JP2007123473A - 軟磁性膜及びその製造方法、ならびに前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 従来に比べて、低保磁力を維持しながら、さらに高い飽和磁束密度を得ることが可能な軟磁性膜とその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 本実施形態の軟磁性膜は、ＦｅＮｉＣｏ合金等でメッキ形成され、ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が、夫々１０未満となっている。これにより磁性元素がほぼ同じ組成比を有する軟磁性膜と対比したときに、ほぼ同等の保磁力Ｈｃを維持しつつ、より高い飽和磁束密度Ｂｓを得るこが可能になる。このような軟磁性膜を主磁極層２４に使用することで、高記録密度化を実現できるとともに、残留磁化により前記記録媒体に記録された信号が消去されるのを適切に防ぐことが出来る。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば、垂直記録磁気ヘッドの主磁極層に用いられる軟磁性膜に係り、特に低い保磁力Ｈｃを維持しながら、高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることが可能な軟磁性膜及びその製造方法、ならびに前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

ハードディスクなどの記録媒体に磁気データを高密度で記録する装置として垂直磁気記録方式がある。垂直磁気記録は長手磁気記録に比べて高記録密度化を実現する上で有利である。

前記垂直磁気記録方式に用いられる磁気ヘッドには、基本的な構成として、記録媒体との対向面で膜厚方向に対向する主磁極層と補助磁極層（リターンヨーク）と、前記主磁極層と補助磁極層とに記録磁界を誘導するためのコイル層とが設けられている。

前記主磁極層の前記媒体対向面はトラック幅Ｔｗとなっており、前記主磁極層の前記媒体対向面での面積は、前記補助磁極層の前記媒体対向面の面積に比べて十分に小さくされている。

垂直磁気記録方式では、前記コイル層に通電されることにより補助磁極層と、主磁極層とに記録磁界が誘導され、前記主磁極層から記録磁界が前記記録媒体に対し垂直方向に発せられる。

前記記録媒体は、その表面に保磁力の高いハード膜と、内方に磁気透過率の高いソフト膜とを有する構成であり、垂直記録磁気ヘッドの主磁極層から前記記録媒体に向けられた垂直方向への記録磁界は、前記記録媒体のハード膜からソフト膜を通り、さらに補助磁極層に戻る磁気回路を構成する。
特開２００４−１５８８１８号公報

高記録密度化のために前記主磁極層は高飽和磁束密度Ｂｓを有し、さらに低保磁力であることが必要である。飽和磁束密度Ｂｓが低いと、主磁極層の先端が磁気飽和に達しやすくなる等して、前記先端に磁束を適切に集中させることができなくなり記録密度の向上を図れなくなるため、前記飽和磁束密度Ｂｓが高いことは非常に重要である。また前記保磁力Ｈｃが高いと、記録時以外のときに、トラック幅Ｔｗの非常に小さい主磁極層から残留磁化が漏れ出して既に記録された信号を消去等してしまうため、保磁力を低くすることも重要である。

ところで前記主磁極層を構成する軟磁性膜中には、磁性元素であるＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ以外の不純物元素が含まれている。不純物元素は、飛行時間型二次イオン質量分析装置（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）によって定量分析できる。

しかし、前記不純物元素の軟磁性膜中に取り込まれる量は微量（ｐｐｍ単位程度）で、前記不純物元素が軟磁気特性に大きな影響を及ぼさないと考えられたことから、特に、従来では前記不純物元素の濃度をコントロールすることは成されていなかった。

例えば、特許文献１は、ＣｏＦｅ合金の発明であり、メッキ浴中に従来、含有されていたサッカリンナトリウムを含まないというものである。これにより飽和磁束密度Ｂｓは上昇するとしている。しかし特許文献１では、サッカリンナトリウム以外のメッキ浴に従来から通常、含まれている添加物に関して、何ら調整することなく、当然、このような添加物の量と飽和磁束密度Ｂｓとの関係等について言及していない。

例えば特許文献１の［００９２］欄〜［００９６］欄に記載されているように、メッキ浴中にはＮａＣｌが添加される。ＮａＣｌはメッキ浴の伝導性を高めるためのものであり、通常、メッキ浴中に含有されるものである。ＮａＣｌでなく、塩化アンモニウムが含有されるときもある。いずれにしてもメッキ浴の伝導性を高めないと、均一電着性が悪化するため、塩化物をメッキ浴中に含有することは従来から当然のこととして行われていた。Ｃｌは軟磁性膜の組成を蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）等で分析しても検出されないが、上記したＴＯＦ−ＳＩＭＳによれば、負の電荷を持つ２次イオンとして検出される。すなわちＣｌは軟磁性膜中に微量ながら含まれている。そして従来では、Ｃｌのような不純物元素を特に規制することはしていなかった。

そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、飛行時間型二次イオン質量分析装置による測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）等を適正化して、従来に比べて、低保磁力を維持しながら、さらに高い飽和磁束密度を得ることが可能な軟磁性膜とその製造方法、さらに前記軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明における軟磁性膜は、
ＦｅとＮｉ、あるいは、ＦｅとＣｏ、又は、ＦｅとＮｉとＣｏ、を有してメッキ形成され、
飛行時間型二次イオン質量分析装置による測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が、夫々１０未満であることを特徴とするものである。

上記により、低保磁力を維持しながら、従来に比べて高い飽和磁束密度を得ることが可能になる。

本発明では、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、２以下であることが好ましい。これにより、より高い飽和磁束密度を得ることが出来る。

