JP2009253214A - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 被検光学系の波面収差を高精度に測定することが可能な露光装置を提供する。
【解決手段】 光源１１０からの光を用いて反射型マスク１５０を照明する照明光学系と反射型マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系１６０とを有する露光装置の照明光学系１２０は、基板に転写されるパターンを有する反射型マスクの照明領域を規定する第１照明領域規定手段１４１と、投影光学系の波面収差計測に用いられる計測パターンを照明する照明領域を規定し、照明光学系の光路に対して挿脱可能な第２照明領域規定手段１４０と、第１照明領域規定手段からの光を基板に転写されるパターンに集光し、第２照明領域規定手段からの光を計測パターンに集光する集光ミラーとを有する。さらに、第２照明領域規定手段が規定する照明領域は第１照明領域規定手段が規定する照明領域よりも小さいことを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法に関する。

半導体デバイスや液晶デバイス等を製造する際に古くからフォトリソグラフィ技術が使われてきた。フォトリソグラフィは投影光学系を用いて原版（マスクまたはレチクル）のパターンを所定の倍率で正確に基板（ウエハ）に転写するための露光装置を用いる。

特に近年、半導体デバイスの一層の微細化を実現するため、波長が従来の紫外線に対して１０分の１程度のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を用いる露光装置が開発されている。ＥＵＶ光の波長λはおよそ１０〜１５ｎｍ（例えば１３．５ｎｍ）である。ＥＵＶ波長領域では光は物質に強く吸収されるため、投影光学系に屈折光学系を用いることができず反射光学系が使用される。これらの投影光学系の波面収差はマレシャルの基準からλ／１４（＝０．９６ｎｍ）ｒｍｓ以下にする必要がある。このような投影光学系を露光装置上で高精度に計測するためには、投影光学系の波面収差よりさらに数分の１程度の小さい収差量を分解できる高精度な計測技術が必要となる。

投影光学系の波面を高精度に測定する干渉方式としては、シアリング干渉計測法（Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｈｅａｒｉｎｇ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒ）がある（特許文献１、２および３参照）。シアリング干渉計では、投影光学系（被検光学系）の物体面にピンホールを有するピンホールマスクを配置する。ピンホールが十分小さい場合、ピンホール射出波面は理想的な球面波とみなされ参照波面として使用される。ピンホールの像は被検光学系のみの収差の影響を受けて像面に結像する。像面の近傍には回折格子が配置され、波面を直交２方向に横ずらし（シア）する。この結果、像面と回折格子より後段の観察面では干渉縞が得られる。各方向の波面データから得られる波面情報を積分して２次元波面復元を行うことで、被検光学系の波面収差を計測することが可能となる。

露光装置内の投影光学系の収差を高精度に計測するには、基板を露光する時と同じ露光光源及び照明光学系を用いて計測することが望ましい。露光光源（例えば、レーザー励起プラズマ光源（ＬＰＰ）や放電励起プラズマ光源（ＤＰＰ））を用いた場合、露光光源の輝度（単位面積あたりの光量）が小さく、上記ピンホールを通る光量が小さいことが考えられる。そのため、特許文献２ではピンホールを複数個配置することで光利用効率を向上させる内容が開示されている。また、特許文献３では照明光学系のミラーを交換して輝度を向上させる内容が開示されている。
特開２００５−１５９２１３号公報 特開２００６−３３２５８６号公報 特開２００６−３０３３７０号公報

上記の特許文献２及び３に記載の発明でも、上記露光光源からの光束は指向性が低く、ピンホール部分のみに選択的に集光することが困難である。ピンホールマスクにおいてピンホール部以外の光吸収層に光が照射されると、光吸収層からの微量な反射光によって、計測に必要なシグナルノイズ（Ｓ／Ｎ）比を得られないことがある。したがって、干渉縞のノイズが大きく、高精度に被検光学系の波面収差を計測することができなかった。これは収差計測用のピンホールマスクの光吸収層の照明面積が、ピンホールの照明面積に対して大きいためである。

