JP2008041807A - 白色光源 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくとも緑色光と青色光を発光する多色発光素子を透明な封止部材で封止し、封止部材中に蛍光体が分散され、この蛍光体は多色発光素子からの光を励起光として赤色蛍光を発光する。
【選択図】図1
Description
このような問題を解決するために、紫外発光素子と、紫外光を励起光として青色光、緑色光及び赤色光を蛍光する3種の蛍光体を分散させた封止部材とを備えた発光装置や、青色発光素子と、緑色光及び赤色光を蛍光する2種の蛍光体を分散させた封止部材とを備えた発光装置が開発されている(例えば、特許文献2及び特許文献3参照)。
しかしながら、複数種の蛍光体を用いた発光装置では、蛍光体の比重の違いにより封止部材内における各蛍光体の沈降の度合いが異なるため、封止部材において蛍光体の偏在が生じ、各蛍光体を均等に分散させることが困難であった。そのため、製造された白色光源ごとに白バランスにばらつきが生じやすかった。
また、InXGa1−XN(0≦X≦1)は、InとGaの組成比を変えることにより、紫外光から赤色光のエネルギーに相当するバンドギャップエネルギーを有するため、上記の組成からなる赤色、緑色及び青色量子井戸層を含む多重量子井戸構造を形成し、一つの発光素子で白色光を得る方法が検討されている(例えば、特許文献4参照)。
これらの理由から、一つの発光素子で白色光を得る方法の実用化は困難である。
少なくとも緑色光と青色光を発光する多色発光素子と、
該発光素子からの光を励起光として、赤色蛍光を発光する蛍光体を含む透光性材料層と、を備えてなる白色光源。
このように構成された白色光源によれば、多重量子井戸層を用いて緑色光と青色光を発光させるので、発光効率が向上して多重量子井戸から高い光量で光を放出することができる。その結果、白色光源として充分な出力を得ることができる。
例えば、CaAlSiN3:Euである。
例えば、CaAlSiN3:Eu,AeSi:Eu(Ae:アルカリ土類金属)、Ae2Si5N8:Eu(Ae:アルカリ土類金属)である。
この発明の第3の局面で規定するように、発光素子から紫色を発光させてこの紫色光を励起光として赤色蛍光を発光させることができる。
この場合の蛍光体として次のものを挙げることができる。
例えば、Y2O2S:Eu,La2O2S:Eu,CaAlSiN3:Euである。
多色発光のためには、量子井戸構造(多重量子井戸構造、若しくは単一量子井戸構造)を用いることが好ましい。本発明者らは、量子井戸層/バリア層を繰り返す一連の多重量子井戸構造において特定の量子井戸層の組成及び/又は膜厚を調整することにより、1つの素子において紫色発光、緑色発光、青色発光を同時発光できることを確認している。
実施例の白色光源1を図1に示す。
この白色光源1は、多色発光素子10をケース30に封止したパッケージタイプであり、封止部材31に蛍光体が分散されている。
多色発光素子10の各III族窒化物系化合物半導体層のスペックは次の通りである。
層 : 組成
pコンタクト層17 : p−GaN:Mg 30nm
pクラッド層16 : AlGaN 300nm
MQW層15
バリア層151 :AlGaN 8nm
青色発光量子井戸層152B:In0.25Ga0.75N 3nm
紫色発光量子井戸層152P:In0.1Ga0.9N 3nm
緑色発光量子井戸層152G:In0.3Ga0.7N 3nm
中間層14 :InGaN 200nm
nコンタクト層13 :n−GaN:Si 200nm
バッファ層 :AlN 20nm
基板12 : サファイア 100μm
nコンタクト層及びpコンタクト層としてはGaNが例示されているが、AlGaN、InGaN若しくはAlInGaN、その他のIII族窒化物系化合物半導体を用いることができる。III族元素の一部をボロン(B)、タリウム(Tl)等で置換しても良く、窒素(N)の一部も リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)等で置換できる。また、発光層は任意のドーパントを含有するものであってもよい。
多重量子井戸層もIII族窒化物系化合物半導体層で形成することができる。
また、n型層にドープされるn型不純物としてSiの他、Ge、Se、Te、C等を用いることもできる。
p型層にドープされるp型不純物としてMgの他に、Zn、Be、Ca、Sr、Baを用いることもできる。
nコンタクト層13と多重量子井戸層15との間にnクラッド層を介在させることができる。
pコンタクト層17、多重量子井戸層15、及びnコンタクト層13の一部がエッチングされて、nコンタクト層13にnパッド電極20が蒸着により形成される。このn電極はAlとVの2層で構成される。
pコンタクト層17の全面に金を含む金属薄膜や金属酸化物(例えば、ITO)の透光性電極が積層される。透光性電極の上に蒸着により金を含むp電極が形成される。
上記の工程により各半導体層及び各電極を形成した後、各チップの分離工程を行う。
このように構成された実施例の発光素子に電流を印加すると紫色系の発光(ピーク波長:405nm)、青色系の発光(ピーク波長:455nm)及び緑色系の発光(ピーク波長:530nm)が得られる。
ケース30の凹部に透明なエポキシ樹脂からなる封止部材31が充填されている。封止部材31にはY2O2S:Euからなる蛍光体が均一に分散されている。この蛍光体は多色発光素子10から放出される紫色系の発光色を励起光として赤色系の光を発光する。
蛍光体も上記のY2O2S:Euに限定されるものではなく、CaAlSiN3:Eu等の蛍光体を混合して、又は代替物として使用することができる。蛍光体は封止部材31において多色発光素子10の近傍へ高濃度に分散させることともできる。蛍光体に加えてシリカ等からなる光拡散材料を分散させることもできる。
10 多色発光素子
30 ケース
31 封止部材
Claims (4)
- 少なくとも緑色光と青色光を発光する多色発光素子と、
該発光素子からの光を励起光として、赤色蛍光を発光する蛍光体を含む透光性材料層と、を備えてなる白色光源。 - 前記多色発光素子はIII族窒化物系化合物半導体からなり、前記緑色光を発光する緑色発光量子井戸層と前記青色光を発光する青色発光量子井戸層とを含む多重量子井戸構造を備えている、ことを特徴とする請求項1に記載の白色光源。
- 紫色光、緑色光と青色光を発光する多色発光素子と、
該発光素子からの前記紫色光を励起光として、赤色蛍光を発光する蛍光体を含む透光性材料層と、を備えてなる白色光源。 - 前記多色発光素子はIII族窒化物系化合物半導体からなり、前記紫色光を発光する紫色発光量子井戸層、前記緑色光を発光する緑色発光量子井戸層、及び前記青色光を発光する青色発光量子井戸層を含む多重量子井戸構造を備えている、ことを特徴とする請求項3に記載の白色光源。
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