JP2007295365A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents

固体撮像素子の駆動方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2007295365A
JP2007295365A JP2006122071A JP2006122071A JP2007295365A JP 2007295365 A JP2007295365 A JP 2007295365A JP 2006122071 A JP2006122071 A JP 2006122071A JP 2006122071 A JP2006122071 A JP 2006122071A JP 2007295365 A JP2007295365 A JP 2007295365A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transfer
information
ccd shift
horizontal
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006122071A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutaka Henmi
一隆 逸見
Kenichi Shirai
健一 白井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2006122071A priority Critical patent/JP2007295365A/ja
Priority to CNA2007100970510A priority patent/CN101064791A/zh
Priority to TW096114369A priority patent/TW200812382A/zh
Priority to US11/790,229 priority patent/US20070263110A1/en
Priority to KR1020070040338A priority patent/KR100842165B1/ko
Publication of JP2007295365A publication Critical patent/JP2007295365A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/67Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
    • H04N25/671Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
    • H04N25/677Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction for reducing the column or line fixed pattern noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/72Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10Integrated devices
    • H10F39/12Image sensors
    • H10F39/15Charge-coupled device [CCD] image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】フレーム転送方式のCCDイメージセンサのライン転送動作において、界面準位によるトラップ電荷が後続ビットにて放出されることにより混色を生じたり、水平転送期間中のトラップにより縦すじが生じる。
【解決手段】3相駆動の垂直CCDシフトレジスタからなる蓄積部でのライン転送動作(時刻t〜t)を、情報電荷が転送電極ST2の下だけに蓄積された状態で終了し、この状態を、1行分の情報電荷のうち奇数列の情報電荷群の水平転送期間Pが完了するまで継続する。また、このとき、転送電極ST1及びST3には通常より低いオフ電圧を印加して、当該転送電極下の基板表面に反転層を形成する。続く、偶数列の情報電荷群の水平転送期間Pの開始から次のライン転送動作の開始までの期間は、蓄積部に保持される情報電荷を転送電極ST2及びST3の下に蓄積する。
【選択図】図4

Description

本発明は、1行の情報電荷の読み出し毎に、垂直CCDシフトレジスタにて1ビットずつ垂直転送を行う固体撮像素子の駆動方法に関し、特に、画質の向上に関する。
フレーム転送方式のCCDイメージセンサは、撮像部及び蓄積部を含んで構成される。撮像部及び蓄積部はそれぞれ、垂直方向に延在して互いに平行に配置された複数の電荷転送チャネル領域と、水平方向に延在して互いに平行に配置された複数の転送電極とを含んで構成された複数の垂直CCDシフトレジスタからなる。当該垂直CCDシフトレジスタの各ビットは、隣接して配置された複数本の転送電極を含み、それら転送電極に印加する電圧によって、情報電荷を蓄積する電位井戸を1つずつ形成する。
撮像部の垂直CCDシフトレジスタの各ビットはそれぞれ撮像素子の画素を構成し、露光期間において被写体からの光を受光し、受光量に応じた情報電荷を生成し電位井戸に蓄積する。露光期間が終了すると、情報電荷はフレーム転送動作により撮像部から蓄積部へ高速に垂直転送される。
蓄積部は、遮光されているので情報電荷を保持することができる。蓄積部は、水平転送部が1行分の情報電荷を出力部へ水平転送し終わる毎に、ライン転送動作を行って情報電荷を水平転送部へ向けて移動させる。
ここで、蓄積部の垂直CCDシフトレジスタの出力端と水平転送部との間に情報電荷を振り分ける機構を備えたCCDイメージセンサの構造が知られている。当該振り分け機構を設けることにより、蓄積部の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の情報電荷を、奇数列の情報電荷群と偶数列の情報電荷群とに分けて、水平転送部へ転送することができる。この構成では、水平転送部を構成する水平CCDシフトレジスタは、奇数列の情報電荷群及び偶数列の情報電荷群について別々に水平転送動作を行い、1行分の情報電荷の水平転送動作を完了する。図6は、この振り分け機構を有する従来のフレーム転送方式のCCDイメージセンサの駆動方法を説明するタイミング図であり、蓄積部及び水平転送部を駆動する各クロック信号の波形を示している。また、図7は、図6に示す各時刻における転送電極下のチャネル電位を示す模式図である。図7において、下向きがチャネル電位の正の向きであり、電荷転送チャネルに沿ったポテンシャルの深さの変化を実線で表しており、実線が下に窪んだ部分が電子からなる情報電荷を蓄積可能な電位井戸となる。ここで示す蓄積部の垂直CCDシフトレジスタは、3相クロック信号φ〜φを用いた3相駆動であり、各ビットに3本の転送電極ST1〜ST3が配置される。転送電極ST1〜ST3は電荷転送方向に沿って順番に並び、STiにクロック信号φ(i=1〜3)が印加される。φが所定の高電圧Vであるとき、転送電極STiの下には電位井戸が形成され、情報電荷の蓄積が可能となり、一方、所定の低電圧Vであるとき、転送電極STiの下には電位井戸間を仕切る電位障壁が形成される。クロック信号φは、水平CCDシフトレジスタを駆動するクロック信号である。φにもφと同様、所定の高電圧状態及び低電圧状態があり、それらが周期的に切り替わることで、情報電荷の水平転送が実現される。
