JPH07193455A

JPH07193455A - 可変減衰器

Info

Publication number: JPH07193455A
Application number: JP32928093A
Authority: JP
Inventors: Kenji Higaki; 健二檜垣; Yukihiko Kumagai; 幸彦熊谷; Osamu Maeda; 修前田
Original assignee: Japan Radio Co Ltd
Current assignee: Japan Radio Co Ltd
Priority date: 1993-12-27
Filing date: 1993-12-27
Publication date: 1995-07-28

Abstract

(57)【要約】【目的】ダイナミックレンジが広く減衰量を微妙に制
御可能で歪率の低い可変減衰器を実現する。【構成】ＰＩＮダイオードＤ１〜Ｄ４を直列接続し、
信号入出力径路に対して順方向に挿入する。ダイオード
Ｄ１〜Ｄ４に順方向直流電流ＩＦを供給する。この電流
ＩＦは、定電流回路１０によって定電流化し、更に制御
電圧Ｖｃによって制御する。電流ＩＦの値はマルチプレ
クサ１２の制御によっても切り換える。トランジスタＴ
Ｒ１の制御によりコンデンサＣ２を負荷と並列に挿入す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、無線機の送信出力を制
御するＡＰＣ（自動電力制御）回路に関し、特にこの回
路に適する可変減衰器に関する。

【０００２】

【従来の技術】無線機の送信出力を制御し、また送信系
を構成する各回路の利得のばらつきを補う手法として、
ＡＰＣが知られている。また、一般に、ディジタル自動
車電話等、ディジタルセルラシステムにおいては、その
無線電話装置に対し、低歪率特性が要求されている。低
歪率特性が求められるのは、この種のシステムにおいて
採用されているディジタル変復調方式がπ／４ＤＱＰＳ
Ｋ等の振幅変動を伴う方式であるためである。従って、
ＡＰＣ回路に対しても、低歪率特性が求められている。
更に、ＡＰＣに対しては、広いダイナミックレンジが要
求されている。これらの要請は、従来のアナログ通信に
おいて使用されていたＡＰＣによっては充足することが
できない。そのため、ディジタルセルラにおいては、図
１２に示されるような可変減衰器を用いたＡＰＣが採用
されていた。

【０００３】図１２に示される可変減衰器は、４個の減
衰器ＡＴＴ〜ＡＴＴ４を有している。ＡＴＴ１〜ＡＴＴ
４はいずれもπ型固定減衰器であり、そのうちＡＴＴ１
は４ｄＢの、ＡＴＴ２及びＡＴＴ３は８ｄＢの、ＡＴＴ
４は１６ｄＢの減衰器である。またＡＴＴＡ１〜ＡＴＴ
４には、それぞれ、アナログスイッチＳＷ１〜ＳＷ４が
並列接続されている。これらのスイッチＳＷ１〜ＳＷ４
は、外部から供給される制御信号ＣＯＮＴ１〜ＣＯＮＴ
４によって制御される。その結果、次の表に示されるよ
うに、０ｄＢ〜３２ｄＢの範囲で４ｄＢ刻みの減衰量が
得られる。

【０００４】

【表１】このような構成は、北米で実施されているディジタルセ
ルラシステムの仕様ＩＳ−５４Ｂ，ＩＳ−５５Ａに適し
ている。すなわち、これらのシステムにおいては、端末
局側の送信出力を４ｄＢステップで０ｄＢ〜３２ｄＢの
範囲に亘って制御する必要がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成においては、例えば４ｄＢステップでしか減衰
量を切り換えることができないため、送信出力を微妙に
制御することが不可能である。送信出力を微妙に制御し
ようとする場合、各固定減衰器の減衰量を小さくする必
要があるが、このような構成とすると全体の回路規模が
大きくなってしまう。更に、図１２に示される構成にお
いては制御信号ＣＯＮＴ１〜ＣＯＮＴ４を伝送するため
の４本の信号線が必要であり、この信号線の本数は、固
定減衰器の個数を多くするほど多くなってしまう。

