JP2007502019A - ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ - Google Patents

ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ Download PDF

Info

Publication number
JP2007502019A
JP2007502019A JP2006522918A JP2006522918A JP2007502019A JP 2007502019 A JP2007502019 A JP 2007502019A JP 2006522918 A JP2006522918 A JP 2006522918A JP 2006522918 A JP2006522918 A JP 2006522918A JP 2007502019 A JP2007502019 A JP 2007502019A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mirror
objective lens
lens
mirrors
curved
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006522918A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5036311B2 (ja
JP2007502019A5 (ja
Inventor
マン,ハンス−ユルゲン
エプル,アレキサンダー
フディマ,ラッセル
Original Assignee
カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー filed Critical カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー
Publication of JP2007502019A publication Critical patent/JP2007502019A/ja
Publication of JP2007502019A5 publication Critical patent/JP2007502019A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5036311B2 publication Critical patent/JP5036311B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0836—Catadioptric systems using more than three curved mirrors
    • G02B17/0844—Catadioptric systems using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/08—Catadioptric systems
    • G02B17/0856—Catadioptric systems comprising a refractive element with a reflective surface, the reflection taking place inside the element, e.g. Mangin mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

一例の実施形態によれば、投影対物レンズ(100,200)が提供され、そこには少なくとも2つの非平面(曲面)ミラー(M1〜M4)が含まれており、それにおいて最後から2番目の非平面ミラー(M3)と最後の非平面ミラー(M4)の間における軸距離が、光路(光軸)に沿って定義されるものとするとき、最後の非平面ミラーと、光路内において続くレンズの第1の屈折表面の間における軸距離より大きい。一例の実施形態においては、第1の屈折表面がシングル・パス・タイプのレンズと関連付けされる。本件の対物レンズは、少なくとも約0.80またはそれ以上、たとえば0.95の開口率を伴ってイメージを形成する。好ましくはこの対物レンズは折り返しミラーを含まず、また2つのミラーの間に中間イメージを有してなく、さらには対物レンズの瞳は、オブスキュレーションから解放される。
【選択図】図1