そこで本発明は、被検光学系の波面収差を高精度に測定することが可能な露光装置を提供することを例示的目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明の１つの側面としての露光装置は、光源からの光を用いて反射型マスクを照明する照明光学系と、前記反射型マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを有する露光装置において、前記照明光学系は、前記基板に転写されるパターンを有する前記反射型マスクの照明領域を規定する第１照明領域規定手段と、前記投影光学系の波面収差計測に用いられる計測パターンを照明する照明領域を規定し、前記照明光学系の光路に対して挿脱可能な第２照明領域規定手段と、前記第１照明領域規定手段からの光を前記基板に転写されるパターンに集光し、前記第２照明領域規定手段からの光を前記計測パターンに集光する集光ミラーとを有し、前記第２照明領域規定手段が規定する照明領域は前記第１照明領域規定手段が規定する照明領域よりも小さいことを特徴とする。

本発明によれば、被検光学系の波面収差を高精度に測定することが可能である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例について説明する。各図中に示す同一の符号は同一部材を示す。

図１及び図２を参照して、第１の実施例の露光装置１００について説明する。露光装置１００は、少なくとも照明光学系１２０、マスクステージ、投影光学系１６０及びウエハステージ１９０を有する。図１は、ウエハ１８０に転写される回路パターンが描画された反射型マスク１５０を照明し、投影光学系（被検光学系）１６０を介してそのパターンをウエハ１８０に転写するときの露光装置１００の状態を表す。図２は、投影光学系１６０の波面収差を測定するときの露光装置１００の状態を表す。

図１に示すように、ＥＵＶ露光光源１１０から発せられた光は、反射光学系により構成される照明光学系１２０に入射する。照明光学系１２０は、反射ミラー１３０、反射型インテグレータ１３１、第１照明領域規定絞りとしての露光用視野絞り１４１、第２照明領域規定手段としての計測用視野絞り１４０及びその他の反射光学系を有する。

照明光学系１２０は、光源１１０からの光を結像する中間結像面を形成し、その中間結像面には露光用視野絞り１４１又は計測用視野絞り１４０が切り替えて配置される、もしくは、露光用視野絞り１４１及び計測用視野絞り１４０が配置される。中間結像面の位置は投影光学系１６０の物体面と共役な位置である。中間結像面に露光用視野絞り１４１及び計測用視野絞り１４０が配置されている場合においては、中間結像面はその近傍を含むこととする。

反射ミラー１３０と反射型インテグレータ１３１とは照明光学系の光路内であって、投影光学系１６０の瞳面と共役な面近傍に切替（交換）可能に挿入されるように配置されている。

反射型インテグレータ１３１は、光源１１０から射出されるＥＵＶ光を反射することで複数の２次光源を形成する。前記複数の２次光源からの光束は露光用視野絞り１４１により一部が遮光され、マスク１５０を照明する円弧状の照明領域に規定される。図３に示すように、露光用視野絞り１４１は円弧形状の開口１４１０が設けられた遮光部材（遮光板）である。そのため、図４に示すように、露光用視野絞り１４１によって規定された円弧状の照明領域３０１で、投影光学系１６０の物体面（被照射面）に配置されたマスク１５０に描画された回路パターン３０２が照明される。なお、露光用視野絞り１４１は照明光学系の光路に対して挿脱可能としてもよい。

露光用視野絞り１４１より後段の照明光学系の集光ミラーを用いて、反射型インテグレータ１３１から射出され、露光用視野絞り１４１を通過した複数の光束を重ね合わせて（集光して）マスク１５０の回路パターン３０２が照明される。

上述のように照明されたマスク１５０で反射した光（回折光）は、投影光学系１６０に入射される。投影光学系１６０は、ウエハ１８０上に塗布された感光剤にマスク１５０のパターンの像を所定の倍率で投影露光する。ここで、投影光学系１６０は反射光学系から構成されるが、これに限定されない。照明光学系１２０についても同様である。

マスク１５０の照明及びウエハ１８０の露光は、マスク１５０を保持して移動するステージ及びウエハを保持して移動するステージ１９０を同期走査させながら行う。

図１に示すように、ウエハ１８０を露光する際は、計測用視野絞り１４０は照明光学系１２０の光路外に配置され、照明光学系１２０の光束を遮らない位置まで退避している。また、反射ミラー１３０についても同様であり、照明光学系１２０の光路外に配置されている。つまり、計測用視野絞り１４０、反射型インテグレータ１３１及び反射ミラー１３０は照明光学系１２０の光路に対して挿入や退避をするために挿脱可能である。計測用視野絞り１４０は投影光学系の物体面と共役な面における照明光学系の光路に対して挿脱可能である。

