JP2007227984A

JP2007227984A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2007227984A
Application number: JP2007157723A
Authority: JP
Inventors: Katsuji Yoshioka; 勝司吉岡
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2007-06-14
Filing date: 2007-06-14
Publication date: 2007-09-06

Abstract

【課題】高い基板処理能力を保持しつつ平面占有面積が抑制された基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ユニットを配置した複数の処理経路を、往復することよって一連の処理が可能となるように、積層配置する。これにより平面占有面積の低減と基板処理能力の増大が図れる。また、役割および動作範囲が限定された移載ロボットＲ１、Ｒ３〜Ｒ１０を同時かつ並行に動作させることにより、各処理ユニットにおいて間断なき処理が可能となり、処理効率を高めることができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板等（以下、「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。

こうした複数の工程を含む製造ラインにおける製造効率および製造能力を高めるために、従来から、それぞれの処理工程を担当する処理部を複数備えた基板処理装置の開発・実用化が行われてきた。

例えば、上述の諸処理のうち、レジスト塗布処理および現像処理を行う基板処理装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）においては、レジスト塗布、現像、加熱、冷却などの各処理を担うユニットをそれぞれ複数備えることにより、待ち時間を低減して製造効率および製造能力の向上を図ってきた。

そうした従来の基板処理装置においては、各処理部間の基板の授受を、多くの場合、１台の搬送ロボットにて担っていた。従って、処理部の数が増加するにつれ、搬送ロボットはより複雑な動作を要求され、それに伴ってその構造も複雑化せざるを得なくなってきた。その一方で、１台の搬送ロボットの搬送能力には限界があり、それを越える処理部の配置は、処理フローの停滞を招くだけであることから、従来の基板処理装置における装置構成では、処理効率および処理能力に限界があった。

また、上述のように処理部が増加することに伴って、基板処理装置は大型化せざるを得なくなってくるが、基板処理装置は、クリーンルームという面積が限られた空間に配置されることを踏まえると、基板処理装置の平面占有面積は、できるだけ小さいことが望まれる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、高い基板処理能力を保持しつつ平面占有面積が抑制された基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板処理装置であって、それぞれが複数の処理ユニットを含むユニット群を有し、所定の基板処理シーケンスに係る処理を行う複数のプロセス部が積層配置されてなり、前記複数のプロセス部が少なくとも、前記基板処理シーケンスとして薬液膜の形成を行う第１のプロセス部と基板に形成された露光パターンの現像を行う第２のプロセス部とを有してなり、前記複数のプロセス部がいずれも、それぞれにおいて前記ユニット群に含まれる少なくとも１つのユニットが配置された複数のユニット配置部と、前記複数のユニット配置部の間に設けられ、基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、前記プロセス部において処理待ち状態の基板を収容可能な収容手段と、を備えることを特徴とする。

請求項１の発明によれば、基板処理装置の平面占有面積を抑制することができる。

＜装置概要＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の構成の概要を示す図である。図１に示すように、基板処理装置１は、装置外部との間で基板の授受を担うインデクサＩＤと、基板に対し所定の処理を施す複数の処理ユニットからなるプロセスモジュールＰＭと、露光装置であるステッパＳＴＰとの間で基板を受け渡すインタフェースＩＦとを備える。なお、図１にはｘｙｚ３次元座標系を付しており、ｘｙが水平面方向、ｚが鉛直方向を指し示している。以降の説明において、座標系は原則としてこれに従うものとする。