Description

本発明は、投影リソグラフィ等の光学システムに関し、より詳細に述べれば、少なくとも2つのミラー、好ましくは4つのミラーを伴い、かつミラーM3の空間的前方に少なくとも1つのレンズ・エレメントを伴う光学システムに関する。
半導体デバイスの製造においては、特に近年は半導体の回路パターンがますます小さくなっていることから、フォトリソグラフィがしばしば使用される。ウエハ上にマスクまたはレチクルをイメージするために投影光学が使用され、回路パターンがますます小さくなってきていることから、それらのパターンをプリントする露光装置においてより高い分解能の要求が高まっている。この要求を満たすためには、光源の波長をさらに短くしなければならず、光学システム(つまり、投影レンズ)のNA(開口率)を大きくしなければならない。
屈折グループを有する光学システムは、248または193ナノメートルの波長を有する照明源で動作することで満足のいく分解能が達成されている。これらの波長においては、色収差の補正がほとんどまたはまったく不要である。半導体デバイスのエレメントまたはフューチャサイズが小さくなるに従って、光学投影システムの分解能が向上する必要性が増加している。フォトリソグラフィにおいて使用される光学投影システムが分解できるフューチャサイズを小さくするためには、より短い波長の電磁波を使用して、レチクルまたはマスクのイメージを、半導体ウエハ等の感光体基板上に投影しなければならない。
193ナノメートル未満の波長の有意の電磁波を伝達できる屈折光学材料は非常にわずかであるので、光学投影システム内の、193ナノメートル未満の波長で動作する屈折エレメントを最小限に減らし、あるいは排除する必要がある。今日までのところ、満足の行く材料特性(等質性、可用性)を持って、160nmまたはそれより短い波長において色収差補正を可能にする第2の光学材料は知られていない。結局、色収差を考慮するために、単一材料、特にSiO2またはCaF2だけを使用し、本件システム等のカタディオプトリック・イメージング・システムを構成しなければならない。
より小さいフューチャの分解への希望は、200nmより短い極紫外波長において動作する光学投影システムの必要性をもたらした。そのため、光学リソグラフィがより短い波長(たとえば、深紫外(DUV)または超紫外(VUV))に拡張されるに従って、投影システムの要件を満たすことがさらに困難となっている。たとえば、157nmの波長においては、65nmの設計規則へのアクセスが、少なくとも0.80の開口率を伴う投影システムを必要とする。光学リソグラフィが157nmまで拡張されると、レジストやソースに関連する問題、より重要なものとしてフッ化カルシウムに関連する問題が、それらの波長において充分な動作が可能なリソグラフィ・ツールの開発に実質的な遅れをもたらしている。これらのソースや材料に関連する技術的な問題に応答して、1pm台に至るまでのスペクトル幅の最大化と同時に、使用される材料に関連付けされる不完全さを最小にするのに投影システムの開発の研究とその焦点を置くことが重要となっており、言い換えれば、フッ化カルシウム・ブランクのマスを最小化することが望ましいということになる。
カタディオプトリック縮小光学システム(すなわち、反射システムと屈折システムの合成システム)がいくつかの利点を、特にステップ・アンド・スキャン構成において有すること、およびカタディオプトリック・システムが上記の目的を満たす上で特に適している
ことはかなり以前から認識されている。多くの関係者が365nm未満の波長のためのシステムを開発し、あるいは提案している。1つのカタディオプトリック・システムのコンセプトは、ビーム・スプリッタとともに使用してレイ・クリアランスと折れないパスを提供して、並列スキャニングを提供するダイソン‐タイプの構成に関係する(たとえば、特許文献1、特許文献2、特許文献3)。しかしながらこれらのシステムは、深刻な欠点を有しており、開口率の増加に伴ってビーム・スプリッタ・エレメントのサイズが極めて大きくなり、したがって立方体ビーム・スプリッタを作るための満足の行く品質(3次元において)の光学材料を調達することは、特に157nmの波長において、高リスクを伴っている。
立方体ビーム・スプリッタのサイズに関連付けされる困難は、立方体ビーム・スプリッタを、システムの短い共役内、好ましくは設計が許せばレチクルまたはその1×共役の近くに配置することによってより良好に扱うことができる。このビーム・スプリッタの配置は、過剰な努力を伴うことなく、立方体の直線寸法を、いくつかのファクタに応じて最大で50%まで縮めることができる。このタイプのビーム・スプリッタ配置の利点は、ウィルツィンスキ(Wilczynski)に対する特許文献4の中で述べられている。さらにタカハシ(Takahashi)に対する特許文献5は、いくつかの異なる実施態様を提供している。しかしながら基本的なコンセプトはウィルツィンスキ(Wilczynski)におけるものに同一である。
カタディオプトリック・システムから立方体ビーム・スプリッタを完全に取り除くことも可能である。1つのアプローチにおいては、248nmで動作する開口率0.70のグループを使用して軸外れれれ設計が提供される。オオムラ(Omura)ほかに対する特許文献6や特許文献7においては、このアプローチの別の例が開示されており、タカハシ(Takahashi)に対する特許文献8は、さらに別の例を示している。タカハシ(Takahashi)ほかは、特許文献9においてビーム・スプリッタの自由設計の類似の例をいくつか提供している。
これらの「立方体のない」実施態様は、共通のテーマ、すなわちカタディオプトリック・グループが単一のミラーだけを含むというテーマを共有している。追加のミラーを使用してパフォーマンスを向上させることはおそらく可能である。しかしながら、複数ミラーを伴う純粋な反射設計は、研究はなされているが、これらの設計が適切に高い開口率を達成できないと立証されたことから概して失敗している(たとえば、特許文献10、特許文献11、特許文献12、特許文献13)。
提案されている別の解決策が特許文献14の中で述べられており、そこでは限定的な軸外れ視野光学システムが開示されている。この参照文献の中に開示されたシステムは、2回の通過のある負のレンズを対物レンズの第1の部分内に含んでいない。さらに、それらの中に開示されている実施態様は、ジオメトリが実際的でなく、かつ超紫外波長領域において改善されたリソグラフィ・パフォーマンスを提供するには開口率が低すぎる。
従来の実践においては、4ミラー・カタディオプトリック構成は、それらの開口率という意味において、システムのミラーに対する屈折レンズ部分の位置に起因して制限される。
特許文献15は、ミラーM3の空間的前方にレンズ・エレメントが位置決めされるシステムを含めた種々の投影光学システムを開示している。しかしながら、この実施態様においては、ミラーM3の前方に位置決めされるレンズ・エレメントがダブル・パス・タイプのレンズ・エレメントになる。ミラーM3とM4の間におけるダブル・パス・レンズ・エレメントの使用は、それらのダブル・パス・レンズをミラーM4に近づけることを必要と
し、したがってマウントを困難にすることから、ダブル・パス・レンズ・エレメントの使用によってシステムが複雑になる。
上記に加えて、この公開された出願に開示されたシステムと本件のシステムの間には、このほかにも多くの相違がある。たとえば、特許文献15の図26は、全体のシステムのもっとも前のミラーともっとも後ろのミラーの間に配置されるシングル・パス・レンズ・エレメントを開示している。残念ながら、このエレメントは直径が非常に大きく、したがって製造が困難である。その種のシングル・パス・レンズ・エレメントは、図23〜28にそれぞれ示されているとおり、種々のミラーの間を伝播するビーム束のラテラル方向の分離を必要として結果的に大径レンズとなることになり、あるいはミラー#1の裏側とミラー#4の裏側の間にそれを物理的に配置しなければならず、その場合にも大径レンズがもたらされるという欠点がある。以下により詳細を説明するが、本件のレンズ・エレメントは、非常に大きい直径を必要としないことから、これらの欠点を持たない。開口絞りの位置について言えば、公開された文献の実施態様(図20〜28に示されているとおり)は、屈折グループGr2の前方に開口絞りを配置し、視野ミラー・グループGrfから開口絞りを引き離している。
シェーンメーカース(Schoenmakers)に対する特許文献11は、複数のミラーが使用される実施態様を開示しており、それにおいては多数のレンズ・エレメントが、光学的にもっとも前のミラーと次に光学的に前のミラーの間に配置される。これら2つのミラーの間のレンズ・エレメントは、すべてシングル・ミラーである。
米国特許第5,537,260号 米国特許第5,742,436号 米国特許第5,805,357号 米国特許第5,052,763号 米国特許第5,808,805号 米国特許第6,195,213号 米国特許第6,362,926号 米国特許第5,835,275号 欧州特許出願EP 1168028号 米国特許第4,685,777号 米国特許第5,323,263号 米国特許第5,515,207号 米国特許第5,815,310号 米国特許第4,469,414号 米国特許出願公開第2002/0024741号
