JP2007235596A - 可変減衰器の制御回路及び可変減衰器の制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２つの制御電圧を用いて、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させた可変減衰器の制御回路を提供する。
【解決手段】２つの制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１，Ｖｃｏｎｔ２）を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオード（Ｘ１）に対し、電流を供給する可変減衰器の制御回路であり、第１の制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１）を用いて減衰量を制御する減衰量制御手段と、第２の制御電圧（Ｖｃｏｎｔ２）を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節手段と、を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、可変減衰器の制御回路及び可変減衰器の制御方法に関するものである。

従来の可変減衰器の制御回路の構成としては、図５に示す回路構成が挙げられる。以下、図５を参照しながら、従来の可変減衰器の制御回路における制御動作について説明する。

図５に示す可変減衰器の制御回路構成は、可変減衰器として作用する第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）と、その第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）とほぼ同様の特性を持つ第２のＰＩＮダイオード（Ｘｂ）と、演算増幅器（ＩＣａ）と、第１の抵抗（Ｒａ）と、第２の抵抗（Ｒｂ）と、可変抵抗器（Ｒｃ）と、により構成されている。そして、制御電圧：−Ｖにより、減衰量を制御する仕組みとなっている。

なお、制御電圧：−Ｖは、ある所定の範囲内（例えば、０〜−５Ｖ）を変化させることができるＤＡコンバータ出力を想定している。このため、制御電圧：−Ｖは、量子化された値となる。

例えば、制御電圧：−Ｖの制御範囲が、０〜−５Ｖ、量子化数が１００とすると、制御量１ビットあたりの制御電圧の変化は、５Ｖ／１００＝０．０５Ｖとなる。

また、図５に示す、ＲＦ ｉｎは、高周波信号入力端子を示し、ＲＦ ｏｕｔは、高周波信号出力端子を示す。

なお、図５に示す可変減衰器の制御回路に対し、制御電圧：−Ｖが加えられると、可変抵抗器（Ｒｃ）を介して第２の抵抗（Ｒｂ）に対し、電圧：−Ｖ'が加えられることになる。これにより、仮想短絡により、第２の抵抗（Ｒｂ）に対し、電流：Ｉｂ＝Ｖ'／Ｒｂが流れることになる。

ここで、演算増幅器（ＩＣａ）の出力電圧をＶａ、第２のＰＩＮダイオード（Ｘｂ）にかかる電圧をＶｂとすると、演算増幅器（ＩＣａ）の出力電圧：Ｖａは、Ｖａ＝Ｖｂ＋Ｉｂ×Ｒａとなる。

一方、ＰＩＮダイオードの電圧電流特性は、電流をＩ、電圧をＶとすると、Ｉ＝Ｉ０（ｅｘｐ（ｑＶ／ｋＴ）−１）≒Ｉ０（ｅｘｐ（ｑＶ／ｋＴ））で与えられることが知られている。但し、Ｉ０：逆方向飽和電流、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、ｑ：電子電荷量である。

この上述したＰＩＮダイオードの電圧電流特性の式を用いると、第２のＰＩＮダイオード（Ｘｂ）にかかる電圧：Ｖｂは、Ｖｂ＝（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｉｂ／Ｉ０）となる。

このため、演算増幅器（ＩＣａ）の出力電圧：Ｖａは、Ｖａ＝（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｉｂ／Ｉ０）＋Ｒａ／Ｒｂ×Ｖ'となる。

なお、第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）に流れる電流：Ｉａは、Ｉａ＝Ｉ０（ｅｘｐ（（ｑ／ｋＴ）×Ｖａ））として表すことができる。

この上記の式に対して、Ｖａ＝（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（Ｉｂ／Ｉ０）＋Ｒａ／Ｒｂ×Ｖ'を代入すると、第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）に流れる電流：Ｉａは、Ｉａ＝（Ｖ'／Ｒｂ）×（ｅｘｐ（（ｑ／ｋＴ）×（Ｒａ／Ｒｂ）×Ｖ’））となる。

また、ＰＩＮダイオードの高周波抵抗は、電流をＩ、電圧をＶとすると、Ｒ＝ｄＶ／ｄＩで与えられるので、第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）の高周波抵抗：Ｒは、電流：Ｉａ用いて、Ｒ＝（ｋＴ／ｑ）×１／Ｉａと表することができる。