期間Pではライン転送動作が行われ、撮像部の垂直CCDシフトレジスタの各ビットの転送電極ST2及びST3の下に形成された電位井戸が次のビットの転送電極ST2及びST3の下に移動される。期間Pに対応する各時刻t〜tでの電位井戸の様子を図7に表している。この電位井戸の移動と共に、情報電荷も垂直CCDシフトレジスタ内を1ビット移動する。
ライン転送動作に引き続き、期間Pにて水平転送動作が行われる。水平転送動作では、まず、奇数列情報電荷群を水平CCDシフトレジスタに読み出す動作が行われ、その後、当該奇数列情報電荷群は期間Pにて連続発生されるφのクロック列により出力部に転送される。さらに水平転送動作の期間Pでは、偶数列情報電荷群を水平CCDシフトレジスタに読み出す動作が行われ、当該偶数列情報電荷群は期間Pにて連続発生されるφのクロック列により出力部に転送される。このようにして、1行分の水平転送動作が完了すると、期間Pにて次のライン転送が行われる。
この水平転送動作を行う期間Pの全体又は少なくとも期間P及びPにおいては、蓄積部の垂直CCDシフトレジスタの各ビットに保持される情報電荷は、ライン転送での移動先である2つの転送電極ST2及びST3の下の電位井戸に存在する。すなわち、従来は、蓄積部の垂直CCDシフトレジスタの各ビットの情報電荷は、先行するライン転送動作期間Pの終了から次のライン転送動作期間Pの開始まで、基本的に、時刻tでの移動先の転送電極ST2及びST3の下に保持される。
特開2006−073988号公報
埋込チャネルのCCDシフトレジスタでは、情報電荷を基板表面近くまで蓄積すると、界面準位により情報電荷がトラップされ、転送効率が低下し得る。ここで、界面準位の密度は基板面内で一様ではないため、一般に、蓄積部の垂直CCDシフトレジスタ相互間に転送効率のばらつきが生じる。その転送効率の差異は、撮影された画像にて縦すじとして現れ、画質劣化の要因となる。
トラップされる電荷量は、情報電荷を基板表面近くまで蓄積した状態の持続時間に応じて増加し得る。上述の蓄積部の動作においては、水平転送期間での情報電荷の保持動作が、ライン転送動作の各過程に比べて長時間であるため、この保持動作でのトラップの発生を抑制することが縦すじの軽減に有効である。
ちなみに、デジタルカメラ等の撮像装置では、静止画は固体撮像素子の画素数に応じた高精細の画質で撮影し、動画は画素数を間引いてフレームレートを確保することが行われる。行を間引かずに読み出す静止画撮影はライン転送動作及び保持動作の繰り返し回数が動画撮影より多くなり得、当該動作の繰り返し毎の転送効率の累積により、縦すじが動画撮影時より顕著となり得る。その一方で、静止画撮影は動画撮影より高画質が要求されるため、縦すじを好適に抑制することが必要とされる。
さて、所定深さの電位井戸に情報電荷を蓄積する場合、情報電荷は、電位井戸の面積が小さいほど基板表面に近づきやすく、逆に面積が大きいほど基板表面と距離を保つことが容易である。以上のような点から、静止画における縦すじを好適に抑制する上で上述の従来の駆動方法、すなわち、蓄積部の3相駆動の垂直CCDシフトレジスタにおいて、水平転送期間にて情報電荷を保持する電位井戸を、1相分の転送電極下だけでなく、2相分の転送電極下に形成する駆動方法は有効である。
このように従来の駆動方法は、水平転送期間での情報電荷の保持動作にて2つの転送電極下に情報電荷を保持してトラップを抑制する。しかし、ライン転送動作の途中では、図7の時刻t,t,tのように1つの相の転送電極下だけに情報電荷が蓄積される期間が短時間ではあるが存在し、当該期間にて情報電荷のトラップが起こり得る。そして、或るビットの転送電極下にトラップされた電荷は、ライン転送によって次の情報電荷が当該転送電極下に移動してきた際に放出され混入し、画質劣化の原因となるという問題があった。例えば、撮像部において垂直方向に並ぶ画素に互いに異なる色のカラーフィルタを配置した構成では、上記トラップ電荷の混入は混色という現象を生じ、これは表示画面にて色バランスの崩れとして観察される。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、縦すじを抑制しつつ、垂直方向に隣接する画素間の情報電荷へのトラップ電荷の混入を抑制して、混色等の不具合を回避し、画質の向上が図られる固体撮像素子の駆動方法を提供することを目的とする。
本発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、行列配置された受光画素にて発生した情報電荷を列方向に垂直転送するn相駆動(nは3以上の自然数である)可能な複数の垂直CCDシフトレジスタと、前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される前記情報電荷を行方向に水平転送する水平CCDシフトレジスタとを有する固体撮像素子を駆動する駆動方法であって、前記各垂直CCDシフトレジスタにて前記情報電荷を1ビットずつ移動させることにより、前記情報電荷を1行ずつ垂直転送するライン転送動作と、前記ライン転送動作により前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の前記情報電荷を、前記水平CCDシフトレジスタにより水平転送する水平転送動作と、前記水平転送動作を行う期間において、前記垂直CCDシフトレジスタ上の前記情報電荷を現在位置しているビットに保持する情報電荷保持動作と、を有し、前記情報電荷保持動作が、直近に行われた前記ライン転送動作の期間に続いて始まり前記水平転送動作の途中までの第1期間において、前記垂直CCDシフトレジスタのビット毎に配置された一組の転送電極のうちm本の転送電極下に前記情報電荷を蓄積する第1蓄積動作と、前記第1期間後に始まり次の前記ライン転送動作の期間の開始までの第2期間にて、前記一組の転送電極のうち、前記m本より多いm本の下に前記情報電荷を蓄積する第2蓄積動作と、を有する方法である。