これまでのところ、カタディオプトリック投影システム、特に4ミラー設計の、特に157nmリソグラフィに使用でき、少なくとも0.80の開口率を伴ってイメージを生成し、かつそのほかの望ましいパフォーマンス特性を含むシステムが利用可能になっていない。
多くの実施態様に従った種々のフォトリソグラフィ縮小投影対物レンズを提供する。例示の投影対物レンズは、少なくとも2つの非平面ミラーを含み、最後から2番目の非平面ミラーと最後の非平面ミラーの間における軸距離が、光路(光軸)に沿って定義されるものとするとき、最後の非平面ミラーと、光路内において続くレンズの第1の屈折表面の間
における軸距離より大きい。一実施態様においては、第1の屈折表面がシングル・パス・レンズと関連付けされる。本件の対物レンズは、少なくとも約0.80またはそれより高い、たとえば0.90の開口率を伴ってイメージを形成する。
本発明の1つの側面においては、本件の対物レンズのそれぞれが、2つの部分、すなわちカタディオプトリック部分と屈折部分からなる。本件の設計によれば屈折レンズ部分のそれぞれが前方に動かされ、したがって第3のミラーM3の前方で開始する。これは、少なくとも4つのミラーを含む従来設計と対比をなし、屈折部分を前方に動かすことによって4ミラー構成において高い開口率が達成される。さらに本件システムは、その瞳がオブスキュレーション(obscuration)から解放されるように構成され、その結果として向上したイメージが得られる。
一例の対物レンズは、次に示す特徴の1ないしは複数を含む:すなわち(1)4つの非球面レンズ表面と4つの非球面ミラー面のうちの少なくとも一方;(2)少なくとも4つの非平面ミラー、(3)少なくとも1つの光分散ミラーと少なくとも2つの光集束ミラーである。それに加えて、この対物レンズには折り返しミラーがなく、また2つのミラーの間に中間イメージを有してなく、さらに少なくとも一実施態様においては、最後から2番目のミラーと最後のミラーの間に1つのレンズ・エレメント(シングル・パス・タイプ)しか存在しない。
本発明のこのほかの特徴と利点については、添付図面とともに以下の詳細な説明を読むことによって明らかなものとなろう。
以上の、およびそのほかの本発明の特徴は、次に示す本発明の例示的な実施形態の詳細な説明と図面からより容易に理解されるであろう。
上記の利点を提供するため、および前述した関連技術システムに関する問題点を解決するために、いくつかの異なる実施形態に従ってカタディオプトリック投影システムを提供する。それらのシステムは、従来技術に関連付けされる欠点を克服しつつ、最大で0.80、さらにはそれを超える開口率を達成する。
最初に図1を参照すると、第1の実施形態に従ったカタディオプトリック複数ミラー投影縮小対物レンズ100が例示されている。図1は、システム100の略図的な光学図であり、エレメントの構成を概略的に示す態様でシステム100を例示している。システム100は、複数のミラーと複数のレンズ・エレメントを含み、それらは、明瞭なグループで、ミラーに対して予め決められた位置に配置されている。
ここでの目的から「光学的前方」という表現は、第2のエレメントに先行して第1のエレメントに光線が入射し、したがって第1のエレメントが第2のエレメントの光学的に前となる状態を言う。「光学的背後」という表現は、その逆の状態であり、同じ例を用いるなら、光線が最初に第1のエレメントと出会うことから、第2のエレメントは第1のエレメントの光学的に後ろとなる。「物理的前方」または「空間的前方」および「物理的背後」または「空間的背後」という表現は、光線の光路によらず、基準ポイントのみに関して2つのエレメントの表面の頂点の間における空間的な関係を定義する。
例示の実施形態においては、システム100がレチクル(物体)110を含み、正のレンズ・エレメントを負のレンズ・エレメントより多く含み、より詳細に述べれば、後述するとおり、一例のシステム100は、15のレンズ・エレメントを含み、そのうちの10が正のレンズ・エレメント、5が負のレンズ・エレメントである。
システム100は、レチクル110とウエハ120を含み、周知のとおり、レチクル110を基礎として縮小されたイメージがウエハの上に形成される。システム100の光路に沿って、リースト・イメージ・フォワード・エレメント(least image forward element)から開始し、モースト・イメージ・フォワード・エレメント(most image forward element)で終わる順に見ると、システム100は、レチクル110とミラーM2の間に配置される第1のレンズ・エレメントE1を含む。第1のレンズ・エレメントE1は、正のレンズであり、レチクル110上の1ないしは複数のポイントからの光線がそれを通過してミラーM2に向かう。ミラーM2は、好ましくは曲面ミラー(たとえば球面または非球面ミラー)であり、例示の実施形態においては、ミラーM2が連続反射面を有しておらず、むしろその逆にミラーM2は、ミラーM2によって影響されることなく光線が自由に通過することのできる開口112等が形成された1ないしは複数の領域を有する。1ないしは複数の開口112は、光線が第1のレンズ・エレメントE1を通過する場所と光学的に整列するミラーM2内の場所に形成されている。それに代えてミラーM2を軸外れミラーとして構成し、光線がミラーM2の脇を通過できる軸外れの場所にミラーM2が位置決めされるように配置できることも認識されるであろう。
ミラーM2の光学的かつ物理的背後に、第2および第3のレンズ・エレメント、それぞれE2、E3がある。レンズ・エレメントE2、E3のそれぞれは、負のレンズであり、ミラーM2とミラーM1の間における配置、およびレンズ・エレメントE2、E3の物理的な構成から、レンズ・エレメントE2、E3は、ダブル・パス・レンズとして作用する。より詳細に述べれば、レンズ・エレメントE2、E3は、ミラーM2とミラーM1の間に配置されており、ミラーM2と同様にレンズ・エレメントE2、E3も完全に連続する表面を有してなく、それぞれのレンズ・エレメントには1ないしは複数の開口114が形成されており、光線が、レンズ・エレメントによる影響を伴わずに自由にそれを通過できる。1ないしは複数の開口114は、ミラーM2内に形成された1ないしは複数の開口112と光学的に整列されており、その結果、ミラーM2内の開口または切り欠き112を通過した光線が、ミラーM1の反射面と接触する前に、レンズ・エレメントE2、E3内の開口または切り欠き114を通過する。この場合においても、物理的な開口を設ける代わりに、ミラーM2の脇を通過した光線がレンズ・エレメントE2、E3内を通らずにその脇を通過するようにレンズ・エレメントE2、E3を構成し、配置することが可能である。ミラーM1は、好ましくは曲面ミラー(たとえば球面または非球面ミラー)である。ここで、ミラーM1、M2がともに光集束ミラーであることを認識されよう。
ここで認識することになろうが、光線がミラーM2内に形成された開口112を最初に通過することからミラーM1が光路内における最初のミラーであり、ミラーM1の表面に接触し、それによって反射された後に限りミラーM2の反射面に入射する。ミラーM1によって反射された後の光線は、ミラーM2に向かい、ミラーM2の反射面に入射する前に、まずレンズ・エレメントE2、E3を通過する。前述したとおり、レンズ・エレメントE2、E3は、光線が最初にミラーM1からミラーM2に向かって伝播するときにこれらのレンズ・エレメントの通過があり、次に光線がミラーM2によって、好ましくは曲面ミラー(たとえば球面または非球面ミラー)とするミラーM3に向かって反射されるときに、これらのレンズ・エレメントの2度目の通過があることからダブル・パス・タイプのレンズである。ミラーM3は、光集束タイプのミラーである。
またミラーM1は、1ないしは複数の開口または切り欠き116を含み、ミラーM2からミラーM3の反射面に向かう光線の通過を可能にするように構成されている。図1の例示から認識されるとおり、ミラーM1は、光線を反射する1ないしは複数のアクティブ領域を有するだけでなく、システム100の光路に沿った光線の伝播、たとえば、いずれもミラーM1の光学的背後となるミラーM2からミラーM3に向かう光線の伝播を可能にす
る1ないしは複数の開口または切り欠き116を含む。この場合においてもミラーM1を、ミラーM2からミラーM3へ向かう光線がその脇を通過できるように軸外れミラーとして構成することが可能である。
ミラーM4は、ミラーM3の物理的前方であるが、光学的背後に位置決めされており、その結果、ミラーM3の反射面とミラーM4の反射面が向かい合う。ミラーM4は、好ましくは曲面ミラー(たとえば球面または非球面ミラー)とする。以下に詳細を述べるとおり、レンズ・エレメントに適合するためのミラーM3には開口または切り欠き118が形成されている。ミラーM4は、光分散ミラーである。ミラーM3についても同様に、光線がミラーM4によって反射された後にその脇を通過できるように軸外れミラーとして構成し、設計することが可能である。
