JPH02250412A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH02250412A JPH02250412A JP7150289A JP7150289A JPH02250412A JP H02250412 A JPH02250412 A JP H02250412A JP 7150289 A JP7150289 A JP 7150289A JP 7150289 A JP7150289 A JP 7150289A JP H02250412 A JPH02250412 A JP H02250412A
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000004907 gland Anatomy 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、インターデジタルトランスデユーサの側方に
短絡型の反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、
特に、反射器の構造が改良されたものに関する。
短絡型の反射器を配した弾性表面波装置の改良に関し、
特に、反射器の構造が改良されたものに関する。
第２図は、従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図で
ある０弾性表面波装置１は、３６°Ｙ−Ｘ、 Ｌ ｉ
Ｔ ａ Ｏｓからなる圧電基板２上に、互いに間挿し
合うくし歯電極３．４を有するインターデジタルトラン
スデユーサ５と、インターデジタルトランスデユーサ５
の両側に配置された反射器６．７とを有する。
ある０弾性表面波装置１は、３６°Ｙ−Ｘ、 Ｌ ｉ
Ｔ ａ Ｏｓからなる圧電基板２上に、互いに間挿し
合うくし歯電極３．４を有するインターデジタルトラン
スデユーサ５と、インターデジタルトランスデユーサ５
の両側に配置された反射器６．７とを有する。
くし歯電極３．４の電極指３ａ、４ａは、上述したよう
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６，７は、互いに平行に配置された複数本のメタル・
ストリップ６ａ、７ａと、メタル・ストリップ６ａ、１
ａを短絡する短絡部６ｂ、７ｂとを有する。
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６，７は、互いに平行に配置された複数本のメタル・
ストリップ６ａ、７ａと、メタル・ストリップ６ａ、１
ａを短絡する短絡部６ｂ、７ｂとを有する。
弾性表面波装置においても、他の電子部品と同様に、よ
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
すなわち、メタル・ストリップ５ ａ、、７ ａの膜厚
を厚くすることにより、メタル・ストリップ１本当たり
の反射率を高め、それによってメタル・ストリップの数
を低減した構造が採用されていた。
を厚くすることにより、メタル・ストリップ１本当たり
の反射率を高め、それによってメタル・ストリップの数
を低減した構造が採用されていた。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
メタル・ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合に
は、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反
射効率にばらつきが生じがちであった。よって、膜厚を
厚くするにも自ずと限度があづた。
メタル・ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合に
は、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反
射効率にばらつきが生じがちであった。よって、膜厚を
厚くするにも自ずと限度があづた。
他方、１２Ｂ” Ｙ−Ｘ、ＬｉＮｂＯ５からなる圧電基
板におけるレイリー波の反射゛に関しては、短絡型の反
射器においては、メタル・ストリップのデユーティ比、
すなわちメタル・ストリップの幅のメタルストリップ・
ピッチに対する割合ｄをｄ＜０．５とじた場合に反射係
数を高め得ることが報告されている。
板におけるレイリー波の反射゛に関しては、短絡型の反
射器においては、メタル・ストリップのデユーティ比、
すなわちメタル・ストリップの幅のメタルストリップ・
ピッチに対する割合ｄをｄ＜０．５とじた場合に反射係
数を高め得ることが報告されている。
本発明の目的は、３６°回転Ｙ板、ＬｉＴａ０１からな
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、短絡型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
る圧電基板を用いた弾性表面波装置において、短絡型の
反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るものを
提供することにある。
本発明の弾性表面波装置は、３６°回転Ｙ板。
ＬｉＴａＯ５からなる圧電基板を用い、該圧電基板にＸ
軸に平行に伝搬するように励起される表面すべり波を利
用したものである。圧電基板上には、互いに間挿し合う
くし歯電極を有するインターデジタルトランスデユーサ
が形成されている。このインターデジタルトランスデユ
ーサの側方には、表面波伝搬方向と直交する方向に延び
る複数本の導電性ストリップを互いに平行に配置し、か
つ短絡部により短絡させた反射器が形成されている。
軸に平行に伝搬するように励起される表面すべり波を利
用したものである。圧電基板上には、互いに間挿し合う
くし歯電極を有するインターデジタルトランスデユーサ
が形成されている。このインターデジタルトランスデユ
ーサの側方には、表面波伝搬方向と直交する方向に延び
る複数本の導電性ストリップを互いに平行に配置し、か
つ短絡部により短絡させた反射器が形成されている。
反射器における複数本の導電性ストリップのデユーティ
比、すなわち導電性ストリップの幅のストリップ・ピッ
チに対する割合ｄは、ｄ≦０．４５とされている。また
、導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する割合
は、４％以下とされている。
比、すなわち導電性ストリップの幅のストリップ・ピッ
チに対する割合ｄは、ｄ≦０．４５とされている。また
、導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する割合
は、４％以下とされている。
反射器における導電性ストリップの膜厚を厚くすること
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、短絡型の反射器のデユーティ比を上
記のようにｄ≦０．４５とし、かつ膜厚／波長を４％以
下とすることにより、後述の実施例に示すように反射効
率が高められている。すなわち、本発明は、デユーティ
比及び膜厚／波長を上述のように設定することにより、
反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面波装置
の小型化を図ったことに特徴を有するものである。
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、短絡型の反射器のデユーティ比を上
記のようにｄ≦０．４５とし、かつ膜厚／波長を４％以
下とすることにより、後述の実施例に示すように反射効
率が高められている。すなわち、本発明は、デユーティ
比及び膜厚／波長を上述のように設定することにより、
反射器の反射効率を高め、それによって弾性表面波装置
の小型化を図ったことに特徴を有するものである。
（実施例の説明）
第１図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
３６°Ｙ−Ｘ，ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板１２を用