また本発明は、記録媒体との対向面で、トラック幅を有して構成される主磁極層と、前記主磁極層よりも広い幅寸法で形成された補助磁極層とが膜厚方向に対向して位置し、前記主磁極層と前記補助磁極層に記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する薄膜磁気ヘッドにおいて、
少なくとも前記主磁極層は上記に記載された軟磁性膜によってメッキ形成されていることを特徴とするものである。これにより前記主磁極層は高飽和磁束密度と低保磁力の双方を兼ね備えたものになり、高記録密度化に適切に対応できるとともに残留磁化の発生を抑制できる。前記残留磁化の発生を抑制できることで、残留磁化による記録信号の消去の問題を効果的に抑制できる。

本発明における軟磁性膜の製造方法は、
ＦｅイオンとＮｉイオン、あるいは、ＦｅイオンとＣｏイオン、又は、ＦｅイオンとＮｉイオンとＣｏイオン、を含有したメッキ浴中に、塩化物及びサッカリンナトリウムを含有しないことを特徴とするものである。

本発明では、従来ではメッキ浴の伝導性を高めるために含有されていたＮａＣｌ等の塩化物を含有しない。また塩化物とともにサッカリンナトリウムも添加しない。これにより、飛行時間型二次イオン質量分析装置にて測定したときに、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が夫々１０未満となる軟磁性膜を、簡単且つ適切に形成することが出来る。

また本発明では、前記メッキ浴中にホウ酸を飽和状態となるまで含有することが好ましい。本発明では上記のようにメッキ浴の伝導性を高めるためのＮａＣｌ等の塩化物を含有しないことが好ましく、かかる場合、メッキ浴の抵抗が大きくなり、均一電着性が悪化しやすくなる。そこでメッキ浴のｐＨ変動を抑制するために、ホウ酸をメッキ浴中での飽和濃度近くまで添加することで、均一電着性を向上させることができる。

本発明は、記録媒体との対向面で、トラック幅を有して構成される主磁極層と、前記主磁極層よりも広い幅寸法で形成された補助磁極層とが膜厚方向に対向して位置し、前記主磁極層と補助磁極層に記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
少なくとも前記主磁極層を上記のいずれかに記載された軟磁性膜の製造方法によってメッキ形成することを特徴とするものである。

これにより前記主磁極層を低保磁力を維持しつつ、従来に比べて高い飽和磁束密度を有する磁性層として容易に且つ適切にメッキ形成できる。

本発明によれば、低保磁力を維持しつつ、従来に比べて高い飽和磁束密度Ｂｓを有する軟磁性膜を形成することができる。

特に本発明では、メッキ浴中に、従来から添加されていたＮａＣｌ等の塩化物、及びサッカリンナトリウムを添加しない。これにより、飛行時間型二次イオン質量分析装置にて測定したときに、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が夫々１０未満となる軟磁性膜を、簡単且つ適切に形成することが出来る。

図１は本実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す断面図である。
図中、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はハイト方向、Ｚ方向は高さ方向である。各方向は残り２つの方向に対し直交する関係にある。「記録媒体との対向面」とはＸ−Ｚ平面と平行な方向の面である。図１はＹ−Ｚ平面と平行な方向から切断して示した断面図である。

図１に示す垂直磁気記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド）は記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。

前記記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に保磁力の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。

前記垂直磁気記録ヘッドのスライダ１１はＡｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１１の対向面１１ａが前記記録媒体Ｍに対向し、前記記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍ上に摺動する。図１においてスライダ１１に対する記録媒体Ｍの移動方向はＺ方向である。

前記スライダ１１のトレーリング側端面１１ｂには、Ａｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２などの無機材料による非磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層の上に下部シールド層５２が形成される。前記下部シールド層５２上には、下部ギャップ層を介して、磁気抵抗効果素子５３が形成される。前記磁気抵抗効果素子５３上には上部ギャップ層を介して上部シールド層５１が形成される。図１では、下部ギャップ層及び上部ギャップ層を合わせて一つの絶縁層５５として表されている。前記上部シールド層５１上にはＡｌ_２Ｏ_３またはＳｉＯ_２などの無機材料による絶縁層１２が形成されて、前記絶縁層１２の上に、垂直磁気記録ヘッドが設けられている。そして垂直磁気記録ヘッドは無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１３により被覆されている。そして前記垂直磁気記録ヘッドの記録媒体との対向面Ｈ１ａは、前記スライダ１１の前記対向面１１ａとほぼ同一面となっている。

前記絶縁層１２上には、磁性材料で形成されたヨーク層３５が形成されている。前記ヨーク層３５は、前記対向面Ｈ１ａからハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に形成され、前記ヨーク層３５の前面には絶縁層６０が形成されている。

図１では、前記絶縁層６０上から前記ヨーク層３５上にかけて主磁極層２４が形成されている。前記主磁極層２４上には、絶縁材料で形成されたギャップ層２６が形成され、前記ギャップ層２６上にはコイル層２７が形成されている。前記コイル層２７上は有機絶縁層３２によって覆われている。

図１に示すように前記有機絶縁層３２上にはパーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの強磁性材料がメッキされて補助磁極層２１が形成されている。前記補助磁極層２１は、前記対向面Ｈ１ａで前記主磁極層２４と前記ギャップ層２６を介して対向している。またハイト側の基部では、前記主磁極層２４上に磁気的に接合されている。