【０００６】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、回路規模を大きく
することなく、また制御信号線の本数を多くすることな
く、送信出力を微妙に制御することが可能なＡＰＣ回路
及びこれに適する可変減衰器を提供することを目的とす
る。また、本発明は、広いダイナミックレンジに亘って
直線性に勝れた（低歪率特性の）可変減衰器を提供する
ことを目的とする。更に、本発明は、この可変減衰器を
より小さな回路でかつより小さな消費電流で実現するこ
とを目的とする。そして、ＣＰＵ等によるディジタル処
理及び制御が簡単な可変減衰器を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る可変減衰器は、その内部抵抗が
電流特性を有する減衰用素子と、外部から供給される制
御信号に応じ、この素子に流れる電流の値を可変制御す
る電流制御手段と、を備え、減衰させるべき信号が、減
衰用素子を介して負荷インピーダンスに供給されること
を特徴とする。

【０００８】また、本発明は、この減衰用素子を複数個
備えかつこれらを直列接続したことを特徴とする。本発
明は、更に、減衰用素子がＰＩＮダイオードであること
を特徴とする。

【０００９】本発明は、また、電流制御手段が、制御信
号に応じた値の電流を減衰用素子から引き込む定電流回
路を含むことを特徴とする。本発明は、更に、定電流回
路が、減衰用素子から電流を引き込む経路上に設けられ
た抵抗と、制御信号として供給される電圧に応じた値の
電圧を抵抗に印加する手段と、を含むことを特徴とす
る。本発明は、この抵抗が、互いにその抵抗値が異なる
よう複数個設けられ、定電流回路が、制御信号に応じ複
数個の抵抗を選択的に上記経路上に挿入する手段を含む
ことを特徴とする。

【００１０】本発明は、更に、制御信号に応じ、負荷イ
ンピーダンスと並列にインピーダンスを挿入する並列イ
ンピーダンス挿入手段を備えることを特徴とする。本発
明は、並列インピーダンス挿入手段が、制御信号に応じ
オン／オフするトランジスタと、トランジスタがオンし
た場合に負荷インピーダンスと並列に挿入される素子
と、を含むことを特徴とする。

【００１１】本発明は、減衰させるべき信号から電源及
び／又は電流制御手段を遮断する素子を有することを特
徴とする。

【００１２】本発明に係るＡＰＣ回路は、中間周波数信
号（ＩＦ信号）を周波数変換することにより無線周波数
信号（ＲＦ信号）を生成する周波数変換部と、生成され
たＲＦ信号を電力増幅しアンテナに出力する電力増幅部
と、を備える無線機に搭載され、アンテナへの出力電力
を自動制御するＡＰＣ回路において、アンテナへの出力
電力を検出する手段と、検出した出力電力に基づき制御
信号を発生させる手段と、周波数変換部と電力増幅部の
間に挿入され、発生させた制御信号に応じてＲＦ信号を
減衰させる本発明に係る可変減衰器と、を備えることを
特徴とする。

【００１３】そして、本発明に係るＡＰＣ回路は、可変
減衰器の制御に用いる制御信号の値の範囲を、可変減衰
器の減衰量の制御信号に対する変化が少ない範囲とする
ことを特徴とする。

【００１４】

【作用】本発明に係る可変減衰器においては、電流制御
手段により、減衰用素子に流れる電流の値が可変制御さ
れる。減衰させるべき信号は、減衰用素子を介して負荷
インピーダンスに供給される。また、この素子に流れる
電流の値は、外部から供給される制御信号に応じて制御
される。従って、減衰用素子の内部抵抗と負荷インピー
ダンスの値によって定まる信号減衰量が、減衰用素子の
電流制御によって制御される。この結果、広いダイナミ
ックレンジに亘って減衰量を微妙に制御することが可能
になると共に、歪率特性が良好な可変減衰器が得られ
る。

【００１５】また、減衰用素子は、ＰＩＮダイオード又
はその直列接続によって構成することができ、電流制御
手段は、定電流回路として構成することができる。更
に、この定電流回路は、減衰用素子から電流を引き込む
経路上に抵抗を設け、この抵抗に印加される電圧の値を
制御信号に係る電圧の値によって制御する構成とするこ
とができ、この構成は、更に、オペアンプやＦＥＴを用
いて構成することができる。従って、本発明に係る可変
減衰器は、例えばＡＧＣ回路のように直線性に優れては
いるものの大規模な回路構成となる従来の可変減衰器に
比べ、回路構成が簡単になると共に消費電力が低減され
る。

