JP2009246252A - 面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイ - Google Patents

Abstract

【課題】酸化狭窄型の面発光レーザ素子の長期信頼性を図る。
【解決手段】面発光レーザ素子１００は、ＧａＡｓ基板１０１上に形成された積層構造を有する。積層構造は、活性層１０５の上側の酸化狭窄層１０７を含む積層部分が第１のメサポストＭ１に形成され、活性層１０５及びｎ型コンタクト層１０４の一部を含む積層部分が第２のメサポストＭ２に形成される。第２のメサポストＭ２は、第１のメサポスＭ１トよりも大きな直径を有する。酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化処理に際して発生する活性層１０５の外縁部の結晶転位が、活性層の中央部に伝搬する距離を長くすることで、面発光レーザ素子の長期信頼性を向上する
【選択図】図１

Description

本発明は、面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイに関し、更に詳細には、素子寿命が長く、信頼性に優れた酸化狭窄型の面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイに関する。

面発光レーザ素子は、基板面に対して直交方向に光を出射させる半導体レーザ素子である。面発光レーザ素子は、従来のファブリペロー共振器型の半導体レーザ素子とは異なり、同じ基板上に２次元アレイ状に多数の面発光レーザ素子を配列できる。このため、近年、データ通信分野で特に注目されている。

面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ：Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）は、ＧａＡｓやＩｎＰといった半導体基板上に１対の多層膜反射鏡（ＤＢＲミラー）を形成し、その１対のＤＢＲミラーの間に発光領域となる活性層を含むレーザ共振部を備えている。各ＤＢＲミラーは、高屈折率層／低屈折率層からなる対の半導体層や誘電体層を多数対（ペア）積層することによって形成されている。面発光レーザ素子では、このＤＢＲミラー内に、或いは、活性層に近接した位置に、電流を閉じ込めるための酸化狭窄層が形成される酸化狭窄型の素子構造が従来から知られている。酸化狭窄型の面発光レーザ素子は、例えば先願（特願２００８−０５８２０５号）に記載されている。酸化狭窄層は、一般に電流狭窄機能の他に光狭窄機能を有し、これら機能によって活性層内部の電流通路と発光領域とを規定する。

図５を参照して、先願に記載の酸化狭窄型の面発光レーザ素子の構成を説明する。面発光レーザ素子２００は、基板１０１と、基板１０１上に順次に形成される、多層膜反射鏡である下部ＤＢＲミラー１０２、バッファ層１０３、ｎ型コンタクト層１０４、多重量子井戸構造を有する活性層１０５、下部傾斜組成層１０６、電流狭窄層１０７、上部傾斜組成層１０８、ｐ型スペーサ層１０９、ｐ^＋型電流経路層１１０、ｐ型スペーサ層１１１、及び、ｐ^＋型コンタクト層１１２を含む積層構造とを有する。積層構造のうち、活性層１０５から、あるいは、その下層のコンタクト層の一部からｐ^＋型コンタクト層１１２までの積層部分が円柱状のメサポストＭ１を構成している。

ｐ^＋型コンタクト層１１２上には、Ｐｔ／Ｔｉからなり、中心に開口部を有する環状のｐ側電極１１３が形成されている。ｐ側電極１１３の外径は、第１のメサポストＭ１と同じ外径の３０μｍであり、開口部の内径は、たとえば１１〜１４μｍである。ｐ側電極１１３の開口部内には、窒化珪素（ＳｉＮｘ）からなる円板状の位相調整層１１４が形成されており、その上にＳｉＮｘからなる誘電体層１１５が形成されている。誘電体膜１１５の頂部を含むメサポストの頂部から、メサポストの外周の一部部分を含み、且つ、環状のｎ側電極の全体を覆って、上部ＤＢＲミラー１１６を構成する誘電体膜が形成されている。ｐ側電極１１３は、ｐ側引出し電極１２０を経由して外部配線に接続される。また、コンタクト層１０４の上面には、メサポストＭ１の周囲を取り囲んで、ｎ側電極１１７が形成されている。ｎ側電極１１７は、ｎ側引出し電極１１９を介して外部配線に接続される。