このため、第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）の高周波抵抗：Ｒは、Ｒ＝（ｋＴ／ｑ）×１／（（Ｖ'／Ｒｂ）×（ｅｘｐ（（ｑ／ｋＴ）×（Ｒａ／Ｒｂ）×Ｖ’）））・・・式（１）となる。

上記式（１）から明らかなように、Ｖ'≒０の時には、Ｒが大きくなり、高周波の減衰量は小さく、０≪Ｖ'の時には、Ｒが小さくなり、高周波の減衰量は大きくなる。

なお、制御電圧：−Ｖに対する減衰特性を図６に示す。図６では、制御電圧：−Ｖの制御範囲は、０〜−５Ｖとなっている。制御電圧：−Ｖを最大にしたとき（図６では、−５Ｖ）の減衰量をダイナミックレンジと呼ぶ。図６の場合では、ダイナミックレンジは１４［ｄＢ］となっている。

なお、図５に示す可変減衰器の制御回路は、第１の抵抗（Ｒａ），第２の抵抗（Ｒｂ），第２のＰＩＮダイオード（Ｘｂ），演算増幅器（ＩＣａ）による逆対数電圧電流変換増幅器を用いて制御電圧対減衰特性の直線性を向上させるように図られている。しかしながら、上述した式（１）に示すように、高周波抵抗：Ｒには、電圧：Ｖ'の指数関数の項が含まれることから、制御電圧対減衰特性の直線性を完全な直線にすることはできないことになる。

制御電圧対減衰特性は、図６に示すように、減衰量の小さい位置では電圧の変化に対する減衰量の変化が大きく、減衰量の大きい位置では電圧の変化に対する減衰量の変化が小さくなっている。なお、図６では、およそ−２．５Ｖ〜−３Ｖの間で制御電圧対減衰特性の傾きが変化する点が存在する。

ここで、可変減衰器に要求される特性について述べる。可変減衰器に求められる特性としては、ダイナミックレンジと、制御量１ビット当たりの減衰量、即ち、分解能と、が挙げられる。要求されるダイナミックレンジを満たしつつ、分解能も小さくするためには、以下の２つの点が考えられる。

第１の点は、ダイナミックレンジを要求値以上に大きく取らないこと。
第２の点は、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させること。

なお、第１の点は、ダイナミックレンジを大きく取ると、分解能が悪くなるからである。また、第２の点は、制御電圧による分解能のばらつきを小さくし、分解能が悪い部分をなくすためである。

図５に示す可変減衰器の制御回路では、可変抵抗器（Ｒｃ）において制御電圧：Ｖ'を調節することで、第１の点を実現させている。なお、可変抵抗器（Ｒｃ）の調節による制御電圧対減衰特性の変化を図７に示す。図７に示すように、可変抵抗器（Ｒｃ）において制御電圧：Ｖ'を調節することで、ダイナミックレンジを（ａ）〜（ｃ）のように調節することが可能となる。なお、図７では、ダイナミックレンジが１４［ｄＢ］になるように調節している（図７の（ｂ））。

なお、図５に示す従来の可変減衰器の制御回路では、可変抵抗器（Ｒｃ）によるダイナミックレンジの調節を、人手で行っていたため、量産に向かないという課題が挙げられる。また、図５に示す従来の可変減衰器の制御回路は、上述した式（１）に示すように、第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）の高周波抵抗：Ｒには、電圧：Ｖ'の指数関数の項が含まれることから、図６、図７に示すように、制御電圧対減衰特性の直線性を完全な直線にすることはできないことになる。

なお、本発明より先に出願された特許文献として、高周波数送信伝送線路に直列に挿入される１個以上のＰＩＮダイオードと；該ＰＩＮダイオードと同種特性のＰＩＮダイオードと抵抗器との直列回路を帰還回路として有し、入力電圧を変化させることにより、前記高周波数信号伝送路に直列に挿入されたＰＩＮダイオードへ電流値の変化できるバイアス電流を供給する演算増幅回路と；を有し、制御電圧に対して電圧減衰比が直線的に変化する減衰特性が得られることを可能としたＰＩＮダイオード減衰器が開示された文献がある（例えば、特許文献１参照）。