図３の平面図に示すように、前記主磁極層２４は、その前端面２４ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成され、ほぼ前記トラック幅Ｔｗで形成された細長形状の先端部２４ａと前記先端部２４ａのハイト側（図示Ｙ方向）に形成され、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｗｙが、前記対向面Ｈ１ａから離れる方向に従って徐々に広がる後端部２４ｂとで構成される。また図３に示すように、前記対向面Ｈ１ａに現れている前記補助磁極層２１の前端面２１ｂのトラック幅方向の幅寸法Ｗｒよりも、前記対向面Ｈ１ａに現れている前記主磁極層２４の前端面２４ｃのトラック幅Ｔｗが十分に小さくなっている。また図１に示すように前記補助磁極層２１の厚みよりも主磁極層２４の厚みが小さくなっている。よって、前記対向面Ｈ１ａに現れている前記主磁極層２４の前端面２４ｃの面積は、補助磁極層２１の前端面２１ｂの面積よりも十分に小さくなっている。また、主磁極層２４の厚みは、ヨーク層３５の厚みよりも小さい。具体的には前記主磁極層２４のトラック幅Ｔｗは０．１〜０．２μｍ程度、高さ寸法は０．２〜０．３μｍ程度まで小さく形成される。

図１に示す垂直記録磁気ヘッドの構造は一例である。例えば図２に示すように、前記主磁極層２４が前記補助磁極層２１よりも上方に位置し、前記主磁極層２４と補助磁極層２１とがハイト側で接続層２５を介して磁気的に接続されている構造であってもよい。図２に示す符号５６は、コイル絶縁下地層、符号５７はギャップ層である。なお図２に付された図１と同じ符号は図１と同じ層を示している。

図１及び図２に示す垂直記録磁気ヘッドでは、前記主磁極層２４の前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面２４ｃは、前記補助磁極層２１の前記対向面Ｈ１ａ側に向く前端面２１ｂａに比べて十分に小さい面積であり、前記コイル層２７に記録電流が与えられると、コイル層２７を流れる電流の電流磁界によって補助磁極層２１と主磁極層２４に記録磁界が誘導される。そして前記主磁極層２４の前端面２４ｃに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。

図１及び図２に示す主磁極層２４は、ＦｅとＮｉ、あるいはＦｅとＣｏ、又は、ＦｅとＮｉとＣｏとを有してメッキ形成され、飛行時間型二次イオン質量分析装置による測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が、夫々１０未満である。

飛行時間型二次イオン質量分析装置（Time-Of-Flight Secondary Ion Mass Spectometry；以下、ＴＯＦ−ＳＩＭＳという）には、ION TOF社製の型式TOF-SIMS Vを使用して定量分析を行う。前記ＴＯＦ−ＳＩＭＳでは、高真空中で、高速のイオンビーム（１次イオン）を固定試料表面にぶつけ、スパッタリング現象によって表面の構成成分をはじき飛ばし、このとき発生する正または負の電荷を帯びたイオン（２次イオン）を電場により一方向に飛ばして、一定距離離れた位置で検出を行う。スパッタの際には様々な質量（Mass）をもった２次イオンが発生する。本実施形態では、２００程度までの質量を持つ２次イオンの量（イオン強度）を測定している。なお上記したように前記ＴＯＦ−ＳＩＭＳでは、正の電荷を帯びた２次イオンと、負の電荷を帯びた２次イオンの双方を測定できるが、同時に異なる電荷を帯びた２次イオンの強度を測定することは出来ない。

そこで本実施形態では、負の電荷を帯びた２次イオンに着目し、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満と規定した。

さらに本実施形態では、前記ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）を、１０未満に規定した。

このように、本実施形態では、不純物元素であるＣｌやＳの軟磁性膜中での量を小さくすることで、磁性元素がほぼ同じ組成比を有するとともに前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）あるいは比（Ｓ／Ｆｅ）が本実施形態より小さい軟磁性膜（比較例）と対比したときに、ほぼ同等の保磁力Ｈｃを維持しつつ、より高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることが可能になる。このような軟磁性膜を主磁極層２４に使用することで、高記録密度化を実現できるとともに、前記主磁極層２４から記録媒体に向けて発生する残留磁化量を従来に比べて適切に小さくでき、この結果、前記残留磁化により前記記録媒体に記録された信号が消去されるのを適切に防ぐことが出来る。

なお本実施形態において前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満としたのは、１０が、ＮａＣｌが含有されたメッキ浴を使用した場合の限界値だからである。本実施形態では、メッキ浴中に伝導性を高めるためのＮａＣｌを添加しないが、ＮａＣｌを添加した場合（比較例）でも、パルス電流の電流密度を下げていけば、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）をある程度、小さくできる。しかしパルス電流の電流密度を５（ｍＡ／ｃｍ^２）程度まで下げても、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０程度までしか下げることが出来ず、これ以上、パルス電流の電流密度を下げてしまうと、保磁力の低減が困難で、良好な軟磁気特性を得ることができず、最悪の場合、メッキ形成そのものが不可能となるため、従来のようにメッキ浴中にＮａＣｌを添加した場合の、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）の限界は１０であった。一方、本実施形態では、メッキ浴中にＮａＣｌを添加せず、かかる場合、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満に抑えることができたため、本実施形態では、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満と規定した。なお前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は２以下であることが好ましい。後述する実験によれば本実施形態の軟磁性膜は、前記前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）が２以下であった。これにより、より適切に高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることが可能になる。なお、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）が０になるのが最も好ましい。

