにより、X線検出器3の交換等を行うことなく測定エネルギ範囲を自由に変更できる。
従来のX線検査装置では、単一の電極を備えたX線検出器を用い、図3に示す全エネルギ領域のX線によって生成された電流を検出していた。正常組織を通過したフィルタX線のエネルギスペクトルにはヨウ素造影剤による吸収が殆ど無く、ヨウ素造影剤を多く含む病巣部分を通過したフィルタX線のエネルギスペクトルには、図3に示すように、ヨウ素のK殻吸収端のエネルギ準位(33.2keV)に相当する部分が吸収されるため、病巣部分において測定電流の有意な減少が見られる。これを式で表現すると、以下のようになる。
図6は第2実施形態に係るX線検出器の斜視図である。
同図に示すように、第2実施形態のX線検出器3は、その全体構成は上述した第1実施形態と同様であるが、母材Mの上面に各電極21〜24を区画する溝31がそれぞれ刻設されている。これにより、本実施形態では、各電極21〜24間の電気絶縁性が向上し、電流I1〜I4の出力精度が向上した。
図7は第3実施形態に係るX線検出器の斜視図である。
同図に示すように、第3実施形態のX線検出器3も、その全体構成は上述した第1実施形態と同様であるが、各電極21〜24を区画する部分に母材Mと極性の異なる半導体層(母材Mがn層であれば、p層)32がイオン注入または熱拡散により形成されている。これにより、本実施形態では、空乏層によって各電極21〜24間の電気絶縁性が更に向上し、電流I1〜I4の出力精度がより向上した。
図8は第4実施形態に係るX線検出器の斜視図である。
同図に示すように、第4実施形態のX線検出器3も、その全体構成は上述した第1実施形態と同様であるが、フィルタX線の入射方向に沿って分割された第1母材M1〜第4母材M4を備えており、第1電極21〜第4電極24がこれら母材M1〜M4の上面にそれぞれ設置されている。これにより、本実施形態では、各電極21〜24間の電気絶縁性が更に向上し、電流I1〜I4の出力精度がより向上した。
図9は第5実施形態に係るX線検出器の斜視図である。
同図に示すように、第5実施形態のX線検出器3は、フィルタX線の入射方向に沿ってガスが充填された第1母材M1〜第4母材M4を直列に並べ、各母材M1〜M4に第1電極21〜第4電極24を設置したものである。
図10は第6実施形態に係るX線検出器の斜視図である。
同図に示すように、第6実施形態のX線検出器3は、フィルタX線の入射方向に沿って延設された板状のシンチレータ(絶縁体)SCと、このシンチレータ41の上面に設置された電極として第1光電子倍増管41〜第4光電子倍増管44とを備えたものである。
図11は第7実施形態に係るX線検出器の斜視図である。
同図に示すように、第7実施形態のX線検出器3も、その全体構成は第6実施形態と同様であるが、フィルタX線の入射方向に沿って分割された第1シンチレータSC1〜第4シンチレータSC4を備えており、第1光電子倍増管41〜第4光電子倍増管44がこれらシンチレータSC1〜SC4の上面にそれぞれ設置されている。
2 X線管
3 X線検出器(放射線検出器)
21 第1電極
22 第2電極
23 第3電極
24 第4電極
31 溝
32 半導体層
41 第1光電子倍増管
42 第2光電子倍増管
43 第3光電子倍増管
44 第4光電子倍増管
M 母材
M1 第1母材
M2 第2母材
M3 第3母材
M4 第4母材
SC シンチレータ
SC1 第1シンチレータ
SC2 第2シンチレータ
SC3 第3シンチレータ
SC4 第4シンチレータ
Claims (4)
- 入射した放射線から付与されたエネルギによって電荷を発生する検出媒体と、
前記検出媒体における前記放射線の入射端からの距離が互いに異なる位置で、当該検出媒体に設置された複数の電極と
を備えたことを特徴とする放射線検出器。 - 前記検出媒体が固体であり、前記各電極間の絶縁を向上させるべく、当該検出媒体には前記各電極間に溝が形成されたことを特徴とする、請求項1に記載の放射線検出器。
- 前記検出媒体が半導体であり、前記各電極間の絶縁を向上させるべく、当該検出媒体には前記各電極間に前記半導体と極性が異なる半導体層が形成されたことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の放射線検出器。
- 前記検出媒体は、前記各電極間の絶縁を向上させるべく、前記各電極間で分割されていることを特徴とする、請求項1に記載の放射線検出器。
Priority Applications (1)
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| JP2005256867A JP2007071602A (ja) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | 放射線検出器 |
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| JP2005256867A JP2007071602A (ja) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | 放射線検出器 |
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| JP2007071602A true JP2007071602A (ja) | 2007-03-22 |
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