本発明の1つの側面によれば、レンズ・エレメント、すなわち第4のレンズ・エレメントE4がミラーM3とミラーM4の間に配置されている。このレンズ・エレメントE4は、ミラーM3の物理的前方であるが、ミラーM3、M4両方の光学的背後となる。レンズ・エレメントE4は、ミラーM3の近傍に位置決めされる負のレンズであり、図1を観察すると認識できるとおり、レンズ・エレメントE4は、光線がシステム100の光路に従って伝播するとき、レンズ・エレメントE4を一度しか通過しないことから、シングル・パス・レンズ・エレメントとして作用する。これは、ミラーM3とM4の間に配置することのできるレンズ・エレメントが、ミラーM4の近くに位置決めされ、その結果、光線がM3の方向に向かって伝播するとき、それを一度通過してM4の反射面に到達した光線がレンズ・エレメントの二度目の通過を行うといった、ダブル・パス・レンズとして作用するほかのレンズ設計とは異なる。
システム100は、ミラーM3内に形成された開口または切り欠き118内に配置される第5のレンズ・エレメントE5を含む。レンズ・エレメントE4、E5は、ミラーM4から反射された光線がレンズ・エレメントE4を通過し、続いてミラーM3内に包含されるレンズ・エレメントE5を通過するように光学軸に沿って配置される。言い換えると、ミラーM3とM4は、ともにレンズ・エレメントE4、E5の光学的前方になる。例示の実施形態においては、レンズ・エレメントE5が正のレンズ・エレメントであり、ミラーM3の1つの面だけでなくミラーM3の反対側の面をも、少なくとも部分的に超えて広がる。
システム100は、ミラーM3とレンズ・エレメントE4、E5の物理的かつ光学的背後となるレンズ・エレメントのグループを有するように設計されている。一例の実施形態によれば、レンズ・エレメントE5の光学的背後に10のレンズ・エレメントが配置されており、より詳細に述べれば、レンズ・エレメントE6〜E15が、光軸に沿って、レンズ・エレメントE5の光学的背後に、かつウエハ120の光学的かつ物理的前方に配置されている。レンズ・エレメントE6〜E8は正のレンズ、レンズ・エレメントE9は負のレンズ、レンズ・エレメントE10〜E12は正のレンズ、レンズ・エレメントE13は負のレンズ、レンズ・エレメントE14、E15は正のレンズである。
図1から認識することになろうが、M4の軸上位置において光路内に中間イメージが生成される。口径食が生じないことを保証するために、ミラーM4が完全にバイパスされるように光路をルーティングし、かつ光線がミラーM3の中心開口(ボア)118内に落ちないことが保証されなければならない。これには大きな偏向角が必要になり、したがって、ミラーM3とM4内の大きな屈折力や、特にミラーM4上における高い入射角が必要になる。
M4の後の大きな光線角度は、主光線が光軸に向かって迅速に収束する効果を有する。
したがって、ダイアフラム位置をミラーM4の近くに引き込むことができる。しかしながら、拡大の色変化の効果的な補正を可能にするためには、アパーチャ・ダイアフラムの前方に屈折力を使用する必要がある。これは、M3の空間的(物理的)前方に屈折部分のレンズを引き込むことによってのみ可能である。
このこと(屈折部分のレンズを空間的前方に引き込む必要性)は、この設計配列の高い開口率の直接的結果と考えられる。言い換えると、図1に例示されているとおりのレンズ・エレメントとミラーの配列は、この種の設計において高い開口率の値の達成を可能にする。たとえば、システム100は、少なくとも約0.80の開口率を有する。
上記に加えてシステム100は、共役開口絞りをミラーM1とミラーM2の間に有するが、開口絞りは、屈折部分として作用するレンズ配列の後ろ部分に配置される。より詳細に述べれば、開口絞りは図1において表示101によって示される(この位置は、空間的かつ光学的にレンズ・エレメントE8の前方になる)。
本件システム100の1つの利点は、瞳のオブスキュレーションがまったく存在しないことである。言い換えると、本件システムには中心オブスキュレーションが存在せず、したがって中心オブスキュレーションに関連付けされる欠点が本件設計から排除される。本件のレンズ・システムでは瞳の中心オブスキュレーションから解放される結果として、システムのパフォーマンスが危険にさらされることがなく、また中心オブスキュレーションの存在は、すべての光線が通過してイメージを形成することを妨げるため、イメージの品質についても同様に危険にさらされ、あるいは減力されることがなくなる。
システム100の光学表面を説明した完全な光学的記述を表1に示す。
次に図2を参照すると、第2の実施形態に従ったカタディオプトリック複数ミラー投影縮小対物レンズ200が例示されている。図2は、システム200の略図的な光学図であり、エレメントの構成を概略的に示す態様でシステム200を例示している。システム200は、複数のミラーと複数のレンズ・エレメントを含み、それらは、明瞭なグループで、ミラーに対してめ決められた位置に配置されている。
例示の実施形態においては、システム200がレチクル(物体)210を含み、正のレンズ・エレメントを負のレンズ・エレメントより多く含み、より詳細に述べれば、後述するとおり、一例のシステム200は、20のレンズ・エレメントを含み、そのうちの13が正のレンズ・エレメント、7が負のレンズ・エレメントである。
システム200は、レチクル210とウエハ220を含み、周知のとおり、レチクル210を基礎として縮小されたイメージがウエハの上に形成される。システム200の光路に沿って、リースト・イメージ・フォワード・エレメントから開始し、モースト・イメージ・フォワード・エレメントで終わる順に見ると、システム200は、レチクル210とミラーM2の間に配置される第1のレンズ・エレメントE1と第2のレンズ・エレメントE2を含む。これらの第1、第2のレンズ・エレメントE1、E2は、正のレンズであり、レチクル210上の1ないしは複数のポイントからの光線がそれらを通過してミラーM2に向かう。ミラーM2は、好ましくは曲面ミラー(たとえば球面または非球面ミラー)であり、例示の実施形態においては、ミラーM2が連続反射面を有してなく、むしろその逆にミラーM2は、ミラーM2によって影響されることなく光線が自由に通過することのできる開口212または切り欠き等が形成された1ないしは複数の領域を有する。1ないしは複数の開口212は、光線が第1、第2のレンズ・エレメントE1、E2を通過する場所と光学的に整列するミラーM2内の場所に形成されており、その結果、光線がE1、E2を通過した後にミラーM2を通過する。前述したとおり、ミラーM2が必ずしもそれ
を通して形成された物理的な開口を有している必要はなく、それに代えて光線がその脇を通ってレンズ・エレメントE1、E2からレンズ・エレメントE3に伝播するように位置決めされる軸外れのミラーとして構成することも可能である。
システム200は、物理的に(空間的に)かつ光学的にミラーM2の背後に配置される第3のレンズ・エレメントE3を含む。ミラーM2内に形成された開口212を通って伝播する光線は、その後に続いてレンズ・エレメントE3を通って伝播する。例示の実施形態においては、第3のレンズ・エレメントE3が負のレンズであり、光線がシステム200の光路に沿って伝播するとき、光線によるこのレンズ・エレメントの通過が明瞭に3回あることからトリプル・パス・レンズとしてフューチャ付けされる。
システム200は、第4と第5のレンズ・エレメント、それぞれE4、E5を含み、それらは空間的かつ光学的にレンズ・エレメントE3の背後にある。例示の実施形態においては、レンズ・エレメントE4、E5が負のレンズである。これらのレンズ・エレメントE4、E5は、ミラーM1と空間的に近接して配置されており、その結果、レンズ・エレメントE3を通過した光線が、ミラーM1の反射面と接触する前にこれらのレンズ・エレメントE4、E5を通過する。ここで認識することになろうが、レンズ・エレメントE4、E5は、光線がシステム200の光路に沿って伝播するとき、通過光線によるこれらのレンズ・エレメントの通過が明瞭に2回あることからダブル・パス・タイプのレンズ・エレメントである。より詳細に述べれば、光線がミラーM1と接触した後、光線がミラーM2に向かって伝播するとき、レンズ・エレメントE4、E5を通って戻る。光線がミラーM2と接触する前に、光線によるレンズ・エレメントE3の2回目の通過があり、その後ミラーM2と接触し、反射された光線は、3回目のレンズ・エレメントE3の通過を行う(この結果としてE3がトリプル・パス・レンズとなる)。好ましくはミラーM2の開口212が、1つの領域の中に形成されており、ミラーM2は、ミラーM1からの光線を反射するための反射ミラー面として作用する別の領域を有する。ミラーM1は光集束ミラーであるが、ミラーM2は光分散ミラーである。これとは別に、ミラーM2を軸外れミラーとし、それを通る物理的な開口212をそこに形成しないことも可能である。
光線が3回目にレンズ・エレメントE3をした後は、光線がミラーM3に向かう。ミラーM3は、ミラーM1、M2と同様に、曲面ミラー(たとえば球面または非球面ミラー)である。例示の実施形態においては、図2に示されているとおり、全体が220として示された、ミラーM2からの光線を受光する軸外れ領域を有するように、ミラーM3は、光軸の外に中心が置かれている。言い換えると、ミラーM3は、同軸で整列されているが、軸外れ領域だけが使用される。