プロセスモジュールＰＭは、異なる処理が行われる上下２つのプロセス部からなる２段構造をとっている。以下、上段を上部プロセスモジュールＵＰＭ、下段を下部プロセスモジュールＬＰＭとする。また、インデクサＩＤおよびインタフェースＩＦのいずれも、上部プロセスモジュールＵＰＭおよび下部プロセスモジュールＬＰＭのそれぞれとの間で基板を受け渡せる構造をとっている。よって、以降の説明の便宜上、インデクサＩＤにおいて上部プロセスモジュールに対応する部分を上部インデクサＵＩＤ、下部プロセスモジュールＬＰＭに対応する部分を下部インデクサＬＩＤとし、インタフェースＩＦにおいて上部プロセスモジュールに対応する部分を上部インタフェースＵＩＦ、下部プロセスモジュールＬＰＭに対応する部分を下部インタフェースＬＩＦとする。さらに、上部インデクサＵＩＤ、上部プロセスモジュールＵＰＭおよび上部インタフェースＵＩＦを上段部ＵＦと、下部インデクサＬＩＤ、下部プロセスモジュールＬＰＭおよび下部インタフェースＬＩＦを総じて下段部ＬＦとそれぞれ総称することとする。

＜装置各部の構成＞
図２は、基板処理装置１の下段部ＬＦの構成を示す図、図３は基板処理装置１の上段部ＵＦの構成を示す図である。以下、図２および図３に基づいて、基板処理装置各部の構成を説明する。

インデクサＩＤは、複数の基板を多段に収納可能なカセットＣを上部インデクサＵＩＤおよび下部インデクサＬＩＤのそれぞれに複数載置することができる。

いま、上部インデクサＵＩＤに載置されるカセットＣを上部カセットＵＣ、下部インデクサＬＩＤに載置されるカセットＣを下部カセットＬＣとする。下部カセットＬＣには、基板処理装置１においてこれから処理がなされる未処理の基板Ｗが収納される。一方、上部カセットＵＣには、基板処理装置１において所定の処理がなされた基板Ｗが収納される。

また、下部インデクサＬＩＤは、下部カセットＬＣからの基板の取り出しを担う移載ロボットＲ１を有している。移載ロボットＲ１には、アームＡＭ１が備わっており、図示を省略する駆動機構によるｙ方向の水平移動、ｚ軸方向の上下動、ｚ軸を中心とした回転、アームＡＭ１の伸縮などを適宜組み合わせることにより、基板Ｗの下部カセットＬＣからの取り出し、および後続の処理のためのプロセスモジュールＰＭに対する基板Ｗの受け渡しが可能となっている。一方、上部インデクサＵＩＤは、上部カセットＵＣへの基板の収納を担う移載ロボットＲ２１を有している。移載ロボットＲ２は、アームＡＭ２を備えており、移載ロボットＲ１と同様の動作が可能で、プロセスモジュールＰＭにて所定の処理を終えた基板Ｗの受け取り、および上部カセットＬＣへの基板Ｗの収納が可能となっている。

プロセスモジュールＰＭは、前述のように、下部プロセスモジュールＬＰＭと上部プロセスモジュールＵＰＭとから構成される。

下部プロセスモジュールＬＰＭ（図２）は、露光前の薬液塗布処理等を担う箇所であり、８個の移載ロボットＲ３〜Ｒ１０と、６個の多段熱処理部１１〜１６と、４個の反射防止膜塗布処理ユニットＢＡＲＣ１〜ＢＡＲＣ４と、４個のレジスト塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４とを主として備える。

一方、上部プロセスモジュール（図３）は、露光後の現像処理等を担う箇所であり、８個の移載ロボットＲ１１〜Ｒ１８と、６個の多段熱処理部１７〜２２と、８個の現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ８とを主として備える。

なお、プロセスモジュールＰＭの中央部は閉空間になっており、上部プロセスモジュールＵＰＭおよび下部プロセスモジュールＬＰＭに共通したメンテナンスエリア４１である。

下部プロセスモジュールＬＰＭおよび上部プロセスモジュールＵＰＭのいずれにおいても、３個の多段熱処理部と２個の移載ロボットとが交互に隣接配置された２つの列がｘ軸方向に形成されている。また、それぞれの列の両端の多段熱処理部において、ｙ軸方向に列に垂直に移載ロボットがさらに隣接配置されている。また、後者の移載ロボットに隣接して、下部プロセスモジュールＬＰＭにおいては反射防止膜塗布処理ユニットＢＡＲＣ１〜ＢＡＲＣ４あるいはレジスト塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４のいずれか２個が、上部プロセスモジュールＵＰＭにおいては現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ８が２個ずつ配置されている。