また、本実施形態において前記比（Ｓ／Ｆｅ）を１０未満としたのは、本実施形態での軟磁性膜の前記比（Ｓ／Ｆｅ）が１０未満であるとともに、本実施形態では含有しないサッカリンナトリウムを含有するメッキ浴を使用して形成された軟磁性膜（比較例）の前記比（Ｓ／Ｆｅ）が少なくとも１０以上であったためである。

本実施形態では主磁極層２４は、ＦｅＣｏＮｉ合金で形成され、Ｆｅの平均組成比ａは、６６〜７９質量％の範囲内、Ｃｏの平均組成比ｂは、６．５〜２５．５質量％の範囲内、Ｎｉの平均組成比ｃは、８．５〜２０．５質量％の範囲内であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００質量％であることが好ましい。あるいは前記主磁極層２４は、ＦｅＣｏ合金、ＦｅＮｉ合金で形成されてもよく、前記主磁極層２４がＦｅＣｏ合金で形成されるとき、Ｆｅの平均組成比ｄは、６０〜８０質量％の範囲内、Ｃｏの平均組成比ｅは、２０〜４０質量％の範囲内で、ｄ＋ｅ＝１００質量％、また前記主磁極層２４がＦｅＮｉ合金で形成されるとき、Ｆｅの平均組成比ｆは、７０〜９５質量％の範囲内、Ｎｉの平均組成比ｇは、５〜３０質量％の範囲内で、ｆ＋ｇ＝１００質量％となっている。

上記のように軟磁性膜中、Ｆｅが主成分として含まれる。Ｆｅ組成比は高い飽和磁束密度Ｂｓを得る上で組成比がＣｏやＮｉに比して高いことが必要である。

なお厳密に言えば、軟磁性膜中には、不純物元素が含まれているため、磁性元素の組成比を足した組成比は１００質量％にならないはずであるが、前記不純物元素の含有量は極めて小さいために（単位としてはｐｐｍ）、例えば蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）を用いて測定したときに、前記不純物元素の組成比を測定できない。よって上記では磁性元素を足した組成比を１００質量％としている。

前記主磁極層２４が上記組成比を有する軟磁性膜により形成されることで、前記主磁極層２４の保磁力Ｈｃを低く保ちながら、飽和磁束密度Ｂｓを適切に高く出来る。具体的には前記保磁力Ｈｃ（例えば磁化容易軸方向での保磁力）を、１Ｏｅ〜２．５Ｏｅ（約７９Ａ／ｍ〜約１９７．５Ａ／ｍ）の範囲内に抑えることが出来る。また飽和磁束密度Ｂｓを２．０Ｔ以上、より好ましくは２．１Ｔ以上に出来る。

また、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度は、Ｃｌのイオン強度やＳのイオン強度との比を規定する際の分母であるから、この分母の値が組成比によって大きく変動しては、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ），（Ｓ／Ｆｅ）を１０未満に規定しても、前記比だけでは、軟磁性膜中のＣｌ量及びＳ量の程度が不明確であるが、上記した組成範囲内では、前記ＴＯＦ−ＳＩＭＳで測定した負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度はさほど変わらないことが後述する実験により証明されている。よって、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度は、Ｃｌのイオン強度との比を規定する際の分母としては最適であり、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ），（Ｓ／Ｆｅ）によって、軟磁性膜中のＣｌ量及びＳ量の程度を適切に表すことが可能である。

なお「平均組成比」は蛍光Ｘ線（ＸＲＦ）を用いて測定される。ＸＲＦにはＳＩＩ社製の型式ＳＥＡ５１２０が使用される。ＸＲＦでは、微小領域で生じる組成変動に対して、十分に広いエリアと深さ方向から発生する特性Ｘ線を分析し、平均的な組成比測定を行うものである。

本実施形態の軟磁性膜（主磁極層２４）の製造方法について説明する。本実施形態では、前記軟磁性膜を電解メッキ法を用いてメッキ形成する。本発明では前記電解メッキ工程に用いるメッキ浴に、ＦｅＮｉ合金をメッキ形成するには、ＦｅイオンとＮｉイオンと、ＦｅＣｏ合金をメッキするには、ＦｅイオンとＣｏイオンと、ＦｅＮｉＣｏ合金をメッキ形成するには、ＦｅイオンとＮｉイオンとＣｏイオンとを含有させる。

ただし本実施形態では、通常、メッキ浴中に含有されるＮａＣｌ及びサッカリンナトリウム（Ｃ_６Ｈ_４ＣＯＮＮａＳＯ_２）（応力緩和剤）を添加しない。ＮａＣｌは、伝導性を高めるために、通常メッキ浴中に添加されるものであるが、本実施形態では、あえて、ＮａＣｌを添加しない。また伝導性を高める目的として、従来ではＮａＣｌ以外の塩化物を添加する場合もあるが、本実施形態では、ＮａＣｌに係らず塩化物を添加しないことが好ましい。すなわち本実施形態ではメッキ浴中にＣｌイオンが含有されていない状態であることが好ましい。ただし不可避的にメッキ浴中に塩素が入る場合もあるが、本実施形態では、かかる場合までも排除するものでない。「不可避的な塩素」とは溶媒、溶質中に残留する塩素成分や、空気中の塩素成分であったり、メッキ槽に付着していた塩素成分等である。

