JP2007202087A - ラム波型高周波デバイス - Google Patents

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Abstract

【課題】多数のラム波モードから所望のモードのみを選択し、スプリアスを抑圧できるラム波型高周波デバイスを提供する。
【解決手段】ラム波型高周波共振子１は、水晶からなる圧電基板２０の表面に、一対の交差指電極３１，３２をそれぞれ間挿してなるＩＤＴ電極３０と、ＩＤＴ電極３０のラム波の進行方向両側に配設される電極指５０ａ，５０ｂを有する一対の反射器４０，５０と、を備えるラム波型高周波共振子１であって、ＩＤＴ電極３０における電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａのピッチＰｉと、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂのピッチＰｒと、が異なり、ラム波の波長λの範囲内に、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３２ａの２本が間挿されている。
【選択図】図２

Description

本発明は、通信機器などに用いられるラム波型高周波デバイスに関する。
従来から、高周波共振子またはフィルタなどを構成する高周波デバイスが知られている。高周波共振子の代表例としては、レイリー波（Ｒａｙｌｅｉｇｈ ｗａｖｅ）またはＳＨ波を用いる弾性表面波素子や、バルク波であるラム波（Ｌａｍｂ ｗａｖｅ）を用いたラム波素子等がある。また、上記と同様な波を用いる帯域フィルタがある。
例えば、ＳＴカットと呼ばれる水晶基板の表面において、弾性表面波の伝搬するＺ’軸方向にＩＤＴ電極が形成されたレイリー波型弾性表面波素子が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
また、ＳＴＷカット水晶基板を用いた弾性表面波素子、つまり、ＳＴカット水晶基板に対して弾性表面波の伝搬方向を９０度ずらした横波を伝搬するＳＨ波型弾性表面波素子も知られている（例えば、特許文献１参照）。
さらに、弾性表面波ではなく、圧電基板の上下面で反射を繰り返して伝搬するバルク波（体積波）を用いる方式のラム波素子も知られており、このラム波素子は、位相速度が弾性表面波よりも速いことから、特に高周波に適していることが知られている（例えば、非特許文献２、及び特許文献２参照）。
また、上述したラム波素子において、圧電基板としてＡＴカット水晶基板を用い、水晶基板の厚みＨと、ラム波の波長λとを、０＜２Ｈ／λ≦１０の範囲に設定することで、ラム波を効率的に励振できることが知られている。
信学技報 ＴＥＣＨＮＩＡＬＣＡＬＲＥＰＯＲＴ ＯＦ ＩＥＩＣＥ．ＵＳ９９−２０（１９９９−０６）３７頁〜４２頁、「有限要素法を用いた弾性表面波の周波数−温度特性解析」、神名重男 第３３回ＥＭシンポジウム２００４、第９３〜９６頁、「ラム波型弾性表面波素子用基板」中川恭彦、百瀬雅之、垣尾省司 特開平１０−２３３６４５号公報 特開２００３−２５８５９６号公報
このような非特許文献１によるレイリー波型弾性表面波素子は、弾性表面波素子としては優れた周波数温度特性を示すが、位相速度の理論値が約３１００ｍ／ｓ程度とされ、高周波帯域には対応が困難とされている。
また、特許文献１によるＳＨ波型弾性表面波装置は、電極材料としてアルミニウムに比べ密度が大きいタンタルやタングステンを用い、周波数温度特性を改善しているが、電気抵抗損が大きくなり、さらに、位相速度が減少してしまうというような課題がある。
また、特許文献２によるラム波素子は、高い位相速度（高周波）を得ることが可能であるが、選択的に利用したい振動モードの励振強度が低く、選択した振動モードの励振中に他の振動モードが発現する、いわゆるスプリアスとなり、所望の共振特性が得られないという課題を有している。
ここで、従来のラム波素子の課題についてラム波型高周波共振子を例にとり説明し、本発明の目的をより明確にする。
図５５に従来のラム波型高周波共振子の構成を示し、図５５（ａ）は概略構成を示す斜視図、図５５（ｂ）は同図（ａ）のＱ−Ｑ切断面を示す断面図である。図５５において、ラム波型高周波共振子１００は、水晶からなる圧電基板１２０の表面にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１３０と、その両側に配設された反射器１４０，１５０とから構成されている。ＩＤＴ電極１３０は、一対の交差指電極１３１，１３２とを有し、反射器１４０，１５０はＩＤＴ電極１３０から励振されるラム波の進行方向の両側に配設され、電極指（代表して１５０ａ，１５０ｂを表示）を有している。以降、一方の交差指電極１３１を第１交差指電極１３１、他方の交差指電極１３２を第２交差指電極１３２と呼称する。
ＩＤＴ電極１３０における櫛歯状の第１交差指電極１３１と第２交差指電極１３２とは、それぞれ相互に間挿されて構成されている。ここで、第１交差指電極１３１の電極指１３１ａ端部から電極指１３１ｂまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定され、電極指１３１ａ，１３１ｂそれぞれの幅をＬｉと表す。
また、電極指１３１ａの端部と、電極指１３１ａ，１３１ｂの間に間挿される第２交差指電極１３２の電極指１３２ａと、の距離（ピッチと称することがある）はＰｉと表す。
また、反射器１５０の電極指１５０ａの端部から電極指１５０ｂまでの距離を（ピッチと称することがある）Ｐｒと表し、電極指１５０ａ，１５０ｂそれぞれの幅をＬｒと表す。
そして、ＩＤＴ電極１３０と反射器１４０，１５０におけるピッチはＰｉ＝Ｐｒ、ＩＤＴ電極１３０と反射器１４０，１５０における電極指の幅はＬｉ＝Ｌｒの関係に設定されている。
ここで、ＩＤＴ電極１３０の電極指１３１ａ，１３１ｂ，１３２ａそれぞれの厚さをＨｉ、反射器１５０の電極指１５０ａ，１５０ｂの厚みをＨｒとし、Ｈｉ＝Ｈｒの関係に設定されている。
また、ＩＤＴ電極１３０および反射器１４０はアルミニウム（Ａｌ）などの同一電極材料で形成されている。このことから、ＩＤＴ電極１３０の電極材料の密度（ＩＤＴ電極の密度と称すことがある）をρｉ、反射器１４０の電極材料の密度（反射器の密度と称すことがある）をρｒとするとρｉ＝ρｒの関係にある。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子１００のインピーダンス周波数特性、コンダクタンス周波数特性について説明する。
図５６は、上述した構成（図５５参照）によるラム波型高周波共振子１００のインピーダンス周波数特性を示すグラフである。横軸は周波数（最大Ｇ周波数をｆG、共振子の周波数をｆとしたとき、ｆ／ｆGの値で表示）、縦軸はインピーダンスの絶対値（単位Ω）を表す。図５６で表されるように、このラム波型高周波共振子１００は、多数のラム波の振動モード（以降、単にモードと表すことがある）Ａ〜Ｆの応答が確認されている。これは、仮に、モードＥの周波数を発振器に利用した場合には、それ以外のモードが抑圧されていないためスプリアスとして発現し、異常発振や周波数飛びなどの不具合が生じやすいことが考えられる。
続いて、従来のような設計ではスプリアスとなる振動モードを抑圧できない理由について、放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性から説明する。
図５７〜５９はそれぞれ図５６におけるモードＢ、モードＣ、モードＥの放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性との関係について示すグラフである。横軸に周波数（最大Ｇ周波数をｆG、共振子の周波数をｆとしたとき、ｆ／ｆGの値で表示）、縦軸に放射コンダクタンス（単位Ｓ）と反射器の反射係数の絶対値を表す。
ここで、ＩＤＴ電極１３０のみの放射コンダクタンスをＧ、反射器を含めたラム波型高周波共振子全体の放射コンダクタンスをＧｒｅｓ、反射器の反射係数をΓと表す。また、Ｇが最大になるときの周波数を最大Ｇ周波数、Ｇｒｅｓが最大になるときの周波数を最大Ｇｒｅｓ周波数、Γの絶対値が０．５以上の周波数範囲内を反射周波数帯域、Γの絶対値が最大になるときの周波数を反射中心周波数と表す。
ラム波は、Ｇ及びＧｒｅｓが大きいほど強く励振され、Γの絶対値が大きいほど反射器で強く反射されることを意味する。図５７〜５９が示すように、上述したＩＤＴ電極１３０及び反射器１４０，１５０の構成によれば、モードＢ、モードＣ、モードＥでは、Ｇｒｅｓの最大値はＧの最大値に比べ大きくなっている。このようにモードＢ、モードＣ、モードＥのＧｒｅｓの最大値が大きくなったのは、最大Ｇ周波数が反射周波数帯域内にあるためである。つまり、ＩＤＴ電極１３０により励振された各モードは、反射器１４０，１５０により効率よく反射されるため励振が強まる。
このことから、上述した従来技術によれば、反射器１４０，１５０により図５６に示されるどのモードも強く励振されてしまうため、用途として発振器を考えると、異常発振、周波数飛び等の問題が生じる。また、フィルタとして用いた場合には、帯域内にリップルが生じるという課題がある。従って、所望のモード以外の最大Ｇ周波数は反射周波数帯域外にあることが望ましい。
本発明の目的は、前述した課題を解決することを要旨とし、選択的に利用したい振動モードの励振を強め、スプリアスを抑圧するラム波型高周波共振子を提供することである。
上記課題を解決するために本発明は、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極の電極指のピッチと、前記反射器の電極指のピッチと、が異なることを特徴とする。
上記構成によれば、ラム波を励振できるので容易に高周波化を達成できる。また、従来は同一であったが、反射器を構成する電極指のピッチとＩＤＴ電極の電極指のピッチが異なることにより、選択的に利用したいモードの励振を強め、同時に、スプリアスを抑圧することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることが好ましい。
上記構成によれば、反射器設計によりスプリアスを効果的に抑圧することが可能であり、かつ、ＩＤＴ電極自身によって生じる反射波を利用できるため、反射器の本数を減らし、ラム波型高周波デバイスを小型化できる効果がある。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることが好ましい。
上記構成によれば、反射器設計によりスプリアスを効果的に抑圧することが可能であり、かつ、ＩＤＴ電極自身によって生じる反射波は相殺されるため、より効果的にスプリアスを抑圧できる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極の電極指のピッチと、前記反射器の電極指のピッチと、が異なり、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
このように、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けることにより、ＩＤＴ電極自身の反射波の反射係数が小さくなり、反射波の反射を小さくすることができる。このことにより反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは一層抑圧され、スプリアスの発現を低減することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このような構成にすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の２本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とを合わせて、その相乗効果により所望の振動モードの励振を一層強め、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このようにすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の４本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とをあわせて、その相乗効果により所望の振動モードの励振を強め、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることが望ましい。
