JP2007199681A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光分解型の光配向膜を用いる液晶表示装置の当該配向膜の光配向処理に伴う不純物による表示性能の劣化を抑制して高品質の画像表示を可能とする。
【解決手段】液晶配向機能が付与された配向膜に、当該配向膜起因の分解生成物が、１００ｃｍ²当たり、３９５７．５ｎｇ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、液晶表示装置に係り、特に配向膜に光の照射で配向制御機能を付与した液晶表示装置に関する。

液晶表示装置に使用する配向膜を配向処理すなわち配向制御機能を付与する方法として、従来からラビング処理する方法がある。このラビングによる配向処理は、配向膜を布で所定方向に擦ることで配向処理を行うものである。一方、配向膜に非接触で配向制御機能を付与する光配向法がある。

特許文献１には、配向膜に紫外線の偏光を照射し、光エネルギー反応による励起状態を利用して配向膜の分子鎖に新たな結合反応、または分解反応を起こさせることにより液晶分子にプレチルト角および方向性を付与する技術について記載されている。
特開平７−３１８９４２号公報（関連特許：ＵＳ５、６０４，６１５）

この種の配向膜はポリイミド系樹脂の塗布膜で形成される。配向膜にアルキル側鎖付ポリイミド樹脂を用いて光配向で配向制御機能を付与するものでは、基板面に対する偏光の照射方向を傾斜させることでプレチルト角を発現させることは可能である。しかし、従来の例では紫外線の切断による微小な分解生成物の発生量については、考慮されていない。分解生成物は、その量によっては、残像特性や熱的安定性、電気的安定性の低下等、表示性能を劣化させる要因となっていた。

具体的には、配向膜がイオンの吸着サイトを持つと、この吸着サイトに液晶中のイオンが吸着、離脱を繰り返すことで、配向膜に直流成分（ＤＣ）起因の残像特性が劣化する。配向膜の分解生成物（短分子成分）が多量に残存すると、以下のような現象を引き起こす。
（１）この短分子成分は低分子量であるため、一定量を超える残存分は液晶中に溶け出し、液晶分子配向の電圧保持率の低下を招く。
（２）この短分子成分をラビングによる削り屑のようなものと仮定すると、その多量な残存は配向膜表面の弾性率の低下を招く。
（３）多量に残存した短分子成分は配向制御に寄与しないため、配向膜の熱的安定性や電気的特性を低減させる。

本発明の目的は、上記のような課題を解消し、光分解型の光配向膜を用いる液晶表示装置において、高品質の画像表示を可能とすることにある。

上記目的は、光配向処理後の配向膜に、当該配向膜起因の分解生成物(短分子成分)を所定量残留させることにより達成される。この短分子成分は、光の照射により生じる配向膜の分解生成物が残留したものである。そして、この分解生成物の残留量を、単位面積当たりで規定したことを本発明の特徴とする。

本発明の液晶表示装置は、画素選択用のアクティブ素子が形成された主面の最上層に第１の配向膜を有する第１の基板と、カラーフィルタが形成された主面の最上層に第２の配向膜を有する第２の基板と、前記第１の基板の前記第１の配向膜と前記第２の基板の前記第２の配向膜の間に封止された液晶とからなる液晶表示パネルを具備している。

そして、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜は共に、光の照射により液晶配向機能が付与されており、上記の液晶配向機能が付与された配向膜に、当該配向膜起因の短分子成分を所定量含むことを特徴とする。

上記の短分子成分は、光の照射により生じる配向膜の分解生成物であり、この分解生成物の配向膜中での量が、０．１ｎｇ以上、３９５７，５ｎｇ以下、また、他の上限として、１０００，０ｎｇ以下、他の上限として、５００．０ｎｇ以下であることを特徴とする。配向膜に求める機能性を適宜選択することによって、上記分解生成物の最適量の範囲を選択することが可能である。

なお、本発明は、上記の構成および後述する実施の形態に開示される構成に限定されるものではなく、所謂ＴＮ型、所謂１ＰＳ型、所謂ＶＡ型を含む全ての液晶表示装置について、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。

本発明によれば、配向膜の膜分子の極性部分（例えば、ポリイミドの末端部やポリイミドのイミド環Ｃ=Ｏ部、ポリイミドの側鎖として極性の高い置換基を有している場合）に、液晶中のイオンが吸着するのを適切に阻害することができる。