また、ＰＩＮダイオードを電流制御型で用いた可変減衰器の制御回路において、前記ＰＩＮダイオードに電流を供給する逆対数増幅器と、この逆対数増幅器の出力電圧を順方向にオフセットする手段とを備え、制御電圧に対する不感帯領域を無くし、広い範囲に亘って制御電圧と減衰量との間の線形性を実現した可変減衰器の制御回路が開示された文献がある（例えば、特許文献２参照）。
特開昭６２−５３０１５号公報 特開平３−１５５２１０号公報

なお、上記特許文献１は、制御電圧に対して電圧減衰比が直線的に変化する減衰特性が得られることを可能としたＰＩＮダイオード減衰器が開示されているが、２つの制御電圧を用いて、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させる点については何ら考慮されたものではない。

また、上記特許文献２は、広い範囲に亘って制御電圧と減衰量との間の線形性を実現した可変減衰器の制御回路が開示されているが、２つの制御電圧を用いて、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させる点については何ら考慮されたものではない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、２つの制御電圧を用いて、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させる可変減衰器の制御回路及び可変減衰器の制御方法を提供することを目的とするものである。

かかる目的を達成するために、本発明は以下の特徴を有することとする。

本発明にかかる可変減衰器の制御回路は、２つの制御電圧を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオードに対し、電流を供給する可変減衰器の制御回路であって、第１の制御電圧を用いて減衰量を制御する減衰量制御手段と、第２の制御電圧を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節手段と、を有することを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御回路は、第１のダイオードに対し、電流を供給する演算増幅器を有し、演算増幅器の出力端子と、演算増幅器の反転入力端子と、の間には、第１の抵抗と、第２のダイオードと、が直列的に接続されて設けられてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御回路において、演算増幅器の反転入力端子には、第１の制御電圧を印可して電流を出力する第２の抵抗と、第１の制御電圧と、第２の制御電圧と、を印可して、第１の制御電圧と、第２の制御電圧と、の関係により変化する電流を出力する第３のダイオードと、が接続されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御回路において、第３のダイオードの入力側には、第１の制御電圧を印可して電流を出力する第３の抵抗と、第２の制御電圧を印可して電流を出力する第４の抵抗と、が接続されてなることを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御方法は、２つの制御電圧を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオードに対し、電流を供給する可変減衰器における制御方法であって、第１の制御電圧を用いて減衰量を制御する減衰量制御工程と、第２の制御電圧を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節工程と、を行うことを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御方法は、第１のダイオードに対し、電流を供給する演算増幅器を有し、演算増幅器の出力端子と、演算増幅器の反転入力端子と、の間には、第１の抵抗と、第２のダイオードと、が直列的に接続されて設けられており、演算増幅器は、減衰量制御工程により減衰量を制御し、且つ、可変減衰量調節工程により可変減衰量を調節した電流を第１のダイオードに供給することを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御方法において、演算増幅器の反転入力端子には、第１の制御電圧を印可して電流を出力する第２の抵抗と、第１の制御電圧と、第２の制御電圧と、を印可して、第１の制御電圧と、第２の制御電圧と、の関係により変化する電流を出力する第３のダイオードと、が接続されており、演算増幅器は、第２の抵抗から出力された電流と、第３のダイオードから出力された電流と、を用いて、減衰量制御工程により減衰量を制御し、且つ、可変減衰量調節工程により可変減衰量を調節した電流を第１のダイオードに供給することを特徴とするものである。

また、本発明にかかる可変減衰器の制御方法において、第３のダイオードの入力側には、第１の制御電圧を印可して電流を出力する第３の抵抗と、第２の制御電圧を印可して電流を出力する第４の抵抗と、が接続されており、第３のダイオードは、第３の抵抗から出力された電流と、第４の抵抗から出力された電流と、を用いて、第１の制御電圧と、第２の制御電圧と、の関係により変化する電流を出力することを特徴とするものである。

本発明によれば、２つの制御電圧を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオードに対し、電流を供給する可変減衰器の制御回路において、第１の制御電圧を用いて減衰量を制御し、且つ、第２の制御電圧を用いて可変減衰量を調節することで、減衰特性が第１の制御電圧に対して直線的に動作させることが可能となるため、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させることが可能となる。