ＩＤＴ電極の表面に絶縁膜を形成すると、電極指の有無の場所で、絶縁膜の表面に凹凸が生ずる。この凹凸の高さの差を上述のような関係に範囲設定することにより、絶縁膜の凹凸によるラム波の反射に対する影響を排除することができ、ＩＤＴ電極自身の反射係数が無視できる程度に小さくすることができ、反射波の反射はほとんど生じない。従って、反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは、より一層抑圧され、スプリアスの応答をほぼなくすことができる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極の電極指の幅と、前記反射器の電極指の幅と、が異なることを特徴とする。
この発明によれば、ＩＤＴ電極の電極指の幅と、反射器の電極指の幅と、を異なるように設定することにより、前述した従来技術によるラム波素子にくらべ、利用したい振動モードの最大Ｇ周波数は反射中心周波数付近になり、効率良く反射されるため、放射コンダクタンスＧは大きくなり、励振を強くすることができる。また、所望のモード以外の最大Ｇ周波数は、反射器の反射周波数帯域外に現れるため励振を抑圧できる。つまり、スプリアスを抑圧することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることが好ましい。
このように、ラム波の波長λの範囲内に２本の電極指が間挿されている場合、ＩＤＴ電極内においてラム波の反射が生じる。このＩＤＴ電極内の反射波によって所望の振動モードの励振を強めることができ、前述した、ＩＤＴ電極の電極指の幅と、反射器の電極指の幅と、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、振動モードの励振を一層強めることができる。さらに、このことにより、反射器の電極指の数を減ずることが可能となり、ラム波型高周波共振子の小型化ができるという効果がある。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることが好ましい。
このように、波長λの範囲内にＩＤＴ電極の電極指を２組、つまり４本を配設することにより、ＩＤＴ電極自身による反射波が相殺されるため、反射周波数帯域外における最大Ｇ周波数となる振動モードは、一層抑圧され、前述したＩＤＴ電極の電極指の幅と、反射器の電極指の幅と、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、スプリアスの発現を低減することができる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極の電極指の幅と、前記反射器の電極指の幅と、が異なり、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
このように、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けることにより、ＩＤＴ電極自身の反射波の反射係数が小さくなり、反射波の反射を小さくすることができる。このことにより反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは一層抑圧され、スプリアスの発現を低減することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このような構成にすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の２本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とを合わせて、その相乗効果により所望の振動モードの励振を一層強め、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このようにすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の４本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とをあわせて、その相乗効果により所望の振動モードの励振を強め、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることが望ましい。
ＩＤＴ電極の表面に絶縁膜を形成すると、電極指の有無の場所で、絶縁膜の表面に凹凸が生ずる。この凹凸の高さの差を上述のような関係に範囲設定することにより、絶縁膜の凹凸によるラム波の反射に対する影響を排除することができ、ＩＤＴ電極自身の反射係数が無視できる程度に小さくすることができ、反射波の反射はほとんど生じない。従って、反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは、より一層抑圧され、スプリアスの応答をほぼなくすことができる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極の電極指の厚さと、前記反射器の電極指の厚さと、が異なることを特徴とする。
この発明によれば、ＩＤＴ電極の電極指の厚さと、反射器の電極指の厚さと、を異なるように設定することにより、前述した従来技術によるラム波素子にくらべ、利用したい振動モードの最大Ｇ周波数は反射中心周波数付近になり、効率よく反射されるため、放射コンダクタンスＧは大きくなり励振を強くすることができる。また、所望周波数モード以外の最大Ｇ周波数は、反射器の反射周波数帯域外に現れるため励振を抑圧できる。つまり、スプリアスを抑圧することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることが好ましい。
このように、ラム波の波長λの範囲内に２本の電極指が間挿されている場合、ＩＤＴ電極内においてラム波の反射が生じる。このＩＤＴ電極内の反射波によって所望の振動モードの励振を強めることができ、前述した、ＩＤＴ電極の電極指の厚さと、反射器の電極指の厚さと、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、振動モードの励振を一層強めることができる。さらに、このことにより、反射器の電極指の数を減ずることが可能となり、ラム波型高周波共振子の小型化ができるという効果がある。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることが好ましい。
このように、波長λの範囲内にＩＤＴ電極の電極指を２組、つまり４本を配設することにより、ＩＤＴ電極自身による反射波が相殺されるため、反射周波数帯域外における最大Ｇ周波数となる振動モードは、一層抑圧され、前述したＩＤＴ電極の電極指の厚さと、反射器の電極指の厚さと、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、スプリアスの発現を低減することができる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極の電極指の厚さと、前記反射器の電極指の厚さと、が異なり、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
このように、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けることにより、ＩＤＴ電極自身の反射波の反射係数が小さくなり、反射波の反射を小さくすることができる。このことにより反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは一層抑圧され、スプリアスの発現を低減することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このような構成にすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の２本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とを合わせて、その相乗効果に同一波長では、ＩＤＴ電極がそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組が間挿される構造に比べ、電極指の幅が広くなるため高周波化に有利であり、且つ、スプリアスの励振をより抑圧することができる。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このようにすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の４本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とをあわせて、その相乗効果によりスプリアスの励振をより抑圧することができ、応答をほぼなくすことができる。
また、前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることが望ましい。
ＩＤＴ電極の表面に絶縁膜を形成すると、電極指の有無の場所で、絶縁膜の表面に凹凸が生ずる。この凹凸の高さの差を上述のような関係に範囲設定することにより、絶縁膜の凹凸によるラム波の反射に対する影響を排除することができ、ＩＤＴ電極自身の反射係数が無視できる程度に小さくすることができ、反射波の反射はほとんど生じない。従って、反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは、より一層抑圧され、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極を構成する電極材料の密度と、前記反射器を構成する電極材料の密度と、が異なることを特徴とする。
この発明によれば、ＩＤＴ電極を構成する電極材料の密度と、前記反射器を構成する電極材料の密度と、を異なるように設定することにより、前述した従来技術によるラム波素子にくらべ、利用したい振動モードの最大Ｇ周波数は反射中心周波数付近になり、効率よく反射されるため、放射コンダクタンスＧは大きくなり励振を強くすることができる。また、所望周波数モード以外の最大Ｇ周波数は、反射器の反射周波数帯域外に現れるため励振を抑圧できる。つまり、スプリアスを抑圧することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極の電極指におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることが好ましい。
このように、ラム波の波長λの範囲内に２本の電極指が間挿されている場合、ＩＤＴ電極内においてラム波の反射が生じる。このＩＤＴ電極内の反射波によって所望の振動モードの励振を強めることができ、前述した、ＩＤＴ電極の電極材料の密度と、反射器の電極材料の密度と、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、振動モードの励振を一層強めることができる。さらに、このことにより、反射器の電極指の数を減ずることが可能となり、ラム波型高周波共振子の小型化ができるという効果がある。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることが好ましい。
このように、波長λの範囲内にＩＤＴ電極の電極指を２組、つまり４本を配設することにより、ＩＤＴ電極自身による反射波が相殺されるため、反射周波数帯域外における最大Ｇ周波数となる振動モードは、一層抑圧され、前述したＩＤＴ電極の電極材料の密度と、反射器の電極材料の密度と、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、スプリアスの発現を低減することができる。
また、圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、前記ＩＤＴ電極を構成する電極材料の密度と、前記反射器を構成する電極材料の密度と、が異なり、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
このように、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けることにより、ＩＤＴ電極自身の反射波の反射係数が小さくなり、反射波の反射を小さくすることができる。このことにより反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは一層抑圧され、スプリアスの発現を低減することができる。
また、ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このような構成にすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の２本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とを合わせて、その相乗効果に同一波長では、ＩＤＴ電極がそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組が間挿される構造に比べ、電極指の幅が広くなるため高周波化に有利であり、且つ、スプリアスの励振をより抑圧することができる。