【００１６】本発明においては、更に、上述した電流の
制御の他、定電流回路を構成する抵抗値の切換えや、負
荷インピーダンスへの並列インピーダンスの挿入によっ
て、減衰量の制御が行われる。すなわち、減衰用素子か
ら電流を引き込む経路上に複数個の抵抗を設け、マルチ
プレクサ等の手段によってこれらの抵抗を選択的に経路
上に挿入することにより、減衰用素子、例えばＰＩＮダ
イオードの直列接続体に流れる電流の値が切り換えら
れ、これによって信号の減衰量が切り換えられる。ま
た、外部から供給される制御信号に応じてトランジスタ
をオン／オフさせ、トランジスタがオンした場合にコン
デンサ等の素子が負荷インピーダンスと並列に挿入され
るよう、可変減衰器を挿入した場合、やはり、信号減衰
量を好適に切り換えることが可能になり、信号減衰量の
制御範囲が拡がる。

【００１７】加えて、減衰させるべき信号の周波数帯域
において高インピーダンスとなるコイル等の素子を、減
衰用素子と電源及び／又は電流制御手段との間に配置す
ることにより、減衰させるべき信号から電源及び／又は
電流制御手段を信号的に（高周波的に）遮断することが
可能となり、より好適な減衰特性が得られる。

【００１８】更に、本発明に係るＡＰＣ回路において
は、電力増幅部からアンテナへの出力電力が検出され、
検出された出力電力に基づき制御信号が生成される。こ
の制御信号は、周波数変換部と電力変換部との間に挿入
された本発明に係る可変減衰器に供給され、この可変減
衰器により、周波数変換部の出力に係るＲＦ信号が減衰
される。一般に、トランジスタ等の非線形性を利用して
周波数変換を行う周波数変換部においては、変換後の送
信信号の直線性を維持するために出力レベルを通常０ｄ
Ｂｍ以下の低レベルに設定しており、従って、本発明に
係る可変減衰器をこの周波数変換部の出力側に設けるこ
とにより、直線性が良好なＡＰＣが実現される。

【００１９】そして、本発明に係るＡＰＣ回路において
は、可変減衰器の制御に用いる制御信号の値の範囲が、
可変減衰器の減衰量の制御信号に対する変化が少ない値
に設定される。これにより、要求される減衰量を正確に
実現することが可能になる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。

【００２１】図１には、本発明の第１実施例に係る可変
減衰器の構成が示されている。

【００２２】この実施例においては、４個のＰＩＮダイ
オードＤ１〜Ｄ４が、信号入出力方向に沿って順方向に
直列接続されている。すなわち、ダイオードＤ１のアノ
ードはコンデンサＣ１を介して信号入力端子に接続され
ており、また、ダイオードＤ４のカソードはコンデンサ
Ｃ４を介して信号出力端子に接続されている。信号入力
端子には、前段の回路、例えばＩＦからＲＦへの周波数
変換部からＲＦ信号が供給され、また、信号出力端子に
は、ＲＦ信号を電力増幅する電力増幅部等が接続され
る。従って、周波数変換部等から入力される信号は、こ
れらのダイオードＤ１〜Ｄ４を介して電力増幅部等に出
力されることとなる。なお、コンデンサＣ１およびＣ４
は、信号入力端子又は信号出力端子に係るカップリング
コンデンサであり、直流電流をカットする。

【００２３】また、ダイオードＤ１〜Ｄ４に対しては、
直流電源ＶｃｃからコイルＬ１を介して順方向直流電流
ＩＦが供給されている。直流電源ＶｃｃはコンデンサＣ
２によって安定化されており、更にコイルＬ１によって
信号入出力経路から高周波的に遮断されている。一方
で、この順方向直流電流ＩＦは、定電流回路１０によっ
て接地側に引き込まれている。すなわち、ダイオードＤ
４のカソードはコイルＬ２を介して定電流回路１０に接
続されている。このコイルＬ２は、上述のコイルＬ１と
同様高周波において高インピーダンスとなり、信号入出
力経路から定電流回路１０を高周波的に遮断している。