まず、図１、図３を参照しながら、本実施形態における可変減衰器の制御回路の特徴について説明する。

本実施形態における可変減衰器の制御回路は、２つの制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１，Ｖｃｏｎｔ２）を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオード（Ｘ１）に対し、電流を供給する可変減衰器の制御回路である。そして、第１の制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１）を用いて減衰量を制御する減衰量制御手段と、第２の制御電圧（Ｖｃｏｎｔ２）を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節手段と、を有することを特徴とするものである。これにより、第１の制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ１）を用いて減衰量を制御し、且つ、第２の制御電圧（Ｖｃｏｎｔ２）を用いて可変減衰量を調節することで、図３に示すように、減衰特性が第１の制御電圧（−Ｖｃｏｎｔ）に対して直線的に動作させることが可能となるため、制御電圧対減衰特性の直線性を向上させることが可能となる。以下、添付図面を参照しながら、本実施形態における可変減衰器の制御回路について説明する。

（可変減衰器の制御回路構成）
まず、図１を参照しながら、本実施形態における可変減衰器の制御回路の回路構成について説明する。なお、図１は、本実施形態における可変減衰器の制御回路の回路構成を示す図である。

本実施形態における可変減衰器の制御回路は、可変減衰器として作用する第１のＰＩＮダイオード（Ｘ１）と、第１のＰＩＮダイオード（Ｘ１）とほぼ同様の特性を持つ第２のＰＩＮダイオード（Ｘ２）と、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）と、演算増幅器（ＩＣ１）、第１の抵抗（Ｒ１）と、第２の抵抗（Ｒ２）と、第３の抵抗（Ｒ３）と、第４の抵抗（Ｒ４）と、により構成される。なお、図１に示す、ＲＦ ｉｎは、高周波信号入力端子を示し、ＲＦ ｏｕｔは、高周波信号出力端子を示す。

なお、演算増幅器（ＩＣ１）の出力端子と、演算増幅器（ＩＣ１）の反転入力端子と、の間には、第１の抵抗（Ｒ１）と、第２のＰＩＮダイオード（Ｘ２）と、が直列的に接続されて設けられている。

また、演算増幅器（ＩＣ１）の反転入力端子には、第２の抵抗（Ｒ２）と、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）と、が接続されている。

なお、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）には、第３の抵抗（Ｒ３）と、第４の抵抗（Ｒ４）と、が接続されている。

この図１に示す本実施形態における可変減衰器の制御回路は、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２を用いて可変減衰量の調節を行い、尚かつ、制御電圧：−Ｖｃｏｎｔ１により減衰量を制御することになる。これにより、ダイナミックレンジの調節を電気的に行うことができ、尚かつ、減衰特性が制御電圧：−Ｖｃｏｎｔ１に対して直線的に動作させることが可能となる。

（可変減衰器の制御回路における制御動作）
次に、図１に示す可変減衰器の制御回路における制御動作について説明する。

まず、制御電圧：−Ｖｃｏｎｔ１が加えられると、第２の抵抗（Ｒ２）に対し、電流：Ｉ２＝Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２が流れることになる。

なお、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）に流れる電流：Ｉ３は、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２と、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ１と、の関係により変化することになる。

例えば、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）にかかる制御電圧：Ｖ３が負の時は、内部抵抗値が無限大で、制御電圧：Ｖ３が正の時は、内部抵抗値が０として考えると、Ｖｃｏｎｔ１＝Ｒ３／Ｒ４×Ｖｃｏｎｔ２で、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）の内部抵抗値が切り替わることになる。

なお、Ｖｃｏｎｔ１＜Ｒ３／Ｒ４×Ｖｃｏｎｔ２の場合では、Ｉ３＝０となり、Ｖｃｏｎｔ１＞Ｒ３／Ｒ４×Ｖｃｏｎｔ２の場合では、Ｖ３＝０となり、第４の抵抗（Ｒ４）に流れる電流は、Ｖｃｏｎｔ２／Ｒ４となり、第３の抵抗（Ｒ３）に流れる電流は、Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ３と計算することが可能となるため、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）に流れる電流：Ｉ３は、Ｉ３＝Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ３−Ｖｃｏｎｔ２／Ｒ４となる。

なお、第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）に流れる電流：Ｉ３の変化を図２に示す。なお、図２では、Ｒ３＝Ｒ４とした場合の電流：Ｉ３の変化を示す。なお、（ａ）は、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２＝２［Ｖ］の場合を示し、（ｂ）は、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２＝３［Ｖ］の場合を示し、（ｃ）は、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２＝４［Ｖ］の場合を示す。