他の本発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、前記ライン転送動作により前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の前記情報電荷を第1乃至第k(kは2以上の自然数である)の情報電荷群に分割して当該情報電荷群毎に順次、前記水平CCDシフトレジスタへ転送する振り分け転送機構を有する固体撮像素子を駆動する際の上記駆動方法であって、前記水平転送動作が、前記第1乃至第kの情報電荷群それぞれを水平転送する第1乃至第kの群別水平転送動作を順次行い、前記情報電荷保持動作が、前記群別水平転送動作相互のk−1個の間隔のいずれかに同期して、前記第1蓄積動作から前記第2蓄積動作への切り換えを行う。
上記駆動方法において、前記第1期間の長さは、前記垂直CCDシフトレジスタのチャネルを構成する半導体基板の界面準位がトラップした電荷を放出する過程の時定数に応じて設定することが好適である。
また、前記ライン転送動作により前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の前記情報電荷を、奇数列に対応する情報電荷群と偶数列に対応する情報電荷群とに分割して当該情報電荷群を順次、前記水平CCDシフトレジスタへ転送する振り分け転送機構を有する固体撮像素子を駆動する際の上記駆動方法は、前記水平転送動作が、前記奇数列の情報電荷群を水平転送する奇数列水平転送動作と前記偶数列の情報電荷群を水平転送する偶数列水平転送動作とを順次行い、前記情報電荷保持動作が、前記奇数列水平転送動作と前記偶数列水平転送動作との間隔に同期して前記第1蓄積動作から前記第2蓄積動作への切り換えを行うように構成することができる。
上記駆動方法は、前記垂直CCDシフトレジスタが3相駆動可能である固体撮像素子に適用する際に、前記第1蓄積動作が、前記3相駆動のうちの1つの相に対応する前記転送電極の下に前記情報電荷を蓄積し、前記第2蓄積動作が、前記3相駆動のうちの2つの相に対応する前記転送電極の下に前記情報電荷を蓄積するように構成することができる。
別の本発明に係る固体撮像素子の駆動方法は、前記第1蓄積動作にて、前記各ビットに蓄積される前記情報電荷に対する電位障壁を形成する前記転送電極に、前記ライン転送動作における転送クロックのオフ電圧より低い第1蓄積動作時オフ電圧を印加する方法である。前記第1蓄積動作時オフ電圧は、前記転送電極下の半導体表面に反転層を形成するピンニング電圧に応じた値とすることができる。
本発明によれば、ライン転送動作後の垂直CCDシフトレジスタでの情報電荷の保持動作を、水平転送期間の途中までの期間(第1期間)は狭い電位井戸に情報電荷を蓄積し、その後の期間(第2期間)は広い電位井戸に情報電荷を蓄積する動作とする。トラップ電荷の放出はトラップされてからの時間と共に低減することが期待できる。そこで、ライン転送動作の途中でのトラップ電荷が放出され易い第1期間にて、電位井戸を狭くすることで、トラップ電荷のうち電位井戸に対応する転送電極下にて放出される分が少なくなり、当該対応転送電極下から電位井戸に直接、流れ込むトラップ電荷量が抑制され、混色の低減が図られる。一方、第1期間より後の第2期間にて電位井戸を広げて、情報電荷を基板表面から遠ざけることで、保持動作での電位井戸からトラップされる情報電荷量を抑制すると共に、第1期間にて既に当該電位井戸からトラップされた情報電荷を元の電位井戸に放出させることができる。これにより、保持動作でのトラップの発生が抑制され、縦すじの軽減が図られる。
また、第1期間において、情報電荷を蓄積する電位井戸に隣接する電位障壁を形成する転送電極に、ライン転送動作における転送クロックのオフ電圧より低い第1蓄積動作時オフ電圧を印加することで、当該転送電極下にて情報電荷とは反対極性であるホールの発生を促し、ライン転送動作で生じたトラップ電荷と当該ホールとの再結合を促進させる。これにより、当該転送電極下にてトラップ電荷が放出され隣接する電位井戸に流れ込むことが抑制され、混色の低減が図られる。
以下、本発明の実施の形態(以下実施形態という)について、図面に基づいて説明する。
図1は、実施形態である撮像装置の概略の構成を示すブロック図である。この撮像装置は、イメージセンサ10及び駆動回路12を含み、イメージセンサ10から画像信号を出力する。
イメージセンサ10は、フレーム転送方式のCCDイメージセンサであり、半導体基板表面に形成された撮像部10i、蓄積部10s、水平転送部10h、出力部10d及び振り分け部10tを備える。
撮像部10i及び蓄積部10sは互いに列方向に互いの電荷転送チャネルが連続した垂直CCDシフトレジスタからなり、撮像部10i及び蓄積部10sにはそれら垂直CCDシフトレジスタが行方向(画像上の水平方向)に複数配列される。これら垂直CCDシフトレジスタは転送電極として、基板上に行方向に渡され、かつ列方向に複数本並列に配列されたゲート電極を備える。撮像部10iの垂直CCDシフトレジスタの各ビットは受光画素を構成し、入射光に応じて信号電荷を発生し蓄積する。蓄積部10sは遮光膜で覆われ、光の入射による電荷発生を防止されるので、フレーム転送された撮像部10iからの信号電荷を基本的にそのまま保持することができる。
振り分け部10tは蓄積部10sの出力端と水平転送部10hとの間に位置し、蓄積部10sの各垂直CCDシフトレジスタから延長される電荷転送チャネルと、蓄積部10sとは独立に駆動可能な転送電極である複数本のトランスファゲート電極(TG電極)とから構成される。振り分け部10tは情報電荷の振り分け機構であり、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタ群から出力される1行分の情報電荷を、奇数列の情報電荷群と偶数列の情報電荷群とに分けて、水平転送部10hへ転送する。
水平転送部10hはCCDシフトレジスタからなり、その各ビットは振り分け部10tの各電荷転送チャネルの出力端に接続される。
出力部10dは、電気的に独立した容量及びその電位変化を取り出すアンプからなり、水平転送部10hから出力される信号電荷を1ビット単位で容量に受けて電圧値に変換し、時系列の画像信号Y0(t)として出力する。