これにより、イオン性不純物の吸着によるＤＣ起因の残像特性の劣化が抑制され、高品質の画像表示を得ることができる。

以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明における光配向処理に伴う配向膜起因の分解生成物である短分子成分の代表的な構造式の説明図である。ここでは代表的な構造のみを示したが、これに限らないことは言うまでもない。

尚、図１において、Ｘは、Ｈ，ＣＨ₃，（ＣＨ₂）_n―ＣＨ₃，（ＣＦ₂）_n―ＣＦ₃等が接続される。また、Ｙ₁は、Ｈ，ＣＨ₃，或いは、図１０で示した物質が接続される。Ｙ₂は図１１に示した物質が接続される。

本実施例では、これらの分解生成物の残存量が、配向膜の機能に与える影響を検証する。具体的には、下記に示す材料によって種々の条件の配向膜を持つ液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルを作製した。
＜材料＞

ＢＡＰＰ/ＣＢＤＡの縮重合体（Ｍｗ：５００００）
ＢＡＰＰ；２，２―ビス｛４―（パラアミノフェノキシ）フェニル｝プロパン
ＣＢＤＡ；１，２，３，４―シクロブタンテトラカルボン酸二無水物
＜ＬＣＤ作製方法＞

スピンコートまたは印刷法などで、ＴＦＴ基板とＬＣＤ基板の夫々に配向膜を製膜し、クリーンオーブンで２３０℃で２時間程度加熱した。配向膜の膜厚は、ここでは１００ｎｍとしたが、配向付与に必要な膜厚２０〜２００ｎｍ程度あれば問題ない。製膜した配向膜には、光の照射量(積算光量)、半導体製造グレードの純水による洗浄の有無、光照射後の加熱の有無といった条件を変更して、配向制御機能を付与した。その後、ＴＦＴ基板とＬＣＤ基板を張り合わせて液晶を注入し、ＬＣＤを作製した。

尚、積算光量０のサンプルＮｏ．１は、ラビング処理にて配向させた。上記の配向膜作製条件を表１として下記に示す。

＜配向膜機能の検証＞

本実施例では、上記のように複数作製されたＬＣＤに対して、電圧保持率、残像消失レベル、ＬＣＤセルの信頼性の観点から、分解生成物の適正量の検証を行う。
＜＜分解生成物量の測定方法＞＞

ここで、配向膜中に残存する分解生成物(低分子量成分)の測定方法について説明する。図２、図３、図４は液晶表示パネルから測定用のサンプルを採取する手順の説明図である。ここではアクティブ・マトリクス方式のＴＮ型液晶表示装置を構成する液晶表示パネルを例として説明する。なお、液晶表示装置は、液晶表示パネルに駆動回路や表示制御装置を組み込んで構成される。なお、以下では、液晶表示パネルを単にパネルと称する場合もある。

図２は、液晶表示パネルの概略構造を説明する断面図である。液晶表示パネルは、第１の基板である薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１と第２の基板であるカラーフィルタ基板ＳＵＢ２の間に液晶ＬＣを挟持して構成される。ここでは、短辺長が１４０ｍｍ以上の液晶表示パネルからサンプルを採取した。

図３は、図２に示した液晶表示パネルからサンプルを採取するための工程図である。図３（Ａ）はマーキングエ程で、パネル端から内側に距離ａ、ｂ、ｃ、ｄ共に２０ｍｍ以上は慣れた部位にｅ＝１２０ｍｍ×ｆ＝１２０ｍｍとなる正方形の四隅に+のマーキングを行う。このマーキングにはガラスペンを用いる。このとき、薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１側とカラーフィルタ基板ＳＵＢ２側の両面が一致する場所の両面にマーキングを実施する。

図３（Ｂ）は、洗浄工程である。この工程では、図３（Ａ）でマーキングした正方形の部分の表面(薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１側とカラーフィルタ基板ＳＵＢ２側の両面)をアセトン等の有機溶剤を用いて洗浄する。洗浄の目的は、この後に実施する分析において、サンプルの表面の汚れを検出しないようにするためである。そのため、サンプルに触れる際は、半導体組立て用などに使用される無塵手袋を着用する。また、サンプルを置く台(図示せず)の上には、サンプルよりも大きなサイズの未使用のクリーン紙を置き、ソースの上にサンプルを置く。サンプルを裏返す毎にクリーン紙を取り替える。