いて構成されている。圧電基板１２の中央には、互いに
間挿し合うくし歯電極１３．１４からなるインターデジ
タルトランスデユーサ１５が形成されている。クシ歯電
ｉ１３゜１４は、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の
電極指１３ａ、１４ａを有する。
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
３６°Ｙ−Ｘ，ＬｉＴａＯ３からなる圧電基板１２を用
いて構成されている。圧電基板１２の中央には、互いに
間挿し合うくし歯電極１３．１４からなるインターデジ
タルトランスデユーサ１５が形成されている。クシ歯電
ｉ１３゜１４は、それぞれ、互いに間挿し合う複数本の
電極指１３ａ、１４ａを有する。
インターデジタルトランスデユーサ１５の表面波伝搬方
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
１反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７．ｉを、短絡
部１６ｂ、１７ｂで短絡させた構造を有する。導電性ス
トリップ１６ａ、１７ａ及び短絡部１６ｂ、１７ｂは１
，１１等の金属またはその他の適宜の導電材で構成され
ている。
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
１反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７．ｉを、短絡
部１６ｂ、１７ｂで短絡させた構造を有する。導電性ス
トリップ１６ａ、１７ａ及び短絡部１６ｂ、１７ｂは１
，１１等の金属またはその他の適宜の導電材で構成され
ている。
本実施例の特徴のひとつは、この短絡型の反射器１６．
１７を構成する複数本の導電性ストリップ１６ａ、１７
ａのデユーティ比にある。
１７を構成する複数本の導電性ストリップ１６ａ、１７
ａのデユーティ比にある。
すなわち、第３図に、反射器１６の要部を拡大して断面
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの幅ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合−ａ／（ａ＋ｂ）が、ｄ≦０．４
５とされている。なお、反射器１７側も同様のデユーテ
ィ比を有するように構成されている。
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの幅ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合−ａ／（ａ＋ｂ）が、ｄ≦０．４
５とされている。なお、反射器１７側も同様のデユーテ
ィ比を有するように構成されている。
３６°Ｙ−Ｘ，ＬｉＴａＯ３圧電基板を用いた従来構造
（第２図）では、反射器のデユーティ比は約０．５とさ
れていたが、本発明においてデユーティ比ｄを上述の範
囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電性ストリッ
プ−本当たりの反射効率が効果的に高められ、それによ
って反射器１６．１７を小型化し得るからである。これ
を、第４図及び第５図を参照して説明する。
（第２図）では、反射器のデユーティ比は約０．５とさ
れていたが、本発明においてデユーティ比ｄを上述の範
囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導電性ストリッ
プ−本当たりの反射効率が効果的に高められ、それによ
って反射器１６．１７を小型化し得るからである。これ
を、第４図及び第５図を参照して説明する。
第４図は、第１図実施例の構造において、デユーティ比
ｄを変化させた場合の導電性ストリップ１本当たりの反
射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６．
１７における゛導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜厚
／波長（単位はいずれもμｍ）を１％、２％及び３％と
した場合の３種類の特性を示した。
ｄを変化させた場合の導電性ストリップ１本当たりの反
射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６．
１７における゛導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜厚
／波長（単位はいずれもμｍ）を１％、２％及び３％と
した場合の３種類の特性を示した。
第４図から明らかなように、膜厚／波長が１゜２及び３
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０．５
を越えると、低下することがわかる。
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０．５
を越えると、低下することがわかる。
また、第５図は、導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜
厚／波長を０〜４％の範囲で変化させ、デユーティ比を
１． ０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数
が最大の場合から一１Ｏ％の範囲の領域（斜線でハツチ
ングを付した領域Ｂ）を示す。
厚／波長を０〜４％の範囲で変化させ、デユーティ比を
１． ０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大
となる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数
が最大の場合から一１Ｏ％の範囲の領域（斜線でハツチ
ングを付した領域Ｂ）を示す。
第５図の破線Ｃから明らかなように、（膜厚／波長）が
０〜４％の範囲では、デユーティ比を０゜４５以下とし
た場合には、高反射係数を実現し得ることがわかる。従
って、本発明では、デユーティ比ｄが０．４５％以下で
あり、かつ膜厚／波長が４％以下とされている。
０〜４％の範囲では、デユーティ比を０゜４５以下とし
た場合には、高反射係数を実現し得ることがわかる。従
って、本発明では、デユーティ比ｄが０．４５％以下で
あり、かつ膜厚／波長が４％以下とされている。
なお、より好ましくは、すなわち、より高い反射係数を
求める場合には、第５図の領域りの範囲に膜厚／波長を
選べばよい。
求める場合には、第５図の領域りの範囲に膜厚／波長を
選べばよい。
また、膜厚／波長を０．７％以下にとる場合には、デユ
ーティ比を０．４５以下にとること、より望ましくは第
５図の領域りの範囲にとることがデユーティ比０．５の
場合に比べての効果が大きい。
ーティ比を０．４５以下にとること、より望ましくは第
５図の領域りの範囲にとることがデユーティ比０．５の
場合に比べての効果が大きい。
なお、例としてインターデジタルトランスデユーサ１個
を用いたｌポート型の弾性表面波装置を示したが、２個
のインターデジタルトランスデユーサを用いた２ボ一ト
型弾性表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図っ
たフィルタ等、反射器を利用した表面波装置−最に本発
明は適用できる。
を用いたｌポート型の弾性表面波装置を示したが、２個
のインターデジタルトランスデユーサを用いた２ボ一ト
型弾性表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図っ
たフィルタ等、反射器を利用した表面波装置−最に本発
明は適用できる。
なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インクふデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インクふデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明装