ここで、第１の抵抗（Ｒ１）と、第２のＰＩＮダイオード（Ｘ２）と、に流れる電流は、Ｉ２＋Ｉ３＝Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３となり、演算増幅器（ＩＣ１）の出力電圧：Ｖ１は、Ｖ１＝（ｋＴ／ｑ）ｌｎ（（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）／Ｉ０）＋Ｒ１×（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）となる。

なお、第１のＰＩＮダイオード（Ｘ１）に流れる電流：Ｉ１は、Ｉ１＝Ｉ０（ｅｘｐ（（ｑ／ｋＴ）×Ｖ１））として表すことができる。

このため、第１のＰＩＮダイオード（Ｘ１）に流れる電流：Ｉ１は、Ｉ１＝（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）×（ｅｘｐ（（ｑＲ１／ｋＴ）×（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）））となる。

また、第１のＰＩＮダイオード（Ｘ１）の高周波抵抗：Ｒは、上述した電流：Ｉ１を用いて、Ｒ＝（ｋＴ／ｑ）×１／Ｉ１と表することが可能となる。このため、第１のＰＩＮダイオード（Ｘ１）の高周波抵抗：Ｒは、Ｒ＝（ｋＴ／ｑ）×１／（（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）×（ｅｘｐ（（ｑ／ｋＴ）×（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）×Ｒ１）））・・・式（２）となる。

なお、図５に示す従来の可変減衰器の制御回路における、第１のＰＩＮダイオード（Ｘａ）の高周波抵抗：Ｒは、Ｒ＝（ｋＴ／ｑ）×１／（（Ｖ'／Ｒｂ）×（ｅｘｐ（（ｑ／ｋＴ）×（Ｒａ／Ｒｂ）×Ｖ’）））・・・式（１）となる。

この式（１）と、式（２）と、を比較すると、指数関数の中の（Ｖ'／Ｒｂ）の項が（Ｖｃｏｎｔ１／Ｒ２＋Ｉ３）に変わり、Ｉ３の分が足されていることがわかる。

なお、制御電圧：−Ｖｃｏｎｔ１に対する減衰特性を図３に示す。なお、（ａ）は、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２＝２［Ｖ］の場合を示し、（ｂ）は、Ｖｃｏｎｔ２＝３［Ｖ］の場合を示し、（ｃ）は、Ｖｃｏｎｔ２＝４［Ｖ］の場合を示す。

図３から明らかなように、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ２を変化させることによりダイナミックレンジが変化することになる。なお、図３では、ダイナミックレンジが１４［ｄＢ］になるように調節している（図３（ｂ））。

なお、図４に、図５に示す従来の制御回路にてダイナミックレンジを調節した減衰器の減衰特性（図４（ａ））と、図１に示す本実施形態の制御回路にてダイナミックレンジを調節した減衰器の減衰特性（図４（ｂ））と、を比較した比較結果を示す。

図４に示す比較結果において、制御電圧：Ｖｃｏｎｔ１に対する減衰量の傾きが最大となるところ、即ち、最も分解能が悪くなる点を比較すると、本実施形態による制御回路にてダイナミックレンジを調節した減衰器の減衰特性（図４（ｂ））の方が、従来の制御回路にてダイナミックレンジを調節した減衰器の減衰特性（図４（ａ））よりも良好であることが判明する。

このように、本実施形態における可変減衰器の制御回路は、可変減衰器の制御回路に対し、ダイナミックレンジ調節電圧を加えることにより、ダイナミックレンジの調節を電気的に行うことが可能となると共に、減衰特性が制御電圧に対して直線的に動作させることが可能となる。

なお、上述する実施形態は、本発明の好適な実施形態であり、上記実施形態のみに本発明の範囲を限定するものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更を施した形態での実施が可能である。

本実施形態における可変減衰器の制御回路の構成を示す図である。 本実施形態における可変減衰器の制御回路を構成する図１に示す第３のＰＩＮダイオード（Ｘ３）に流れる電流：Ｉ３の変化を示す図である。 本実施形態における可変減衰器の制御回路における制御電圧：−Ｖｃｏｎｔ１に対する減衰特性を示す図である。 図５に示す従来の制御回路にてダイナミックレンジを調節した減衰器の減衰特性（波線）と、図１に示す本実施形態の制御回路にてダイナミックレンジを調節した減衰器の減衰特性（実線）と、を比較した図である。 従来の可変減衰器の制御回路の構成を示す図である。 従来の可変減衰器の制御回路における制御電圧：−Ｖに対する減衰特性を示す図である。 可変抵抗器（Ｒｃ）の調節による制御電圧対減衰特性の変化を示す図である。