洗浄方法の一例としては、純度９９％以上の新品アセトンを未使用の布に塗布し、その布で所望の領域の表面の汚れを拭く。この作業を薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１側とカラーフィルタ基板ＳＵＢ２側のそれぞれを最低５回繰り返すことが望ましい。

図３（Ｃ）は、パネルからサンプルを採取する切断工程である。洗浄した１２０ｍｍ×１２０ｍｍの正方形領域の四辺からそれぞれ１０ｍｍ内側部分でパネルを切断し、１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形に切り出す。このときも、その後の分析においてサンプルの表面の汚れを検出しないように半導体組立て用などに使用される無塵手袋を着用する。また、切断する際に台(図示せず)の上には前記と同様にサンプルよりも大きなサイズの未使用のクリーン紙を置き、ソースの上にサンプルを置く。

図４は、図２に示した液晶表示パネルからサンプルを採取するための図３に続く工程図である。図４（Ｄ）はパネル分離工程であり、図３（Ｃ）で洗浄したサンプルの平面図を示す。このサンプルを薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１とカラーフィルタ基板ＳＵＢ２とに分離する。この分離の際、両基板の間には液晶が挟持されているので、例えば両基板の間にエアーを吹き込んで両基板を引き剥がす。

この分離工程の際にも、上記した半導体組立て用などに使用される無塵手袋を着用する。また、図４（Ｅ）のように、分離した両基板(分析用のサンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１とＳ―ＳＵＢ２)を台(図示せず)の上に置くときもサンプルよりも大きなサイズの未使用のクリーン紙を置き、その上にパネルの内側となっていた面を上にして置く。なお、ここでは、薄膜トランジスタ基板側ＳＵＢ１のみを分析用のサンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１とする場合は、分離したカラーフィルタ基板側であった他方のサンプル基板Ｓ―ＳＵＢ２は廃棄してもよいが、配向膜の分析をさらに行う場合を想定すれば、サンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１と同様の取り扱いを行うのが望ましい。

図４（Ｆ）は、液晶洗い流し工程であり、サンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１に残留付着している液晶を除去する。サンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１を、アセトンで洗浄済みのピンセットなどで掴み、純度９９％以上のシクロヘキサンＣＨをサンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１の両面に直接かけて、液晶を洗い流す。その後、高圧エアー等を用いてサンプル基板の表面のシクロヘキサンを乾燥させて除去する。この作業を最低１０回は繰り返す。この液晶洗い流し工程の際にも、上記した半導体組立て用などに使用される無塵手袋を着用する。

液晶洗い流し工程を経たサンプル基板Ｓ−ＳＵＢ１を図示しない台の上に置く際にも同様のクリーン紙を台に敷き、薄膜トランジスタパターンの面を上にする。

上記では、短辺サイズが１４０ｍｍ以上の液晶表示パネルからサンプルを採取する工程を説明したが、短辺サイズが１４０ｍｍ未満の液晶表示パネルからサンプルを採取する場合は、複数枚のパネルから上記と同様のサンプル切り出しを行い、サンプル基板の面積が合計で１００ｍｍ²となるようにする。あるいは、例えぱ２５ｍｍ²のサンプルしか準備できなかった場合には、測定した分析結果を１００ｍｍ²となるように換算する。以上のようにして採取したサンプルに対して、分解生成物(低分子量成分)の量を測定する。

図５は、本発明のサンプル基板を用いた分解生成物量の測定システムの測定プロセスを説明する図である。この測定システムは、発生ガス濃縮(捕集)装置ＧＣＣと発生ガス濃縮導入機構付ガスクロマトグラフィー質量分析計ＧＣＭＳから構成される。図６は、図５における発生ガス濃縮(捕集)装置ＧＣＣの構成図である。発生ガス濃縮(捕集)装置ＧＣＣは、ＧＬサイエンス社製の「ＭＳＴＤ２５８ＭＢ」であり、発生ガス濃縮導入機構付ガスクロマトグラフィー質量分析計ＧＣＭＳは、島津製作所製の「ＧＣ／ＭＳＱＰ―２０１０」である。