Ｃｌイオンを添加していないメッキ浴からメッキ形成された軟磁性膜（実施形態）をＴＯＦ−ＳＩＭＳにて測定したとき、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、塩化物を添加したメッキ浴からメッキ形成された軟磁性膜（比較例）の前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）よりも小さくなり、上記したように、本実施形態では、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満に出来る。なお、メッキ浴中に塩化物が添加されなければ、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、０になると考えられるが、上記したように不可避的に塩素がわずかにメッキ浴中に入ることがあるため、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）が０にならない場合があるものの、後述する実験によれば、少なくとも前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満、好ましくは２以下に抑えることが可能である。

また、本実施形態では、メッキ浴中にサッカリンナトリウムを添加しないので、本実施形態の軟磁性膜を前記ＴＯＦ−ＳＩＭＳにて測定したとき、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）を小さくでき、後述する実験では前記比（Ｓ／Ｆｅ）を１０未満に抑えることが出来ることがわかった。ただし、メッキ浴中には、ＦｅＳＯ_４等の硫酸塩が含有されるので、メッキ浴中にＳを含む陰イオン（ＳＯ_４ ^２−）は存在するが、サッカリンナトリウムを含有しないことで、サッカリンナトリウムを含有したメッキ浴から形成された軟磁性膜（比較例）の前記比（Ｓ／Ｆｅ）に比べて、本実施形態の軟磁性膜の前記比（Ｓ／Ｆｅ）を大幅に小さくできる。本実施形態では、前記サッカリンナトリウムをメッキ浴中に加えないことで、前記比（Ｓ／Ｆｅ）を１０未満に出来る。

ところで、本実施形態ではメッキ浴中にＮａＣｌを添加しないため、メッキ浴の伝導性が低下し均一電着性が悪化する可能性がある。そこで本実施形態では、メッキ浴環境を整えるべく、ホウ酸（Ｈ_３ＢＯ_３）を従来よりも多く添加することが好ましい。従来、前記ホウ酸は、２５（ｇ／ｌ）程度添加していたので、本実施形態では、少なくとも前記ホウ酸を２５（ｇ／ｌ）よりも多く添加し、特に前記ホウ酸を前記メッキ浴中で飽和状態となる程度まで含有することが好ましい。これにより前記メッキ浴のｐＨの変動を抑制でき、均一電着性を良好に保つことが可能である。

以上により、本実施形態のメッキ浴中には、ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ、Ｈ_３ＢＯ_３を添加し、さらに例えばマロン酸を少量（例えば０．０２ｇ／ｌ程度）加える。前記マロン酸を加えると軟磁性膜の結晶性が良好になり（緻密な膜となり）、飽和磁束密度Ｂｓの向上及び保磁力Ｈｃの低減を促進させることが可能になる。例えば、ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏを５．６〜１４（ｇ／ｌ）程度、ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏを０．６〜４．６（ｇ／ｌ）程度、ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏを４〜１２（ｇ／ｌ）程度、Ｈ_３ＢＯ_３を３０（ｇ／ｌ）程度加える。

また本実施形態では、図６に示す変調パルスを用いた電解メッキ法にて軟磁性膜（主磁極層２４）をメッキ形成する。

図６に示すように、まずＯＮ時の電流密度（通電電流密度）がｉ１であり、ＯＮ時間がＴ１ａ（秒）、ＯＦＦ時間がＴ１ｂ（秒）のパルス電流をＴ１（秒）流す。次に電流密度が前記電流密度ｉ１よりも大きいｉ２であり、ＯＮ時間がＴ２ａ、ＯＦＦ時間がＴ２ｂのパルス電流をＴ２（秒）流す。

図６に示すように高い電流密度ｉ２を有するパルス電流と低い電流密度ｉ１を有するパルス電流とを交互に繰返し周期的に流し、前記軟磁性膜を電解メッキしていく。なお図６では、パルス電流の電流密度が高いときは全てｉ２、パルス電流の電流密度の低いときは全てｉ１であるが、この値が周期毎で異なるように設定してもよい。

このような変調パルスを用いることで、均一電着性をより適切に向上させることができる。なおデューティ比は０．１〜０．５程度にすることが好ましい。また電流密度は高いときで２０ｍＡ／ｃｍ^２（平均）程度、電流密度は低いときでで５．５ｍＡ／ｃｍ^２（平均）程度に設定する。

上記のようにしてメッキ形成された高飽和磁束密度で且つ低保磁力の軟磁性膜は、図１ないし図３で説明した垂直記録磁気ヘッドの主磁極層２４のみならず、補助磁極層２１やヨーク層３５に使用されてもよいし、さらに垂直記録磁気ヘッド以外の薄膜磁気ヘッドに使用されてもよい。

図４は、別の本実施形態における薄膜磁気ヘッド（長手磁気記録ヘッド）の正面図（記録媒体との対向面から見た面）、図５は図４に示すＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た断面図、である。なお図４には、下部コア層（上部シールド層）よりも下側にある層は図示されていない。なお図１，図２と同じ符号が付けられている層は図１，図２と同じ層を示している。

図５では、絶縁層５５の上にＮｉＦｅ合金等で形成された下部コア層６７が形成されている。前記下部コア層６７は再生ヘッドの上部シールド層を兼ねる。図５に示すように前記下部コア層６７上には記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置にレジストなどで形成されたＧｄ決め層６８が形成され、前記Ｇｄ決め層６８上から前記対向面方向に、磁極部６４が形成されている。前記磁極部６４は例えば下から下部磁極層６１、ギャップ層６２、上部磁極層６３の順に積層されている。これら３層は連続メッキで形成されたものである。ギャップ層６２はメッキ可能な非磁性材料であるＮｉＰ等で形成される。磁極部６４は非常に狭い空間内にメッキ形成されたものである。図４に示すように磁極部６４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の寸法でトラック幅Ｔｗが規制される。また図５に示すように前記磁極部６４の奥行き寸法も下部コア層６７などと比べて非常に短くなっている。トラック幅Ｔｗは１．０μｍ以下で、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下で、奥行き寸法は１．０μｍ〜３。０μｍ程度である。高さ寸法は、前記トラック幅Ｔｗの５．０〜２０．０倍程度である。