システム200は、空間的にミラーM3の前方となるが、光学的にはその背後となるミラーM4を含む。図示のとおり、ミラーM1およびM4は、互いに対して背合わせに配置されており、それらの間にレンズ・エレメントを含まない。ミラーM3は、光集束ミラーであるが、ミラーM4は光分散ミラーである。
本発明の1つの側面によれば、前述の第1の実施形態と同様に、レンズ・エレメント、すなわち第6のレンズ・エレメントE6がミラーM3とミラーM4の間に配置されており、レンズ・エレメントE6は、ミラーM3の物理的前方となるが、ミラーM3、M4の光学的背後となっている。レンズ・エレメントE6は、正のレンズであり、ミラーM3の近くに位置決めされ、図2を参照するとわかるとおり、このレンズ・エレメントがダブル・パス・レンズ・エレメントとして作用するほかのレンズ設計(たとえば、特許文献15参照)とは対照的に、レンズ・エレメントE6は、システム200の光路に従って光線が伝播するとき、レンズ・エレメントE6を1回だけ通過することからシングル・パス・レンズ・エレメントとして作用する。
レンズ・エレメントE6は、ミラーM3の隣に、ミラーM3が1ないしは複数の開口または切り欠き214を有する領域内に位置決めされており、これは、システム200の光路に従って光線が伝播するとき、光線がレンズ・エレメントE6を通って伝播し、それに続いて1ないしは複数の開口214を通過することを可能にする。言い換えると、レンズ・エレメントE6は、好ましくは少なくとも部分的に開口214を通って広がる。この場合においても、ミラーM3を、光線がミラーM4から光路に沿って伝播することを可能にするべく位置決めされる軸外れミラーとすることが可能である。
システム200は、ミラーM3とレンズ・エレメントE6の物理的かつ光学的背後となるレンズ・エレメントのグループを有するように設計されている。一例の実施形態によれば、レンズ・エレメントE6の光学的背後に14のレンズ・エレメントが配置されており、より詳細に述べれば、レンズ・エレメントE7〜E20が、光軸に沿って、レンズ・エレメントE6の光学的背後に、かつウエハ120の光学的かつ物理的前方に配置されている。レンズ・エレメントE7は負のレンズ、レンズ・エレメントE8、E9は正のレンズ、レンズ・エレメントE10は負のレンズ、レンズ・エレメントE11は正のレンズ、レンズ・エレメントE12は負のレンズ、レンズ・エレメントE13〜E16は正のレンズ、レンズ・エレメントE17は負のレンズ、レンズ・エレメントE18〜E20は正のレンズである。
言い換えると、図2に例示されているとおりのレンズ・エレメントとミラーの配列は、この種の設計において高い開口率の値の達成を可能にする。たとえば、システム200は、少なくとも約0.95の開口率を有する。共役開口絞りが、レチクル210とミラーM1の間に配置されるが、開口絞りは、屈折部分として作用するレンズ配列の後ろ部分に配置される。より詳細に述べれば、システム200内の開口絞りは、図2において表示201によって示される。
カタディオプトリック複数ミラー投影縮小対物レンズ100と同様に、システム200も瞳のオブスキュレーション(たとえば中心オブスキュレーション)から好適に解放され、したがってイメージの品質が危険にさらされることがない。
システム200の光学表面を説明した完全な光学的記述を表2に示す。
この明細書を通じて「開口」、「ボア」、「切り欠き」という表現が使用されているが、光線の通過を許可するという同じ目的を達成するために、ほかの異なる方法のいくつかを用いてレンズを構成できることを認識するであろう。したがってこれらの表現は、例示的なものであって本件の設計を限定するものではない。それに加えて、開口または切り欠きの形状は多様なものとすることが可能であり、開口と切り欠きが意図された機能を果たす限りにおいては特定の形状またはサイズに限定されない。さらにそれに加えて、ミラーと屈折レンズ・エレメントは、それらを通って形成される物理的な開口を伴わずに、これらのエレメントによる干渉を受けることなく光路に沿って光線が伝播できるように、軸外れエレメントとして構成することができる。
本発明の1つの側面においては、本件の対物レンズのそれぞれが前方に動かされ、したがってミラーM3の前方で開始する屈折レンズ部分を有する。これは、少なくとも4つのミラーを含む従来設計と対比をなし、屈折部分を前方に移すことによって4ミラー構成において高い開口率が達成される。
さらに、ここで開示している本件システムが、1.0未満の開口率を伴う「乾式システム」に限定されず、むしろその逆に本件の設計は、開口率が1.0に等しいかそれを超え
る「浸漬システム」においても具体化が可能である。したがって、浸漬リソグラフィにおける本件システムの具体化は、本件出願の教示の中に含まれる。
特許文献11は、もっとも光学的に前方にあるミラーと次に光学的に前方にあるミラーの間に複数のミラーが存在する構成を開示している。しかしながらそのシステムと本件実施形態の間には多数の相違がある。より詳細に述べれば、少なくとも1つの本件実施形態においては、ミラーM3とミラーM4の間にシングル・パス・タイプの単一のレンズ・エレメントだけが配置される。また、特許文献11における配置との直接的な対比として、本件実施形態は、折り返しミラーを含まない。さらに、本件実施形態は、これら2つのミラーの間に中間イメージを有していない。
前述したとおり、本件実施形態と特許文献15に開示されたそれらとの間には多数の相違がある。本件実施形態においては、ミラーM1とM4となるべきミラーの間にシングル・パス・ミラーがなく、そのため本件実施形態には、特許文献15とは対照的に非常に直径の大きいレンズ・エレメントを有していなければならないという制約がない。このことは、本件システムを製造容易にする。
一例の実施形態によれば、開口絞りの直径に関連してレンズ・エレメントの最大直径の制限が存在する。たとえば、ここで開示した第2の実施形態において、各レンズ・エレメントの最大直径は、開口絞りの1.1倍より小さいが、特許文献15の図23〜28に示された実施形態においては、2つの直径の間の比率が少なくとも1.5であり、このこともまた非常に大きいレンズ・エレメントが存在することを意味し、ひいては製造上の問題を招く。図20および22に開示された実施形態においても比率が1.1より大きい。
さらに、本件実施形態における開口絞りの位置は、特許文献15における場所と異なり、それが利点をもたらす。特許文献15の図20〜28に示されているとおり、開口絞りは、屈折グループGr2の前方に配置されており、視野ミラー・グループGrfからそれを引き離している。本件実施形態においては、開口絞りが屈折グループの後ろ部分に配置される。このことは、屈折グループの少なくとも1つのレンズ・エレメントが開口絞りの前方にあることを意味する。開口絞りをその種の位置に置く利点は、それが拡大の色変化(「レーザ・カラー」としても知られる)の補正を考慮していることにある。
このように本件実施形態は、少なくとも2つの曲面(非平面)ミラーをはじめ、共通の回転対称軸を有する複数の光学エレメントを含む。ここで認識することになろうが、回転対称は光学エレメントの数学的表面の特性であるが、出願人は、当該光学エレメントが共通軸上にあるか、あるいは外にあるかを記述するためにこの表現を使用している。したがって、この表現は、光学エレメントが軸外れであるか否かを記述する。2つのエレメントの間、たとえばミラーとレンズ・エレメントまたは2つのミラーの等の間の軸距離は、表面の頂点間の距離として定義される。本件システムにおいては、軸外れミラーが仮想頂点のみを有しており、そのため軸外れミラーとほかのエレメントの間の軸距離を計算するときにはこれが考慮に入れられる。それに加えて、物理的に第1および第2のミラーの間にあるとして光学エレメントを論じるときには、物理的に存在する軸外れミラーの間にある光学エレメントを参照する。
以上、例証的な図面および本発明の特定の実施形態について例示し、説明してきたが、本発明の範囲がここで論じた特定実施形態に限定されないことを理解する必要がある。すなわちこれらの実施形態は、限定ではなく例示と考えるべきであり、当業者であれば付随する特許請求の範囲およびその等価物から逸脱することなしに変形を行い得ることを理解する必要がある。それに加えて、付随する特許請求の範囲の異なる請求項のフューチャは、さらに本発明に従って種々の方法において組み合わすことができる。
Figure 2007502019
Figure 2007502019
Figure 2007502019
Figure 2007502019
Figure 2007502019
第1の実施形態に従ったマイクロリソグラフィ投影縮小対物レンズを例示した説明図である。 第2の実施形態に従ったマイクロリソグラフィ投影縮小対物レンズを例示した説明図である。
符号の説明
100 システム;カタディオプトリック複数ミラー投影縮小対物レンズ、110 レチクル(物体)、112 開口;切り欠き、114 開口;切り欠き、116 切り欠き;開口、118 切り欠き;開口、120 ウエハ、