図５における発生ガス濃縮(捕集)装置ＧＣＣでは、図６に示した石英チャンバーＱＣＢにサンプル基板Ｓ―ＳＵＢ１を装入し、パージガスとしてヘリウムガスＨｅを導入し、サンプルの背面からパージしながら加熱機構ＨＴＲで２５０℃で３０分間に加熱する。この間に石英チャンバーＱＣＢ内のガスを捕集ガスＣＧとして集め、これをトラップ管ＴＴＢの一端から入れる。

トラップ管ＴＴＢはガラス管であり、この中に捕集用樹脂(２，６―ｄｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅｏｘｉｄｅ構造の耐熱性樹脂)が充填されており、他端からポンプなどで排気することで捕集ガスＣＧを通過させる。この通過中に、捕集ガスＣＧに含まれる成分がトラップ管ＴＴＢ内に吸着する。このトラップ管ＴＴＢを取り外して図５における発生ガス濃縮導入機構付ガスクロマトグラフィー質量分析計ＧＣＭＳにセットする。

図５における発生ガス濃縮導入機構付ガスクロマトグラフィー質量分析計ＧＣＭＳの発生ガス濃縮導入機構にセットされたトラップ管ＴＴＢは、２７０℃に加熱後、−１３０℃に冷却され、再度２７０℃に加熱される処理でトラップ管ＴＴＢ内に吸着された成分の濃縮が行われる。濃縮後のトラップ管ＴＴＢは発生ガス濃縮導入機構から取り外され、ガスクロマトグラフィー質量分析計ＧＣＭＳにセットされる。ガスクロマトグラフィー質量分析計ＧＣＭＳでは、４０℃に加熱されて５分間保持される。その後、１０℃で１分加熱し、さらに２８０℃で２１分間保持される。この処理で成分が分析され、クロマトグラムを得る。

得られたクロマトグラムの一例を図１２に示す。図１２は、ＧＣクロマトグラムの例である。また、図示はしないが、各クロマトピークに対して、ＭＳスペクトルを得ており、同定を行う。この分析結果によって得られた一例を表２として以下に示す。

上記に示すように、各サンプルに対して、分解生成物のピーク面積を合計し、基準物質Ｃ１６を元に、配向膜中の分解生成物量を算出する。上記の表では、分解生成物が４８５．ｎｇ検出されたことを示す。
＜＜電圧保持率（ＶＨＲ）の測定方法＞＞

電圧保持率は、まず液晶セルの電極間に電圧を印加し、完全に充電された状態にし、その後、回路を放電状態にしたときの電圧降下の度合いをあらわす指標である。液晶セルに印加する駆動電圧Ｖ₀と電極間電位Ｖとの関係を図１３に示す。この図において、ＶＨＲは、１フレーム期間中に充電された電荷が保持される割合(面積比)であり,下式（１）で定義される。
ＶＨＲ＝Ｓ１／（Ｓ１十Ｓ２）・・・（１）

評価対象のＬＣＤのＴＦＴ素子は、常にＯＮになるような電圧（たとえば、ゲート―コモン間に１８Ｖ）をかける。ドレイン―コモン間電圧には、フレーム毎に一定時間のみ所定の電圧が印加され、それ以外の期間はドレイン―コモン駆動回路からは切り離され、オープン回路状態になる。このときの電極間電位がモニタされる。

ここでは測定条件は下記のとおりとした。
ゲート―コモン電圧１８Ｖ（直流）
ドレイン―コモンフレーム周波数（設定値）３Ｈｚ
ドレイン―コモン電圧印加時間(設定値)０．０２６７ｓ
ドレイン―コモン電圧（設定値）４Ｖ
測定温度２５℃
＜＜残像消失レベルの検証＞＞

残像消失レベルについては、以下のように検証を行う。
（Ａ）評価方法
チェッカーフラッグ状に画面を白黒１６分割させたパターンを表示させた。２分間その状態を保持させた。中間調で、チェッカーフラッグ状パターンが消失した時間を計測した。
（Ｂ）評価基準
レベル３：１分では消失しない。
レベル２：１分以内に消失。
レベル１：残像が出るが、２，３秒以内に消失。
レベル０：残像が発生しない。
＜＜ＬＣＤセル信頼性の検証＞＞

ＬＣＤセル信頼性については、下記のようにレベル分けした。
レベル１：１０００時間、１００℃の高温度放置後に,黒画面を出すと、もやむらが生じた。
レベル０：１０００時問、１００℃の高温度放置後も表示に不具合なし。
<検証結果>