すなわち、下部プロセスモジュールＬＰＭおよび上部プロセスモジュールＵＰＭのいずれにおいても、２つの列における処理ユニット等の配置は全く同一であるので、それぞれの列において、同一の処理シーケンスが独立かつ並行して行われることが可能となっている。

移載ロボットＲ３〜Ｒ１８には、それぞれにアームＡＭ３〜ＡＭ１８が備わっている。それぞれの移載ロボットＲ３〜Ｒ１８はいずれも、図示を省略する駆動機構によるｚ軸方向の上下動、ｚ軸を中心とした回転、アームＡＭ３〜ＡＭ１８の伸縮などを適宜組み合わせることにより、隣接配置された処理ユニット等との間で、基板Ｗの授受が可能となっている。ただし、移載ロボットＲ３〜Ｒ１０は下部プロセスモジュールＬＰＭの範囲内で、移載ロボットＲ１１〜Ｒ１８は上部プロセスモジュールＵＰＭの範囲内でのみ上下動が可能である。移載ロボットＲ３〜Ｒ１８は、水平面内を移動して基板Ｗを搬送することがないので、あるユニットにて基板Ｗを受け取ってから次のユニットに受け渡すまでの基板保持時間が短く、ユニット間にて基板を次々と移載することができる。また、水平方向の移動機構を要しないことから、構造を単純化することができる。なお、これらの移載ロボットＲ３〜Ｒ１８については、同一の構造を持つものを用いてもよい。

多段熱処理部１１〜２２は、２２個の加熱処理ユニットＨ１〜Ｈ２２、１６個の冷却処理ユニットＣ１〜Ｃ１６、４個の疎水化処理ユニットＡ１〜Ａ４、および基板Ｗの授受に用いられる１２個のパスユニットＰ１〜Ｐ１２のうちいくつかずつが組み合わされ、積層配置されることにより構成されている。それぞれの多段熱処理部１１〜２２によって、ユニットの組み合わされ方は異なっている。なお、それぞれの多段熱処理部１１〜１６において、各ユニットは実際には積層配置されているが、図２および図３においては、図示の都合上、個々の処理ユニットを平面的に配置されているがごとく示している。また、実際には積層配置されていることを強調するために、周囲に斜線を付している（以降も同様）。

また、図２および図３においてそれぞれの処理ユニットの符号の側に付している矢印等は、座標軸の表記方法に準じた表記によって、各処理ユニットの開口方向を表している。これは、矢印の先端側に位置する移載ロボットが有するアームが当該処理ユニットにアクセスし、各処理ユニットとの間で基板を授受することが可能であることを示している。例えば、多段熱処理部１１の冷却処理ユニットＣ１に対しては、移載ロボットＲ３のアームＡＭ３と移載ロボットＲ４のアームＡＭ４とがアクセス可能であり、多段熱処理部１４の冷却処理ユニットＣ５に対しては、移載ロボットＲ７のアームＡＭ７と、移載ロボットＲ８のアームＡＭ８とがアクセス可能である。また、例えば移載ロボットＲ３のアームＡＭ３は、多段熱処理部１１の全てのユニットと、多段熱処理部１２のうち、パスユニットＰ２および加熱処理ユニットＨ３〜Ｈ４にアクセス可能である。

多段熱処理部１１〜２２を構成するそれぞれの処理ユニットのうち、パスユニットＰ１〜Ｐ１２は、それぞれのパスユニットを含む多段熱処理部１１〜２２に隣接した２つの移載ロボット間にて基板Ｗの授受を行うために設けられている。パスユニットとしては、例えば、３点の支持ピンが設けられ、一方の移載ロボットのアームが当該支持ピン上に基板Ｗを載置し、もう一方の移載ロボットが当該基板Ｗを取り出すことによって基板を授受する態様などが考えられる。