Claims (46)

  1. すべてが共通の回転対称軸を有する少なくとも2つの曲面ミラーミラーと複数の光学エレメントを含む対物レンズであって、最後から2番目の曲面ミラーと最後の曲面ミラーの間の軸距離は、両方のミラーの順序が光路に沿って定義されるものとして、前記最後の曲面ミラーと、前記光路に沿った前記最後の曲面ミラーに続くレンズの第1の屈折表面の間の軸距離より大きく、前記最後の曲面ミラーに光学的に続く前記第1の屈折表面がシングル・パス・レンズと関連付けされ、前記対物レンズの瞳がオブスキュレーションから解放される対物レンズ。
  2. 前記最後の曲面ミラーに続く前記第1の屈折表面は負のレンズに関連付けされる請求項1に記載の対物レンズ。
  3. 4つの曲面ミラーが存在する請求項1に記載の対物レンズ。
  4. 前記最後から2番目の曲面ミラーは、前記第1の屈折表面の光学的に直後となるレンズを収容するようにその中に開口が形成されているか、または前記最後から2番目の曲面ミラーは、光路に沿った光線の伝播を可能にする軸外れミラーである請求項1に記載の対物レンズ。
  5. 前記最後のミラーの光学的背後にある屈折部分が、正のレンズを負のレンズより多く含む請求項1に記載の対物レンズ。
  6. 少なくとも2つのダブル・パス・レンズを前記最後から2番目のミラーの光学的前方に含む請求項1に記載の対物レンズ。
  7. 前記対物レンズが、少なくとも実質的に0.80の開口率を伴ってイメージを形成する請求項1に記載の対物レンズ。
  8. 少なくとも1つの非球面の反射面と少なくとも1つの非球面の屈折表面を含む請求項1に記載の対物レンズ。
  9. 少なくとも4つの曲面ミラーを含む請求項1に記載の対物レンズ。
  10. 少なくとも1つの光分散ミラーと少なくとも2つの光集束ミラーを含む請求項1に記載の対物レンズ。
  11. アパーチャ・ダイアフラムに平面ミラーが続かない請求項1に記載の対物レンズ。
  12. 前記最後から2番目のミラーの光学的前方に配置される少なくとも1つのトリプル・パス・レンズを含む請求項1に記載の対物レンズ。
  13. 少なくとも3つの曲面ミラーが、光の通過を許可する1ないしは複数の切り欠き領域を有するように構成される請求項1に記載の対物レンズ。
  14. 少なくとも2つのダブル・パス・レンズと1つのトリプル・パス・レンズを含み、すべてが前記2つのもっとも物体前方のミラーの間に物理的に配置される請求項1に記載の対物レンズ。
  15. 前記2つのもっとも物体前方のミラーの間に物理的に配置される少なくとも2つのダブ
    ル・パス・レンズを含む請求項1に記載の対物レンズ。
  16. 前記第1の屈折表面は正のレンズに関連付けされる請求項1に記載の対物レンズ。
  17. 前記最後のミラーの光学的背後のエレメントの屈折グループ内に配置される開口絞りを含む請求項1に記載の対物レンズ。
  18. 前記対物レンズは、少なくとも実質的に0.95の開口率を伴ってイメージを形成する請求項1に記載の対物レンズ。
  19. 前記対物レンズは、浸漬において、少なくとも実質的に1.1の開口率を伴ってイメージを形成する請求項1に記載の対物レンズ。
  20. 前記シングル・パス・レンズは、前記光軸に沿って測定されるとき、前記最後から2番目のミラーと前記最後のミラーの間における唯一のレンズ・エレメントである請求項1に記載の対物レンズ。
  21. 前記対物レンズは、前記2つのミラーの間における中間イメージから解放される請求項1に記載の対物レンズ。
  22. 光路に沿って定義されるとき、光学的にもっとも前方の第1の曲面ミラーと光学的に2番目にもっとも前方の第2の曲面ミラーを含む少なくとも4つの曲面ミラーを含み、かつ、前記第1と第2のミラーの間に物理的に配置される中間レンズ・エレメントを含み、前記中間レンズ・エレメントがシングル・パス・タイプのレンズである対物レンズ。
  23. リースト・イメージ・フォワード曲面ミラーと前記第1の曲面ミラーが、互いに背合わせに配置される請求項22に記載の対物レンズ。
  24. 前記少なくとも1つの曲面ミラーが、光軸に対して軸外れミラーとなる請求項22に記載の対物レンズ。
  25. 前記2つのもっとも物体前方の曲面ミラーの間に配置される少なくとも2つのレンズ・エレメントが存在する請求項22に記載の対物レンズ。
  26. 前記2つのもっとも物体前方の曲面ミラーの間に3つの負のレンズ・エレメントが存在する請求項25に記載の対物レンズ。
  27. 前記2つのもっとも物体前方の曲面ミラーの間の少なくとも2つのレンズ・エレメントは、ダブル・パス・レンズである請求項25に記載の対物レンズ。
  28. 前記第2の曲面ミラーは、前記中間レンズ・エレメントを適合するようにその中に開口が形成される請求項22に記載の対物レンズ。
  29. さらに、前記中間レンズ・エレメントの光学的背後に複数のレンズを含み、それにおいて前記第1の曲面ミラーの光学的背後となる前記レンズは、正のレンズを負のレンズより多く含む請求項22に記載の対物レンズ。
  30. 前記対物レンズが、少なくとも実質的に0.80の開口率を伴ってイメージを形成する請求項22に記載の対物レンズ。
  31. 少なくとも1つの非球面の反射面と少なくとも1つの非球面の屈折表面を含む請求項22に記載の対物レンズ。
  32. 少なくとも1つの光分散ミラーと少なくとも2つの光集束ミラーを含む請求項22に記載の対物レンズ。
  33. アパーチャ・ダイアフラムに平面ミラーが続かない請求項22に記載の対物レンズ。
  34. 前記第2の曲面ミラーの光学的前方に配置される少なくとも1つのトリプル・パス・レンズを含む請求項22に記載の対物レンズ。
  35. なくとも2つのダブル・パス・レンズと1つのトリプル・パス・レンズを含み、すべてが前記2つのもっとも物体前方のミラーの間に配置される請求項22に記載の対物レンズ。
  36. 前記2つのもっとも物体前方のミラーの間に配置される少なくとも2つのダブル・パス・レンズを含む請求項22に記載の対物レンズ。
  37. 前記最後のミラーの光学的背後のエレメントの屈折グループ内に配置される開口絞りを含む請求項22に記載の対物レンズ。
  38. 前記対物レンズは、少なくとも実質的に0.95の開口率を伴ってイメージを形成する請求項22に記載の対物レンズ。
  39. 前記対物レンズの瞳がオブスキュレーションから解放される請求項22に記載の対物レンズ。
  40. 前記第1と第2のミラーの間の光路内に配置される中間レンズ・エレメントが1つだけ存在する請求項22に記載の対物レンズ。
  41. 前記対物レンズは、前記第1と第2のミラーの間において中間イメージがない請求項22に記載の対物レンズ。
  42. DUVとVUV光源からなる光源のグループから選択される光源、照明システム、レチクルのハンドリング、位置決めとスキャン・システム、請求項1に従った投影対物レンズとウエハのハンドリング、位置決めとスキャン・システムを包含する投影露光装置。
  43. DUVとVUV光源からなる光源のグループから選択される光源、照明システム、レチクルのハンドリング、位置決めとスキャン・システム、請求項22に従った投影対物レンズとウエハのハンドリング、位置決めとスキャン・システムを包含する投影露光装置。
  44. 4つの曲面ミラーと屈折レンズ部分を伴う、折り返しミラーのない投影対物レンズであって、前記投影対物レンズは、前記屈折レンズ部分の少なくとも1つのレンズ・エレメントが、最後から2番目の曲面ミラーの空間的前方で、最後の曲面ミラーの光学的背後に配置されており、前記1つのレンズ・エレメントがシングル・パス・タイプのレンズであり、少なくとも約0.80の開口率を有し、前記最後から2番目のミラーと前記最後のミラーの間における中間イメージがなく、かつ各屈折レンズ・エレメントの最大直径が前記対物レンズの開口絞りの直径の1.1倍より小さいことを特徴とする投影対物レンズ。
  45. 少なくとも2つの曲面ミラーを伴うカタディオプトリック部分と、
    光路に沿って定義されるときに最後から2番目の曲面ミラーと最後の曲面ミラーの間に配置されるシングル・パス・レンズ・エレメントを含む屈折部分とを含む投影対物レンズであって、その対物レンズは、瞳にオブスキュレーションがないように構成され、前記シングル・パス・レンズ・エレメントは、光路に沿って測定されるときに最後から2番目の曲面ミラーと最後の曲面ミラーの間に配置される唯一の屈折レンズ・エレメントであり、前記屈折部分は、開口絞りを含み、前記屈折グループの少なくとも1つのレンズ・エレメントが前記開口絞りの前方にあることを特徴とする投影対物レンズ。
  46. 少なくとも4つの曲面ミラーを含む第1のカタディオプトリック部分と第2の屈折部分とを含む対物レンズであって、その屈折部分の少なくとも1つのシングル・パス・レンズ・エレメントが、光路に沿って前記ミラーが順序付けされるときの最後の曲面ミラーと最後から2番目の曲面ミラーとの間に物理的に配置されることを特徴とする対物レンズ。
JP2006522918A 2003-08-12 2004-07-16 ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ Expired - Fee Related JP5036311B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/639,780 US7085075B2 (en) 2003-08-12 2003-08-12 Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US10/639,780 2003-08-12
PCT/EP2004/007910 WO2005015283A1 (en) 2003-08-12 2004-07-16 Projection objectives including a plurality of curved mirrors with lenses ahead of the last but one mirror