上記のような各種の検証方法に沿って、表１の試料を分析した結果を下記の表３に示す。

光配向処理に伴う配向膜起因の分解物生成物が多いと、ポリイミドとしての特性が大幅に低下し、ポリイミドの利点である熱的安定性や電気的安定性を低下させる原因となる。
上記の表３において、ＬＣＤセルの信頼性では、試料Ｎｏ．１１ではむらが発生し、レベル１となった。したがって、ＬＣＤ信頼性の観点からは、分解生成物量は、少なくとも３９５７．５ｎｇ以下、好ましくは、３５００．０ｎｇ以下であることが望ましいと言える。

また、上記分析結果から得られる分解生成物量と電圧保持率の関係について、図14に示す。分解生成物の低分子量成分は、液晶中に溶け出す可能性が高く、電圧保持率（配向保持率）の低下を招く。図１４のグラフでは、１０００ｎｇ以上では、低下の傾向が顕著である。このことを考慮すれば、分解生成物量は、１０００．０ｎｇ以下であることが望ましい。

さらに、低分子量成分の存在は配向膜表面の弾性率の低下を招くため、残存量はより少ないことが望ましい。しかし、他方で低分子量成分が少量存在することで、液晶中のイオン性不純物が配向膜表面に吸着せず、低分子量成分にトラップされ、ＤＣ起因の残像特性が向上する。表３における残像消失レベル検証の結果、残存量０の試料Ｎｏ．１では残像が消失しないことが分かる。尚、分解物生成量の下限値としては、少しでも存在すれば残像消失の効果があると考えられるため、０．１ｎｇ以上であれば、有効であると考えられる。

また、試料Ｎｏ．２〜Ｎｏ．６では、残像は現れておらず、試料Ｎｏ．７以降では残像が発生するようになる。分解物生成量の上限値としては、試料Ｎｏ．６とＮｏ．７の間の残存量であれば、５００．０ｎｇ以下であれば有効であると考えられる。

よって、残像消失の観点から言えば、分解生成物量は、０．１ｎｇ以上、５００．０ｎｇ以下であれば良く、残像を全く発生させないという観点からは、４．８ｎｇ以上、４８５．８ｎｇ以下であることが望ましい。

この分析により、電圧保持率、残像消失レベル、ＬＣＤセルの信頼性のそれぞれの観点から、分解生成物の最適量を検証することが出来た。
また、上記分解生成物の最適量を有する配向膜の作製は、表１を参照することにより、実現可能である。
＜ＬＣＤの全体構造＞

図７は、本発明の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの外観を模式的に示す斜視図である。この液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板ＳＵＢ１とカラーフィルタ（ＣＦ）基板ＳＵＢ２を貼り合わせ、両基板の貼り合わせ間隙に液晶が封入されている。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の２辺はＣＦ基板ＳＵＢ２の対応する２辺からはみ出しており、このはみ出した短辺に走査信号線駆動回路チップであるゲートドライバＧＤＲが搭載され、長辺には表示信号線駆動回路チップであるドレインドライバＤＤＲが搭載されている。図１には、ゲートドライバＧＤＲが二個、ドレインドライバＤＤＲが五個示したが、これは模式的なものであり、各ドライバの数は液晶表示パネルのサイズ、精細度等により決められる。

図８は、液晶表示装置全体の構成例を模式的に説明する展開斜視図である。図８は所謂縦電界方式（ＴＮ方式）の液晶表示パネルを用いたものである。なお、図８では、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２を同サイズで示したが、実際には図７で説明したようにＴＦＴ基板ＳＵＢ１はＣＦ基板ＳＵＢ２からはみ出している。これを図８では縦の点線で示した。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の主面にはアクティブ素子として薄膜トランジスタ回路を用いたマトリクス配列の多数の画素を構成する画素電極ＰＸ、画素のマトリクス配列領域(表示領域)の周囲に実装されたゲートドライバＧＤＲ、ドレインドライバＤＤＲおよび付属回路ＣＩＲが形成されている。この表示領域を含む最表面を覆ってＴＦＴ基板側配向膜ＯＲＩ１が成膜されている。

ＣＦ基板ＳＵＢ２の主面には対向電極(この方式では共通電極とも称する)ＣＴとカラーフィルタＣＦが形成され、前記表示領域に対応する領域を含む最表面を覆ってＣＦ基板側配向膜ＯＲＩ２が成膜されている。