加熱処理ユニットＨ１〜Ｈ２２にはそれぞれ、基板Ｗを所定の温度にまで加熱し、あるいは高温度状態に維持する、いわゆるホットプレートが備わっている。冷却処理ユニットＣ１〜Ｃ１６には、基板Ｗを所定の温度にまで冷却し、あるいは低温度状態に維持する、いわゆるクールプレートが備わっている。なお、冷却処理ユニットＣ１、Ｃ３〜Ｃ５、Ｃ７〜Ｃ９、Ｃ１１、Ｃ１４およびＣ１６は、２方向からのアクセスが可能となっており、パスユニットとしての機能も兼ね備えている。

さらに、疎水化処理ユニットＡ１〜Ａ４は、後の処理にて基板Ｗに塗布されるレジストあるいは反射防止膜と基板Ｗとの密着性強化を目的として、基板Ｗ表面を疎水化する処理を行うためのユニットである。

下部プロセスモジュールＬＰＭにさらに備わる反射防止膜塗布処理ユニットＢＡＲＣ１〜ＢＡＲＣ４は、ステッパＳＴＰにおける露光時のＵＶ光の反射を防止するための反射防止膜を基板表面に塗布するユニットである。レジスト塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４は、基板を回転させつつその基板主面にフォトレジストを滴下することによって均一なレジスト塗布を行う、いわゆるスピンコータである。

上部プロセスモジュールＵＰＭにさらに備わる現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ８は、露光後の基板上に現像液を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピンデベロッパである。

インタフェースＩＦは、下部インタフェースＬＩＦと上部インタフェースＵＩＦとの間で上下動可能な２個の移載ロボットＲ１９およびＲ２０を備えているほか、下部インタフェースＬＩＦに２個のエッジ露光部３１および３２と、バッファカセットＢＦ１と、移載ロボットＲ２１とを備えており、上部インタフェースＵＩＦに、多段露光後熱処理部３３および３４と、バッファカセットＢＦ２と、移載ロボットＲ２２とを備えている。

移載ロボットＲ１９およびＲ２０は、プロセスモジュールＰＭにて用いられている移載ロボットＲ３〜Ｒ１８と同様の構造および機能を有するロボットであるが、移載ロボットＲ３〜Ｒ１８がいずれも上部プロセスモジュールＵＰＭあるいは下部プロセスモジュールＬＰＭの範囲内でのみ上下動が可能であるのに対して、インタフェースＩＦの移載ロボットＲ１９およびＲ２０は、上部インタフェースＵＩＦと下部インタフェースＬＩＦとの間で自在に上下動可能である点で相異している。すなわち、移載ロボットＲ１９およびＲ２０は、下部プロセスモジュールＬＰＭにてレジスト塗布処理がされた露光前の基板Ｗを受け取る役割と、ステッパＳＴＰにて露光処理された基板Ｗを上部プロセスモジュールＵＰＭへ受け渡す役割とを兼ね備えている。

エッジ露光部３１および３２は、それぞれに２個のエッジ露光ユニットＥ１およびＥ２、Ｅ３およびＥ４を備えている。エッジ露光ユニットＥ１〜Ｅ４は、基板端縁部の不要なレジスト膜を除去するエッジ露光処理を行うためのユニットである。なお、エッジ露光部３１には、移載ロボットＲ１９のみにてアクセス可能であり、エッジ露光部３２には、移載ロボットＲ２０のみにてアクセス可能である。

バッファカセットＢＦ１およびＢＦ２は、後段の処理に際して処理待ちとなる基板Ｗを収納するためのものである。バッファカセットＢＦ１には、ステッパＳＴＰにおける露光処理待ちの基板Ｗが収納され、バッファカセットＢＦ２には、ステッパＳＴＰにおいて露光処理された後の基板Ｗが収納される。