置のような構造では、インターデジタルトランスデユー
サのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め効
率も高められる。
以上のように、本発明では、３６°Ｙ’−Ｘ、ＬａＴｉ
ｏ、基板を用い、かつ複数本の導電性ストリップを短絡
部で短絡させた短絡型反射器を構成したものにおいて、
デユーティ比ｄが０．４５以下、膜厚／波長が４％以下
に設定されているので、反射器における反射効率が効果
的に高められる。
ｏ、基板を用い、かつ複数本の導電性ストリップを短絡
部で短絡させた短絡型反射器を構成したものにおいて、
デユーティ比ｄが０．４５以下、膜厚／波長が４％以下
に設定されているので、反射器における反射効率が効果
的に高められる。
よって、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より小
さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも、
導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高めた
ような場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
さな弾性表面波装置を実現することができる。しかも、
導電性ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高めた
ような場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
第１図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図の■−■腺に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデエ′−ティ比ｄと反射器の導電性ストリップ１本当
たりの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高
められる範囲を示す図である。 図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデエーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップ、１６ｂ。 １７ｂは短絡部を示す。 第３図 第４図 ラジュー干ィｒ【ム 第５図 咥汚／ぼ通（幻
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図の■−■腺に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデエ′−ティ比ｄと反射器の導電性ストリップ１本当
たりの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高
められる範囲を示す図である。 図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデエーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップ、１６ｂ。 １７ｂは短絡部を示す。 第３図 第４図 ラジュー干ィｒ【ム 第５図 咥汚／ぼ通（幻
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ３６°回転Ｙ板，ＬｉＴａＯ＿３からなる圧電基板と、 前記圧電基板上にＸ軸と平行に表面波を伝搬させるよう
に形成されており、互いに間挿し合うくし歯電極を有す
るインターデジタルトランスデューサと、 前記インターデジタルトランスデューサの側方に配置さ
れており、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延び、
かつ互いに平行に設けられた複数本の導電性ストリップ
と、該複数本の導電性ストリップを短絡する導電性短絡
部とを有する反射器とを備え、表面すべり波を利用した
弾性表面波装置において、 前記反射器における導電性ストリップの幅のストリップ
・ピッチに対する割合ｄが、ｄ≦０．４５とされており
、かつ導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する
割合が４％以下であることを特徴とする、弾性表面波装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150289A JPH02250412A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150289A JPH02250412A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250412A true JPH02250412A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13462516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150289A Pending JPH02250412A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250412A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729186A (en) * | 1995-04-12 | 1998-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonator ladder surface acoustic wave filter suppressing spurious signals |
| US6369674B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| EP1289134B1 (en) * | 2001-08-09 | 2006-10-25 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| US7528685B2 (en) | 2005-05-11 | 2009-05-05 | Seiko Epson Corporation | Lamb wave type high frequency device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130010A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7150289A patent/JPH02250412A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130010A (ja) * | 1985-12-02 | 1987-06-12 | Alps Electric Co Ltd | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
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| US6369674B1 (en) | 1998-02-27 | 2002-04-09 | Toyo Communication Equipment Co., Ltd. | Broad-band surface acoustic wave filter with specific ratios of transducer electrode period to reflector period |
| EP1289134B1 (en) * | 2001-08-09 | 2006-10-25 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
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