駆動回路12は、各種クロック信号や電圧信号を生成してイメージセンサ10を駆動する。撮像部10iの垂直CCDシフトレジスタの転送電極には複数相の転送クロックφ、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタの転送電極には複数相の転送クロックφが駆動回路12から供給され、これら転送クロックにより、撮像部10i及び蓄積部10sにおける情報電荷の蓄積、転送が制御される。また、駆動回路12は、TG電極を駆動するクロックφTG、水平転送部10hを駆動するクロックφ、出力部10dのリセットゲートを駆動するクロックφ、n型半導体基板に印加される基板電圧Vsubなどを生成する。
本イメージセンサ10の垂直CCDシフトレジスタの各ビットには、それぞれ3本の転送電極が配置される。撮像部10iにはカラーフィルタアレイが配置され、撮像部10iの垂直CCDシフトレジスタの各ビットは、それぞれ特定の一色のカラーフィルタを配置された受光画素を構成する。例えば、撮像部10iは、ベイヤー配列のカラーフィルタアレイを配置され、色感度特性の異なる2種類の受光画素が列方向に交互に配置される。
この撮像部10iにおいて、動画撮影やプレビューでの画素圧縮した撮影を可能とするために、例えば、各垂直CCDシフトレジスタの連続する3ビット毎の9本の転送電極が互いに独立に駆動可能に構成される。静止画撮影では、各ビットの3本の転送電極それぞれを別相とした3相駆動である標準的な駆動が行われる。一方、動画撮影及びプレビューでは、撮像部10iの列方向に連続する3画素ずつで信号電荷の加算合成処理を行ってからフレーム転送を行う画素圧縮駆動が行われる。例えば、3画素のうち中央の画素を間引いて、その両側の互いに同じ色の画素の信号電荷を加算する画素加算処理が行われる。この画素加算処理は、具体的には、まず3画素のうち中央の画素の3本の転送電極にオフ電圧を印加することで、当該画素に蓄積された信号電荷を比較的高い正の基板電圧Vsubを印加した基板へ移動させて排出し、その後、当該画素の両側の2画素に蓄積される信号電荷を合成する。画素圧縮動作では、このように3画素を単位とした加算合成処理を行った後、撮像部10i,蓄積部10sの各ビットの3本の転送電極を同相とした3相駆動を行う。この画素圧縮駆動により、静止画撮影に比べて実質的な垂直方向の画素数を1/3に圧縮することができ、例えば、標準的な駆動時と同じクロック周波数で3倍高速のフレーム転送が実現され、またライン転送の回数が1/3に低減される。
縦すじ及び混色を抑制し画質向上を図る本発明の駆動方法は、静止画撮影、動画撮影及びプレビューを問わず適用することができるが、静止画撮影では、ライン転送回数が多いために画質がより劣化し易い反面、一層の高画質を要求される点で特に本発明が有効である。そこで、以下、静止画撮影時における本発明の駆動方法を具体的に説明する。
撮像部10iの受光画素は露光期間中の入射光に応じて信号電荷を発生し蓄積する。設定された露光期間が経過すると、駆動回路12は、3相クロックφ,φにより撮像部10i及び蓄積部10sそれぞれの垂直CCDシフトレジスタを駆動し、撮像部10iから蓄積部10sへ情報電荷をフレーム転送する。そして、駆動回路12は、蓄積部10sに転送された1画面分の信号電荷を、ライン転送動作及び水平転送動作を繰り返すことにより1行ずつ読み出して、画像信号に変換する。この駆動回路12による駆動のうち、従来の駆動方法との主たる相違点は、フレーム転送後における蓄積部10sにおけるライン転送動作にあり、以下、この点を詳述する。
図2は、イメージセンサ10の蓄積部10s、振り分け部10t及び水平転送部10hの概略の構造示す平面図である。蓄積部10sの各垂直CCDシフトレジスタの列方向に延伸するチャネル領域20が、相互間をチャネルストップ領域22により分離される。蓄積部10sの各ビットには3本の転送電極ST1〜ST3が配置される。転送電極ST1〜ST3は電荷転送方向に沿って順番に並び、駆動回路12からSTiにクロック信号φSi(i=1〜3)が印加される。
振り分け部10tには、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタの最終ビットの転送電極ST3に隣接配置された転送電極ST1と、4本のTG電極TG1〜TG4とが配置される。TG1及びTG2は、列方向の互いの位置が列毎に交互に逆転する蛇行した形状を有する。振り分け部10tに配置された前記転送電極ST1とTG1及びTG2の対との間にはTG4が配置され、水平転送部10hとTG1及びTG2の対との間にはTG3が配置される。これらTG3及びTG4はそれぞれ行方向に延びる直線形状に構成される。奇数列のチャネル領域20上では、TG1はTG4とTG2との間の領域のチャネル電位を制御し、TG2はTG1とTG3との間の領域のチャネル電位を制御する。一方、偶数列のチャネル領域20上では、TG2はTG4とTG1との間の領域のチャネル電位を制御し、TG1はTG2とTG3との間の領域のチャネル電位を制御する。TG電極TGiは駆動回路12からクロック信号φTGi(i=1〜4)を印加される。
水平転送部10hを構成する水平CCDシフトレジスタは、チャネル領域24及び水平転送電極26-1,26-2から構成される。チャネル領域24は振り分け部10t側においてチャネル領域20及びチャネルストップ領域22に接し、反対側の境界はチャネルストップ領域28に接する。水平転送電極26-1は、TG3とチャネルストップ領域28との間に設けられ、チャネル領域24のうち各チャネル領域20につながる部分に配置される。水平転送電極26-2は、2つの水平転送電極26-1の間のチャネル領域24上を覆うように配置される。水平CCDシフトレジスタは2相駆動であり、水平転送電極26-1に対応するチャネル領域24が情報電荷を蓄積するストレージ領域を構成し、水平転送電極26-2に対応するチャネル領域24は、不純物を注入してチャネル電位をストレージ領域より浅くしたバリア領域を構成する。互いに隣接する水平転送電極26-1,26-2からなる各電極対は互いに電気的に接続され、奇数列のチャネル領域20に対応する位置の電極対HS1には水平転送クロックφH1が印加され、偶数列のチャネル領域20に対応する位置の電極対HS2には水平転送クロックφH2が印加される。
図3は、蓄積部10sにフレーム転送された情報電荷を水平転送部10hへ読み出す動作のタイミング図であり、蓄積部10s、振り分け部10t及び水平転送部10hを駆動する各クロック信号の波形を示している。また、図4、図5は、図3に示す各時刻での各転送電極下のチャネル電位を示す模式図である。図4は奇数列の電荷転送チャネルについて、また図5は偶数列の電荷転送チャネルについての図である。図4、図5それぞれの最上部には、電荷転送チャネルに沿った転送電極の配列を、図において電荷転送方向を右向きに取って示し、その下に、各転送電極下でのチャネル電位を、時系列に従って縦方向に並べて示している。チャネル電位は図7と同様、下向きを正の向きとして表しており、電荷転送チャネルに沿ったチャネル電位の深さの変化を実線で表しており、実線が下に窪んだ部分が電子からなる情報電荷を蓄積可能な電位井戸となる。また、電位井戸に蓄積される情報電荷を斜線又は網掛けパターンで示している。