移載ロボットＲ２１およびＲ２２は、ステッパＳＴＰとの間で基板の授受を行うためのロボットであり、インデクサＩＤに備わる移載ロボットＲ１およびＲ２と同様の構造および機能を有している。移載ロボットＲ２１は、バッファカセットＢＦ１に収納されている露光処理前の基板ＷをアームＡＭ２１によって取り出し、ｙ方向に適宜移動した後、ステッパＳＴＰに当該基板Ｗを受け渡す。移載ロボットＲ２２は、露光処理がされた基板ＷをステッパＳＴＰから受け取り、これをバッファカセットＢＦ２に収納する。

多段露光後熱処理部３３および３４は、ステッパＳＴＰによって露光処理された基板Ｗに対しベーキング処理およびその後の冷却処理を行うために設けられている。多段露光後熱処理部３３は、３つの露光後ベークユニットＢ１〜Ｂ３と３つの冷却処理ユニットＣ２１〜Ｃ２３とを備える。多段露光後熱処理部３４は、同様に露光後ベークユニットＢ４〜Ｂ６と冷却処理ユニットＣ２４〜Ｃ２６とを備える。

露光後ベークユニットＢ１〜Ｂ６は、露光された基板Ｗのレジストの触媒反応を促進することを目的とするベーキング処理を行うユニットである。一方、冷却処理ユニットＣ２１〜Ｃ２６は、基板Ｗのベーキング処理を速やかに終了させるために、クールプレートにて基板Ｗを冷却するユニットである。これらの処理がなされた基板Ｗに対し、上部プロセスモジュールＵＰＭにて現像処理が行われる。

なお、プロセスモジュールＰＭおよびインタフェースＩＦには、図示を省略するファンフィルタユニットが各処理ユニットごとに、あるいはいくつかの処理ユニットに共通に機能するように備わっており、これにより、各処理ユニットに清浄化空気が供給される。

以上に説明したような構成をとることで、基板処理装置１おいては、高い処理能力が具備されるとともに、平面占有面積の増大の抑制が図られている。

＜基板処理フロー＞
以下、上述のような構成をとる基板処理装置１において、どのような処理シーケンスにて基板Ｗにおける回路パターンの形成がなされるのか、および、その際に基板がどのように搬送されていくのかを説明する。図４は、基板処理装置１の下段部ＬＦにおいてなされる、一連の処理についてのフローを示す図である。図５は、基板処理装置１の上段部ＵＦにおいてなされる、一連の処理についてのフローを示す図である。なお、図４および図５においては、各処理ユニット間で移載を担う移載ロボットの符号を、矢印の近傍に付している。

図４に示す下段部ＬＦにおける処理は、ステッパＳＴＰにおける露光処理の前段になされる処理である。まず、移載ロボットＲ１が、下部インデクサＬＩＤの下部カセットＬＣから基板を取り出し、パスユニットＰ１あるいはＰ４に載置する（ステップＳ１）。以降、基板Ｗがどちらのパスユニットに載置されたかによって、当該基板Ｗに対し処理を施す処理ユニットは異なるが、なされる処理そのものはどちらの場合でも全く同一であるので、移載ロボットＲ１がパスユニットＰ１に基板Ｗを載置した場合のみ説明する。

パスユニットＰ１に載置された基板Ｗは、移載ロボットＲ２によって疎水化処理ユニットＡ１あるいはＡ２に移載され、疎水化処理を施される（ステップＳ２）。疎水化処理を受けた基板Ｗは、冷却処理ユニットＣ１を経た後（ステップＳ３）、反射防止膜塗布処理ユニットＢＡＲＣ１あるいはＢＡＲＣ２に移載されて、裏面に反射防止膜を塗布される（ステップＳ４）。

反射防止膜を塗布された基板Ｗは、再び冷却処理ユニットＣ１を経て（ステップＳ５）、加熱処理ユニットＨ１〜Ｈ４のいずれかにおいて、レジストの密着性強化のための加熱処理（脱水ベーク）を受ける（ステップ６）。その後、パスユニットＰ２、および冷却処理ユニットＣ３あるいはＣ４を経て（ステップＳ７、Ｓ８）、レジスト塗布処理ユニットＳＣ１あるいはＳＣ２に載置され、レジスト塗布処理を施される（ステップＳ９）。