図４及び図５に示すように前記磁極部６４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト側には絶縁層６６が形成されている。前記上部磁極層６３上には上部コア層６５が形成され、前記上部コア層６５のハイト方向の後端部は接続層２５に磁気的に接続されている。

図５に示す実施形態では、上部磁極層６３、又は下部磁極層６１、あるいは上部磁極層６３および下部磁極層６１が本実施形態における軟磁性膜でメッキ形成されることが好ましい。これにより、前記上部磁極層６３、又は下部磁極層６１、あるいは上部磁極層６３および下部磁極層６１の保磁力Ｈｃを低く抑えながら飽和磁束密度Ｂｓを高くでき、高記録密度化に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。

（実施例の軟磁性膜）
以下のメッキ浴を用いて、組成比の異なる複数のＦｅＣｏＮｉ合金をメッキ形成した。

（メッキ浴組成）
ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ５．６〜１４（ｇ／ｌ）
ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ０．６〜４．６（ｇ／ｌ）
ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ ４〜１２（ｇ／ｌ）
Ｈ_３ＢＯ_３ ３０（ｇ／ｌ）
マロン酸 ０．０２（ｇ／ｌ）
ＮａＣｌ ０（ｇ／ｌ）
ラウリル硫酸Ｎａ ０（ｇ／ｌ）

（浴条件）
浴温度 ３０℃
ｐＨ ３．１〜３．２
パルス電流の電流密度（高）（ピーク）２０ｍＡ／ｃｍ^２
パルス電流の電流密度（低）（ピーク）５．５ｍＡ／ｃｍ^２
デューティー比 ０．１５

上記電流密度による変調パルスを用いて上記したメッキ浴から、以下の表１に示す複数のＦｅＣｏＮｉ合金を得た。

（比較例の軟磁性膜）
以下のメッキ浴を用いて、組成比の異なる複数のＦｅＣｏＮｉ合金をメッキ形成した。

（メッキ浴組成）
ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ７．０〜２２（ｇ／ｌ）
ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ０．８〜７．４（ｇ／ｌ）
ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ １０（ｇ／ｌ）
Ｈ_３ＢＯ_３ ２５（ｇ／ｌ）
マロン酸 ０．０１（ｇ／ｌ）
ＮａＣｌ ２５（ｇ／ｌ）
ラウリル硫酸Ｎａ ０．０１（ｇ／ｌ）

（浴条件）
浴温度 ３０℃
ｐＨ ３．１〜３．２
パルス電流の電流密度（高）（ピーク）２０ｍＡ／ｃｍ^２
パルス電流の電流密度（低）（ピーク）５．５ｍＡ／ｃｍ^２
デューティー比 ０．１５

上記電流密度による変調パルスを用いて上記したメッキ浴から、以下の表２に示す複数のＦｅＣｏＮｉ合金を得た。

表１に示される複数の実施例の試料から２つの実施例１，２の試料を取り出した。また表２に示される複数の比較例の試料から２つの比較例１，２の試料を取り出した。実施例１の試料は実施例２に比べてＦｅ量が約１０質量％程度大きい。比較例１の試料は実施例１の試料とほぼ同じＦｅ量であり、比較例２の試料は実施例２の試料とほぼ同じＦｅ量である。これら４つの試料の飽和磁束密度Ｂｓを抽出し、グラフにまとめたものが図７である。グラフでは、Ｆｅ量がほぼ同じである実施例１と比較例１の試料どうし、実施例２と比較例２の試料どうしを比較してみた。

図７に示すように、実施例１の試料の飽和磁束密度Ｂｓは、比較例１の試料の飽和磁束密度Ｂｓよりも高くなり、同様に、実施例２の試料の飽和磁束密度Ｂｓは、比較例２の試料の飽和磁束密度Ｂｓよりも高くなることがわかった。実施例ではいずれも飽和磁束密度Ｂｓが２．０Ｔを超えた。また表１，表２を見ると、実施例１の試料の保磁力Ｈｃは、比較例１の試料の保磁力Ｈｃと同程度で、同様に、実施例２の試料の保磁力Ｈｃは、比較例２の試料の保磁力Ｈｃと同程度であることがわかった。

このように、磁性元素の組成比がほぼ同じとき、実施例では、比較例と同程度の低い保磁力Ｈｃを維持できるとともに、比較例よりも高い飽和磁束密度Ｂｓを得ることが出来ることがわかった。

次に、上記した実施例１，２および比較例１，２の試料を用いて、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより各試料の定量分析を行った。なおＴＯＦ−ＳＩＭＳには、ION TOF社製の型式TOF-SIMS Vを使用した。まず前記ＴＯＦ−ＳＩＭＳの測定にて負の電荷を帯びた二次イオンの強度を質量が２００程度のものまで求めた。以下の表３は、負の電荷を帯びた二次イオンの一部を抜粋したものである。