符号の説明

Ｘ１ 第１のＰＩＮダイオード
Ｘ２ 第２のＰＩＮダイオード
Ｘ３ 第３のＰＩＮダイオード
Ｒ１ 第１の抵抗
Ｒ２ 第２の抵抗
Ｒ３ 第３の抵抗
Ｒ４ 第４の抵抗
ＩＣ１ 演算増幅器
−Ｖｃｏｎｔ１ 第１の制御電圧
Ｖｃｏｎｔ２ 第２の制御電圧
ＲＦ ｉｎ 高周波信号入力端子
ＲＦ ｏｕｔ 高周波信号出力端子
Ｘａ 第１のＰＩＮダイオード
Ｘｂ 第２のＰＩＮダイオード
Ｒａ 第１の抵抗
Ｒｂ 第２の抵抗
Ｒｃ 可変抵抗器
ＩＣａ 演算増幅器

Claims (8)

1. ２つの制御電圧を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオードに対し、電流を供給する可変減衰器の制御回路であって、
   第１の制御電圧を用いて減衰量を制御する減衰量制御手段と、
   第２の制御電圧を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節手段と、
   を有することを特徴とする可変減衰器の制御回路。
2. 前記第１のダイオードに対し、電流を供給する演算増幅器を有し、
   前記演算増幅器の出力端子と、前記演算増幅器の反転入力端子と、の間には、第１の抵抗と、第２のダイオードと、が直列的に接続されて設けられてなることを特徴とする請求項１記載の可変減衰器の制御回路。
3. 前記演算増幅器の反転入力端子には、
   前記第１の制御電圧を印可して電流を出力する第２の抵抗と、
   前記第１の制御電圧と、前記第２の制御電圧と、を印可して、前記第１の制御電圧と、前記第２の制御電圧と、の関係により変化する電流を出力する第３のダイオードと、が接続されてなることを特徴とする請求項２記載の可変減衰器の制御回路。
4. 前記第３のダイオードの入力側には、
   前記第１の制御電圧を印可して電流を出力する第３の抵抗と、
   前記第２の制御電圧を印可して電流を出力する第４の抵抗と、が接続されてなることを特徴とする請求項３記載の可変減衰器の制御回路。
5. ２つの制御電圧を用いて、可変減衰器として作用する第１のダイオードに対し、電流を供給する可変減衰器における制御方法であって、
   第１の制御電圧を用いて減衰量を制御する減衰量制御工程と、
   第２の制御電圧を用いて可変減衰量を調節する可変減衰量調節工程と、
   を行うことを特徴とする可変減衰器の制御方法。
6. 前記第１のダイオードに対し、電流を供給する演算増幅器を有し、
   前記演算増幅器の出力端子と、前記演算増幅器の反転入力端子と、の間には、第１の抵抗と、第２のダイオードと、が直列的に接続されて設けられており、
   前記演算増幅器は、
   前記減衰量制御工程により減衰量を制御し、且つ、前記可変減衰量調節工程により可変減衰量を調節した電流を前記第１のダイオードに供給することを特徴とする請求項５記載の可変減衰器の制御方法。
7. 前記演算増幅器の反転入力端子には、
   前記第１の制御電圧を印可して電流を出力する第２の抵抗と、
   前記第１の制御電圧と、前記第２の制御電圧と、を印可して、前記第１の制御電圧と、前記第２の制御電圧と、の関係により変化する電流を出力する第３のダイオードと、が接続されており、
   前記演算増幅器は、
   前記第２の抵抗から出力された電流と、前記第３のダイオードから出力された電流と、を用いて、前記減衰量制御工程により減衰量を制御し、且つ、前記可変減衰量調節工程により可変減衰量を調節した電流を前記第１のダイオードに供給することを特徴とする請求項６記載の可変減衰器の制御方法。
8. 前記第３のダイオードの入力側には、
   前記第１の制御電圧を印可して電流を出力する第３の抵抗と、
   前記第２の制御電圧を印可して電流を出力する第４の抵抗と、が接続されており、
   前記第３のダイオードは、
   前記第３の抵抗から出力された電流と、前記第４の抵抗から出力された電流と、を用いて、前記第１の制御電圧と、前記第２の制御電圧と、の関係により変化する電流を出力することを特徴とする請求項７記載の可変減衰器の制御方法。

Images