駆動回路12は、クロック信号φSi(i=1〜3)に関して、オン電圧V及び2種類のオフ電圧VL1,VL2を生成し、タイミングに応じてV,VL1,VL2のいずれかをφSiとして出力する。ここで、オン電圧Vは所定の正電圧であり、当該電圧を印加された転送電極の下のチャネル電位は深くなり、当該転送電極下には、電子からなる情報電荷を蓄積可能な電位井戸が形成される。2種類のオフ電圧VL1,VL2は、V>VL1>VL2なる大小関係を有する。フレーム転送動作やライン転送動作におけるオフ電圧はVL1に設定される。一方、所定の負電圧に設定されるVL2は、後述するように水平転送動作中における蓄積部10sでの情報電荷の保持動作において利用される。例えば、VL2はピンニング電圧のように、これを印加した転送電極下の基板表面に、ホールが蓄積した反転層が形成される電圧に設定される。
駆動回路12は、クロック信号φTGi(i=1〜4)に関して、オン電圧V及びオフ電圧VL1を生成し、タイミングに応じてV,VL1のいずれかをφTGiとして出力する。また、駆動回路12は、クロック信号φHi(i=1,2)に関して、オン電圧VHH及びオフ電圧VHL(VHH>VHL)を生成し、タイミングに応じてVHH,VHLのいずれかをφHiとして出力する。なお、Vを印加したときのSTi及びTGi下のチャネル領域20でのチャネル電位と、VHHを印加したときのHSiのストレージ領域でのチャネル電位とは必ずしも同じでなくてもよく、またVL1を印加したときのSTi及びTGi下のチャネル電位と、VHLを印加したときのHSiのストレージ領域でのチャネル電位とは必ずしも同じでなくてもよいが、便宜上、図4及び図5では、垂直転送に係るチャネル領域20及び水平転送部10hのストレージ領域それぞれのオン電圧印加時のチャネル電位が互いに同じであり、またオフ電圧印加時のチャネル電位が互いに同じとして表している。
時刻tにおいて、イメージセンサ10の各部は、フレーム転送動作直後の状態又は先行する水平転送動作が完了した状態にある。この状態では、蓄積部10sに保持される情報電荷は転送電極ST2及びST3の下に形成される電位井戸に蓄積される。この状態に引き続いて、ライン転送動作が行われる。図3〜図5における時刻tから時刻tまでの間に、ライン転送動作が行われ、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタの各ビットに保持された情報電荷が1ビットずつ水平転送部10hへ向けて移動する。この動作を詳細に説明する。時刻tにて或るビットのST2及びST3の下に蓄積されていた情報電荷は、φS2がオン電圧Vからオフ電圧VL1へ遷移し(時刻t)、さらにφS1がVL1からVへ遷移することにより(時刻t)、ST3の下だけに蓄積される状態(時刻t)を経由して、ST3及び次のビットのST1の下に形成される電位井戸へ移動する(時刻t)。同様に、φS3がVL1へ遷移し(時刻t)、さらにφS2がVL1からVへ遷移することにより(時刻t)、情報電荷は、時刻tにおけるST3及びST1の下に蓄積された状態から、一旦、ST1の下だけに蓄積される状態(時刻t)を経由して、次のビットのST1及びST2の下に形成される電位井戸へ移動する(時刻t)。
本駆動方法では、情報電荷をST1及びST2の下に蓄積した情報電荷を、次にST2だけの下に集め(時刻t)、この状態でライン転送動作を終え、水平転送動作を開始する。つまり、ライン転送動作は、或るビットのST2及びST3の下に保持されていた情報電荷を、次のビットのST2の下だけに形成される電位井戸へ移動する。これにより、水平転送動作の開始に際して、蓄積部10sは従来より狭い電位井戸に情報電荷を保持する。これに対して、従来の駆動方法は、情報電荷をST1及びST2の下に蓄積した情報電荷を、ST2だけの下に蓄積される状態を経由して、ST2及びST3の下に形成される電位井戸へ移動した段階でライン転送動作を終える。つまり、従来のライン転送動作は、或るビットのST2及びST3の下に保持されていた情報電荷を、次のビットのST2及びST3の下に形成される電位井戸へ移動し、この電位井戸に情報電荷を保持した状態で水平転送動作を開始する。ここに、本駆動方法と従来の駆動方法との一つの相違点がある。
なお、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタの出力端のビットに保持されていた情報電荷40,42は、上記ライン転送動作により、振り分け部10tに移動する。
ここでいう水平転送動作は、振り分け部10tが奇数列の情報電荷と偶数列の情報電荷とを振り分けて水平CCDシフトレジスタへ出力する動作(振り分け動作)と、振り分け出力された情報電荷を水平CCDシフトレジスタにより水平転送する動作(狭義の水平転送動作)とからなる。具体的には、ライン転送動作後、駆動回路12は、水平転送動作として、奇数列の情報電荷40を振り分け部10tから水平CCDシフトレジスタへ転送する奇数列振り分け転送動作(時刻t〜t12)、水平CCDシフトレジスタを駆動して奇数列情報電荷40を水平転送する奇数列水平転送動作(期間P)、偶数列の情報電荷42を振り分け部10tから水平CCDシフトレジスタへ転送する偶数列振り分け転送動作(時刻t13〜t17)、及び水平CCDシフトレジスタを駆動して偶数列情報電荷42を水平転送する偶数列水平転送動作(期間P)を順次実行する。
水平転送動作の期間、蓄積部10sの各ビットに保持される情報電荷は、上述のように、ライン転送動作の終了時には、単一の転送電極ST2の下だけに蓄積されるが、所定時間経過後、駆動回路12はφS3をVへ遷移させ、次のライン転送動作の開始まで、ST2及びST3の下に形成される電位井戸に情報電荷を蓄積する。すなわち、駆動回路12は、ライン転送動作の終了から水平転送動作の途中までの第1の期間において、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタのビット毎に配置された一組の転送電極のうちの1本の転送電極下に情報電荷を蓄積する第1の蓄積動作と、前記第1の期間後に始まり次のライン転送動作の開始までの第2の期間にて、前記一組の転送電極のうち、前記第1蓄積動作時より多い2本の下に情報電荷を蓄積する第2の蓄積動作とを切り替える。