また、前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿され、前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることが望ましい。
このようにすれば、前述したようなラム波の波長λの範囲内にＩＤＴ電極の４本の電極指を間挿したときに得られる効果と、ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜を設けるときに得られる効果とをあわせて、その相乗効果によりスプリアスの励振をより抑圧することができ、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることが望ましい。
ＩＤＴ電極の表面に絶縁膜を形成すると、電極指の有無の場所で、絶縁膜の表面に凹凸が生ずる。この凹凸の高さの差を上述のような関係に範囲設定することにより、絶縁膜の凹凸によるラム波の反射に対する影響を排除することができ、ＩＤＴ電極自身の反射係数が無視できる程度に小さくすることができ、反射波の反射はほとんど生じない。従って、反射周波数帯域外で最大Ｇ周波数となる振動モードは、より一層抑圧され、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。
また、前記圧電基板が水晶で形成されていることが望ましい。
圧電基板として水晶基板を用いることにより、前述した従来技術のＳＴカットの水晶基板を用いるレイリー波型弾性表面波素子、ＳＴＷカット水晶を用いるＳＨ波型弾性表面波素子に比べ、温度変化による周波数の変動の少ない周波数温度特性を実現することができ、且つ、上述したような発明との組み合わせにより、スプリアスが抑制されたラム波型高周波共振子を実現することができる。
以下、本発明を具体化した実施形態についてラム波型高周波共振子を例にとり図面に従い説明する。
本発明者は、ラム波型高周波共振子を構成するＩＤＴ電極および反射器における電極指のピッチ、電極指の幅、電極指の厚さ、電極材料の密度について着目し、それぞれを変化させることで課題の解決に導いた。
＜ＩＤＴ電極および反射器における電極指のピッチが異なる場合＞
（実施形態１）
図１は、実施形態１に係るラム波型高周波共振子１を示す斜視図、図２は、図１のＡ−Ａ切断面を示す断面図である。
図１、図２において、ラム波型高周波共振子１は、水晶からなる圧電基板２０の表面に、一対の交差指電極３１，３２を有するＩＤＴ電極３０と、電極指５０ａ，５０ｂを有する一対の反射器４０，５０とから構成されている。これらの反射器４０，５０は、ＩＤＴ電極３０より励振されるラム波の進行方向の両側に配設されている。なお、以降、一方の交差指電極３１を第１交差指電極３１、他方の交差指電極３２を第２交差指電極３２と呼称する。
ＩＤＴ電極３０の第１交差指電極３１と第２交差指電極３２とは、それぞれ相互に間挿されて構成されている。ここで、第１交差指電極３１を構成する櫛歯形状の電極指３１ａの端部から電極指３１ｂまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定され、電極指３１ａ，３１ｂそれぞれの幅をＬｉとする。
また、電極指３１ａの端部と、電極指３１ａ，３１ｂの間に間挿される第２交差指電極３２の電極指３２ａとの距離（ピッチと称することがある）はＰｉと表す。なお、電極指３２ａの幅もＬｉである。
また、反射器５０の電極指５０ａの端部から電極指５０ｂまでの距離を（ピッチと称することがある）Ｐｒとし、電極指５０ａ，５０ｂそれぞれの幅をＬｒとする。
なお、説明を省略しているが、ＩＤＴ電極３０の上述しない他の電極指及び反射器５０の他の電極指及び反射器４０の電極指の幅、ピッチも同様な関係に設定されている。
ここで、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉと反射器５０の電極指幅Ｌｒとは、Ｌｉ＝Ｌｒの関係、ＩＤＴ電極３０のピッチＰｉと反射器５０のピッチＰｒとは、Ｐｉ≠Ｐｒとなるよう設定されている。
このように構成されたＩＤＴ電極３０に所定の周波数の入力駆動信号を入力することによってラム波が励振され、圧電基板２０の表裏の面を反射しながら、圧電基板２０の長手方向に伝搬し、反射器４０，５０によって反射される。
以下に本実施形態のラム波型高周波共振子１の放射コンダクタンスと反射器５０の反射係数の周波数特性について説明する。
図３は、反射器５０およびＩＤＴ電極３０のピッチの関係が、Ｐｒ／Ｐｉ＝１．００４６である場合のモードＢの放射コンダクタンスと、反射器５０の反射係数の周波数特性を示す図である。図４は、同条件によるモードＥの放射コンダクタンスと、反射器５０の反射係数の周波数特性を示す図である。
図３に示すように、反射器５０およびＩＤＴ電極３０のピッチをＰｒ≠Ｐｉとすることにより反射中心周波数は、図５７に示した従来の設計と比較して低周波側に移動していることがわかる。このことからモードＢの最大Ｇ周波数は反射周波数帯域外にあるため、モードＢの励振を抑圧でき、つまり、このモードＢがスプリアスとして発現することを抑制できる。
一方、図４に示すようにモードＥに関しては、反射器５０およびＩＤＴ電極３０のピッチをＰｒ≠Ｐｉに設計して反射中心周波数を低周波側に移動させても、最大Ｇ周波数は反射周波数帯域内にあるため、図５９に示した従来の設計と比較してＧｒｅｓは大きくなり励振が強くなっていることがわかる。つまり、利用したいモードの励振を強くすることができる。このように、利用したいモードの最大Ｇ周波数を反射周波数帯域内に、スプリアスはその帯域外になるように設計すれば、選択的に利用したいモードのみの励振を強め、同時に、スプリアスを抑圧できることがわかる。
図５は、本実施形態のラム波型高周波共振子１のインピーダンス周波数特性を示す図であり、上述したように反射器５０およびＩＤＴ電極３０の電極間ピッチの関係が、Ｐｒ／Ｐｉ＝１．００４６である。
図５に示すように、ラム波のモードＥのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆは抑圧されている。このことから、このラム波型高周波共振子１を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びのない信頼性の高い発振器を実現できる。さらに、ＩＤＴ電極３０の電極指の本数がラム波の波長に対し２本を有する構造は、ＩＤＴ電極３０自身による反射が生じることが知られており、この反射波を利用することにより励振をより強めることができるため反射器４０，５０における電極指の本数を減らし、ラム波型高周波共振子１の小型化が可能である。
（実施形態２）
続いて、本発明の実施形態２に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。実施形態２は、前述した実施形態１（図１，２、参照）に比べ、ＩＤＴ電極の電極指の構成が異なり、ラム波の波長λの範囲内に、ＩＤＴ電極の電極指が４本間挿されていることに特徴を有する。
図６，７は、実施形態２に係るラム波型高周波共振子の構成を示し、図６は斜視図、図７は、図６のＢ−Ｂ切断面を示す断面図である。図６，７において、ラム波型高周波共振子２は、水晶からなる圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０とその両端に配設される反射器４０，５０とから構成されている。この基本配置は、実施形態１と同じである。
ここで、第１交差指電極３１の端部から図中右方向に２本の電極指３１ａ，３１ｂが並列して形成され、電極指３１ｂと次の電極指３１ｃとの間には、第２交差指電極３２の電極指３２ａ，３２ｂが並列して間挿されている。そして、電極指３１ａの端部から電極指３１ｃまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定されており、電極指３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３２ａ，３２ｂそれぞれの幅をＬｉとする。
また、電極指３１ａの端部から電極指３１ｂまでの間の距離（ピッチと称することがある）をＰｉとする。
なお、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２の他の電極についても同じような関係となるように形成されている。
このように、ＩＤＴ電極３０は、ラム波の波長λの範囲内に、４本の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂが間挿して形成されていることになり、電極間ピッチＰｉは、波長λの１／４である。
また、反射器５０の電極指５０ａの端部から電極指５０ｂまでの距離を（ピッチと称することがある）Ｐｒとし、電極指５０ａ，５０ｂそれぞれの幅をＬｒとする。
なお、説明を省略しているが、反射器５０の他の電極指、反射器４０の電極指の幅、電極間ピッチも同様な関係に設定されている。
ここで、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉと反射器５０の電極指幅Ｌｒとは、Ｌｉ＝Ｌｒの関係、ＩＤＴ電極３０のピッチＰｉと反射器５０のピッチＰｒとは、Ｐｉ≠Ｐｒとなるよう設定されている。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子２のインピーダンス周波数特性について説明する。図８では、反射器５０およびＩＤＴ電極３０のピッチの関係が、Ｐｒ／Ｐｉ＝１．００４６としたときの特性を例示している。
図８から明らかなように、モードＥのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆは抑圧されていることがわかる。このように、反射器４０，５０を構成する電極指のピッチＰｒをＩＤＴ電極３０の電極指のピッチＰｉと異なる設計にすることにより、選択的に利用したいモードの励振を強め、同時に、スプリアスを抑圧することができる。また、ＩＤＴ電極３０の電極指の本数をラム波の波長に対し４本を有する構造にすると、ＩＤＴ電極３０自身による反射波は相殺されることが知られている。このことから、反射周波数帯域内の外で最大Ｇ周波数となるモードはより一層抑圧され、スプリアスの発現をほぼなくすことができる。従って、このラム波型高周波共振子２を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びのない信頼性の高い発振器を実現できる。
（実施形態３）
続いて、本発明の実施形態３に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。本実施形態は、実施形態１、実施形態２において説明したＩＤＴ電極３０に、その上面を覆う絶縁膜を形成したところに特徴を有し、ＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成は、実施形態１及び実施形態２と同じ構成とすることができる。ここでは、実施形態１（図１，２、参照）による構成を例示して共通部分には同じ符号を付し、相違部分のみを説明する。
図９，１０は、実施形態３に係るラム波型高周波共振子３を示し、図９は斜視図、図１０は、図９のＣ−Ｃ切断面を示す断面図である。図９，１０において、ＩＤＴ電極３０の表面には、ＩＤＴ電極３０の全体を覆うように絶縁膜６０が成膜されている。絶縁膜６０は、ＳｉＯ2から形成されている。
なお、ＩＤＴ電極３０のピッチＰｉと反射器５０のピッチＰｒとは、Ｐｉ≠Ｐｒとなるよう設定されている。また、電極指３１ａ，３２ａの厚さをＨｉとする。
絶縁膜６０の膜厚について図１１において、さらに詳しく説明する。
図１１は、絶縁膜６０の成膜状態を模式的に示す部分断面図である。図１１において、絶縁膜６０は、ＩＤＴ電極３０の上面を覆うように成膜されているため、電極指３１ａ，３２ａの上面は、電極指３１ａ，３２ａが存在しない部分よりも高くなる。ここで、圧電基板２０の表面から電極指３１ａ，３２ａの上面にある絶縁膜の高さをＴ、電極指３１ａ，３２ａが存在しない部分の絶縁膜６０の高さをｔとしたとき、高さＴと高さｔとの差、つまり、絶縁膜６０の表面の凹凸差をΔｔ＝Ｔ−ｔと表したとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λを、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定している。