【００２４】コイルＬ２の一端には、コンデンサＣ５及
び定電流回路１０が接続されている。このコンデンサＣ
５は、定電流回路１０に印加される直流電圧ＶＤを安定
化すると共に、交流成分を接地側に流すためのコンデン
サである。また、定電流回路１０は、抵抗Ｒ３を有して
いる。この抵抗Ｒ３の一端は接地されており、他端はオ
ペアンプＡ１の反転入力端子に接続されている。オペア
ンプＡ１の非反転入力端子には外部から制御電圧Ｖｃが
印加されており、またこのオペアンプＡ１の出力端はＦ
ＥＴのゲートに接続されている。ＦＥＴ１のドレイン及
びソースは、コイルＬ２の一端と抵抗Ｒ３の一端の間に
接続されている。

【００２５】このような回路構成においては、オペアン
プＡ１の反転入力端子に制御電圧Ｖｃと同じ値の電圧が
現れる。その結果、抵抗Ｒ３に流れる電流の値はＶｃ／
Ｒ３となる。一方、ダイオードＤ１〜Ｄ４の順方向電圧
Ｖ_ｆは図２に示されるように順方向直流電流ＩＦが増加
すると変化する。従って、ダイオードＤ４のカソードの
電圧ＶＤはｎ×ＶＦ（ｎはＰＩＮダイオードの個数。図
中４）となるので、Ｖｃによって電圧ＶＤが変化するこ
とがわかる。言い換えれば、ＦＥＴ１のドレインソース
間電圧が、順方向直流電流ＩＦがＶｃ／Ｒ３となるよう
に変化するため、制御電圧Ｖｃに応じた値の順方向直流
電流ＩＦがダイオードＤ１〜Ｄ４から定電流回路１０に
引き込まれることになる。

【００２６】また、ＰＩＮダイオードＤ１〜Ｄ４の高周
波内部抵抗ｒｓは、順方向直流電流ＩＦに対して図３に
示されるような特性を有している。すなわち、順方向直
流電流ＩＦが増加すると高周波内部抵抗ｒｓが減少す
る。信号出力端子に負荷インピーダンスＺｏが接続され
ているとすると、図１に示される可変減衰器の減衰量
は、次の式で表される値となる。

【００２７】

【数１】ＡＴＴ＝２０ｌｏｇ［（ｒｓ×４）／｜Ｚｏ｜］（ｄＢ）なお、ＰＩＮダイオードの個数が一般にｎ個である場合
には、

【数２】ＡＴＴ＝２０ｌｏｇ［（ｒｓ×ｎ）／｜Ｚｏ｜］（ｄＢ）となる。

【００２８】従って、この実施例における制御電圧Ｖｃ
対減衰量ＡＴＴの特性は（後述するトランジスタＴＲ１
がオフしている場合）、図４中Ａで示されるような特性
となる。

【００２９】図１に示される回路においては、更に、Ｔ
Ｒ１の制御信号によってオン／オフ制御されるトランジ
スタＴＲ１が設けられている。このトランジスタＴＲ１
のエミッタは接地されており、コレクタは抵抗１を介し
て電源Ｖｃｃの供給を受けると共にコンデンサＣ３を介
してダイオードＤ４のカソードに接続されている。な
お、トランジスタＴＲ１のベースには抵抗Ｒ２が挿入さ
れている。

【００３０】トランジスタＴＲ１は、そのベースに供給
されるＴＲ１制御信号に応じてオン／オフする。このト
ランジスタＴＲ１がオフしている状態では、図１に示さ
れる可変減衰器の減衰量は前述のように図中Ａで示され
る特性となる。これに対し、トランジスタＴＲ１がオン
すると、コンデンサＣ３が信号出力端に接続された負荷
インピーダンスＺ０と並列に挿入されることとなり、そ
の結果、減衰量ＡＴＴは次の式で表される内容となる。