表３に示す括弧書きは質量を示している。表３に示すように、実施例１，２のＣｌ（３５）及びＣｌ（３７）のイオン強度は、比較例１，２のＣｌ（３５）及びＣｌ（３７）のイオン強度に比べてかなり小さくなっていることがわかった。

また表３に示すように、負の電荷を帯びたＦｅ（５６）のイオン強度は、実施例１，２及び比較例１，２でさほど大きく変わらないことがわかった。例えば実施例１と実施例２では、軟磁性膜中に占めるＦｅ量は１０質量％程度も異なるのに、負の電荷を帯びたＦｅ（５６）のイオン強度は実施例１と実施例２とでさほど変わっていない。Ｃｌ、Ｓ、及びＦｅを除く他の負の電荷を帯びた二次イオンの強度を見ると、実施例１，２及び比較例１，２でばらつきが大きい。よって、負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度を、Ｃｌのイオン強度との比を求める上での分母にすることとした。

比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、表３に示すＣｌ（３５）とＣｌ（３７）の強度を合計し、その合計したイオン強度を、負の電荷を帯びたＦｅ（５６）のイオン強度で割る。同様に、表３から各試料の比（Ｓ／Ｆｅ）を求めた。

まず、比（Ｃｌ／Ｆｅ）をまとめたグラフが図８である。図８では、さらに比較例３〜４の軟磁性膜のＴＯＦ−ＳＩＭＳの測定による前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）が掲載されている。

比較例３の軟磁性膜の形成のために使用したメッキ浴組成は、
ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ８．０（ｇ／ｌ）
ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ０．３（ｇ／ｌ）
ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ ３．５（ｇ／ｌ）
Ｈ_３ＢＯ_３ ２５（ｇ／ｌ）
マロン酸 ０．０１（ｇ／ｌ）
ＮａＣｌ ２５（ｇ／ｌ）
ラウリル硫酸Ｎａ ０．０１（ｇ／ｌ）
であった。また浴条件は上記（比較例）の（浴条件）とほぼ同じであるが、パルス電流の電流密度を５ｍＡ／ｃｍ^２まで低くした。パルス電流の電流密度としては５ｍＡ／ｃｍ^２は限界であり、これ以上、低くすると、保磁力の低減が困難となり良好な軟磁気特性を得ることができず、最悪の場合、メッキ形成を行うことが困難になる。

比較例３の軟磁性膜に対しＴＯＦ−ＳＩＭＳにより負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度を測定し、その比（Ｃｌ／Ｆｅ）を求めたところ前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）はほぼ１０であった。

次に、比較例４の軟磁性膜の形成のために使用したメッキ浴組成は、
ＦｅＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ９（ｇ／ｌ）
ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ ０．３（ｇ／ｌ）
ＮｉＳＯ_４・６Ｈ_２Ｏ １０（ｇ／ｌ）
Ｈ_３ＢＯ_３ ２５（ｇ／ｌ）
マロン酸 ０．０２（ｇ／ｌ）
ＮａＣｌ ２５（ｇ／ｌ）
ラウリル硫酸Ｎａ ０．０１（ｇ／ｌ）
サッカリンナトリウム １（ｇ／ｌ）
であった。また浴条件は上記（比較例）の（浴条件）と同じである。比較例４ではメッキ浴中にサッカリンナトリウムを添加している。

比較例４の軟磁性膜に対しＴＯＦ−ＳＩＭＳにより負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度を測定し、その比（Ｃｌ／Ｆｅ）を求めたところ前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、実施例１，２と同程度にまで低くなることがわかった。

図８に示すように、実施例１，２の前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、ＮａＣｌを含みサッカリンナトリウムを含まないメッキ浴から形成された比較例１〜３のいずれに比べても低くなることがわかった。特に、パルス電流の電流密度を限界まで小さくした比較例３では、比較例１、２に比べて前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）が小さくなるもののそれでも前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は１０が限界であった。本実施例では少なくとも比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満に出来る。また実施例１の比（Ｃｌ／Ｆｅ）は約０．７で、実施例２の比（Ｃｌ／Ｆｅ）は約１．８であったので、本実施例では、前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）を２以下に抑えることが可能である。

ところで上記したように（実施例）の（メッキ浴組成）にはＮａＣｌが含有されていないが、それでも表３に示すようにＣｌのイオン強度が０にならないのは、溶媒や溶質中、空気中やあるいはメッキ槽内に付着していた不可避的な塩素によるものである。しかしこのような不可避的な塩素があっても比較例と違ってメッキ浴にＮａＣｌを添加しないことで比（Ｃｌ／Ｆｅ）を１０未満に抑えることができ、好ましくは比（Ｃｌ／Ｆｅ）を２以下にすることが可能である。

次に、比（Ｓ／Ｆｅ）をまとめたグラフが図９である。図９に示すようにサッカリンナトリウムを含むメッキ浴から形成された比較例４の前記比（Ｓ／Ｆｅ）は、他の試料と比べて非常に大きくなっていることがわかった。実施例１の比（Ｓ／Ｆｅ）は５．１、実施例２の比（Ｓ／Ｆｅ）は７．７であり、いずれも比（Ｓ／Ｆｅ）が１０未満となることがわかった。

以上の実験結果から、本実施例では、ＴＯＦ−ＳＩＭＳによる測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）を、夫々１０未満と規定した。