図１２はΔｔとＩＤＴ電極自身の反射係数の関係を示す図である。図中には作製しやすい規格化電極厚み（Ｈｉ／λ）を３％としたＩＤＴ電極３０自身の反射係数を示し、Δｔの最適範囲を決定するための目安とした。図１３はΔｔとＩＤＴ電極３０のみのラム波型高周波共振子３の共振インピーダンス比［ｄＢ］（共振周波数と反共振周波数との比）の関係を示す図である。図１２から、Δｔを小さくする（絶縁膜６０の表面を平坦にする）とＩＤＴ電極３０自身による反射係数は小さくなる。その結果、図１３からわかるように共振インピーダンス比は小さくなる。また、Δｔ≦０．０４４の範囲であればＩＤＴ電極３０自身の反射係数は規格化電極厚み３％のときより小さくなるため、ＩＤＴ電極３０内の反射によって生じるスプリアスを効果的に抑圧することができる。
図１４はΔｔ／λ＝０．００５としたときのラム波型高周波共振子３のインピーダンス周波数特性を示す図である。図１４から明らかなように、ラム波のモードＥのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆは抑圧されていることがわかる。このように、反射器４０，５０を構成する電極指のピッチＰｒをＩＤＴ電極３０の電極指のピッチＰｉと異なる設計をすることにより、選択的に利用したいモードの励振を強め、同時に、スプリアスを抑圧することができる。また、ＩＤＴ電極３０上に絶縁膜膜６０を形成させΔｔ／λ≦０．０４４とすると、ＩＤＴ電極自身の反射係数は非常に小さくなり反射はほとんど生じない。このため、ラム波の反射周波数帯域内の外で最大Ｇ周波数となるモードはより一層抑圧され、スプリアスの応答をほぼなくすことができる。従って、このラム波型高周波共振子３を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びのない信頼性の極めて高い発振器を実現できる。
なお、実施形態３ではＩＤＴ電極３０の電極指の本数がラム波の波長λに対し２本を有する構造上に絶縁膜６０を形成して説明をしたが、波長λに対し電極指が４本有する構造においても、より効果的にスプリアスを抑圧できることは云うまでもない。
＜ＩＤＴ電極および反射器における電極指の幅が異なる場合＞
（実施形態４）
図１５は、本実施形態４に係るラム波型高周波共振子４を示す斜視図、図１６は、図１５のＤ−Ｄ切断面を示す断面図である。図１５、図１６において、ラム波型高周波共振子４は、水晶からなる圧電基板２０の表面に、一対の交差指電極３１，３２とを有するＩＤＴ電極３０と、このＩＤＴ電極３０におけるラム波の進行方向の両側に配設され、電極指５０ａ，５０ｂを有する一対の反射器４０，５０とから構成されている。なお、以降、一方の交差指電極３１を第１交差指電極３１、他方の交差指電極３２を第２交差指電極３２と呼称する。
ＩＤＴ電極３０の第１交差指電極３１と第２交差指電極３２とは、それぞれ相互に間挿されて構成されている。ここで、第１交差指電極３１を構成する櫛歯形状の電極指３１ａの端部から電極指３１ｂまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定され、電極指３１ａ，３１ｂそれぞれの幅をＬｉとする。
また、電極指３１ａの端部と、電極指３１ａ，３１ｂの間に間挿される第２交差指電極３２の電極指３２ａと、の距離（ピッチと称することがある）はＰｉと表す。なお、電極指３２ａの幅もＬｉである。
また、反射器５０の電極指５０ａの端部から電極指５０ｂまでの距離（ピッチと称することがある）をＰｒとし、電極指５０ａ，５０ｂそれぞれの幅をＬｒとする。
なお、説明を省略しているが、ＩＤＴ電極３０の上述しない他の電極指及び反射器５０の他の電極指及び反射器４０の電極指の幅、ピッチも同様な関係に設定されている。
ここで、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉと反射器５０の電極指幅Ｌｒとは、Ｌｉ≠Ｌｒの関係、ＩＤＴ電極３０の電極間ピッチＰｉと反射器５０の電極間ピッチＰｒとは、Ｐｉ＝Ｐｒとなるよう設定されている。
このように構成されたＩＤＴ電極３０に所定の周波数の入力駆動信号を入力することによってラム波が励振され、圧電基板２０の表裏の面を反射しながら、圧電基板２０の長手方向に伝搬し、反射器４０，５０によって反射される。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子４のインピーダンス周波数特性、コンダクタンス周波数特性について説明する。
なお、反射器４０，５０は、同じ挙動をするため、反射器５０を例にあげ説明する。
図１７は、本実施形態のラム波型高周波共振子４の放射コンダクタンスと反射器５０の反射係数の周波数特性について表すグラフである。
ここで、図１７では、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの幅Ｌｉ、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの幅Ｌｒとの関係を、Ｌｒ／Ｌｉ＝０．４としたときを例示している。
図１７に示すように、所望の振動モード（以降、単にモードと表す）を図１９に示すモードＣとしたとき、反射中心周波数は、最大Ｇ周波数とほぼ一致している。また、ＩＤＴ電極３０の放射コンダクタンスＧが、前述した従来技術（図５８参照）と比べて大きくなっており、励振が強くなっていることを示している。つまり、利用したいモードの励振を強くすることができることを示している。
図１８は、ＩＤＴ電極３０、反射器５０を同様な構成としたときの図１９に示すモードＥの放射コンダクタンスと反射器５０の反射係数の周波数特性について表すグラフである。図１８に示すように、最大Ｇ周波数は、反射周波数帯域外にあるために励振を抑圧できている。つまり、スプリアスを抑制できていることを示している。
なお、本実施形態では、Ｌｒ／Ｌｉ＝０．４としたときを例示して説明しているが、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの幅Ｌｉと、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの幅Ｌｒの比は０．４に限らずＬｒ≠Ｌｉであればよく、その差（比）は限定されない。また、Ｌｒ＞Ｌｉとしてもよい。
このように、圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０の電極指と反射器５０の電極指の幅をＬｒ≠Ｌｉにすることによって、最大Ｇ周波数と反射周波数帯域を決定する主要因である質量付加効果が変化する。このことによって、利用したいモードの最大Ｇ周波数を反射周波数帯域内に、スプリアスは反射周波数帯域外に発現するように設定している。
図１９は、本実施形態によるラム波型高周波共振子４のインピーダンス周波数特性を示すグラフである。図１９において、モードＣのみが強く励振されており、モードＣ外のモードは、抑圧されている。従って、異常発振や周波数飛びを抑えることを可能にしている。
従って、前述した実施形態４によれば、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの幅Ｌｉと、反射器５０（反射器４０も含む）の電極指５０ａ，５０ｂの幅Ｌｒと、を異なるように設定することにより、前述した従来技術によるラム波素子にくらべ、反射中心周波数が最大Ｇ周波数とほぼ一致し、ＩＤＴ電極３０の放射コンダクタンスＧは大きくなり、利用したいモードの励振を強くすることができる。また、所望のモード以外の最大Ｇ周波数は、反射器の反射周波数帯域外に現れるため励振を抑圧できる。つまり、スプリアスを抑圧することができ、信頼性が高い共振子を実現できる。
また、ラム波の波長λの範囲内に２本の電極指３１ａ，３２ａが間挿されている場合、ＩＤＴ電極３０内においてラム波の反射が生じる。このラム波の反射によって所望の振動モードの励振を強めることができ、前述した、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの幅Ｌｉと、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの幅Ｌｒと、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、モードの励振を一層強めることができる。さらに、このことにより、反射器４０，５０の電極指の数を減ずることが可能となり、ラム波型高周波共振子４を小型化できる効果がある。
（実施形態５）
続いて、本発明の実施形態５に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。実施形態５は、前述した実施形態４（図１５，１６、参照）に比べ、ＩＤＴ電極の電極指の構成が異なり、ラム波の波長λの範囲内に、ＩＤＴ電極の電極指が４本間挿されていることに特徴を有する。
図２０，２１は、実施形態５に係るラム波型高周波共振子の構成を示し、図２０は斜視図、図２１は、図２０のＥ−Ｅ切断面を示す断面図である。図２０，２１において、ラム波型高周波共振子５は、水晶からなる圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０とその両端に配設される反射器４０，５０とから構成されている。この基本構成は、実施形態４と同じである。
ここで、第１交差指電極３１の端部から図中右方向に２本の電極指３１ａ，３１ｂが並列して形成され、電極指３１ｂと次の電極指３１ｃとの間には、第２交差指電極３２の電極指３２ａ，３２ｂが並列して間挿されている。そして、電極指３１ａの端部から電極指３１ｃまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定されており、電極指３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３２ａ，３２ｂそれぞれの幅をＬｉとする。
また、電極指３１ａの端部から電極指３１ｂまでの間の距離（ピッチと称することがある）をＰｉとする。
なお、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２の他の電極についても同じような関係となるように形成されている。
このように、ＩＤＴ電極３０は、ラム波の波長λの範囲内に、４本の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂが間挿して形成されていることになり、電極間ピッチＰｉは、波長λの１／４である。
また、反射器５０の電極指５０ａの端部から電極指５０ｂまでの距離を（ピッチと称することがある）Ｐｒとし、電極指５０ａ，５０ｂそれぞれの幅をＬｒとする。
なお、説明を省略しているが、反射器５０の他の電極指、反射器４０の電極指の幅、ピッチも同様な関係に設定されている。
ここで、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉと反射器５０の電極指幅Ｌｒとは、Ｌｉ≠Ｌｒの関係となるように設定されている。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子５のインピーダンス周波数特性、コンダクタンス周波数特性について説明する。図２０，２１では、Ｌｒ／Ｌｉ＝４としたときの特性を例示している。
なお、反射器４０，５０は、同じ挙動をするため、反射器５０を例にあげ説明する。
図２２は、本実施形態のラム波型高周波共振子５のインピーダンス周波数特性を示している。図２２によれば、モードＣのみが強く励振されており、実施形態４（図１９、参照）に発現したモードＡ，Ｂ，Ｄ，Ｅ，Ｆは抑圧されている。
従って、実施形態５によれば、ラム波の波長λの範囲内に、第１交差指電極３１及び第２交差指電極３２の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの４本を間挿することによって、ＩＤＴ電極３０自身による反射波は相殺されることから、反射周波数帯域外の最大Ｇ周波数となるモードは、より一層抑圧されスプリアスをほぼなくすことができる。従って、このラム波型高周波共振子５を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びなどがない信頼性が高い発振器を実現することができる。
なお、本実施形態では、Ｌｒ／Ｌｉ＝４としたときを例示して説明しているが、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉ、反射器５０の電極指幅Ｌｒの比は４に限らずＬｒ≠Ｌｉであればよく、その差（比）は限定されない。
（実施形態６）
続いて、本発明の実施形態６に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。本実施形態は、前述した実施形態４、実施形態５において説明したＩＤＴ電極３０に、その上面を覆う絶縁膜を形成したところに特徴を有し、ＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成は、実施形態４及び実施形態５と同じ基本構成とすることができる。ここでは、実施形態４（図１５，１６、参照）による構成を例示して共通部分には同じ符号を付し、相違部分のみを説明する。