既に述べたように、ライン転送動作の途中の電位井戸が狭くなるタイミングでは、情報電荷が基板表面近くまで蓄積され、界面準位にトラップされ易くなる。そして、界面準位は、ライン転送動作において先行して通過するビットの情報電荷をトラップし、後続ビットの電位井戸へ放出することにより、混色の問題が発生し得る。第1蓄積動作は、当該問題の軽減を図るものであり、情報電荷を蓄積する電位井戸を狭く形成することで、当該電位井戸に対応する転送電極下にて放出されるトラップ電荷の減少を図り、混色を抑制する。従って、第1蓄積動作を行う第1期間PS1は、ライン転送後においてトラップ電荷が放出され易い期間より長く設定することが好適である。一方、第2蓄積動作にて、電位井戸を広げて情報電荷を基板表面から遠ざけることで、第1蓄積動作にてトラップされる情報電荷量を抑制すると共に、第1蓄積動作にて既にトラップされた情報電荷を元の電位井戸に放出させることができる。これにより、水平転送動作の間、蓄積部10sにて情報電荷を保持する動作において、トラップの発生が抑制され、縦すじの軽減が図られる。従って、第2蓄積動作を行う第2期間PS2の長さも確保することが必要であり、第1期間PS1はこの点も考慮して定めることが望ましい。
本実施形態の駆動方法では、上述の点に加えて、奇数列水平転送動作又は偶数列水平転送動作の途中にてφの状態を切り替えた場合、水平転送により読み出し中の画像信号にノイズが混入し易いことに配慮して、第1蓄積動作と第2蓄積動作との切り替えタイミングを定めている。具体的には、駆動回路12は、奇数列水平転送動作の期間Pと偶数列水平転送動作の期間Pとの間のタイミングにて、第1蓄積動作から第2蓄積動作への切り替えを行う。例えば、この切り換えは、偶数列振り分け転送動作の開始に同期して行うことができ、駆動回路12は、ライン転送動作の終了から偶数列振り分け動作の開始までを第1期間PS1、偶数列振り分け動作の開始から次のライン転送動作の開始までを第2期間PS2として、蓄積部10sでの情報電荷の保持動作を制御する。この場合、駆動回路12は、ライン転送動作の終了時におけるクロックφS2のみがオン電圧Vで、残るφS1及びφS3がオフ電圧である状態を、時刻t13とt14との間にてφTG1及びφTG3をオン電圧とするタイミングまで維持し、当該タイミングにて、φS3をオン電圧Vに切り替える。
ここで、第1期間PS1では、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタの各ビットの転送電極ST2はその下に電位井戸を形成し、ST1及びST3はその電位井戸の両側に電位障壁を形成する。この電位障壁を形成するためにST1及びST3に印加するφS1及びφS3のオフ電圧は、上述の2種類のオフ電圧のうちVL1とすることもできるが、本実施形態ではより低いVL2に設定している。VL2を印加されたST1及びST3下の基板表面にはホールが集まり、ライン転送動作で生じたトラップ電荷とホールとの再結合が促進される。これにより、転送電極ST1及びST3の下でのトラップ電荷の放出が抑制され、ひいては界面準位から放出されて隣接するST2の下の電位井戸に流れ込む電荷量が抑制されるので、混色の低減が図られる。
以上、静止画撮影でのイメージセンサ10の駆動方法についての実施形態を説明したが、既に述べたように本発明は動画撮影やプレビューでの駆動に適用することもできる。この場合、上述したように駆動回路12は、蓄積部10sの垂直CCDシフトレジスタが9本の転送電極毎に電位井戸を1つ形成し、当該電位井戸を3相駆動で移動させる。この駆動方法では、例えば、第1蓄積動作は、転送クロックの1相分に相当する連続配置される3本の転送電極にオン電圧を印加し、それにより形成される電位井戸に情報電荷を保持し、一方、第2蓄積動作は、転送クロックの2相分に相当する連続配置される6本の転送電極にオン電圧を印加し、それにより形成される電位井戸に情報電荷を保持することで、上述の静止画撮影におけると同様に、混色及び縦すじの抑制が図られる。
また、本発明は、1行分の情報電荷を3つ以上の情報電荷群に分割して水平CCDシフトレジスタへ読み出すことができるCCDイメージセンサの駆動方法にも適用することができる。例えば、1行の情報電荷を3つの情報電荷群に分割して読み出すCCDイメージセンサの駆動において、駆動回路は、1行分の水平転送動作を第1〜第3の群別水平転送動作に分けて順次行うことができる。この駆動において、第1蓄積動作と第2蓄積動作との切り換えを、第1群別水平転送動作と第2群別水平転送動作との間隔、又は第2群別水平転送動作と第3群別水平転送動作との間隔に行うようにすることができる。3つ以上の群別水平転送動作相互間のどの間隔で切り換えを行うかは、界面準位がライン転送動作の途中でトラップした電荷を放出する過程の時定数に応じて定めることができる。すなわち、ライン転送後におけるトラップ電荷が放出され易い期間は当該時定数に応じて定まり、この放出されやすい期間より後に直近に到来する群別水平転送動作の間隔にて第1期間PS1を終了するように構成することができる。
また、本発明の駆動方法は、3相駆動の垂直CCDシフトレジスタを有するイメージセンサだけでなく、4相駆動以上の垂直CCDシフトレジスタを有するイメージセンサにも適用することができる。また、インターライン方式のCCDイメージセンサは、フォトダイオードで生じた情報電荷を、隣接する垂直CCDシフトレジスタに読み出して、当該垂直CCDシフトレジスタを1行分の水平転送動作毎に1ビットずつ駆動する。このインターライン方式のイメージセンサにおける垂直CCDシフトレジスタの動作は、フレーム転送方式のCCDイメージセンサにおける蓄積部10sに類似しており、本発明を適用して、混色や縦すじを抑制して画質の向上を図ることができる。
本発明の実施形態である撮像装置の概略の構成を示すブロック図である。 イメージセンサの蓄積部、振り分け部及び水平転送部の概略の構造示す平面図である。 蓄積部にフレーム転送された情報電荷を水平転送部へ読み出す動作における各クロック信号の波形を示すタイミング図である。 奇数列の電荷転送チャネルにおけるチャネル電位の変化を示す模式図である。 偶数列の電荷転送チャネルにおけるチャネル電位の変化を示す模式図である。 振り分け機構を有する従来のフレーム転送方式のCCDイメージセンサの駆動方法における各クロック信号の波形を示すタイミング図である。 従来の駆動方法におけるチャネル電位の変化を示す模式図である。
符号の説明
10 イメージセンサ、10i 撮像部、10s 蓄積部、10h 水平転送部、10d 出力部、10t 振り分け部、12 駆動回路、20,24 チャネル領域、22,28 チャネルストップ領域、26−1,26−2 水平転送電極、40,42 情報電荷。

Claims (7)

  1. 行列配置された受光画素にて発生した情報電荷を列方向に垂直転送するn相駆動(nは3以上の自然数である)可能な複数の垂直CCDシフトレジスタと、前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される前記情報電荷を行方向に水平転送する水平CCDシフトレジスタとを有する固体撮像素子を駆動する駆動方法であって、