そして、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の配向膜ＯＲ１１とＣＦ基板ＳＵＢ２の配向膜ＯＲ１２の間に液晶ＬＣが封入されてシールＳＬで封止されている。

なお、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の外面、およびＣＦ基板ＳＵＢ２の外面には、それぞれ偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が積層されている。この液晶表示装置は透過型であり、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の背面にバックライトＢＬが設置されている。
＜光配向の処理装置＞

図９は、光配向の処理装置を模式的に説明する図である。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１又はＣＦ基板ＳＵＢ２の主面に配向制御能未付与の配向膜ＯＲ１１又はＯＲ１２が成膜されている。光源には紫外線ランプＵＶＬが用いられる。紫外線ランプＵＶＬからの紫外線は偏光子ＰＬＺで所定の偏光成分のみが選択されてＴＦＴ基板ＳＵＢ１又はＣＦ基板ＳＵＢ２に成膜された配向膜ＯＲ１１又はＯＲ１２を照射する。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１又はＣＦ基板ＳＵＢ２は矢印Ａ方向に移送され、基板全域の配向膜に配向制御能を付与する。なお、光源に対する基板の移動は相対的なものであり、光源側を移動させてもよく、あるいは光源と基板の両者を移動させるようにしてもよい。

本発明における光配向処理に伴う配向膜起因の分解物生成物の代表的な構造式の説明図である。 液晶表示パネルの概略構造を説明する断面図である。 図２に示した液晶表示パネルからサンプルを採取するための工程図である。 図２に示した液晶表示パネルからサンプルを採取するための図３に続く工程図である。 本発明のサンプル基板を用いた低分子量成分の測定システムの測定プロセスを説明する図である。 図５における発生ガス濃縮(捕集)装置の構成図である。 本発明の液晶表示装置を構成する液晶表示パネルの外観を模式的に示す斜視図である。 本発明の液晶表示装置を構成する液晶表示パネル全体の構成例を模式的に説明する展開斜視図である。 光配向の処理装置を模式的に説明する図である。 分解生成物のＹ１に接続される物質の構造式を示す図である。 分解生成物のＹ２に接続される物質の構造式を示す図である。 ＧＣクロマトグラムの例である。 電圧保持率を説明する図である。 電圧保持率と分解生成物の量の関係を示す図である。

符号の説明

ＳＵＢ１・・・薄膜トランジスタ基板、ＳＵＢ２・・・カラーフィルタ基板、ＧＣＭＳ・・・濃縮導入機構付ガスクロマトグラフィー質量分析計、ＱＣＢ・・・石英チャンバー、Ｓ−ＳＵＢ１・・・サンプル基板、ＨＴＲ・・・加熱機構、ＴＴＢ・・・トラップ管。

Claims (9)

1. 画素選択用のアクティブ素子が形成された基板の最上層に第１の配向膜を有する第１の基板と、カラーフィルタが形成された基板の最上層に第２の配向膜を有する第２の基板と、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜の間に封止された液晶とを有する液晶表示装置であって、
   前記第１の配向膜と前記第２の配向膜は共に、光の照射により液晶の配向機能が付与されており、
   前記配向機能が付与された配向膜に、当該配向膜起因の短分子成分を含むことを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１において、
   前記短分子成分は、光の照射により生じる配向膜の分解生成物であることを特徴とする液晶表示装置。
3. 請求項２において、
   前記分解生成物の残留量が、１００ｃｍ²当り、３９５７．５０ｎｇ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
4. 請求項３において、
   前記分解生成物の残留量が、１００ｃｍ²当り、３５００．０ｎｇ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
5. 請求項４において、
   前記分解生成物の残留量が、１００ｃｍ²当り、１０００．０ｎｇ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
6. 請求項５において、
   前記分解生成物の残留量が、１００ｃｍ²当り、５００．０ｎｇ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
7. 請求項６において、
   前記分解生成物の残留量が、１００ｃｍ²当り、０．１ｎｇ以上であることを特徴とする液晶表示装置。
8. 請求項７において、
   前記分解生成物の残留量が、１００ｃｍ²当り、４．８ｎｇ以上、４６５．８ｎｇ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
9. 請求項２において、
   前記配向膜形成時に、積算光量を１．５〜１０．０Ｊ/ｃｍ²与え、その後、当該配向膜を加熱することを特徴とする液晶表示装置。

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