図２３，２４は、実施形態６に係るラム波型高周波共振子６を示し、図２３は斜視図、図２４は、図２３のＦ−Ｆ切断面を示す断面図である。図２３，２４において、ＩＤＴ電極３０の表面には、ＩＤＴ電極３０の全体を覆うように絶縁膜６０が成膜されている。絶縁膜６０は、ＳｉＯ2から形成されている。なお、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉと反射器５０の電極指幅Ｌｒとは、Ｌｉ≠Ｌｒの関係にある。また、電極指３１ａ，３２ａの厚さをＨｉとする。
絶縁膜６０の膜厚については、図１１において説明したため、詳細な説明は省略する。図１１において、本実施形態では絶縁膜６０の表面の凹凸差をΔｔ（＝Ｔ−ｔ）と表したとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λを、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定している。
ＩＤＴ電極３０の表面に絶縁膜６０を形成することにより、ＩＤＴ電極自身の反射係数を低減することができるが、表面の凹凸をΔｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定することにより、さらにＩＤＴ電極自身の反射係数を低減することができる。
このことは、実施形態３において図１２、図１３で説明したように、Δｔ／λを小さく（絶縁膜６０の表面の凹凸が小さく平滑な状態）するとＩＤＴ電極自身の反射係数は小さくなり、その結果、共振インピーダンス比が小さくなることによる。
また、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲内であれば、ＩＤＴ電極自身の反射係数は、規格化基板厚み３％のときよりも小さくなる。
図２５は、実施形態６によるラム波型高周波共振子６のインピーダンス周波数特性を示している。なお、図２５は、Δｔ／λ＝０．００５としたときのグラフである。図２５に示すように、モードＣのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ，Ｂ，Ｄ，Ｅ，Ｆは抑圧され発現してない。
なお、図示していないが、前述した実施形態５によるＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成においても、ＩＤＴ電極３０の全体を覆う絶縁膜を構成すれば、同様な理由から利用したいモード以外のモードを抑圧することができる。
従って実施形態６によれば、ＩＤＴ電極３０の上面を覆う絶縁膜６０を設けることにより、ＩＤＴ電極３０自身の反射係数を小さくすることができ、さらに、絶縁膜６０の表面の凹凸をΔｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定することで、ＩＤＴ電極３０自身の反射係数を非常に小さくすることができ反射はほとんど生じない。そのため、スプリアスをほぼ抑圧することができる。また、前述したように、ＩＤＴ電極３０の電極指幅Ｌｉと反射器５０の電極指幅Ｌｒとを、Ｌｉ≠Ｌｒの関係となるように設定することにより、利用したいモードの励振を強めることと合わせて、このラム波型高周波共振子６を用いた発振器を構成したとき、異常発振や周波数飛び等がなく、信頼性が高い発振器を実現することができる。
＜ＩＤＴ電極および反射器における電極指の厚さが異なる場合＞
（実施形態７）
図２６は、本実施形態７に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図、図２７は、図２６のＧ−Ｇ切断面を示す断面図である。図２６、図２７において、ラム波型高周波共振子７は、水晶からなる圧電基板２０の表面に、一対の交差指電極３１，３２とを有するＩＤＴ電極３０と、このＩＤＴ電極３０におけるラム波の進行方向の両側に配設され、電極指５０ａ，５０ｂを有する反射器４０，５０とから構成されている。なお、以降、一方の交差指電極３１を第１交差指電極３１、他方の交差指電極３２を第２交差指電極３２と呼称する。
ＩＤＴ電極３０の第１交差指電極３１と第２交差指電極３２とは、それぞれ相互に間挿されて構成されている。ここで、第１交差指電極３１を構成する櫛歯形状の電極指３１ａの端部から電極指３１ｂまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定され、電極指３１ａ，３１ｂそれぞれの幅をＬｉとする。
また、電極指３１ａの端部と、電極指３１ａ，３１ｂの間に間挿される第２交差指電極３２の電極指３２ａと、の距離（ピッチと称することがある）はＰｉと表す。なお、電極指３２ａの幅もＬｉである。
また、反射器５０の電極指５０ａの端部から電極指５０ｂまでの距離を（ピッチと称することがある）Ｐｒとし、電極指５０ａ，５０ｂそれぞれの幅をＬｒとする。
そして、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さをＨｉとし、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さをＨｒとしたときＨｉ≠Ｈｒの関係になるように設定されている。
なお、説明を省略しているが、ＩＤＴ電極３０の上述しない他の電極指、反射器５０の他の電極指及び反射器４０の電極指の厚さも同様な関係に設定されている。
このように構成されたＩＤＴ電極３０に所定の周波数の入力駆動信号を入力することによってラム波が励振され、圧電基板２０の表裏の面を反射しながら、圧電基板２０の長手方向に伝搬し、反射器４０，５０によって反射される。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子７のインピーダンス周波数特性、コンダクタンス周波数特性について説明する。
なお、反射器４０，５０は、同じ挙動をするため、反射器５０を例にあげ説明する。
図２８は、本実施形態のラム波型高周波共振子７の放射コンダクタンスと反射器５０の反射係数の周波数特性について表すグラフである。
ここで、図２８では、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さＨｉ、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さＨｒとの関係を、Ｈｒ／Ｈｉ＝５としたときを例示している。
図２８に示すように、所望の振動モード（以降、単にモードと表す）を図３０に示すモードＢとしたとき、電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さをＨｉ≠Ｈｒとすることにより、反射中心周波数は、図５７に示した従来の設計に比較して低周波側に移動している。このことにより最大Ｇ周波数は反射周波数帯域外になるためスプリアスを抑圧できている。
図２９は、ＩＤＴ電極３０、反射器５０を同様な構成としたときの図３０に示すモードＥの放射コンダクタンスと反射器５０の反射係数の周波数特性について表すグラフである。図２９に示すように、モードＥに関しては、反射器５０の電極指厚みＨｉをＨｉ≠Ｈｒとなるように設計し、反射中心周波数を低周波側に移動させても、最大Ｇ周波数は、反射周波数帯域内にあるために、従来技術（図５９参照）と比べてＧｒｅｓは大きくなり励振が強くなる。つまり、利用したいモードの励振を強くすることができる。
なお、本実施形態では、Ｈｒ／Ｈｉ＝５としたときを例示して説明しているが、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さＨｉと、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さＨｒの比は５に限らずＨｒ≠Ｈｉであればよく、その差（比）は限定されない。また、Ｈｒ＜Ｈｉとしてもよい。
このように、圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０の電極指と反射器５０の電極指の関係をＨｒ≠Ｈｉにすることによって、最大Ｇ周波数と反射周波数帯域を決定する主要因である質量付加効果が変化する。このことによって、利用したいモードの最大Ｇ周波数を反射周波数帯域内に、スプリアスは反射周波数帯域外に発現するように設定している。
図３０は、本実施形態によるラム波型高周波共振子１０のインピーダンス周波数特性を示すグラフである。図３０において、モードＥのみが強く励振されており、モードＥ以外のモードは、抑圧されている。従って、異常発振や周波数飛びを抑えることを可能にしている。
従って、実施形態７によれば、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さＨｉと、反射器５０（反射器４０も含む）の電極指５０ａ，５０ｂの厚さＨｒと、を異なるように設定することにより、前述した従来技術によるラム波素子にくらべ、利用したいモードの最大Ｇ周波数を反射周波数帯域内に、または、スプリアスはその帯域外に存在するようにすれば、利用したいモードの励振を強くすることができる。また、スプリアスを抑圧することができるので、信頼性が高い共振子を実現できる。
また、ラム波の波長λの範囲内に２本の電極指３１ａ，３２ａが間挿されている場合、ＩＤＴ電極３０内においてラム波の反射が生じる。このラム波の反射によって所望の振動モードの励振を強めることができ、前述した、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さＨｉと、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さＨｒと、を異なるように設定することにより得られる効果と合わせて、モードの励振を一層強めることができる。さらに、このことにより、反射器４０，５０の電極指の数を減ずることが可能となり、ラム波型高周波共振子７を小型化できる効果がある。
（実施形態８）
続いて、本発明の実施形態８に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。実施形態８は、前述した実施形態７（図２６，２７、参照）に比べ、ＩＤＴ電極の電極指の構成が異なり、ラム波の波長λの範囲内に、ＩＤＴ電極の電極指が４本間挿されていることに特徴を有する。
図３１，３２は、実施形態８に係るラム波型高周波共振子の構成を示し、図３１は斜視図、図３２は、図３１のＪ−Ｊ切断面を示す断面図である。図３１，３２において、ラム波型高周波共振子８は、水晶からなる圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０とその両端に配設される反射器４０，５０とから構成されている。この基本構成は、実施形態７と同じである。
ここで、第１交差指電極３１の端部から図中右方向に２本の電極指３１ａ，３１ｂが並列して形成され、電極指３１ｂと次の電極指３１ｃとの間には、第２交差指電極３２の電極指３２ａ，３２ｂが並列して間挿されている。そして、電極指３１ａの端部から電極指３１ｃまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定されており、電極指３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３２ａ，３２ｂそれぞれの厚さをＨｉとする。
なお、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２それぞれの他の電極についても同じような関係となるように形成されている。
また、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さはＨｒとされる。なお、説明を省略しているが、反射器５０の他の電極指、反射器４０の電極指の厚さも同様にＨｒに設定されている。
ここで、ＩＤＴ電極３０の電極指厚みＨｉと反射器５０の電極指厚みＨｒとは、Ｈｉ≠Ｈｒの関係となるように設定されている。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子８のインピーダンス周波数特性、コンダクタンス周波数特性について説明する。
なお、反射器４０，５０は、同じ挙動をするため、反射器５０を例にあげ説明する。
図３３は、本実施形態のラム波型高周波共振子８のインピーダンス周波数特性を示しＨｒ／Ｈｉ＝５としたときの特性を例示している。図３３によれば、モードＥのみが強く励振されており、実施形態７（図３０参照）に発現したモードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｆは抑圧されている。