    前記各垂直CCDシフトレジスタにて前記情報電荷を1ビットずつ移動させることにより、前記情報電荷を1行ずつ垂直転送するライン転送動作と、
    前記ライン転送動作により前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の前記情報電荷を、前記水平CCDシフトレジスタにより水平転送する水平転送動作と、
    前記水平転送動作を行う期間において、前記垂直CCDシフトレジスタ上の前記情報電荷を現在位置しているビットに保持する情報電荷保持動作と、
    を有し、
    前記情報電荷保持動作は、
    直近に行われた前記ライン転送動作の期間に続いて始まり前記水平転送動作の途中までの第1期間において、前記垂直CCDシフトレジスタのビット毎に配置された一組の転送電極のうちm本の転送電極下に前記情報電荷を蓄積する第1蓄積動作と、
    前記第1期間後に始まり次の前記ライン転送動作の期間の開始までの第2期間にて、前記一組の転送電極のうち、前記m本より多いm本の下に前記情報電荷を蓄積する第2蓄積動作と、
    を有することを特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
  2. 請求項1に記載され、前記ライン転送動作により前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の前記情報電荷を第1乃至第k(kは2以上の自然数である)の情報電荷群に分割して当該情報電荷群毎に順次、前記水平CCDシフトレジスタへ転送する振り分け転送機構を有する固体撮像素子を駆動する駆動方法において、
    前記水平転送動作は、前記第1乃至第kの情報電荷群それぞれを水平転送する第1乃至第kの群別水平転送動作を順次行い、
    前記情報電荷保持動作は、前記群別水平転送動作相互のk−1個の間隔のいずれかに同期して、前記第1蓄積動作から前記第2蓄積動作への切り換えを行うこと、
    を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
  3. 請求項1又は請求項2に記載された固体撮像素子の駆動方法において、
    前記第1期間の長さは、前記垂直CCDシフトレジスタのチャネルを構成する半導体基板の界面準位がトラップした電荷を放出する過程の時定数に応じて設定されること、を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
  4. 請求項1に記載され、前記ライン転送動作により前記複数の垂直CCDシフトレジスタから出力される1行分の前記情報電荷を、奇数列に対応する情報電荷群と偶数列に対応する情報電荷群とに分割して当該情報電荷群を順次、前記水平CCDシフトレジスタへ転送する振り分け転送機構を有する固体撮像素子を駆動する駆動方法において、
    前記水平転送動作は、前記奇数列の情報電荷群を水平転送する奇数列水平転送動作と前記偶数列の情報電荷群を水平転送する偶数列水平転送動作とを順次行い、
    前記情報電荷保持動作は、前記奇数列水平転送動作と前記偶数列水平転送動作との間隔に同期して前記第1蓄積動作から前記第2蓄積動作への切り換えを行うこと、
    を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
  5. 請求項1から請求項4のいずれか1つに記載された固体撮像素子の駆動方法において、
    前記垂直CCDシフトレジスタは3相駆動可能であり、
    前記第1蓄積動作は、前記3相駆動のうちの1つの相に対応する前記転送電極の下に前記情報電荷を蓄積し、
    前記第2蓄積動作は、前記3相駆動のうちの2つの相に対応する前記転送電極の下に前記情報電荷を蓄積すること、
    を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
  6. 請求項1から請求項5のいずれか1つに記載された固体撮像素子の駆動方法において、
    前記第1蓄積動作にて、前記各ビットに蓄積される前記情報電荷に対する電位障壁を形成する前記転送電極に、前記ライン転送動作における転送クロックのオフ電圧より低い第1蓄積動作時オフ電圧を印加すること、を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
  7. 請求項6に記載された固体撮像素子の駆動方法において、
    前記第1蓄積動作時オフ電圧は、前記転送電極下の半導体表面に反転層を形成するピンニング電圧に応じた値であること、を特徴とする固体撮像素子の駆動方法。
JP2006122071A 2006-04-26 2006-04-26 固体撮像素子の駆動方法 Pending JP2007295365A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006122071A JP2007295365A (ja) 2006-04-26 2006-04-26 固体撮像素子の駆動方法
CNA2007100970510A CN101064791A (zh) 2006-04-26 2007-04-12 固体摄像元件的驱动方法
TW096114369A TW200812382A (en) 2006-04-26 2007-04-24 Method for driving a solid imaging element
US11/790,229 US20070263110A1 (en) 2006-04-26 2007-04-24 Method for driving solid-state image sensor
KR1020070040338A KR100842165B1 (ko) 2006-04-26 2007-04-25 고체 촬상 소자의 구동 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006122071A JP2007295365A (ja) 2006-04-26 2006-04-26 固体撮像素子の駆動方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007295365A true JP2007295365A (ja) 2007-11-08

Family