レジスト塗布処理がなされた基板Ｗは、再び冷却処理ユニットＣ３あるいはＣ４を経た後（ステップＳ１０）、加熱処理ユニットＨ５〜Ｈ９のいずれかにおいて塗布膜中の溶剤除去やレジスト密着性強化を目的とした加熱処理（プリベーク）が施され（ステップＳ１１）、さらに、冷却処理ユニットＣ２にて冷却処理がなされる（ステップＳ１２）。

このようにしてレジスト塗布を施された基板Ｗは、パスユニットＰ３を介して下部インタフェースＬＩＦに受け渡され（ステップＳ１３）、エッジ露光ユニットＥ１あるいはＥ２にて、エッジ露光を施される（ステップＳ１４）。エッジ露光がなされた基板Ｗは、いったんバッファカセットＢＦ１に収納され（ステップＳ１５）、その後、移載ロボットＲ２１によってステッパＳＴＰへと受け渡されて、露光処理を受けることとなる。

図５に示す上段部ＵＦにおける処理は、ステッパＳＴＰにおける露光処理の後段になされる処理である。移載ロボットＲ２２がステッパＳＴＰから受け取った露光処理後の基板Ｗは、まずバッファカセットＢＦ２に収納される（ステップＳ２１）。その後、移載ロボットＲ１９あるいはＲ２０が、バッファカセットＢＦ２から基板Ｗを取り出す。以降、基板Ｗがどちらの移載ロボットにより取り出されたかによって、当該基板Ｗに対し処理を施す処理ユニットは異なるものの、なされる処理そのものはどちらの場合でも全く同一であるので、移載ロボットＲ１９が基板Ｗを取り出した場合のみ説明する。

移載ロボットＲ１９に取り出された基板Ｗは、露光後ベークユニットＢ１〜Ｂ３のいずれかにおける露光後ベークに供され（ステップＳ２２）、さらに引き続き冷却処理ユニットにより冷却される（ステップＳ２３）。

その後、基板ＷはパスユニットＰ７に載置された（ステップＳ２４）基板Ｗは、現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ４のいずれかによって現像処理を施されることになるが、どの現像処理ユニットにて現像処理がなされるかによって、その後の処理フローが異なってくる。

現像処理ユニットＳＤ１あるいはＳＤ２のいずれかにて現像処理がなされる場合、移載ロボットＲ１１によってパスユニットＰ７から取り出された基板Ｗは、冷却処理ユニットＣ９を経て（ステップＳ２５）、現像処理ユニットＳＤ１あるいはＳＤ２に受け渡され、現像処理を施される（ステップＳ２６）。

現像処理を施された基板Ｗは、再び冷却処理ユニットＣ９を経た後（ステップＳ２７）、加熱処理ユニットＨ１９において、レジスト硬化のための加熱処理（ポストベーク）を受ける（ステップＳ２８）。

その後、冷却処理ユニットＣ１０にて冷却処理を施された（ステップＳ２９）基板Ｗは、パスユニットＰ８およびＰ９を経て（ステップＳ３０、Ｓ３１）上部インデクサＵＩＤに受け渡され、移載ロボットＲ２によって上部カセットＵＣのいずれかに収納される（ステップＳ３８）。

一方、基板Ｗに対する現像処理が、現像処理ユニットＳＤ３あるいはＳＤ４のいずれかにてなされる場合、移載ロボットＲ１１によってパスユニットＰ７から取り出された基板Ｗは、さらにパスユニットＰ８および冷却処理ユニットＣ１１を経て（ステップＳ３２、Ｓ３３）、現像処理ユニットＳＤ３あるいはＳＤ４に受け渡され、現像処理を施される（ステップＳ３４）。そして、再び冷却処理ユニットＣ１１を経た後（ステップＳ３５）、加熱処理ユニットＨ２０におけるポストベーク（ステップＳ３６）、さらには冷却処理ユニットＣ１２における冷却処理を経た後（ステップＳ３７）、パスユニットＰ９を介して上部インデクサＵＩＤに受け渡され、やはり上部カセットＵＣのいずれかに収納される（ステップＳ３８）。