次に、図２を用いて、投影光学系１６０の波面収差を測定するときの露光装置１００を説明する。図２に示すように、投影光学系１６０の波面収差を測定するときは、計測用視野絞り１４０及び反射ミラー１３０が照明光学系の光路内に配置される。また、投影光学系１６０の物体面には計測用マスク４００が配置され、投影光学系の像面（ウエハ面）における露光領域には波面収差計測部１７０が配置される。なお、これら光学部材の切替には公知・周知の駆動機構を用いることができる。

波面収差測定時において、計測用視野絞り１４０は照明光学系の光束の一部を遮光し、投影光学系１６０の物体面に配置された計測用マスク４００を照明する照明領域を規定する。計測用視野絞り１４０より後段の照明光学系の集光ミラーは、計測用視野絞り１４０からの光を波面収差計測用のパターン（計測パターン）に集光する。

反射ミラー１３０は平面ミラーまたは曲面ミラーであり、光源１１０から射出された光を散乱させることなく反射する。そのため、反射型インテグレータ１３１に替えて反射ミラー１３０を光路内に挿入することによって、投影光学系１６０の物体面における照明領域は、中間結像面に絞りを配置しない場合は図５に示すように領域３０１から領域５０１に切り替わる。したがって、この場合、被照射面を照明する照明光の輝度が向上する。

また一般的に、露光用の照明領域３０１内の異なる位置から射出される光は、投影光学系１６０の物体高（像高）の違いにより収差が異なる。そのため、マスク１５０の替わりに図６に示す、反射型マスクとしての計測用マスク４００を投影光学系１６０の物体面に配置する。計測用マスク４００は、投影光学系１６０の波面収差計測に用いられる、複数の計測用パターン４０３（４０３ａ〜ｉ）を有し、計測用パターン４０３以外の部分は光吸収層４０２で覆われている。それぞれの計測用パターン４０３は露光用の照明領域３０１内の、所定の物体高位置に配置されている。図６では合計９個の計測用パターン４０３ａ〜ｉが示されているが、計測用パターン４０３の数はこの限りで無く、測定したい物体高の数に応じて配置しても良い。

図７に計測用パターン４０３の拡大模式図を示す。計測用パターン４０３は反射型のピンホール８０１を複数有するピンホール群８０２が多数配置されて構成されている。図７に示すように、複数のピンホール群８０２すべてを含む最小円（外接円）４０４を想定すると、その最小円４０４の直径（Ｅ）は２００μｍである。つまり、複数のピンホール群８０２はその直径２００μｍ内に配置されている。図８に計測用パターン４０３周辺の断面図を示す。計測用パターン４０３は不図示のＳｉまたはガラスなどの基板上にＭｏとＳｉの多層膜からなる反射層９０１を有し、反射層９０１に隣接してＥＵＶ光を吸収する光吸収層８０３が積層されている。光吸収層８０３はＥＵＶ光を効率良く光を吸収する必要があるため、ＴａＢＮ、Ｔａ、ＣｒまたはＮｉが好適である。光吸収層８０３がＴａＢＮの場合、その厚みは１００ｎｍ以上必要である。

投影光学系１６０の波面収差を計測する時には、他の物体高と分離して波面収差を計測するため、図６及び図７に示す照明領域４０１に示すように、照明領域５０１を限定して計測用パターン４０３（例えば４０３ａ）を照射する必要がある。そのため、照明光学系１２０の中間結像面近傍に照明領域を規定するための計測用視野絞り１４０を光束内に挿入する。図９に計測用視野絞り１４０を示す。計測用視野絞り１４０の開口（ピンホール）１４０１を透過した光は、投影光学系１６０の物体面に配置された計測用マスク４００を照明する照明領域４０１を形成し、１つの計測用パターン４０３ａ及びその近傍を照明する。計測用視野絞り１４０は露光用視野絞り１４１の開口１４１０よりも面積が小さい開口（ピンホール）１４０１を有する。つまり、計測用視野絞り１４０によって規定される照明領域４０１は、露光用視野絞り１４１によって規定される照明領域３０１よりも小さい。

計測用パターン４０３に対して照明領域４０１が大きくなると、光吸収層８０３からの微弱な反射光の割合が大きくなり、波面収差を計測する時のノイズになる。したがって、照明領域４０１の大きさが計測用パターンの大きさと同程度になるように、計測用視野絞り１４０の開口の大きさが決定される。そうすることで、照明領域４０１の位置を計測パターン４０３の位置に正しく合わせることも可能になる。