【００３１】

【数３】但し、Ｚｃ３はコンデンサｃ３及びトランジスタＴＲ１
の信号インピーダンスである。従って、トランジスタＴ
Ｒ１がオンしている状態では、制御電圧Ｖｃ対減衰量Ａ
ＴＴの特性は図４中Ｂで示されるような特性となる。

【００３２】このように、本実施例においては、制御電
圧Ｖｃによって減衰量ＡＴＴを可変数制御することがで
きると共に、トランジスタＴＲ１のオン／オフ制御によ
ってこれを２段階で切り換えることができ、減衰量ＡＴ
Ｔを微妙に制御することが可能でかつその制御範囲が広
い可変減衰器が得られる。

【００３３】図５には、本発明の第２実施例に係る可変
減衰器の構成が示されている。この実施例における定電
流回路１０は、前述の抵抗Ｒ３、オペアンプＡ１及びＦ
ＥＴ１のほかマルチプレクサ１２及び抵抗Ｒ４を有して
いる。マルチプレクサ１２は、外部から供給されるマル
チプレクサ制御信号に応じ、抵抗Ｒ３とＲ４のうち一方
を、順方向直流電流ＩＦの引込み経路上に選択的に挿入
する。また、抵抗Ｒ４の値は抵抗Ｒ３の値より大きく設
定されている。

【００３４】図６には、この実施例における制御電圧Ｖ
ｃ対減衰量ＡＴＴの特性が示されている。この図に示さ
れるように、比較的小さな抵抗Ｒ３を順方向直流電流Ｉ
Ｆの経路上に挿入した場合、比較的大きな抵抗Ｒ４を挿
入した場合に比べ減衰量ＡＴＴが小さくなる。これは、
順方向直流電流ＩＦの引込み経路上に挿入される抵抗値
が小さいと順方向直流電流ＩＦの値が大きくなり、その
結果ダイオードＤ１〜Ｄ４の高周波内部抵抗ｒｓが小さ
くなることによるものである。また、この図に示される
ように抵抗をＲ３とした場合であってもＲ４とした場合
であっても、制御電圧Ｖｃが０である場合には同一の減
衰量となる。これは、制御電圧Ｖｃが０の場合、抵抗値
の如何に因らず順方向直流電流ＩＦが０となり、高周波
内部抵抗ｒｓの値が図３に示されるｒｓ０となるためで
ある。

【００３５】図７には、本発明の第３実施例に係る可変
減衰器の構成が示されている。この図に示される可変減
衰器は、第１実施例と第２実施例を組み合わせた構成で
ある。従って、制御電圧Ｖｃによる減衰量の連続可変制
御、トランジスタＴＲ１制御信号による減衰量の切換
え、マルチプレクサ１２による減衰量の切換えといった
操作を、いずれも実行することが可能である。

【００３６】図８には、この実施例における制御電圧Ｖ
ｃ対減衰量ＡＴＴの特性が示されている。この図におい
て、Ｒ３Ａで示されるのは、マルチプレクサ１２の制御
によって抵抗をＲ３とすると共に、ＴＲ１制御信号によ
ってトランジスタＴＲ１をオフさせた場合の特性を示し
ている。同様に、Ｒ４Ａは、抵抗＝Ｒ４、ＴＲ１＝オフ
の場合の特性を、Ｒ３Ｂは抵抗＝Ｒ３、ＴＲ１＝オンの
場合の特性を、Ｒ４Ｂは抵抗＝Ｒ４、ＴＲ１＝オンの場
合の特性を、それぞれ示している。

【００３７】また、図中、ＰＬ０〜ＰＬ１０は北米ディ
ジタルセルラ規格ＩＳ−５４Ｂ，ＩＳ−５５Ａによって
規定されている送信出力レベルであり、これに対応して
記載されているのは規定されている減衰量ＡＴＴを単位
ｄＢＷで表した値である。図７に示される可変減衰器を
使用する場合、この図に示されるように、制御電圧のＶ
ｃが低く、減衰量ＡＴＴが急激に変化する領域をさける
のが好ましい。このようにすると、制御電圧Ｖｃによる
減衰量の制御を比較的正確に行うことができる。