従って実施形態８によれば、ラム波の波長λの範囲内に、第１交差指電極３１及び第２交差指電極３２の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの４本を間挿することによって、ＩＤＴ電極自身による反射波は相殺されることから、反射周波数帯域外の最大Ｇ周波数となるモードは、より一層抑圧されスプリアスをほぼなくすことができる。従って、このラム波型高周波共振子８を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びなどがない信頼性が高い発振器を実現することができる。
なお、本実施形態では、Ｈｒ／Ｈｉ＝５としたときを例示して説明しているが、ＩＤＴ電極３０の電極指厚みＨｉ、反射器５０の電極指厚みＨｒの比は５に限らずＨｒ≠Ｈｉであればよく、その差（比）は限定されない。さらに、Ｈｒ＜Ｈｉとなるように設定してもよい。
（実施形態９）
続いて、本発明の実施形態９に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。本実施形態は、前述した実施形態７、実施形態８において説明したＩＤＴ電極３０の上面を覆う絶縁膜を形成したところに特徴を有し、ＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成は、実施形態７及び実施形態８と同じ基本構成とすることができる。ここでは、実施形態７（図２６，２７、参照）による構成を例示し、共通部分には同じ符号を付し相違部分のみを説明する。
図３４，３５は、実施形態９に係るラム波型高周波共振子を示し、図３４は斜視図、図３５は、図３４のＫ−Ｋ切断面を示す断面図である。図３４，３５において、ＩＤＴ電極３０の表面には、ＩＤＴ電極３０の全体を覆うように絶縁膜６０が成膜されている。絶縁膜６０は、ＳｉＯ2から形成されている。なお、ＩＤＴ電極３０の電極指厚みＨｉと反射器５０の電極指厚みＨｒとは、Ｈｉ≠Ｈｒの関係にある。
絶縁膜６０の膜厚については、図１１において説明したため、詳細な説明は省略する。図１１において、本実施形態では絶縁膜６０の表面の凹凸差をΔｔ（＝Ｔ−ｔ）と表したとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λを、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定している。
ＩＤＴ電極３０の表面に絶縁膜６０を形成することにより、ＩＤＴ電極自身の反射係数を低減することができるが、表面の凹凸をΔｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定することにより、さらにＩＤＴ電極自身の反射係数を低減することができる。
このことは、実施形態３において図１２、図１３で説明したように、Δｔ／λを小さく（絶縁膜６０の表面の凹凸が小さく平滑な状態）するとＩＤＴ電極自身の反射係数は小さくなり、その結果、共振インピーダンス比が小さくなることによる。
また、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲内であれば、ＩＤＴ電極自身の反射係数は、規格化基板厚み３％のときよりも小さくなる。
図３６は、実施形態９によるラム波型高周波共振子９のインピーダンス周波数特性を示している。なお、図３６は、Δｔ／λ＝０．００５としたときのグラフである。図３６に示すように、モードＥのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｆは抑圧され発現してない。
なお、前述した実施形態８によるＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成においても、ＩＤＴ電極に絶縁膜を形成すれば、同様な理由から利用したいモード以外のモードを抑圧することができる。
従って実施形態９によれば、ＩＤＴ電極３０の上面を覆う絶縁膜６０を設けることにより、ＩＤＴ電極自身の反射係数を小さくすることができ、さらに、絶縁膜６０の表面の凹凸をΔｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定することで、ＩＤＴ電極自身の反射係数を非常に小さくすることができ反射はほとんど生じない。そのため、スプリアスをほぼ抑圧することができる。また、前述したように、ＩＤＴ電極３０の電極指厚みＨｉと反射器５０の電極指厚みＨｒとを、Ｈｉ≠Ｈｒの関係となるように設定することにより、利用したいモードの励振を強めることと合わせて、このラム波型高周波共振子９を用いた発振器を構成したとき、異常発振や周波数飛び等がなく、信頼性が高い発振器を実現することができる。
＜ＩＤＴ電極および反射器における電極材料の密度が異なる場合＞
（実施形態１０）
図３７は、本実施形態１０に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図、図３８は、図３７のＬ−Ｌ切断面を示す断面図である。図３７、図３８において、ラム波型高周波共振子１０は、水晶からなる圧電基板２０の表面に、一対の交差指電極３１，３２とを有するＩＤＴ電極３０と、このＩＤＴ電極３０におけるラム波の進行方向の両側に配設され、電極指５０ａ，５０ｂを有する反射器４０，５０とから構成されている。なお、以降、一方の交差指電極３１を第１交差指電極３１、他方の交差指電極３２を第２交差指電極３２と呼称する。
ＩＤＴ電極３０の第１交差指電極３１と第２交差指電極３２とは、それぞれ相互に間挿されて構成されている。ここで、第１交差指電極３１を構成する櫛歯形状の電極指３１ａの端部から電極指３１ｂまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定され、電極指３１ａ，３１ｂそれぞれの幅をＬｉとする。
また、電極指３１ａの端部と、電極指３１ａ，３１ｂの間に間挿される第２交差指電極３２の電極指３２ａと、の距離（ピッチと称することがある）はＰｉと表す。なお、電極指３２ａの幅もＬｉである。
また、反射器５０の電極指５０ａの端部から電極指５０ｂまでの距離を（ピッチと称することがある）Ｐｒとし、電極指５０ａ，５０ｂそれぞれの幅をＬｒとする。
そして、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さをＨｉとし、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さをＨｒとしたときＨｉ＝Ｈｒの関係になるように設定されている。
なお、説明を省略しているが、ＩＤＴ電極３０の上述しない他の電極指、反射器５０の他の電極指及び反射器４０の電極指の厚さも同様な関係に設定されている。
ＩＤＴ電極３０はアルミニウム（Ａｌ）で形成され、反射器４０，５０は銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）などで形成されている。ＩＤＴ電極３０の電極材料の密度をρｉとし、反射器４０，５０の電極材料の密度をρｒとすると、ρｒ＞ρｉの関係になっている。
このように構成されたＩＤＴ電極３０に所定の周波数の入力駆動信号を入力することによってラム波が励振される。このラム波は、圧電基板２０の表裏面を反射して圧電基板２０の長手方向に伝搬し、反射器４０，５０によって反射される。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子の放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について説明する。
図３９から図４１は反射器の電極材料として一般に使用されるＡｌに加え、Ａｌとは密度の異なるＣｕ、Ａｇ、Ａｕを用いた場合における、反射器の反射中心周波数の変化を示す。図３９は、電極厚みＨｒを変化させたとき（Ａｌ電極におけるＨｒ／λ＝０．０３の場合を基準）の、反射器の反射中心周波数の変化を示し、図４０は電極幅を変化させたとき（Ａｌ電極におけるＬｒ／Ｌｉ＝０．５の場合を基準）の、反射器の反射中心周波数の変化を示している。また、図４１はピッチＰｒを変化させたとき（Ａｌ電極におけるＰｒ／Ｐｉ＝１．０００の場合を基準）の、反射器の反射中心周波数の変化を示している。
これらの図から、Ａｌと密度が異なる電極材料を反射器に用いた場合では、反射器の反射中心周波数が異なることを示している。つまり、反射器の反射特性は用いる電極材料の密度で異なる。この効果を利用することでスプリアスを抑圧することができる。
図４２は反射器およびＩＤＴ電極の密度の関係が、ρｒ＞ρｉである場合のモードＢの放射コンダクタンスと、反射器の反射係数の周波数特性を示す図である。図４３はρｒ＜ρｉである場合の放射コンダクタンスと、反射器の反射係数の周波数特性を示す図である。また、図４４は、ρｒ＞ρｉである場合のモードＥの放射コンダクタンスと、反射器の反射係数の周波数特性を示す図である。図４５はρｒ＜ρｉである場合の放射コンダクタンスと、反射器の反射係数の周波数特性を示す図である。
図４２および図４３に示すように、反射器の電極密度をρｒ≠ρｉすることにより反射中心周波数は、図５７に示した従来の設計と比較して低周波側に移動していることがわかる。このことからモードＢの最大Ｇ周波数は反射周波数帯域外にあるため励振を抑圧できている。つまり、スプリアスを抑制できる。反対に図４４および図４５に示すようにモードＥに関しては、反射器の電極密度をρｒ≠ρｉと設計して反射中心周波数を低周波側に移動させても、最大Ｇ周波数は反射周波数帯域内にあるため、Ｇｒｅｓは大きくなり励振が強くなっていることがわかる。つまり、利用したいモードの励振を強くすることができる。このように、利用したいモードの最大Ｇ周波数を反射周波数帯域内に、スプリアスはその帯域外になるように設計すれば、選択的に利用したいモードのみの励振を強め、同時に、スプリアスを抑圧できることがわかる。
図４６は、本発明のラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示す図であり、上述したように反射器およびＩＤＴ電極の密度の関係が、ρｒ＞ρｉである。図４６に示すように、モードＥのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆは抑圧されている。そのため、このラム波型高周波共振子を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びのない信頼性の高い発振器を実現できる。さらに、ＩＤＴ電極の電極指の本数がラム波の波長に対し２本を有する構造は、ＩＤＴ電極自身による反射が生じることが知られており、この反射波を利用することにより所望のモードの励振をより強めることができるため反射器における電極指の本数を減らし、小型化が可能である。
（実施形態１１）
続いて、本発明の実施形態１１に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。実施形態１１は、前述した実施形態１０（図３７，３８、参照）に比べ、ＩＤＴ電極の電極指の構成が異なり、ラム波の波長λの範囲内に、ＩＤＴ電極の電極指が４本間挿されていることに特徴を有する。
図４７，４８は、実施形態１１に係るラム波型高周波共振子の構成を示し、図４７は斜視図、図４８は、図４７のＭ−Ｍ切断面を示す断面図である。図４７，４８において、ラム波型高周波共振子１１は、水晶からなる圧電基板２０の表面に形成されるＩＤＴ電極３０とその両端に配設される反射器４０，５０とから構成されている。この基本構成は、実施形態１０と同じである。
ここで、第１交差指電極３１の端部から図中右方向に２本の電極指３１ａ，３１ｂが並列して形成され、電極指３１ｂと次の電極指３１ｃとの間には、第２交差指電極３２の電極指３２ａ，３２ｂが並列して間挿されている。そして、電極指３１ａの端部から電極指３１ｃまでの間の距離は、ラム波の波長λに設定されており、電極指３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３２ａ，３２ｂそれぞれの厚さをＨｉとする。
なお、第１交差指電極３１と第２交差指電極３２それぞれの他の電極についても同じような関係となるように形成されている。
また、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さはＨｒとされる。なお、説明を省略しているが、反射器５０の他の電極指、反射器４０の電極指の厚さも同様にＨｒに設定されている。
そして、ＩＤＴ電極３０の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａの厚さをＨｉとし、反射器５０の電極指５０ａ，５０ｂの厚さをＨｒとしたときＨｉ＝Ｈｒの関係になるように設定されている。