例えば、照明光学系１２０のうち中間結像面から被照射面までの光学系の倍率をＭとすると、計測用視野絞り１４０の直径ＤをＭ倍した値が照明領域４０１となる。計測用パターン４０３（複数のピンホール群）を含む最小円４０４の直径をＥとすると、Ｄ＝Ｅ／Ｍを満たすように設定すれば、照明領域４０１と計測用パターン４０３との大きさが等しくなる。

なお、計測パターン４０３を含む最小円４０４の直径（Ｅ）は、計測パターン４０３からの光束が投影光学系１６０を透過した際に、投影光学系１６０の収差が実質的に同一とみなせる大きさに限定する必要がある。例えば、直径Ｅを１００μｍから１ｍｍ程度にすることでこれを実現することが可能である。

計測用パターン４０３で反射した光は、投影光学系１６０に入射し、投影光学系の波面収差の影響を受けて、投影光学系１６０の像面に結像する。

本実施例では、波面収差計測部１７０は、投影光学系１６０を透過した光を光軸（光束中心）に対して垂直な２方向に分割するための２次元回折格子とＣＣＤ等の検出器を有する。これらを用いた具体的な波面収差計測方法は、特開２００６−３３２５８６号公報（国際公報第０６／１１５２９２号パンフレット）に記載されており、本実施例でもその方法を適用することができるので、ここでは具体的な説明は省略する。

光分割手段としての２次元回折格子は、投影光学系１６０からの光を多数の回折光に分離し、投影光学系１６０の像面上に複数の集光点を形成する。高いコントラストの干渉パターンを得るためにはタルボ効果が現れるように、２次元回折格子と像面との距離が決められている。検出器は、２次元回折格子からの光によるシアリング干渉縞を撮像する。検出器で撮像された干渉縞のデータは演算部に送られ、演算部において波面解析（復元）が行われて被検光学系１２の波面収差が算出される。波面解析法としては、例えば、回折格子の直交する２方向の微分波面を求め、次に、これら各々の微分波面を上記２方向に積分した後に、これらを合成する方法がある。

次に、撮像される干渉縞に関して説明する。ピンホール群８０２の位置は、投影光学系１６０を透過した光による干渉縞の信号強度が大きくなるように設計されている。例えば、１つのピンホール群８０２からの光で作られる干渉縞と、別のピンホール群８０２からの光で作られる干渉縞との強度の高い位置が重なるように各ピンホール群８０２の位置が設計されている。

また、光吸収層８０３の光反射率は０ではなく僅かに反射光を生じるため、光吸収層８０３領域からの反射光が多くなると干渉縞のコントラストが低下する。例えば、計測用パターン４０３の最小円４０４の直径Ｅを２００μｍとし、光吸収層ＴａＢＮの反射率を０．３％とした場合、波面収差計測時の照明領域の直径Ａ（図７参照）も２００μｍであれば干渉縞のコントラストは０．４７となる。直径Ａはピンホール群のサイズ２００μｍであることが望ましいが、照明光学系の収差で広がることがある。

図１０に照明領域の直径Ａと干渉縞コントラストの関係を示す。図から直径Ａが大きくなると干渉縞コントラストが低下していく様がわかる。干渉縞のコントラストはＡの広がり以外にも照明光学系を構成する光学素子の面粗さや光吸収層８０３の反射率にも依存する。そのため例えば、Ａの広がりによるコントラスト低下を０．０５程度許容すると、直径Ａは３００μｍ程度の広がりまでが許される。例えば、照明光学系１２０の収差によりＡが広がるとすると、その収差の量は２００μｍの集光スポットが３００μｍ以内に広がる量程度に抑える必要があるといえる。

複数の像高で投影光学系の波面収差を測定する場合は、所定の像高に対応する位置の計測用パターン４０３を照明するために照明領域４０１を該所定の位置に移動させる必要がある。

図５のように反射ミラー１３０によって照明領域５０１が形成され、計測用パターン４０３ａの位置に対応する像高で測定した後、計測用パターン４０３ｂの位置に対応する像高で測定する場合を考える。その場合は、計測用視野絞り１４０を移動する移動機構を用いて、照明光が計測用パターン４０３ｂを照明するように計測用視野絞り１４０を中間結像面において移動させる。この際、計測用マスク４００は固定したままである。そして、計測用パターン４０３ｂからの光を用いて、計測用パターン４０３ｂの位置に対応する像高で投影光学系１６０の波面収差計測を行う。