なお、本実施例では、メッキ浴中にＮａＣｌを添加しないため、ｐＨ変動抑制のためにホウ酸を比較例のメッキ浴に比べて多く添加しているが、表３に示すように、負の電荷を帯びたＢＯ（２６）やＢＯ_２（４３）のイオン強度は、実施例よりも比較例のほうが大きくなった。よってＢＯ（２６）等に関しては、単純に、ホウ酸をたくさんメッキ浴中に添加したからイオン強度が大きくなるというものでないことがわかった。

次に、上記した実施例１，２および比較例１，２の試料を用いて、ＴＯＦ−ＳＩＭＳにより正の電荷を帯びた二次イオンの強度を求めた。表４に正の電荷を帯びた２次イオンの強度を掲載した。

なお表４に示す括弧書きは質量を示している。表４に示すように、実施例１，２のＮａ（２３）のイオン強度は、比較例１，２のＮａ（２３）のイオン強度に比べてかなり小さくなっている。

図１０は表４の測定結果から求めた各試料のＮａのイオン強度比［｛Ｎａ／（Ｎａ＋Ｆｅ＋Ｃｏ＋Ｎｉ）｝×１００］（％）である。図１０に示すように、Ｎａのイオン強度比は、実施例１，２のほうが、比較例１，２に比して非常に小さくなった。実施例１でのＮａイオン強度比は０．１（％）程度、実施例２でのＮａイオン強度比は０．０４（％）程度であった。一方、比較例１でのＮａイオン強度比は２．１（％）程度、比較例２でのＮａイオン強度比は１．８（％）程度であった。

この実験結果からＮａイオン強度比を少なくとも１．５（％）以下に抑えることが好ましく、より好ましくは１．０（％）以下であることがわかった。

本実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す断面図、 他の本実施形態の垂直記録磁気ヘッドの断面図、 図１に示す矢印方向から保護層１３を除去した状態で前記垂直記録磁気ヘッドを見たときの部分平面図、 別の本実施形態における薄膜磁気ヘッド（長手磁気記録ヘッド）の正面図（記録媒体との対向面から見た面）、 図４に示すＡ−Ａ線から切断し矢印方向から見た断面図、 本実施形態における変調パルスのタイミング図、 ＮａＣｌを添加しないメッキ浴からメッキ形成した実施例１，２、及びＮａＣｌを添加したメッキ浴からメッキ形成した比較例１，２の各試料の飽和磁束密度Ｂｓを示すグラフ、 実施例１，２及び比較例１，２、３，４（比較例３は、ＮａＣｌを添加したメッキ浴からメッキ形成したものであり、特に電流密度を限界まで小さくしてメッキしたもの。比較例４は、ＮａＣｌ及びサッカリンナトリウムを添加したメッキ浴からメッキ形成したもの）の各試料をＴＯＦ−ＳＩＭＳにて測定したときの負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）を示すグラフ、 実施例１，２及び比較例１，２、３，４（比較例３は、ＮａＣｌを添加したメッキ浴からメッキ形成したものであり、特に電流密度を限界まで小さくしてメッキしたもの。比較例４は、ＮａＣｌ及びサッカリンナトリウムを添加したメッキ浴からメッキ形成したもの）の各試料をＴＯＦ−ＳＩＭＳにて測定したときの負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）を示すグラフ、 実施例１，２及び比較例１，２の各試料をＴＯＦ−ＳＩＭＳにて測定したときの正の電荷を帯びたＮａのイオン強度比（％）を示すグラフ、

符号の説明

２１ 補助磁極層
２４ 主磁極層
２７ コイル層
３５ ヨーク層
５１ 下部コア層
６１ 下部磁極層
６３ 上部磁極層
６４ 磁極部
６５ 上部コア層

Claims (6)

1. ＦｅとＮｉ、あるいは、ＦｅとＣｏ、又は、ＦｅとＮｉとＣｏ、を有してメッキ形成され、
   飛行時間型二次イオン質量分析装置による測定にて負の電荷を帯びたＦｅのイオン強度とＣｌのイオン強度の比（Ｃｌ／Ｆｅ）、及び前記Ｆｅのイオン強度とＳのイオン強度の比（Ｓ／Ｆｅ）が、夫々１０未満であることを特徴とする軟磁性膜。
2. 前記比（Ｃｌ／Ｆｅ）は、２以下である請求項１記載の軟磁性膜。
3. 記録媒体との対向面で、トラック幅を有して構成される主磁極層と、前記主磁極層よりも広い幅寸法で形成された補助磁極層とが膜厚方向に対向して位置し、前記主磁極層と前記補助磁極層に記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する薄膜磁気ヘッドにおいて、
   少なくとも前記主磁極層は請求項１又は２に記載された軟磁性膜によってメッキ形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
4. ＦｅイオンとＮｉイオン、あるいは、ＦｅイオンとＣｏイオン、又は、ＦｅイオンとＮｉイオンとＣｏイオン、を含有したメッキ浴中に、塩化物及びサッカリンナトリウムを含有しないことを特徴とする軟磁性膜の製造方法。
5. 前記メッキ浴中にホウ酸を飽和状態となるまで含有する請求項４に記載の軟磁性膜の製造方法。
6. 記録媒体との対向面で、トラック幅を有して構成される主磁極層と、前記主磁極層よりも広い幅寸法で形成された補助磁極層とが膜厚方向に対向して位置し、前記主磁極層と前記補助磁極層に記録磁界を与えるコイル層が設けられ、前記主磁極層に集中する垂直磁界によって、前記記録媒体に磁気データを記録する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
   少なくとも前記主磁極層を請求項４又は５に記載された軟磁性膜の製造方法によってメッキ形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。

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