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007502019A true JP2007502019A (ja) 2007-02-01
JP2007502019A5 JP2007502019A5 (ja) 2007-08-16
JP5036311B2 JP5036311B2 (ja) 2012-09-26

Family

ID=34135943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006522918A Expired - Fee Related JP5036311B2 (ja) 2003-08-12 2004-07-16 ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7085075B2 (ja)
EP (1) EP1654577A1 (ja)
JP (1) JP5036311B2 (ja)
TW (1) TW200508818A (ja)
WO (1) WO2005015283A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180064306A (ko) * 2016-12-05 2018-06-14 캐논 가부시끼가이샤 카타디옵트릭 광학계, 조명 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법

Families Citing this family (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW538256B (en) * 2000-01-14 2003-06-21 Zeiss Stiftung Microlithographic reduction projection catadioptric objective
US7372541B2 (en) * 2002-11-12 2008-05-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100568101C (zh) * 2002-11-12 2009-12-09 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG135052A1 (en) 2002-11-12 2007-09-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7242455B2 (en) * 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR101085372B1 (ko) * 2002-12-10 2011-11-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
AU2003289271A1 (en) * 2002-12-10 2004-06-30 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for manufacturing device
CN101872135B (zh) * 2002-12-10 2013-07-31 株式会社尼康 曝光设备和器件制造法
US7948604B2 (en) * 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
JP4352874B2 (ja) * 2002-12-10 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
JP4223936B2 (ja) * 2003-02-06 2009-02-12 株式会社リコー 投射光学系、拡大投射光学系、拡大投射装置及び画像投射装置
KR101921572B1 (ko) 2003-02-26 2018-11-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2004086470A1 (ja) * 2003-03-25 2004-10-07 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
EP1612850B1 (en) * 2003-04-07 2009-03-25 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing a device
KR101177331B1 (ko) * 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
KR101177330B1 (ko) 2003-04-10 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치
WO2004090633A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
WO2004093160A2 (en) * 2003-04-10 2004-10-28 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
SG2014015184A (en) * 2003-04-10 2015-06-29 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG185136A1 (en) 2003-04-11 2012-11-29 Nikon Corp Cleanup method for optics in immersion lithography
SG139733A1 (en) 2003-04-11 2008-02-29 Nikon Corp Apparatus having an immersion fluid system configured to maintain immersion fluid in a gap adjacent an optical assembly
EP1614000B1 (en) * 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Immersion lithographic apparatus
KR101481935B1 (ko) 2003-05-06 2015-01-14 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법
US7348575B2 (en) * 2003-05-06 2008-03-25 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1624481A4 (en) * 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
TWI474380B (zh) * 2003-05-23 2015-02-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
TW201415536A (zh) 2003-05-23 2014-04-16 尼康股份有限公司 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
CN100541717C (zh) * 2003-05-28 2009-09-16 株式会社尼康 曝光方法、曝光装置以及器件制造方法
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261742A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US7317504B2 (en) * 2004-04-08 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2738792B1 (en) * 2003-06-13 2015-08-05 Nikon Corporation Exposure method, substrate stage, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101931923B1 (ko) * 2003-06-19 2018-12-21 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1639391A4 (en) * 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp USE OF ISOTOPICALLY SPECIFIED FLUIDS AS OPTICAL ELEMENTS
EP3179309A1 (en) * 2003-07-08 2017-06-14 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
KR101296501B1 (ko) * 2003-07-09 2013-08-13 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
ATE513309T1 (de) * 2003-07-09 2011-07-15 Nikon Corp Belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
EP1643543B1 (en) * 2003-07-09 2010-11-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for manufacturing device
JP4524669B2 (ja) 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
KR101642670B1 (ko) 2003-07-28 2016-07-25 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI263859B (en) * 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101242886B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-12 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101523180B1 (ko) 2003-09-03 2015-05-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) * 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US8208198B2 (en) * 2004-01-14 2012-06-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Catadioptric projection objective
TWI610342B (zh) * 2003-09-29 2018-01-01 尼康股份有限公司 曝光裝置及曝光方法、以及元件製造方法
JP2005136364A (ja) * 2003-10-08 2005-05-26 Zao Nikon Co Ltd 基板搬送装置、露光装置、並びにデバイス製造方法
EP1672682A4 (en) 2003-10-08 2008-10-15 Zao Nikon Co Ltd SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND METHOD, EXPOSURE DEVICE AND METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
KR101111364B1 (ko) 2003-10-08 2012-02-27 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광방법, 디바이스 제조 방법
TWI598934B (zh) * 2003-10-09 2017-09-11 尼康股份有限公司 Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411653B2 (en) * 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4295712B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置製造方法
EP3370115A1 (en) 2003-12-03 2018-09-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device
US20070081133A1 (en) * 2004-12-14 2007-04-12 Niikon Corporation Projection exposure apparatus and stage unit, and exposure method
KR101941351B1 (ko) 2003-12-15 2019-01-22 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7466489B2 (en) * 2003-12-15 2008-12-16 Susanne Beder Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005057635A1 (ja) * 2003-12-15 2005-06-23 Nikon Corporation 投影露光装置及びステージ装置、並びに露光方法
JP5102492B2 (ja) * 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080151365A1 (en) * 2004-01-14 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective
KR101179350B1 (ko) 2004-01-14 2012-09-11 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
US7463422B2 (en) * 2004-01-14 2008-12-09 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure apparatus
WO2005071491A2 (en) 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101377815B1 (ko) * 2004-02-03 2014-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8111373B2 (en) * 2004-03-25 2012-02-07 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabrication method
US7712905B2 (en) 2004-04-08 2010-05-11 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
KR101391470B1 (ko) 2004-05-17 2014-05-07 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈
US7616383B2 (en) * 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101368523B1 (ko) 2004-06-04 2014-02-27 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템
CN103605262B (zh) * 2004-06-09 2016-06-29 株式会社尼康 曝光装置及其维护方法、以及元件制造方法
US20080273185A1 (en) * 2004-06-16 2008-11-06 Nikon Corporation Optical System, Exposing Apparatus and Exposing Method
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101433491B1 (ko) * 2004-07-12 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7511798B2 (en) * 2004-07-30 2009-03-31 Asml Holding N.V. Off-axis catadioptric projection optical system for lithography
US8305553B2 (en) * 2004-08-18 2012-11-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7397533B2 (en) * 2004-12-07 2008-07-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) * 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE602006012746D1 (de) 2005-01-14 2010-04-22 Asml Netherlands Bv Lithografische Vorrichtung und Herstellungsverfahren
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8692973B2 (en) * 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP3079164A1 (en) * 2005-01-31 2016-10-12 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US20060198018A1 (en) * 2005-02-04 2006-09-07 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006128613A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective
EP1924227B1 (en) * 2005-08-16 2014-12-17 Benvenue Medical, Inc. Spinal tissue distraction devices
EP1924888B1 (en) 2005-09-13 2013-07-24 Carl Zeiss SMT GmbH Microlithography projection optical system, method for manufacturing a device and method to design an optical surface
US7357768B2 (en) * 2005-09-22 2008-04-15 William Marshall Recliner exerciser
US20070124987A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-07 Brown Jeffrey K Electronic pest control apparatus
KR100768849B1 (ko) * 2005-12-06 2007-10-22 엘지전자 주식회사 계통 연계형 연료전지 시스템의 전원공급장치 및 방법
US7649611B2 (en) * 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006014380A1 (de) 2006-03-27 2007-10-11 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv und Projektionsbelichtungsanlage mit negativer Schnittweite der Eintrittspupille
WO2007115597A1 (en) * 2006-04-07 2007-10-18 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection optical system, tool and method of production
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
US8817226B2 (en) 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
TWI389551B (zh) * 2007-08-09 2013-03-11 晨星半導體股份有限公司 迦瑪校正裝置
KR101448152B1 (ko) * 2008-03-26 2014-10-07 삼성전자주식회사 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한입체 컬러 이미지 센서
JP5097166B2 (ja) 2008-05-28 2012-12-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及び装置の動作方法
WO2011090690A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-28 Pioneer Hi-Bred International, Inc. Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
TW201348689A (zh) * 2012-05-23 2013-12-01 Altek Corp 遠景檢測裝置及其遠景檢測方法
CN103424979A (zh) * 2012-05-23 2013-12-04 华晶科技股份有限公司 远景检测装置及其远景检测方法
US9091843B1 (en) 2014-03-16 2015-07-28 Hyperion Development, LLC Optical assembly for a wide field of view point action camera with low track length to focal length ratio
US9995910B1 (en) 2014-03-16 2018-06-12 Navitar Industries, Llc Optical assembly for a compact wide field of view digital camera with high MTF
US9316808B1 (en) 2014-03-16 2016-04-19 Hyperion Development, LLC Optical assembly for a wide field of view point action camera with a low sag aspheric lens element
US10139595B1 (en) 2014-03-16 2018-11-27 Navitar Industries, Llc Optical assembly for a compact wide field of view digital camera with low first lens diameter to image diagonal ratio
US9726859B1 (en) 2014-03-16 2017-08-08 Navitar Industries, Llc Optical assembly for a wide field of view camera with low TV distortion
US9316820B1 (en) 2014-03-16 2016-04-19 Hyperion Development, LLC Optical assembly for a wide field of view point action camera with low astigmatism
US10545314B1 (en) 2014-03-16 2020-01-28 Navitar Industries, Llc Optical assembly for a compact wide field of view digital camera with low lateral chromatic aberration
US10386604B1 (en) 2014-03-16 2019-08-20 Navitar Industries, Llc Compact wide field of view digital camera with stray light impact suppression
US9494772B1 (en) 2014-03-16 2016-11-15 Hyperion Development, LLC Optical assembly for a wide field of view point action camera with low field curvature
CN104062746B (zh) * 2014-06-23 2016-08-24 中国科学院光电技术研究所 一种大数值孔径的折反射浸没投影光学系统
CN105807410B (zh) * 2014-12-31 2018-11-09 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种基于高数值孔径的折反射式投影物镜
US9835835B1 (en) 2015-04-10 2017-12-05 Navitar Industries, Llc Projection zoom lens and camera
DE102016209847A1 (de) 2016-06-03 2016-07-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit optischer Korrekturenanordnung und Verfahren zum Betrieb einer Projektionsbelichtungsanlage
US11043239B2 (en) 2019-03-20 2021-06-22 Kla Corporation Magneto-optic Kerr effect metrology systems
US11650487B2 (en) * 2020-01-28 2023-05-16 Daniel Joseph Reiley Front converter optical assembly for camera
CN113627344B (zh) * 2021-08-11 2025-02-25 上海乐闪闪智能科技有限公司 双重生物特征检测系统、安全识别方法、应用及电子设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06230287A (ja) * 1993-02-03 1994-08-19 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH06235863A (ja) * 1993-02-12 1994-08-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH10104513A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Carl Zeiss:Fa カタジオプトリックマイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ
JP2001228401A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002277742A (ja) * 2000-10-23 2002-09-25 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2003535356A (ja) * 1999-12-29 2003-11-25 カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス 非球面レンズ表面が隣接して配置されている投影対物レンズ
JP2003536092A (ja) * 2000-01-14 2003-12-02 カール−ツアイス−スチフツング マイクロリソグラフィー用のカタディオプトリック縮小投影光学系
JP2004514943A (ja) * 2000-11-28 2004-05-20 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2963537D1 (en) 1979-07-27 1982-10-07 Tabarelli Werner W Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4509852A (en) 1980-10-06 1985-04-09 Werner Tabarelli Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements
US4469414A (en) * 1982-06-01 1984-09-04 The Perkin-Elmer Corporation Restrictive off-axis field optical system
US4695464A (en) * 1984-10-09 1987-09-22 The Dow Chemical Company Sustained release dosage form based on highly plasticized cellulose ether gels
JPS61156737A (ja) * 1984-12-27 1986-07-16 Canon Inc 回路の製造方法及び露光装置
US5052763A (en) * 1990-08-28 1991-10-01 International Business Machines Corporation Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations
US5537260A (en) * 1993-01-26 1996-07-16 Svg Lithography Systems, Inc. Catadioptric optical reduction system with high numerical aperture
US5323263A (en) * 1993-02-01 1994-06-21 Nikon Precision Inc. Off-axis catadioptric projection system
US5592329A (en) * 1993-02-03 1997-01-07 Nikon Corporation Catadioptric optical system
US5515207A (en) * 1993-11-03 1996-05-07 Nikon Precision Inc. Multiple mirror catadioptric optical system
JP3395801B2 (ja) * 1994-04-28 2003-04-14 株式会社ニコン 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法
DE4417489A1 (de) * 1994-05-19 1995-11-23 Zeiss Carl Fa Höchstaperturiges katadioptrisches Reduktionsobjektiv für die Miktrolithographie
US5815310A (en) * 1995-12-12 1998-09-29 Svg Lithography Systems, Inc. High numerical aperture ring field optical reduction system
JPH103041A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 Nikon Corp 反射屈折縮小光学系
JPH1020195A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
US6169627B1 (en) * 1996-09-26 2001-01-02 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric microlithographic reduction objective
DE10002626A1 (de) 2000-01-22 2001-07-26 Zeiss Carl Katadioptrisches Objektiv mit Asphären
US6631036B2 (en) 1996-09-26 2003-10-07 Carl-Zeiss-Stiftung Catadioptric objective
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
EP1293832A1 (en) * 1998-06-08 2003-03-19 Nikon Corporation Projection exposure apparatus and method
KR20000034967A (ko) * 1998-11-30 2000-06-26 헨켈 카르스텐 수정-렌즈를 갖는 오브젝티브 및 투사 조명 장치
EP1772775B1 (de) * 1999-02-15 2008-11-05 Carl Zeiss SMT AG Mikrolithographie-Reduktionsobjektiveinrichtung sowie Projektionsbelichtungsanlage
KR20010113527A (ko) 2000-06-19 2001-12-28 시마무라 테루오 투영 광학계, 그 제조 방법 및 투영 노광 장치
US7333245B2 (en) * 2001-07-16 2008-02-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for printing retained print jobs
JP2003114387A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備える投影露光装置
US20040075894A1 (en) * 2001-12-10 2004-04-22 Shafer David R. Catadioptric reduction objective
KR101481935B1 (ko) 2003-05-06 2015-01-14 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06230287A (ja) * 1993-02-03 1994-08-19 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH06235863A (ja) * 1993-02-12 1994-08-23 Nikon Corp 反射屈折光学系
JPH10104513A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Carl Zeiss:Fa カタジオプトリックマイクロリソグラフィ用縮小対物レンズ
JP2003535356A (ja) * 1999-12-29 2003-11-25 カール・ツアイス・スティフツング・トレーディング・アズ・カール・ツアイス 非球面レンズ表面が隣接して配置されている投影対物レンズ
JP2003536092A (ja) * 2000-01-14 2003-12-02 カール−ツアイス−スチフツング マイクロリソグラフィー用のカタディオプトリック縮小投影光学系
JP2001228401A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Canon Inc 投影光学系、および該投影光学系による投影露光装置、デバイス製造方法
JP2002277742A (ja) * 2000-10-23 2002-09-25 Nikon Corp 反射屈折光学系および該光学系を備えた露光装置
JP2004514943A (ja) * 2000-11-28 2004-05-20 カール・ツアイス・エスエムテイ・アーゲー 157nmリソグラフィ用の反射屈折投影系