電流狭窄層１０７は、酸化狭窄層とも呼ばれる。電流狭窄層１０７の外周側の電流狭窄部１０７ａはＡｌ_２Ｏ_３からなり、その内周側の電流開口１０７ｂは、直径が１０μｍ程度であり、ＡｌＡｓからなる。下部傾斜組成層１０６および上部傾斜組成層１０８は、ＡｌＧａＡｓからなり、厚さ方向において電流狭窄層１０７に近づくにつれて、そのＡｓ組成が段階的に増加する。

上記酸化狭窄型の面発光レーザ素子２００の形成に際しては、メサポストＭ１に加工した積層構造を水蒸気雰囲気中にて、約４００℃の温度で酸化処理を行い、ＡｌＡｓ層を、そのメサポスト外周側の外縁部から酸化する。この酸化は、ＡｌＡｓ層の外周部のみを酸化するので、選択酸化と呼ばれる。選択酸化によって、外周部が電流狭窄部１０７ａを構成し、内周部が電流開口１０７ｂを構成する酸化狭窄層１０７が形成される。

酸化狭窄層を有する面発光レーザ素子では、酸化狭窄層を形成する選択酸化工程で、メサポスト外壁から露出する活性層の外縁部に、結晶転位が発生することがある。この結晶転位は、レーザ動作の初期に問題となることは少ないものの、長期の動作により、徐々にその結晶転位が活性層の内部に伝搬し、素子劣化を発生させることが知られている。

図６は、酸化狭窄型の面発光レーザ素子のサンプルで実際に得られた、動作時間と発光強度との関係を示すグラフである。この例では、サンプルを７ｍＡの注入電流で動作させた。大部分の正常なレーザ素子は、３０００時間経過後の発光強度が、当初の発光強度の８０％以上であった。しかし、一部の面発光レーザ素子は、３０００時間未満で発光強度が一時的に大きく低下し、また、３０００時間程度で、突然に発光を停止した。この突然の発光停止は、結晶転位が動作中に徐々に活性層中央部に向かって伝搬し、発光領域に到達したことが原因と考えられる。

上記のように、酸化狭窄型の面発光レーザ素子では、転位の伝搬による劣化が発生し、レーザ素子の長期信頼性を損ねている。このため、面発光レーザ素子では、この転位の伝搬を抑制し、素子寿命を延ばすことが強く求められている。

上記に鑑み、本発明は、酸化狭窄型の面発光レーザ素子について、酸化狭窄層を形成する選択酸化工程に起因する素子の信頼性低下を防止し、長期安定性に優れた面発光レーザ素子を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、活性層と、活性層を相互の間に挟む下部ＤＢＲミラー及び上部ＤＢＲミラーと、活性層と上部ＤＢＲとの間に又は上部ＤＢＲミラーの内部に形成される酸化狭窄層とを含む積層構造を基板上に備える面発光レーザ素子において、
前記酸化狭窄層と該酸化狭窄層の上部の積層部分とが第１のメサポストを形成し、
前記活性層と該活性層の下層側の積層部分とが、前記第１のメサポストよりも直径が大きな第２のメサポストを形成していることを特徴とする面発光レーザ素子を提供する。

ＤＢＲミラーは、その一方、又は、双方が、半導体ＤＢＲミラーであってもよく、あるいは、誘電体ＤＢＲミラーであってもよい。誘電体ＤＢＲミラーを採用し、電極をイントラキャビティ・コンタクト構造とすることにより、積層方向にコンパクトな構造の面発光レーザ素子が得られる。

面発光レーザ素子の材料を適宜選択することにより、その発振波長として、１．５μｍ〜８５０ｎｍ程度までの任意の波長が得られる。例えば、ＧａＡｓ系半導体材料、ＩｎＰ系半導体材料が用いられる。

第１のメサポストと第２のメサポストとの間にエッチストップ層を設けてもよい。エッチストップ層としては、例えば、ＧａＡｓ半導体系の材料では、ＩｎＧａＰが、ＩｎＰ系半導体の材料では、ＩｎＧａＡｓＰが好ましい。

結晶転位の伝搬を防止するためには、上記構成に加えて、選択酸化工程中に活性層の外縁部に結晶転位が発生することを防止する構造や、或いは、素子駆動中に活性層の外縁部の結晶転位が活性層中央部に伝搬することを防止する構造を採用することが好ましい。