なお、説明を省略しているが、ＩＤＴ電極３０の上述しない他の電極指、反射器５０の他の電極指及び反射器４０の電極指の厚さも同様な関係に設定されている。
ＩＤＴ電極３０はＡｌで形成され、反射器４０，５０はＡｇ、Ｃｕ、Ａｕなどで形成されている。ＩＤＴ電極３０の電極材料の密度をρｉとし、反射器４０，５０の電極材料の密度をρｒとすると、ρｒ＞ρｉの関係になっている。
次に、このように構成されるラム波型高周波共振子１１のインピーダンス周波数特性、コンダクタンス周波数特性について説明する。
なお、反射器４０，５０は、同じ挙動をするため、反射器５０を例にあげ説明する。
図４９は、本実施形態のラム波型高周波共振子１１のインピーダンス周波数特性を示している。図４９によれば、モードＥのみが強く励振されており、実施形態１０（図４６参照）に発現したモードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｆは抑圧されている。
従って、前述した実施形態１１によれば、ラム波の波長λの範囲内に、第１交差指電極３１及び第２交差指電極３２の電極指３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂの４本を間挿することによって、ＩＤＴ電極自身による反射波は相殺されることから、反射周波数帯域外の最大Ｇ周波数となるモードは、より一層抑圧されスプリアスをほぼなくすことができる。従って、このラム波型高周波共振子を用いて発振器を構成した場合、異常発振や周波数飛びなどがない信頼性が高い発振器を実現することができる。
なお、本実施形態では、ＩＤＴ電極３０の電極材料の密度ρｉと反射器４０，５０における電極材料の密度ρｒの関係をρｒ＞ρｉとしたが、ρｒ≠ρｉであればよく、電極材料を適宜選択してρｒ＜ρｉとなるように設定してもよい。
（実施形態１２）
続いて、本発明の実施形態１２に係るラム波型高周波共振子について図面を参照して説明する。本実施形態は、前述した実施形態１０、実施形態１１において説明したＩＤＴ電極３０の上面を覆う絶縁膜を形成したところに特徴を有し、ＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成は、実施形態１０及び実施形態１１と同じ基本構成とすることができるが、ここでは、実施形態１０（図３７，３８、参照）による構成を例示し、共通部分には同じ符号を付し相違部分のみを説明する。
図５０，５１は、実施形態１２に係るラム波型高周波共振子を示し、図５０は斜視図、図５１は、図５０のＮ−Ｎ切断面を示す断面図である。図５０，５１において、ＩＤＴ電極３０の表面には、ＩＤＴ電極３０の全体を覆うように絶縁膜６０が成膜されている。絶縁膜６０は、ＳｉＯ2から形成されている。なお、ＩＤＴ電極３０はＡｌで形成され、反射器４０，５０はＡｇ、Ｃｕ、Ａｕなどで形成されている。ＩＤＴ電極３０の電極材料の密度をρｉとし、反射器４０，５０の電極材料の密度をρｒとすると、ρｒ＞ρｉの関係にある。
絶縁膜６０の膜厚については、図１１において説明したため、詳細な説明は省略する。図１１において、本実施形態では絶縁膜６０の表面の凹凸差をΔｔ（＝Ｔ−ｔ）と表したとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λを、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定している。
ＩＤＴ電極３０の表面に絶縁膜６０を形成することにより、ＩＤＴ電極自身の反射係数を低減することができるが、表面の凹凸をΔｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定することにより、さらにＩＤＴ電極自身の反射係数を低減することができる。
このことは、実施形態３において図１２、図１３で説明したように、Δｔ／λを小さく（絶縁膜６０の表面の凹凸が小さく平滑な状態）するとＩＤＴ電極自身の反射係数は小さくなり、その結果、共振インピーダンス比が小さくなることによる。
また、Δｔ／λ≦０．０４４の範囲内であれば、ＩＤＴ電極自身の反射係数は、規格化基板厚み３％のときよりも小さくなる。
図５２は、実施形態１２によるラム波型高周波共振子１２のインピーダンス周波数特性を示している。なお、図５２は、Δｔ／λ＝０．００５としたときのグラフである。図５２に示すように、モードＥのみが強く励振されており、それ以外のモードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｆは抑圧され発現してない。
なお、図示していないが、前述した実施形態１１によるＩＤＴ電極３０及び反射器４０，５０の構成においても、このＩＤＴ電極に絶縁膜を形成すれば、同様な理由から利用したいモード以外のモードを抑圧することができる。
従って、前述した実施形態１２によれば、ＩＤＴ電極３０の上面を覆う絶縁膜６０を設けることにより、ＩＤＴ電極自身の反射係数を小さくすることができ、さらに、絶縁膜６０の表面の凹凸をΔｔ／λ≦０．０４４の範囲に設定することで、ＩＤＴ電極自身の反射係数を非常に小さくすることができ反射はほとんど生じない。そのため、スプリアスをほぼ抑圧することができる。
ＩＤＴ電極３０の電極材料の密度ρｉと反射器４０，５０における電極材料の密度ρｒとを、ρｒ≠ρｉの関係となるように設定することにより、利用したいモードの励振を強めることと合わせて、このラム波型高周波共振子を用いた発振器を構成したとき、異常発振や周波数飛び等がなく、信頼性が高い発振器を実現することができる。
なお、上記実施形態１〜実施形態１２では、圧電基板２０として水晶基板を採用している。
図５３は、圧電基板２０として水晶基板を採用したときの温度と共振周波数偏差との関係を示すグラフである。図５３において、前述した従来技術のＳＴカットの水晶基板を用いるレイリー波型弾性表面波素子、ＳＴＷカット水晶を用いるＳＨ波型弾性表面波素子と本発明に係るラム波型高周波共振子１〜１２の温度と共振周波数偏差との関係を比較している。このグラフでは、水晶基板を用いたラム波型高周波共振子１〜１２は、温度変化に対する共振周波数偏差変動が小さいことを示している。
このことから、前述した実施形態１〜実施形態１２によって得られた、所望のモードにおける励振を強くできること、あるいはスプリアスを抑制できることに加えて、周波数温度特性が優れたラム波型高周波共振子を実現することができる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、且つ、説明しているが、本発明の技術的思想及び目的の範囲に逸脱することなく、以上説明した実施形態に対し、形状、材質、組み合わせ、その他の詳細な構成、及び製造工程間の加工方法において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
従って、上記に開示した形状、材質、製造工程などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものでないから、それらの形状、材質、組み合わせなどの限定の一部もしくは全部の限定をはずした部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
以上、実施形態１〜実施形態１２では、ＩＤＴ電極および反射器における電極指のピッチ、幅、厚さ、密度をそれぞれ異ならせて、適宜選択したモードの励振を強くすることを説明したが、これらの設計要素を組み合わせて、モードＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆから選択的に励振を強くすることも可能である。例えば、図５４に示すようにモードＢの励振を強めることもできる。
また、実施形態３，６，９，１２では、絶縁膜としてＳｉＯ2を採用しているが、他にＳｉ、ＳｉＮX、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、Ｔａ2Ｏ5等を採用することができる。
また、本実施形態ではＩＤＴ電極および反射器の電極材料としてアルミニウム、金、銀、銅、を例に挙げたが、これらに限定されるものではなく、タングステン、タンタリウム、ニッケル、クロミウム等の材料を採用することができる。さらに、アルミニウムと銅の合金や他の合金においても、ＩＤＴ電極および反射器の電極材料として用いることができる。
また、本発明では、圧電基板として水晶基板を採用する例をあげて説明したが、水晶基板に限定されるものではなく、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、四硼酸リチウム、ランガサイト、ランガナイト、ニオブ酸カリウム等の圧電基板、酸化亜鉛、窒化アルミ、五酸化タンタル等の圧電薄膜、硫化カドミウム、硫化亜鉛、ガリウム砒素、インジウムアンチモン等の圧電半導体等も採用できる。
また、本発明では、ラム波型高周波デバイスとして１ポート型共振子を例示しているが、２ポート型共振子またはＩＤＴ電極と反射器を備えたフィルタにも応用することができる。
従って、前述の実施形態１〜実施形態１２によれば、選択的に利用したい振動モードの励振を強め、スプリアスを抑圧し、しかも温度周波数特性が優れたラム波型高周波共振子を提供することができる。また、本発明のラム波型高周波共振子を発振器に用いた場合には、異常発振や周波数飛び等を低減することができ、フィルタとして用いた場合には、帯域内にリップルが生じることを抑制することができる。
本発明のラム波型高周波デバイスは、スプリアスを抑圧できることから、携帯電話などにおける周波数選別フィルタ、キーレスエントリーシステムにおける発振器、および共振子などの用途に広く用いることが可能である。
本発明の実施形態１に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態１に係るラム波型高周波共振子の図１のＡ−Ａ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態１に係るラム波型高周波共振子のモードＢにおける放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態１に係るラム波型高周波共振子のモードＥにおける放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態１に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態２に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態２に係るラム波型高周波共振子の図６のＢ−Ｂ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態２に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態３に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態３に係るラム波型高周波共振子の図９のＣ−Ｃ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態３，６，９，１２に係るラム波型高周波共振子の絶縁膜を模式的に示す部分断面図。 本発明の実施形態３，６，９，１２に係るラム波型高周波共振子のΔｔ／λとＩＤＴ電極自身の反射係数との関係を示すグラフ。 本発明の実施形態３，６，９，１２に係るラム波型高周波共振子のΔｔ／λと共振インピーダンス比との関係を示すグラフ。 