以上で説明したように、下段部ＬＦおよび上段部ＵＦにおける処理フローには、いずれも途中にて、２つの独立かつ同一の処理シーケンスを並行して行う処理フローが存在する。上段部ＵＦにおいては、一部にてそれぞれがさらに並行した２つのフローに分岐している。これらにより、処理可能な側のフローにて基板Ｗを処理することが可能となり、基板Ｗの処理待ちを低減でき、単位時間あたりの処理能力を高めることができる。

また、各処理ユニット間にて基板を移載するそれぞれの移載ロボットは、個々配置箇所ごとにその役割および動作範囲が限定されており、その範囲内において独立した動作が可能であるので、処理が飽和しないという限度内において、同時かつ並行に動作し、間断なく基板Ｗの授受を行うことができる。これにより、各処理ユニットにおいて並行して間断なく処理を行うことができ、単位時間あたりの処理効率を高めることができる。

＜変形例＞
上段部ＵＦと下段部ＬＦの機能は、入れ替わってもよい。すなわち、上段部ＵＦにてレジスト塗布処理等がなされ、下段部ＬＦにて現像処理がなされる構成であってもよい。あるいは、処理経路をさらに備え、これらが多段に配置されていてもよい。

各処理ユニットおよび移載ロボットの個数および配置は、上述の例に限定されず、目的とする処理に合わせて適宜変更されてよい。あるいは、検査機能を備えた処理ユニットが配置されてもよい。

本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の構成の概要を示す図である。基板処理装置１の下段部ＬＦの構成を示す図である。基板処理装置１の上段ＵＦの構成を示す図である。基板処理装置１の下段部ＬＦにおいてなされる、一連の処理についてのフローを示す図である。基板処理装置１の上段部ＵＦにおいてなされる、一連の処理についてのフローを示す図である。

符号の説明

１基板処理装置
１１〜２２多段熱処理部
３１、３２エッジ露光部
３３、３４多段露光後熱処理部
４１メンテナンスエリア
Ａ１〜Ａ４疎水化処理ユニット
ＡＭ１〜ＡＭ２２アーム
Ｂ１〜Ｂ６露光後ベークユニット
ＢＡＲＣ１〜ＢＡＲＣ４反射防止膜塗布処理ユニット
ＢＦ１、ＢＦ２バッファカセット
Ｃカセット
Ｃ１〜Ｃ１６、Ｃ２１〜Ｃ２６冷却処理ユニット
Ｅ１〜Ｅ４エッジ露光ユニット
Ｈ１〜Ｈ２２加熱処理ユニット
ＩＤインデクサ
ＩＦインタフェース
Ｐ１〜Ｐ１２パスユニット
ＰＭプロセスモジュール
Ｒ１〜Ｒ２２移載ロボット
Ｓ１〜Ｓ３８ステップ
ＳＣ１〜ＳＣ４レジスト塗布処理ユニット
ＳＤ１〜ＳＤ８現像処理ユニット
Ｗ基板

Claims

基板処理装置であって、
それぞれが複数の処理ユニットを含むユニット群を有し、所定の基板処理シーケンスに係る処理を行う複数のプロセス部が積層配置されてなり、
前記複数のプロセス部が少なくとも、前記基板処理シーケンスとして薬液膜の形成を行う第１のプロセス部と基板に形成された露光パターンの現像を行う第２のプロセス部とを有してなり、
前記複数のプロセス部がいずれも、
それぞれにおいて前記ユニット群に含まれる少なくとも１つのユニットが配置された複数のユニット配置部と、
前記複数のユニット配置部の間に設けられ、基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、
前記プロセス部において処理待ち状態の基板を収容可能な収容手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。