【００３８】図９には、本発明に係る可変減衰器の応用
例が示されている。この図に示されるのはディジタルセ
ルラ無線部のＡＰＣ回路であり、また、可変減衰器とし
て使用されているのは第３実施例に係る構成である。

【００３９】この図に示される可変減衰器１４は、周波
数変換部１６によってＩＦからＲＦに変換された送信信
号を入力し、減衰させた信号を電力増幅部１８に出力し
ている。電力増幅部１８は、可変減衰器１４を介して供
給されるＲＦ信号を電力増幅した上で図示しないアンテ
ナに供給する。電力増幅部１８の送信出力は、検波器２
０によって検波される。検波器２０の出力は電力増幅部
１８の送信出力レベルを表しており、この信号はＡ／Ｄ
変換器２２によってディジタルデータに変換された上
で、演算処理及び制御部２４に供給される。演算処理及
び制御部２４は、供給されるデータに応じ、制御電圧Ｖ
ｃに係るデータのほか、ＴＲ１制御信号や、マルチプレ
クサ制御信号を発生させる。制御電圧Ｖｃに係るデータ
はＤ／Ａ変換器２６によってアナログの電圧に変換され
た上で、可変減衰器１４に供給され、またＴＲ１制御信
号及びマルチプレクサ制御信号は、トランジスタＴＲ１
又はマルチプレクサ１２の制御のため演算処理及び制御
部２４から可変減衰器１４に供給される。その際、演算
処理及び制御部２４は、前述した図８に示される特性を
示すデータテーブルを使用し、制御電圧Ｖｃの変化に対
し減衰量ＡＴＴが急激に変化する領域を避けつつ、減衰
量ＡＴＴの制御を実行する。

【００４０】図１０には、発明者によって測定された相
互変調特性（ＩＭＤ３）が示されている。この図に示さ
れる特性は、図１１に示されるような条件下で測定され
たものである。すなわち、本発明の第３実施例に係る可
変減衰器１４に対し、８３６ＭＨｚ及び８３６．０３Ｍ
Ｈｚの信号を３ｄＢ減衰器２８を介して供給し、可変減
衰器１４の出力をスペクトルアナライザ３０によって測
定した。この測定結果によれば、入力が０ｄＢｍ以下の
場合、ＩＭＤ３が６０ｄＢ以下となる。可変減衰器１４
に前置される周波数変換部１６においては、その出力信
号の直線性を維持するために、０ｄＢｍ以下の低出力レ
ベルで信号出力しているから、図１０に示されるような
特性は、例えばπ／４ＤＱＰＳＫディジタル変復調に適
した直線性（低歪率特性）を実現するものであるといえ
る。

【００４１】また、以上の各実施例においては、ＲＦ帯
においてレベル検出を行い制御を行っているため、回路
構成や基板設計が容易となる。

【００４２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る可変
減衰器によれば、減衰用素子に流れる電流の値を外部か
ら供給される制御信号に応じて可変制御し、減衰用特性
の内部抵抗の電流特性を利用して減衰量を可変とするよ
うにしたため、広いダイナミックレンジに亘って、減衰
量を微妙に制御することが可能になる。また、この可変
減衰器は、ＰＩＮダイオード、抵抗、コンデンサ等を用
いて、簡素に構成することができ、また消費電力も低減
できる。加えて、電流制御に係る定電流回路の抵抗をマ
ルチプレクサ等を用いて切り換え、あるいは負荷インピ
ーダンスと並列にコンデンサ等のインピーダンスを挿入
するように構成することができるため、ダイナミックレ
ンジを更に広くすることができる。加えて、本発明に係
る可変減衰器は、ＣＰＵ等によって制御することが簡単
であり、その歪率特性も良好となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る可変減衰器の構成を
示す回路図である。