次に、計測用パターン４０３ｉの位置に対応する像高で測定を行う場合を説明する。その場合は、反射ミラー１３０を回転（移動）させる回転（移動）機構を用いて反射ミラー１３０を回転させて、反射ミラー１３０で反射する反射光の方向を変化させる。例えば、照明光の光束中心（光軸）を含む面に存在する軸を回転軸として任意角度で反射ミラー１３０を回転させることができる。そうすることで、照明領域５０１が移動し、計測用パターン４０３ｉを含む領域が照明されるようにする。さらに、反射ミラー１３０の回転に伴い、または連動して、計測用視野絞り１４０の開口１４０１を透過した光が計測用パターン４０３ｉを照明するように、計測用視野絞り１４０を中間結像面において移動させる。そして、計測用パターン４０３ｉからの光を用いて、計測用パターン４０３ｉの位置に対応する像高で投影光学系１６０の波面収差計測を行う。以上のようにして、所定の像高において投影光学系１６０の波面収差を測定することが可能となる。

なお、本実施例では計測用パターン４０３はマスク１５０とは別体の計測用マスク４００に設けられているがこれに限らず、例えば、マスク１５０に計測用パターン４０３を設けて一体のものとしてもよい。

以上より、本実施例によれば、光吸収層で反射した光によるノイズを低減することができるため、被検光学系の波面収差を高精度に測定することが可能である。

次に、本発明の第２の実施例について説明する。本実施例において、第１の実施例と異なるところは計測用視野絞りとその駆動機構である。なお、第１の実施例と同様の構成についての説明は省略する。

図１１に本実施例における計測用視野絞り１４２を示す。計測用視野絞り１４２は複数の開口（ピンホール）（１４２１〜１４２５）が形成された遮光板である。開口の数は測定したい像高の数によって決められる。各開口の位置は、１つの開口だけが視野絞り１４１の円弧状スリット内に配置されるように設計されている。

計測用視野絞り１４２の開口は露光用視野絞り１４１の開口１４１０よりも面積が小さい。つまり、計測用視野絞り１４２の開口によって規定される照明領域４０１は、露光用視野絞り１４１によって規定される照明領域３０１よりも小さい。

図１２を用いて、各像高における波面収差測定について説明する。図１２は中間結像面に配置された視野絞り１４１と１４２とを光の入射側から見た図である。まず、移動機構を用いて計測用視野絞り１４２を移動して、開口１４２１が露光用視野絞り１４１の開口１４１０内であって反射ミラー３０１によって照明される領域に配置する。なお、測定したい像高に対応して、反射ミラー３０１で反射された光が所定の領域を照明するように、回転（移動）機構を用いて適宜反射ミラー３０１を回転（移動）させる。

開口１４２１を透過した光は、開口１４２１の位置に対応する物体面の位置にある、計測用パターン４０３を照明する。そして、その位置（像高）における投影光学系１６０の波面収差を測定する。

次に、計測用視野絞り１４２を図１２の矢印６０２の方向に移動する移動機構を用いて、計測用視野絞り１４２を図の左方向に移動すると、矢印６０２の方向における任意の位置（像高）で投影光学系１６０の波面収差を計測することが可能である。

さらに、開口１４２２が露光用視野絞り１４１の開口１４１０内に配置されるように、計測用視野絞り１４２を矢印６０２の方向に移動する。そして、上述のように、開口１４２２を透過した光を用いて、その位置に対応する像高での投影光学系１６０の波面収差を計測する。

開口１４２３乃至１４２５についても同様に、上記移動機構を用いれば、それらの位置に対応した像高における投影光学系１６０の波面収差を計測することができる。

本実施例によれば、計測用視野絞り１４２を１軸方向のみに移動すればよいので、第１実施例の場合よりも計測用視野絞り１４２の移動機構を簡素化することができる。

なお、上述のように、計測用視野絞り１４２の開口の数、位置及び形状などは測定数、精度などによって任意に決定される。また、計測用視野絞り１４２を移動可変な複数の遮光板で構成することで、開口形状を任意に形成してもよい。