ID=38684737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006122071A Pending JP2007295365A (ja) 2006-04-26 2006-04-26 固体撮像素子の駆動方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20070263110A1 (ja)
JP (1) JP2007295365A (ja)
KR (1) KR100842165B1 (ja)
CN (1) CN101064791A (ja)
TW (1) TW200812382A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010171812A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Canon Inc 撮像装置及びその制御方法及びプログラム
US8570419B2 (en) 2009-09-30 2013-10-29 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, driving method thereof, and camera
CN105704352A (zh) * 2014-12-12 2016-06-22 Smk株式会社 摄像装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6019295B2 (ja) * 2012-03-05 2016-11-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及びカメラシステム
JP6758946B2 (ja) * 2015-09-09 2020-09-23 キヤノン株式会社 撮像装置及び再生装置
JP6659448B2 (ja) 2016-05-02 2020-03-04 浜松ホトニクス株式会社 距離センサ及び距離センサの駆動方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6153766A (ja) * 1984-08-24 1986-03-17 Hitachi Ltd インタ−ライン型電荷転送撮像素子
JPS63148778A (ja) * 1986-12-11 1988-06-21 Sony Corp 固体撮像素子
JPH04213977A (ja) * 1990-12-12 1992-08-05 Sony Corp 固体撮像装置
JPH04341074A (ja) * 1991-05-17 1992-11-27 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPH0897397A (ja) * 1994-09-27 1996-04-12 Sony Corp 固体撮像装置
KR20000018460A (ko) * 1998-09-02 2000-04-06 오쯔보 히데오 이미지 센서
JP2006073988A (ja) * 2004-08-06 2006-03-16 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像装置及びその制御方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010171812A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Canon Inc 撮像装置及びその制御方法及びプログラム
US8570419B2 (en) 2009-09-30 2013-10-29 Panasonic Corporation Solid-state imaging device, driving method thereof, and camera
CN105704352A (zh) * 2014-12-12 2016-06-22 Smk株式会社 摄像装置
CN105704352B (zh) * 2014-12-12 2019-11-22 Smk株式会社 摄像装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200812382A (en) 2008-03-01
CN101064791A (zh) 2007-10-31
KR100842165B1 (ko) 2008-06-27
US20070263110A1 (en) 2007-11-15
KR20070105880A (ko) 2007-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4428235B2 (ja) 固体撮像素子、固体撮像素子の駆動方法、撮像方法および撮像装置
KR101182973B1 (ko) 고체 촬상 소자, 고체 촬상 소자의 구동 방법 및 촬상 장치
US7002630B1 (en) Method of driving solid-state imaging device, solid-state imaging device and camera
CN101490846B (zh) 多输出电荷耦合器件
JP5496213B2 (ja) ピクセルの垂直ビニングによるイメージセンサ
JPS6115475A (ja) 撮像素子及び撮像装置
KR100842165B1 (ko) 고체 촬상 소자의 구동 방법
JPWO2010092644A1 (ja) 固体撮像装置及びカメラ
JPH0262170A (ja) 固体撮像装置
JPH0834564B2 (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法
JP3922853B2 (ja) 固体撮像装置
JPS5838026B2 (ja) 色彩信号発生装置
JP2006157624A (ja) 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
JP4303950B2 (ja) 電荷転送素子の駆動方法及び固体撮像素子の駆動方法
JP2978018B2 (ja) 固体撮像装置とその駆動方法
JPH0473347B2 (ja)
JP3494723B2 (ja) 固体撮像装置の駆動方法
JP3858376B2 (ja) 固体撮像素子およびその駆動方法
JP2006128600A (ja) 固体撮像装置及びその制御方法
JPS6135750B2 (ja)
JP2009273008A (ja) 撮像装置及び固体撮像素子の駆動方法
JP2007019823A (ja) Ccd型固体撮像装置及びその転送制御方法
JP2005529555A (ja) マルチフォーマット・カメラヘッド
JPH09149425A (ja) 固体撮像素子の駆動方法
JPH0799610A (ja) 固体撮像素子