上記面発光レーザ素子を二次元アレイに配設した面発光レーザアレイは、特に光通信の分野で広範囲に用いることが出来る。

本発明の面発光レーザ素子では、酸化狭窄層を第１のメサポスト内に形成し、活性層を第２のメサポスト内に形成した構成により、活性層の外縁部と活性層中央部の発光領域との間の距離を大きくすることができ、酸化狭窄層を形成する選択酸化工程中に活性層の外縁部に発生した結晶転位がレーザ素子の動作中に活性層中央部に伝搬する時間を延長できる。このため、面発光レーザ素子の寿命が長くなり、その長期信頼性が向上する。

以下に、図面を参照して本発明の例示的な実施形態に係る面発光レーザ素子について説明する。なお、理解を容易にするために、各要素の参照符号は、全図を通して共通の符号を用いた。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る面発光レーザ素子の断面図である。面発光レーザ素子は、例えばレーザ発振波長が８５０ｎｍ帯であり、レーザ発振波長をλとすると、合計の光学厚さがλ／４である下部ＤＢＲミラー１０２及び上部誘電体ＤＢＲミラー１１６を備えている。

面発光レーザ素子１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された、下部ＤＢＲミラー１０２、バッファ層１０３、ｎ型コンタクト層１０４、多重量子井戸構造を有する活性層１０５、下部傾斜組成層１０６、電流狭窄層１０７、上部傾斜組成層１０８、ｐ型スペーサ層１０９、ｐ^＋型電流経路層１１０、ｐ型スペーサ層１１１、及び、ｐ^＋型コンタクト層１１２を含む積層構造とを有する。電流狭窄層１０７の外周側の電流狭窄部１０７ａはＡｌ_２Ｏ_３からなり、その内周側の電流開口１０７ｂは、直径が１０μｍ程度のＡｌＡｓからなる。積層構造のうちで、下部傾斜層１０６及びその上層側の積層部分は、直径が約３０μｍの円柱状の第１のメサポストＭ１を形成し、活性層１０５、及び、ｎ型コンタクト層１０４の上側部分が、直径約５０μｍの円柱状の第２のメサポストＭ２を形成している。なお、下部傾斜層１０６と活性層との間に、エッチストップ層を形成してもよい。

ｐ^＋型コンタクト層１１２上には、Ｔｉ／Ｐｔからなり、中心に開口を有する環状のｐ側電極１１３が形成されている。ｐ側電極１１３の外径は、第１のメサポストＭ１と同じ外径の３０μｍであり、その内径は、たとえば１１〜１４μｍである。ｐ側電極１１３の開口部内には、窒化珪素（ＳｉＮｘ）からなる円板状の位相調整層１１４が形成されている。また、位相調整層１１４及びｐ側電極１１３の一部を覆うＳｉＮｘからなる誘電体層１１５が形成されている。

誘電体層１１５の頂部を含む第１のメサポストＭ１の頂部から、第１のメサポストＭ１及び第２のメサポストＭ２の外周の一部部分を含む積層部分を覆って、上部ＤＢＲミラー１１６を構成する誘電体膜が形成されている。上部ＤＢＲミラー１１６は、たとえばＳｉＮｘ／ＳｉＯ_２層の１０〜１２ペアからなる。なお、たとえばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）／酸化シリコン（ＳｉＯ_２）またはα−Ｓｉ／アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）のペアを、その材料の屈折率に応じて９９％程度の適切な反射率がえられるようなペア数にしたものでもよい。ｎ型コンタクト層１０４の残された下側部分は、メサポストＭ２から半径方向外側に延びており、その表面上に、例えばＡｕＧｅＮｉ／Ａｕからなるｎ側電極１１７が半円環状に形成されている。ｎ側電極１１７は、たとえば外径が９０μｍ、内径が５５μｍである。また、上部ＤＢＲミラー１１６を構成する誘電体膜が除去された部分には、表面保護や絶縁の目的で形成された、ＳｉＮｘなどの誘電体からなるパッシベーション膜１１８が露出している。