以下、前述の露光装置１００を利用したデバイス（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子等）の製造方法の実施例を説明する。デバイスは、前述の露光装置１００を使用して、原版（マスク、レチクル）のパターンの像を感光剤が塗布された基板（ウエハ、ガラス基板等）に露光する工程と、その基板（感光剤）を現像する工程と、他の周知の工程と、を経ることにより製造される。他の周知の工程には、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等を含む。本実施例のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。

以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

ウエハ露光時の露光装置を表す図である。 波面収差計測時の露光装置を表す図である。 露光用視野絞りを表す図である。 ウエハ露光時におけるマスクの照明領域を示す図である。 反射ミラーを用いた場合の照明領域を示す図である。 波面収差計測時における計測用マスクを表す図である。 計測用パターンの拡大平面図である。 計測用パターン周辺の断面図である。 第１の実施例における計測用視野絞りを表す図である。 計測用マスクの照明領域と干渉縞のコントラストとの関係を示す図である。 第２の実施例における計測用視野絞りを表す図である。 第２の実施例における計測用視野絞りの動作を表す図である。

符号の説明

１１０ 光源
１２０ 照明光学系
１３０ 反射ミラー
１３１ 反射型インテグレータ
１４０ 計測用視野絞り
１４１ 露光用視野絞り
１４２ 計測用視野絞り
１６０ 投影光学系
１７０ 波面収差計測部
１８０ ウエハ
３０１ 照明領域
４００ 計測用マスク
４０１ 照明領域
４０３ 計測用パターン
５０１ 照明領域
１４０１ 開口
１４１０ 開口
１４２１、１４２２、１４２３、１４２４、１４２５ 開口

Claims (13)

1. 光源からの光を用いて反射型マスクを照明する照明光学系と、前記反射型マスクのパターンの像を基板に投影する投影光学系とを有する露光装置において、
   前記照明光学系は、
   前記基板に転写されるパターンを有する前記反射型マスクの照明領域を規定する第１照明領域規定手段と、
   前記投影光学系の波面収差計測に用いられる計測パターンを照明する照明領域を規定し、前記照明光学系の光路に対して挿脱可能な第２照明領域規定手段と、
   前記第１照明領域規定手段からの光を前記基板に転写されるパターンに集光し、前記第２照明領域規定手段からの光を前記計測パターンに集光する集光ミラーとを有し、
   前記第２照明領域規定手段が規定する照明領域は前記第１照明領域規定手段が規定する照明領域よりも小さいことを特徴とする露光装置。
2. 前記第２照明領域規定手段はピンホールが設けられた遮光部材であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
3. 前記第２照明領域規定手段は、複数の開口が設けられた遮光部材であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
4. 前記第１照明領域規定手段及び前記第２照明領域規定手段は前記照明光学系の中間結像面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
5. 前記中間結像面において前記第２照明領域規定手段を移動させる移動手段を有することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
6. 前記計測パターンはピンホール群を複数、含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
7. 前記計測パターンは前記反射型マスクに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
8. 前記計測パターンは、前記基板に転写されるパターンを有さない反射型マスクに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
9. 前記計測パターンから射出され、前記投影光学系を透過した光を分割する光分割手段と、
   前記光分割手段により分割された光による干渉縞を検出する検出器と、
   前記検出器で検出された干渉縞のデータから前記投影光学系の波面収差を求める演算部と
   を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
10. 前記光源からの光で複数の２次光源を形成する反射型インテグレータと、
    平面ミラーとを有し、
    前記反射型インテグレータと前記平面ミラーとは前記投影光学系の瞳面と共役な面において切り替えて配置され、
    前記第１照明領域規定手段が前記光路に配置されているときに、前記反射型インテグレータを前記光路に配置し、
    前記第２照明領域規定手段が前記光路に配置されているときに、前記平面ミラーを前記光路に配置することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
11. 前記第２照明領域規定手段を移動する移動手段と、
    前記平面ミラーを回転する回転手段とを有し、
    前記移動手段及び前記回転手段を駆動することにより、前記第２照明領域規定手段の移動及び前記平面ミラーの回転を行うことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
12. 前記第２照明領域規定手段の開口の大きさをＤ、前記第２照明領域規定手段から前記投影光学系の物体面まで前記光を引き回す照明光学系の倍率をＭ、前記計測パターンを含む最小円の直径をＥとすると、Ｄ＝Ｅ／Ｍを満たすことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
13. 請求項１乃至１２に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
    該露光された基板を現像するステップと、
    該現像された基板を用いてデバイスを形成するステップとを有するデバイス製造方法。

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