【図２】ＰＩＮダイオードのＩＦ対ＶＦ特性を示す図で
ある。

【図３】ＰＩＮダイオードのＩＦ対ｒｓ特性を示す図で
ある。

【図４】第１実施例におけるＶｃ対減衰量ＡＴＴ特性を
示す図である。

【図５】本発明の第２実施例に係る可変減衰器の構成を
示す回路図である。

【図６】第２実施例におけるＶｃ対減衰量ＡＴＴ特性を
示す図である。

【図７】本発明の第３実施例に係る可変減衰器の構成を
示す回路図である。

【図８】第３実施例におけるＶｃ対減衰量ＡＴＴ特性を
示す図である。

【図９】本発明の応用例を示すブロック図である。

【図１０】本発明における相互変調特性の改善効果を示
す図である。

【図１１】図１０の特性の測定環境を示す図である。

【図１２】一従来例に係る可変減衰器の構成を示す回路
図である。

【符号の説明】

Ｄ１〜Ｄ４ＰＩＮダイオードＬ１，Ｌ２コイルＣ１〜Ｃ５コンデンサＲ１〜Ｒ４抵抗Ａ１オペアンプ１０定電流回路１２マルチプレクサ１４可変減衰器１６周波数変換部１８電力増幅部２０検波器２２Ａ／Ｄ変換器２４演算処理及び制御部２６Ｄ／Ａ変換器Ｖｃ制御電圧

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】その内部抵抗が電流特性を有する減衰用
素子と、外部から供給される制御信号に応じ、この素子に流れる
電流の値を可変制御する電流制御手段と、を備え、減衰させるべき信号が、減衰用素子を介して負荷インピ
ーダンスに供給されることを特徴とする可変減衰器。
【請求項２】請求項１記載の可変減衰器において、上記減衰用素子を複数個備えかつこれらを直列接続した
ことを特徴とする可変減衰器。
【請求項３】請求項１又は２記載の可変減衰器におい
て、上記減衰用素子がＰＩＮダイオードであることを特徴と
する可変減衰器。
【請求項４】請求項１記載の可変減衰器において、電流制御手段が、制御信号に応じた値の電流を減衰用素
子から引き込む定電流回路を含むことを特徴とする可変
減衰器。
【請求項５】請求項４記載の可変減衰器において、定電流回路が、減衰用素子から電流を引き込む経路上に
設けられた抵抗と、制御信号として供給される電圧に応
じた値の電圧を抵抗に印加する手段と、を含むことを特
徴とする可変減衰器。
【請求項６】請求項５記載の可変減衰器において、上記抵抗が、互いにその抵抗値が異なるよう複数個設け
られ、定電流回路が、制御信号に応じ複数個の抵抗を選択的に
上記経路上に挿入する手段を含むことを特徴とする可変
減衰器。
【請求項７】請求項１記載の可変減衰器において、制御信号に応じ、負荷インピーダンスと並列にインピー
ダンスを挿入する並列インピーダンス挿入手段を備える
ことを特徴とする可変減衰器。
【請求項８】請求項７記載の可変減衰器において、並列インピーダンス挿入手段が、制御信号に応じオン／
オフするトランジスタと、トランジスタがオンした場合
に負荷インピーダンスと並列に挿入される素子と、を含
むことを特徴とする可変減衰器。
【請求項９】請求項１記載の可変減衰器において、減衰させるべき信号から電源及び／又は電流制御手段を
遮断する素子を有することを特徴とする可変減衰器。
【請求項１０】中間周波数信号を周波数変換すること
により無線周波数信号を生成する周波数変換部と、生成
された無線周波数信号を電力増幅しアンテナに出力する
電力増幅部と、を備える無線機に搭載され、アンテナへ
の出力電力を自動制御するＡＰＣ回路において、アンテナへの出力電力を検出する手段と、検出した出力電力に基づき制御信号を発生させる手段
と、周波数変換部と電力増幅部の間に挿入され、発生させた
制御信号に応じて無線周波数信号を減衰させる請求項１
乃至９記載の可変減衰器と、を備えることを特徴とするＡＰＣ回路。
【請求項１１】請求項１０記載のＡＰＣ回路におい
て、可変減衰器の制御に用いる制御信号の値の範囲を、可変
減衰器の減衰量の制御信号に対する変化が少ない範囲と
することを特徴とするＡＰＣ回路。