本発明の実施形態３に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態４に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態４に係るラム波型高周波共振子の図１５のＤ−Ｄ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態４に係るラム波型高周波共振子のモードＣにおける放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態４に係るラム波型高周波共振子のモードＥにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態４に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態５に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態５に係るラム波型高周波共振子の図２０のＥ−Ｅ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態５に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態６に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態６に係るラム波型高周波共振子の図２３のＦ−Ｆ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態６によるラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態７に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態７に係るラム波型高周波共振子の図２６のＧ−Ｇ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態７に係るラム波型高周波共振子のモードＢにおける放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態７に係るラム波型高周波共振子のモードＥにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態７に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態８に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態８に係るラム波型高周波共振子の図３１のＪ−Ｊ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態８に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態９に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態９に係るラム波型高周波共振子の図３４のＫ−Ｋ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態９によるラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子の図３７のＬ−Ｌ切断面を示す断面図。 電極厚さを変化させたときの電極材料による反射器の反射中心周波数変化を示すグラフ。 電極幅を変化させたときの電極材料による反射器の反射中心周波数変化を示すグラフ。 ピッチを変化させたときの電極材料による反射器の反射中心周波数変化を示すグラフ。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子（ρｒ＞ρｉ）のモードＢにおける放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子（ρｒ＜ρｉ）のモードＢにおける放射コンダクタンスと反射器の反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子（ρｒ＞ρｉ）のモードＥにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子（ρｒ＜ρｉ）のモードＥにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性について表すグラフ。 本発明の実施形態１０に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態１１に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態１１に係るラム波型高周波共振子の図４５のＭ−Ｍ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態１１に係るラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明の実施形態１２に係るラム波型高周波共振子を示す斜視図。 本発明の実施形態１２に係るラム波型高周波共振子の図４８のＮ−Ｎ切断面を示す断面図。 本発明の実施形態１２によるラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 本発明のラム波型高周波共振子の温度と共振周波数偏差との関係を示すグラフ。 本発明の他の実施例によるラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 従来技術によるラム波型高周波共振子の構成を示し、（ａ）は概略構成を示す斜視図、（ｂ）は断面図。 従来技術によるラム波型高周波共振子のインピーダンス周波数特性を示すグラフ。 従来技術によるラム波型高周波共振子のモードＢにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性との関係について示すグラフ。 従来技術によるラム波型高周波共振子のモードＣにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性との関係について示すグラフ。 従来技術によるラム波型高周波共振子のモードＥにおける放射コンダクタンスと反射係数の周波数特性との関係について示すグラフ。
符号の説明
１〜１２…ラム波型高周波共振子、２０…圧電基板、３０…ＩＤＴ電極、３１…第１交差指電極、３２…第２交差指電極、３１ａ，３１ｂ，３２ａ…ＩＤＴ電極の電極指、４０，５０…反射器、５０ａ，５０ｂ…反射器の電極指。

Claims (29)

  1. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のピッチと、前記反射器の電極指のピッチと、が異なることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  2. 請求項１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  3. 請求項１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  4. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のピッチと、前記反射器の電極指のピッチと、が異なり、
    前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  5. 請求項４に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  6. 請求項４に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  7. 請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  8. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極の電極指の幅と、前記反射器の電極指の幅と、が異なることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  9. 請求項８に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  10. 請求項８に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  11. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する一対の反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極の電極指の幅と、前記反射器の電極指の幅と、が異なり、
    前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  12. 請求項１１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  13. 請求項１１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、隣接するそれぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  14. 請求項１１ないし請求項１３のいずれか一項に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  15. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極の電極指の厚さと、前記反射器の電極指の厚さと、が異なることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  16. 請求項１５に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  17. 請求項１５に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  18. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極の電極指の厚さと、前記反射器の電極指の厚さと、が異なり、
    前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  19. 請求項１８に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  20. 請求項１８に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  21. 請求項１８ないし請求項２０のいずれか一項に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  22. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極を構成する電極材料の密度と、前記反射器を構成する電極材料の密度と、が異なることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  23. 請求項２２に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極の電極指におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  24. 請求項２２に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  25. 圧電基板の表面に、電極指を間挿してなるＩＤＴ電極と、該ＩＤＴ電極のラム波の進行方向両側に配設される電極指を有する反射器と、を備えるラム波型高周波デバイスであって、
    前記ＩＤＴ電極を構成する電極材料の密度と、前記反射器を構成する電極材料の密度と、が異なり、
    前記ＩＤＴ電極を覆う絶縁膜が形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  26. 請求項２５に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    ラム波の波長λの範囲内に、前記ＩＤＴ電極におけるそれぞれ隣接する２本の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  27. 請求項２５に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記ＩＤＴ電極の電極指のうち、それぞれ２本を１組として、ラム波の波長λの範囲内に２組の電極指が間挿されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  28. 請求項２５ないし請求項２７のいずれか一項に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記絶縁膜の表面における凹凸の高さの差をΔｔとしたとき、このΔｔをラム波の波長λで除した値Δｔ／λが、（Δｔ／λ）≦０．０４４と表される範囲内に設定されることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
  29. 請求項１ないし請求項２８のいずれか一項に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
    前記圧電基板が水晶で形成されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
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