基板１０１は、アンドープのＧａＡｓからなる。下部ＤＢＲミラー１０２は、ＧａＡｓ／Ａｌ_０．９Ｇａ_０．１Ａｓ層の３４ペアからなる。ｎ型コンタクト層１０４は、ｎ型ＧａＡｓからなる。活性層１０５は、３層のＧａＩｎＮＡｓ井戸層と４層のＧａＡｓ障壁層とが交互に積層した量子井戸構造を有しており、最下層のＧａＡｓ障壁層はｎ型クラッド層としても機能する。また、電流狭窄層１０７については、電流狭窄部１０７ａがＡｌ_２Ｏ_３からなり、電流開口１０７ｂが、直径１０μｍ程度のＡｌＡｓからなる。下部傾斜組成層１０６および上部傾斜組成層１０８は、ＡｌＧａＡｓからなり、電流狭窄層１０７に向かって、そのＡｓ成分が段階的に増加する組成を有する。

ｐ型スペーサ層１０９、１１１、ｐ^＋型電流経路層１１０、及び、ｐ^＋型コンタクト層１１２は、それぞれ炭素をドープしたｐ型、ｐ^＋型のＧａＡｓからなる。各ｐ型またはｎ型層のアクセプタまたはドナー濃度は、たとえば１×１０^１８ｃｍ^−３程度であり、ｐ^＋型層のアクセプタ濃度は、たとえば１×１０^１９ｃｍ^−３以上である。なお、ＧａＡｓからなる各半導体層の屈折率は約３．４５である。

ｎ側電極１１７には、パッシベーション膜１１８に形成された開口部を介して接続されるＡｕからなるｎ側引出し電極１１９が形成されている。一方、ｐ側電極１１３にも、パッシベーション膜１１８に形成された開口部を介して接続されるＡｕからなるｐ側引出し電極１２０が形成されている。ｎ側電極１１７およびｐ側電極１１３は、それぞれｎ側引出し電極１１９およびｐ側引出し電極１２０を介して外部配線に接続している。

上記構造のうちで、下部ＤＢＲミラー１０２と上部ＤＢＲミラー１１６との間が、レーザ共振器部を形成する。面発光レーザ素子１００では、ｐ側電極１１３及びｎ側電極１１７が、上記のようにレーザ共振器内に配置され、イントラキャビティ・コンタクト（イントラキャビティ）構造を形成している。イントラキャビティ構造のレーザ素子は、一般にＤＢＲミラーを誘電体層で構成する際に採用される構造であり、半導体層でＤＢＲミラーを構成する構造に比して、積層方向の寸法がコンパクトになる利点がある。

本実施形態の面発光レーザ素子１００は、電源回路からｎ側引出し電極１１９およびｐ側引出し電極１２０を介して、ｎ側電極１１７およびｐ側電極１１３間に電圧を印加し、動作電流を注入する。動作電流は、主に低抵抗のｐ^＋型コンタクト層１１２とｐ^＋型電流経路層１１０とを経由して流れ、電流経路が電流狭窄層１０７によって電流開口１０７ｂ内に狭窄されて、高い電流密度で活性層１０５に供給される。その結果、活性層１０５にキャリアが注入されて自然放出光を発光する。レーザ発振波長である波長λの光は、下部ＤＢＲミラー１０２と上部ＤＢＲミラー１１６との間で定在波を形成し、活性層１０５において増幅される。注入電流がしきい値以上になると、定在波を形成する光がレーザ発振し、ｐ側電極１１３の開口部から８５０ｎｍ帯のレーザ光が出力する。

上記実施形態では、電流狭窄層１０７を含む第１のメサポストＭ１と、量子井戸構造の活性層１０５を含む第２のメサポストＭ２とを形成し、第２のメサポストＭ２の直径を５０μｍとし、第１のメサポストの直径３０μｍよりも大きくしている。この構成により、酸化狭窄層１０７を形成する選択酸化工程において、活性層の外縁部に結晶転位が発生しても、その結晶転位の発生位置を、活性層のレーザ発振の中央部から遠ざけている。このため、レーザ動作に伴って結晶転位が伝搬しても、その伝播時間延ばすことができ、面発光レーザ素子の寿命を延ばすことが可能になる。

第１のメサポストの直径は前記の通り３０μｍとした。この直径は、第１のメサポストの頂部に形成するｐ側電極１１３の接触面積を充分に確保出来ること、及び、電流狭窄層１０７の電流開口１０７ｂの直径を精度よく形成することを考慮したものである。第１のメサポストＭ１の直径がこれよりも小さいと、ｐ側電極の接触面積が充分に確保できず、また、これよりも大きすぎると、電流開口１０７ｂの所望の直径を精度よく形成することが困難になる。

第２のメサポストの直径は前記の通り５０μｍとした。この直径は、活性層１０５の有効な発光領域との間で充分な距離を得ることを考慮したものである。なお、５０μｍ以上の直径は、面発光レーザ素子全体のサイズを考慮して採用する。

つぎに、上記面発光レーザ素子１００の製造方法について説明する。図２〜４は、面発光レーザ素子１００の製造段階を順次に示す断面図である。まず、エピタキシャル成長法によって、基板１０１上に下部ＤＢＲミラー１０２、バッファ層１０３、ｎ型コンタクト層１０４、活性層１０５、下部傾斜組成層１０６、ＡｌＡｓ層１２２、上部傾斜組成層１０８、ｐ型スペーサ層１０９、ｐ^＋型電流経路層１１０、ｐ型スペーサ層１１１、ｐ^＋型コンタクト層１１２を順次に堆積し、積層構造を形成する。次いで、ＣＶＤ法及びフォトリソグラフィによって、積層構造の頂部の中央部分に、ＳｉＮｘからなり、直径が５０μｍの円板状の誘電体膜１２３を形成する。

誘電体膜１２３をマスクとして、図２に示すように、積層構造のうちで、ｎ型コンタクト層１０４の一部に達するドライエッチングを行い、積層構造の上部からｎ型コンタクト層１０４の途中までを除去して、直径が５０μｍのメサポストを形成する。次いで、誘電体膜１２３を除去し、ＣＶＤ法により、５０μｍ直径のメサポストの中央部分に、ＳｉＮｘからなり、直径が３０μｍの円板状の誘電体膜１２４を形成する。誘電体膜１２４をマスクとするドライエッチングを行い、下部傾斜組成層１０６の一部までを除去するエッチングを行う。エッチングの後には、積層構造の頂部から下部傾斜組成層１０６の一部に達する、直径が３０μｍの第１のメサポストＭ１が残され、また、その下方には、直径が５０μｍで、下部傾斜組成層１０６の一部、活性層１０５、及び、ｎ型コンタクト層１０４の一部を含む第２のメサポストＭ２が残される。（図３）。

つぎに、図３に示すように、水蒸気雰囲気中において熱酸化処理を行って、ＡｌＡｓ層１２２をメサポストＭ１の外周側から選択酸化する。このとき、ＡｌＡｓ層１２２においてＡｌＡｓ＋Ｈ_２Ｏ→Ａｌ_２Ｏ_３＋ＡｓＨ_３なる化学反応が起こり、ＡｌＡｓ層１２２の外周側からＡｌＡｓがＡｌ_２Ｏ_３となり、電流狭窄部１０７ａが形成される。その中央部には、ＡｌＡｓからなる電流開口１０７ｂが残される。熱酸化処理の時間を調整して、電流開口１０７ｂの直径が１０μｍ程度になるようにする。

つぎに、図４に示すように、第１のメサポストＭ１の頂部に環状のｐ側電極１１３を形成し、また、第２のメサポストＭ２の外周側に残されたコンタクト層１０３上に、メサポストを半周程度囲む環状のｎ側電極１１７を形成する。つぎに、環状のｐ側電極の内側に誘電体(ＳｉＮｘ)からなる位相調整層１１４を形成し、位相調整層１１４及びｐ側電極１１３を覆う誘電体膜１１５を形成する。次いで、第１のメサポストＭ１を除いてパッシベーション膜１１８を形成した後、ｎ側電極１１７およびｐ側電極１１３上のパッシベーション膜１１８および誘電体膜１１５に開口部を形成し、これらの開口部を介してｎ側電極１１７に接触するｎ側引出し電極１１９と、ｐ側電極１１３に接触するｐ側引出し電極１２０とを形成する。

つぎに、ＣＶＤ法を用いて上部誘電体ＤＢＲミラー１１６を全面に堆積する。フォトリソグラフィにより、ＤＢＲミラー１１６の誘電体膜を選択的にエッチングしてｐ側電極１１３及びｎ側電極１１７の表面、及び、メサポストの外周部分を除去し、その除去した位置の一部にｐ側引出し電極１２０及びｎ側引出し電極１１９を形成する。第１のメサポストＭ１以外部分で、且つ、引出し電極の所望部分を除いて、更に、パッシベーション膜１１８を形成する。その後に、素子分離を行って、図１に示す面発光レーザ素子１００を得る。素子分離に際しては、所定個数の面発光レーザ素子をまとめて１つの２次元アレイ構造を得てもよい。

上記実施形態の面発光レーザ素子では、一対のＤＢＲミラーのうち上部ＤＢＲミラーが誘電体ＤＢＲミラーであるイントラキャビティ構造のレーザを例示した。しかし、双方のＤＢＲミラーを誘電体ＤＢＲミラーまたは半導体ＤＢＲミラーとして構成することも出来る。

また、上記実施形態では、第１及び第２のメサポストを形成するエッチングをドライエッチングで行う例を示した。しかし、双方のエッチングの少なくとも一方を、ウェットエッチングによって行うことも可能である。

上記実施形態の面発光レーザ素子では、従来の３０００時間程度の寿命、あるいは、それ以下の寿命に対して、約２倍以上の寿命が期待できる。この理由は、酸化領域に発生した結晶転位が、活性層の中央部に達するまでの伝播時間が延長できること、及び、活性層内の光強度は発光中心から遠くなるほど弱くなり、その結果として結晶転位の伝播速度を低くすることが挙げられる。

以上、本発明をその好適な実施態様に基づいて説明したが、本発明の面発光レーザ素子及び面発光レーザアレイは、上記実施態様の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施態様の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。

本発明の一実施形態に係る面発光レーザ素子の断面図。 図１の面発光レーザ素子の一工程段階を示す断面図。 図２に後続する一工程段階を示す断面図。 図３に後続する一工程段階を示す断面図。 従来の面発光レーザ素子の断面図。 従来の面発光レーザ素子の動作時間と発光強度の関係を示すグラフ。

符号の説明

１００：面発光レーザ素子
１０１：ＧａＡｓ基板
１０２：下部ＤＢＲミラー
１０３：バッファ層
１０４：ｎ型コンタクト層
１０５：活性層
１０６：下部傾斜組成層
１０７：電流狭窄層
１０７ａ：電流狭窄部
１０７ｂ：電流開口
１０８：上部傾斜組成層
１０９：ｐ型スペーサ層
１１０：ｐ^＋型電流経路層
１１１：ｐ型スペーサ層
１１２：ｐ^＋型コンタクト層
１１３：ｐ側電極
１１４：位相調整層
１１５：誘電体膜
１１６:上部ＤＢＲミラー
１１７：ｎ側電極
１１８:パッシベーション膜
１１９：ｎ側引出し電極
１２０：ｐ側引出し電極
１２２：ＡｌＡｓ層
１２３：誘電体膜（ＳｉＮｘ）膜
１２４：誘電体膜（ＳｉＮｘ）膜

Claims (6)

1. 活性層と、活性層を相互の間に挟む下部ＤＢＲミラー及び上部ＤＢＲミラーと、活性層と上部ＤＢＲとの間に又は上部ＤＢＲミラーの内部に形成される酸化狭窄層とを含む積層構造を基板上に備える面発光レーザ素子において、
   前記酸化狭窄層と該酸化狭窄層の上部の積層部分とが第１のメサポストを形成し、
   前記活性層と該活性層の下層側の積層部分とが、前記第１のメサポストよりも直径が大きな第２のメサポストを形成していることを特徴とする面発光レーザ素子。
2. 前記上部ＤＢＲミラーが誘電体ＤＢＲミラーである、請求項１に記載の面発光レーザ素子。
3. 前記下部ＤＢＲミラーが半導体ＤＢＲミラーである、請求項１又は２に記載の面発光レーザ素子。
4. 発振波長が８５０ｎｍである、請求項１〜３の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
5. 前記積層構造が、前記活性層と前記酸化狭窄層との間にエッチストップ層を更に含む、請求項１〜４の何れか一に記載の面発光レーザ素子。
6. 請求項１〜５の何れか一に記載の面発光レーザ素子を複数備えることを特徴とする面発光レーザアレイ。

Images