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180064306A (ko) * 2016-12-05 2018-06-14 캐논 가부시끼가이샤 카타디옵트릭 광학계, 조명 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법
KR102239056B1 (ko) 2016-12-05 2021-04-12 캐논 가부시끼가이샤 카타디옵트릭 광학계, 조명 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP1654577A1 (en) 2006-05-10
US20050036213A1 (en) 2005-02-17
TW200508818A (en) 2005-03-01
WO2005015283A1 (en) 2005-02-17
JP5036311B2 (ja) 2012-09-26
US7190530B2 (en) 2007-03-13
US20060171040A1 (en) 2006-08-03
US7085075B2 (en) 2006-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5036311B2 (ja) ミラーm3の前にレンズを伴う複数のミラーを含む投影対物レンズ
TW466349B (en) Catadioptric optical system and exposure apparatus having the same
JP4125506B2 (ja) 8枚の反射鏡を用いたマイクロリソグラフィ用の投影光学系
USRE38421E1 (en) Exposure apparatus having catadioptric projection optical system
US8363315B2 (en) Catadioptric projection objective with mirror group
JP3747958B2 (ja) 反射屈折光学系
JP2001297980A (ja) マイクロリソグラフィーの投影露光装置
CA2045944C (en) Field compensated lens
JPH06300973A (ja) 反射屈折縮小光学系
JP5106099B2 (ja) 投影対物レンズ、マイクロリソグラフィのための投影露光装置及び反射レチクル
JP2007514192A (ja) 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
JPH05281469A (ja) 異なる屈折率の材質からなる適合された複数の要素を用いた広帯域光学縮小系
JP2008547039A (ja) 高開口かつ平面的な端面を有する投影対物レンズ
JP2002116382A (ja) 投影光学系および該投影光学系を備えた露光装置
JP2005533288A (ja) 投影リソグラフィのためのカタディオプトリック複数鏡系
JP5067674B2 (ja) 投影光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JPH1184248A (ja) 反射屈折縮小光学系
JP4236397B2 (ja) 縮小光学系
US20060082905A1 (en) Catadioptric projection objective with an in-line, single-axis configuration
EP1298494A2 (en) High numerical aperture projection system for microlithography
KR101432822B1 (ko) 결상 시스템, 특히 마이크로 리소그래픽 투영 조명 유닛에 사용될 수 있는 결상 시스템
TW508655B (en) Relay imaging optical system, and illumination optical device and exposure device having the optical system
CN216145078U (zh) 一种用于投影光刻机的透镜系统
JP2004170869A (ja) 結像光学系、露光装置および露光方法
JP2005107362A (ja) 投影光学系及び露光装置、デバイスの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070626

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080825

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20080825

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20080902

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100208

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100430

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100512

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110322

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20110622

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20110629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120217

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120521

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120611

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120703

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150713

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5036311

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees