JP2010010681A - 発光素子、発光素子を含む発光装置、発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子、発光素子を含む発光装置、および発光素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００は、第１電極１４０と、第１電極１４０から離隔されて位置する第２電極１５０と、第１電極１４０と第２電極１５０との間にある部分とを含む発光パターン１１４、および発光パターン１１４と第１電極１４０の間および第１電極１４０と同一のレベル上の少なくとも一方にある部分を含むブロックパターン１２０を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子、このような発光素子を含む発光装置、およびこのような発光素子の製造方法、および発光素子を含む発光装置を製造する方法に関するものである。より具体的には、本発明は、電流ブロックパターン（ｃｕｒｒｅｎｔ ｂｌｏｃｋ ｐａｔｔｅｒｎ）を用い、従来の素子および装置より向上した光効率を有する発光素子および発光装置に関するものである。また本発明は、このような発光素子および発光装置を製造する方法に関するものである。

ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）のような発光素子は、多様な製品、例えば、表示装置、デジタル時計、リモートコントロール（ｒｅｍｏｔｅ ｃｏｎｔｒｏｌ）、時計、計算機、携帯電話、表示灯、バックライトなどに適用され得る。

ＬＥＤは、一般的に電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、すなわち電子−ホール対の再結合によって光を発散する。電子−ホール対は半導体ｐ−ｎジャンクション（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）で電流によって再結合することができる。電子とホールが再結合するとき、エネルギーが光子（ｐｈｏｔｏｎ）の形態で放出される。ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）では、例えば、電流が発光層および導電層と同じ有機層を通過して陰極から両極で流れるとき、エネルギーが光子の形態で放出される。

ＬＥＤが幅広く多様な製品にすでに使われているが、向上した光効率を有するＬＥＤと共に向上した光効率を有する発光素子に対する必要性がある。

特開２０００−１０１１９４号広報

本発明は、前記関連技術の限界および短所による問題点のうち一つまたはそれ以上を実質的に解決する発光素子、このような発光素子を含む発光装置、およびこのような発光素子および／または装置を製造する方法に関するものである。

本発明の特徴は、従来の素子と比較して光効率を増加させるために電流ブロックパターンを使用する発光素子を提供するものである。

本発明のまた他の特徴は、従来の素子と比較して光効率を増加させるために電流ブロックパターンを使用する発光素子を含む発光装置を提供するものである。

本発明のまた他の特徴は、従来の素子と比較して向上した光効率を有する発光素子の製造方法を提供するものである。

本発明のまた他の特徴は、発光素子の発光領域の発光パターン全体に電流を分散させるように改造されたブロックパターンを含む発光素子を提供するものである。

本発明のまた他の特徴は、発光素子の一つの電極からまた他の電極および前記電極と共に接続された発光パターンを通して流れる全ての電流を分散させるために発光素子の一つの電極とまた他の電極との間を流れる電流のパス（ｐａｔｈ）に沿って配置された電流分散手段を含む発光素子を提供するものである。

前述した特徴および利点と他の特徴および利点のうち少なくとも一つは、次の発光素子によって達成されるであろう。請求項１に対応する解決手段１の発光素子は、第１電極と、前記第１電極から離隔されて位置する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間にある部分を含む発光パターンと、前記発光パターンと前記第１電極との間および前記第１電極と同一のレベル上の少なくとも一方にある部分を含むブロックパターンと、を備える。

請求項２に対応する解決手段２の前記第１電極は、第１方向に沿って実質的に延長する第１部分および前記第１方向と交差する第２方向に沿って実質的に延長する第２部分を含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項３に対応する解決手段３の前記第１電極は、キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を定義する２つの突出した部分を含み、前記キャビティの上部の部分は、前記キャビティの下部の部分より広いことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項４に対応する解決手段４の前記第１電極は、発光領域および非発光領域を定義する複数の突起を含み得、前記第２電極は前記非発光領域と重複することを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項５に対応する解決手段５の前記ブロックパターンは、絶縁物質を含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項６に対応する解決手段６の前記ブロックパターンは、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、アルミニウム酸化膜およびアルミニウム窒化膜のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項７に対応する解決手段７の前記ブロックパターンの少なくとも一部は、前記第１電極の直接上部に位置することを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項８に対応する解決手段８の前記第１電極は、実質的におよび／または完全に平たいことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項９に対応する解決手段９の前記ブロックパターンは、第１ブロックパターンおよび第２ブロックパターンを含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

解決手段１０の前記第１ブロックパターンおよび第２ブロックパターンそれぞれは、ラインパターン、メッシュパターンおよびドットパターンのうち一つであることを特徴とする解決手段９に記載の発光素子である。

解決手段１１の前記第１ブロックパターンおよび前記第２ブロックパターンは、お互いに対してオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）配列され、前記第１ブロックパターンの少なくとも一部は、前記第２ブロックパターンによって定義された空間と重複し、前記第２ブロックパターンの一部は、前記第１ブロックパターンによって定義された空間と重複することを特徴とする解決手段９に記載の発光素子である。

解決手段１２の前記第１ブロックパターンのパターンは、前記第２ブロックパターンのパターンと相補的であることを特徴とする解決手段９に記載の発光素子である。

解決手段１３の前記第１ブロックパターンの少なくとも一部は、前記発光パターンと前記第１電極との間および前記第１電極と同一のレベル上の少なくとも一方に位置することができ、前記第２ブロックパターンの少なくとも一部は、前記発光パターンと前記第２電極との間および前記第２電極と同一のレベル上の少なくとも一方に位置することを特徴とする解決手段９に記載の発光素子である。

請求項１０に対応する解決手段１４の前記発光素子は、前記発光パターン下部にある第１導電パターンおよび前記発光パターン上部にある第２導電パターンをさらに含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

解決手段１５の前記第１導電パターン、前記発光パターンおよび前記第２導電パターンのうちの少なくとも１つは、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１）を含むことを特徴とする解決手段１４に記載の発光素子である。

解決手段１６の前記第１導電パターンの一部は、前記第１電極のレベルより高いレベルにあって、前記第１導電パターンのまた他の部分は、前記第１電極のレベルより低いレベルに位置することを特徴とする解決手段１４に記載の発光素子である。

解決手段１７の前記第１電極の少なくとも一部は、前記発光パターンおよび前記ブロックパターンのそれぞれの部分の少なくとも一方と同一のレベル上に位置することを特徴とする解決手段１４に記載の発光素子である。

解決手段１８の前記ブロックパターンの少なくとも一部は、前記第２導電パターンと整列および／または前記第２導電パターンの一部内に埋め込まれる（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）ことを特徴とする解決手段１４に記載の発光素子である。

解決手段１９の前記ブロックパターンの少なくとも一部は、前記第１導電パターンと整列および／または前記第１導電パターンの一部内に埋め込まれることを特徴とする解決手段１４に記載の発光素子である。

請求項１１に対応する解決手段２０の前記発光素子は、前記第１電極と前記発光パターンの間および前記第２電極と前記発光パターンとの間のうち少なくとも一方に配列されたオームパターンをさらに含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

解決手段２１の前記オームパターンは、前記ブロックパターンの少なくとも一部と相補的なパターンを含み、前記ブロックパターンの相補的な部分と同一のレベル上に配置されることを特徴とする解決手段２０に記載の発光素子である。

解決手段２２の前記オームパターンは、前記第１電極と前記発光パターンとの間にある第１オームパターンおよび前記発光パターンと前記第２電極との間にある第２オームパターンを含むことを特徴とする解決手段２０に記載の発光素子である。

請求項１２に対応する解決手段２３の前記ブロックパターンは、突起を含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項１３に対応する解決手段２４の前記発光素子は、前記第２電極と前記ブロックパターンとの間にあるバッファ層をさらに含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

解決手段２５の前記バッファ層は、Ｉｎ_xＡｌ_yＧ_(1-x-y)および／またはＳｉ_xＣ_yＮ_(1-x-y)（０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１）を含むことを特徴とする解決手段２４に記載の発光素子である。

請求項１４に対応する解決手段２６の前記第１電極は、反射物質を含むことを特徴とする解決手段１に記載の発光素子である。

請求項１５に対応する解決手段２７の発光装置は、前記発光素子、前記第１電極と電気的に接続されベース基板上にある第１導電領域、および前記第２電極と電気的に接続され、前記ベース基板上にある第２導電領域を含む。

解決手段２８の前記発光装置は、液晶表示装置バックライトユニット、プロジェクタまたはランプであることを特徴とする解決手段２７に記載の発光装置である。

解決手段２９の前記第１電極が上部に位置する導電基板により前記第１電極と前記第１導電領域は電気的に接続され、前記第２電極は、ワイヤーにより前記第２導電領域と電気的に接続されることを特徴とする解決手段２７に記載の発光装置である。

解決手段３０の前記第１電極および前記第２電極は、前記第１導電領域および前記第２導電領域と導電性レジンによりそれぞれ電気的に接続されることを特徴とする解決手段２７に記載の発光装置である。

解決手段３１の前記第１導電領域および前記第２導電領域は、前記ベース基板の第１面上に位置する。また、前記発光装置は、前記ベース基板の第２面上にある第３導電領域、前記ベース基板の第２面上にある第４導電領域、前記第１導電領域と前記第３導電領域を接続する少なくとも一つのビア、および前記第２導電領域と前記第４導電領域を接続する少なくとも一つのビアをさらに含むことを特徴とする解決手段２７に記載の発光装置である。

解決手段３２の前記発光装置は、前記発光素子上にある蛍光層をさらに含むことを特徴とする解決手段２７に記載の発光装置である。

解決手段３３の前記蛍光層は、透明レジンを含み得、蛍光体は、前記透明レジン内に、前記透明レジン上に、および／または前記透明レジンと前記発光素子との間に分散することを特徴とする解決手段３２に記載の発光装置である。

解決手段３４の前記発光装置は、複数個の前記発光素子を含む。また、前記蛍光層は、前記発光素子上にラインタイプおよび／またはドットタイプ方式で配列されることを特徴とする解決手段２７に記載の発光装置である。

前述した特徴および利点と他の特徴および利点のうち少なくとも一つは、次の発光素子によってそれぞれ達成されるであろう。請求項１６に対応する解決手段３５の前記発光素子は、導電基板上にある第１電極と、前記第１電極上にある第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間にある部分を含む発光パターンと、前記発光パターンを通過する電流の流れを調節する電流調節手段であって、前記電流調節手段の少なくとも一部は、前記第１電極と前記発光パターンとの間で電流パスに沿って配列され、前記第１電極から前記発光パターンに流れる全ての電流は、前記発光パターンに到達する前に前記電流調節手段の少なくとも一部を通過して流れる電流調節手段と、を含む。

解決手段３６の前記電流調節手段は、前記第１電極と前記発光パターンとの間および／または前記第１電極と同一のレベル上に配置された第１調節パターンを含むことを特徴とする解決手段３５に記載の発光装置である。

解決手段３７の前記電流調節手段は、絶縁体を含むことを特徴とする解決手段３５に記載の発光装置である。

解決手段３８の前記発光素子は、前記発光パターン上にある導電パターンおよび前記電流調節手段を保護および／または前記導電パターンのシード（Ｓｅｅｄ）の役割をするバッファリング手段をさらに含むことを特徴とする解決手段３５に記載の発光装置である。

前述した特徴および利点と他の特徴および利点のうち少なくとも一つは、次の発光素子の製造方法によってそれぞれ達成されるであろう。請求項１７に対応する解決手段３９の前記発光素子の製造方法は、基板上にブロックパターンを形成する段階と、前記基板上に導電パターンを形成する段階と、前記基板上に発光パターンを形成する段階と、前記基板上にまた他の導電パターンを形成する段階と、実質的におよび／または完全に前記発光パターンの第１面上に第１電極を形成する段階、および実質的におよび／または完全に前記第１面と異なる前記発光パターンの第２面上に第２電極を形成する段階と、を含み、前記ブロックパターンは、前記発光パターンと前記第１電極との間および前記第１電極と同一のレベル上の少なくとも一方にある部分を含む。

解決手段４０の前記発光素子の製造方法は、前記基板上にまた他のブロックパターンを形成する段階をさらに含み、前記また他のブロックパターンは、前記発光パターンと前記第２電極との間および／または前記第２電極と同一のレベル上にある部分を含むことを特徴とする解決手段３９に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４１の前記導電パターンを形成する段階は、前記ブロックパターンを形成する段階の前に少なくとも部分的に実行することができ、前記ブロックパターンは、前記基板上にある前記導電パターンの少なくとも一部上に形成することを特徴とする解決手段４０に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４２の前記発光素子の製造方法は、前記また他のブロックパターンおよび前記また他の導電パターンの少なくとも一つの上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層上にオーム層を形成する段階と、をさらに含み、前記第２電極を形成する段階は、前記オーム層上に前記第２電極を形成することを含むことを特徴とする解決手段４１に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４３の前記また他のブロックパターンを形成する段階は、前記また他の導電パターンを形成する段階および前記ブロックパターンを形成する段階の前に実行することができ、前記また他の導電パターンは、前記また他のブロックパターン上に形成することができ、前記ブロックパターンは、前記発光パターンおよび前記また他の導電パターン上に形成することを特徴とする解決手段３９に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４４の前記基板は、一時的な（ｔｅｍｐｏｒａｒｙ）基板である。また、前記発光素子の製造方法は、前記第１電極と導電基板を電気的に接続する段階と、前記一時的な基板を除去する段階をさらに含む。また、前記第２電極を形成する段階は、前記一時的な基板を除去する段階の後で実行することができ、前記第２電極を形成する段階は、前記また他の導電パターン上に前記第２電極を形成することを含み、前記第２電極は、前記一時的な基板が除去される前に前記一時的な基板と対向する前記また他の導電パターンの一面上に形成することを特徴とする解決手段４３に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４５の前記発光素子の製造方法は、前記また他のブロックパターンを形成する段階の前に前記一時的な基板上に順次に犠牲層およびバッファ層を形成する段階と、前記一時的な基板および前記犠牲層を除去した後に、前記バッファ層上にオーム層を形成する段階と、前記オーム層上に前記第２電極を形成する段階と、をさらに含むことを特徴とする解決手段４４に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４６の前記発光素子の製造方法における前記また他の導電パターンを形成する段階、前記発光パターンを形成する段階および前記導電パターンを形成する段階は、前記また他のブロックパターン上にまた他の導電層、発光層、および導電層を順次に形成する段階、および前記導電パターン、前記発光パターンおよび前記また他の導電パターンをそれぞれ形成するために前記導電層、前記発光層、および前記また他の導電層を選択的にエッチングする段階を含み、前記導電パターン、前記発光パターン、および前記また他の導電パターンは、中間構造物（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の発光構造体を形成することを特徴とする解決手段４３に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４７の前記ブロックパターンを形成する段階は、前記発光構造体の露出した部分上にブロック層を形成する段階および前記導電パターンの部分を露出させる前記ブロックパターンを形成するために前記ブロック層を選択的にパターニングする段階を含み、前記発光素子の製造方法は、少なくとも前記導電パターンの露出した部分上にオームパターンを形成する段階をさらに含むことを特徴とする解決手段４６に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４８の前記発光構造体を形成する段階は、前記中間構造物内にトレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）を形成するために前記導電層、前記また他の導電層、および前記発光層のそれぞれの部分を除去する段階を含むことを特徴とする解決手段４６に記載の発光素子の製造方法である。

解決手段４９の前記ブロックパターンを形成する段階および前記また他のブロックパターンを形成する段階は、ブロッキング（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）絶縁層およびまた他のブロッキング絶縁層を形成してラインタイプ、ドットタイプおよび／またはメッシュタイプ方式でそれぞれパターニングすることを含むことを特徴とする解決手段４０に記載の発光素子の製造方法である。

本発明の利点および特徴は、添付される図面と共に詳細に後述される実施形態によって当業者により明確になるであろう。

本発明の第１実施形態による発光素子の断面図である。 図１の発光素子に利用されるのに適合したブロックパターンの斜視図である。 図１の発光素子に利用されるのに適合したブロックパターンの斜視図である。 図１の発光素子に利用されるのに適合したブロックパターンの斜視図である。 図１の発光素子のブロックパターンの例示的な配列の斜視図である。 図１の発光素子のブロックパターンの例示的な配列の斜視図である。 図１の発光素子の光および電流パターンを説明する断面概略図である。 図１の発光素子の光および電流パターンを説明する断面概略図である。 本発明の第２実施形態による発光素子の断面図である。 本発明の第３実施形態による発光素子の断面図である。 本発明の第４実施形態による発光素子の断面図である。 本発明の第４実施形態による発光素子の断面図である。 本発明の第５実施形態による発光装置の断面図を図示する。 本発明の第６実施形態による発光装置の断面図である。 本発明の第６実施形態による発光装置の斜視図である。 本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第７実施形態による発光装置の断面図である。 本発明の第８実施形態による図９Ａの発光装置内の蛍光層の断面図である。 本発明の第９実施形態による図９Ａの発光装置内の蛍光層の断面図である。 本発明の第１０実施形態による図９Ａの発光装置内の蛍光層の断面図である。 発光装置の第１導電領域および第２導電領域の一般的な概略を示す模式図である。 図１１の蛍光体および第２透明レジンの配列に対する実施形態を示す斜視図である。 図１１の蛍光体および第２透明レジンの配列に対する実施形態を示す斜視図である。 本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子を利用するバックライトの実施形態を示す断面図である。 本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子を利用するプロジェクタの実施形態を示す斜視図である。 本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子を利用する照明装置の実施形態を示す斜視図である。 本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子を利用する照明装置の実施形態を示す斜視図である。 本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子を利用する照明装置の実施形態を示す斜視図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する平面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。 図１の発光素子を製造する方法の実施形態の段階を説明する断面図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
２００８年６月２４日付け、韓国特許庁に出願された韓国特許出願番号１０−２００８−００５９５６９、発明の名称：「発光素子、これを含む発光装置、および前記発光素子および前記発光装置の製造方法」は、参照文献として本明細書に完全に統合される。

本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を添付される図面と共に詳細に後述する。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現されることが可能である。本実施形態は、単に、本発明の開示が完全になるように、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に対して発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。

図面において層および領域のサイズを明確に図示するために誇張されることもある。素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）が、異なる素子の「上（ｏｎ）」にあると指称されるものは、前記他の素子の真上または、中間に他の素子を介在した場合を全て含む。素子が、異なる素子の「下（ｕｎｄｅｒ）」にあると指称されるものは、前記他の素子の真下または、中間に他の素子を介在した場合を全て含む。素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）が、２つの素子の「間（ｂｅｔｗｅｅｎ）」にあると指称されるものは、前記２つの素子の間に前記の素子のみがあるか、または中間に他の素子を介在した場合を全て含む。また、素子が２つの素子の「間（ｂｅｔｗｅｅｎ）」にあると指称されるものは、それが前記２つの素子の対向する／重畳する部分の間に実際に配置されるか、または前記２つの素子のうち一つがその下に配置され前記２つの素子のうち残りの一つはそれの上に実際に配置される場合を全て含む。たとえ第１、第２等が多様な素子を叙述するために使用されても、これら構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であってもよい。明細書全体において同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態の発光素子１００の断面図を図示する。図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃは、図１の発光素子１００に利用されるのに適合したブロックパターン１２０、１０６の例示的な形態のトップ−サイド−ビュー（ｔｏｐ−ｓｉｄｅ ｖｉｅｗ）を図示する。図３Ａおよび３Ｂは、図１の発光素子１００のブロックパターン１２０、１０６の例示的な配列のトップ−ダウン−ビュー（ｔｏｐ−ｄｏｗｎ ｖｉｅｗ）を図示する。

図１を参照すると、発光素子１００は、発光構造体１１０、第１電極１４０、第２電極１５０、第１ブロックパターン（ｂｌｏｃｋ ｐａｔｔｅｒｎ）１２０、第２ブロックパターン１０６、第１オーム層１３０、第２オーム層１４５、バッファ層１０４、導電基板２０２および中間層２１０を含む。発光構造体１１０は、第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、および第２導電パターン１１６を含む。

より具体的には、中間層２１０は、導電基板２０２上に位置することができる。導電基板２０２は、例えば、シリコン、ストレインドシリコン（ｓｔｒａｉｎｅｄ Ｓｉ）、Ｓｉ合金、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、Ｇｅ、Ｇｅ合金、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体、およびＩＩ−ＶＩ化合物半導体などであり得る。中間層２１０は、第１電極１４０と導電基板２０２とをボンディングすることができる。中間層２１０は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗなどを含み得る。

第１電極１４０は、中間層２１０上に位置する。第１電極１４０は、例えば、発光パターン１１４で生成されて第１電極１４０上に発散される光の少なくとも一部が第１電極１４０から反射できるように反射物質を含み得る。例えば、第１電極１４０は金属であり得、Ａｇ、Ａｌ、などを含み得る。

一部の実施形態において、例えば、第１電極１４０は下面の部分１４０ａおよび一つまたはそれ以上の側面の部分１４０ｂを含み得る。下面の部分１４０ａは、中間層２１０および／または導電基板２０２の形態に沿うことができる。例えば、下面の部分１４０ａは、中間層２１０に平行する平面、例えばｘ−ｙ平面に沿って実質的に延長する。側面の部分１４０ｂは、第１電極１４０の下面の部分１４０ａが延長する平面と交差する方向に沿って延長することができる。より具体的には、例えば図１を参照すると、第１電極１４０の側面の部分１４０ｂは、下面の部分１４０ａに対して９０゜より大きい角で一般的に延長することができる。したがって、それぞれの側面の部分１４０ｂの対向する下側の部分の間の距離、例えば、導電基板２０２に相対的にさらに近い部分の間の距離は、それぞれの側面の部分１４０ｂの対向する上側の部分の間の距離、例えば導電基板２０２から相対的にさらに遠い部分の間の距離より小さいこともある。

隣接するまたは対応する側面の部分１４０ｂは、発光素子１００の第１電極１４０内で突起１４１を共に定義することができる。一部の実施形態において、第１電極１４０は、第１電極１４０と導電基板２０２との間にある溝１１８を定義する少なくとも一つの突起１４１を含む。図１の実施形態の発光素子１００は、ただ一つの突起１４１を有する例を図示する。一部の実施形態において、例えば、第１電極１４０の突起１４１および／または側面の部分１４０ｂは、一つまたはそれ以上のキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）１４２ａ、１４２ｂを定義することができる。より具体的には、例えば、第１電極１４０は、発光素子１００の発光領域に対応する一つまたはそれ以上のキャビティ１４２ａおよび発光素子１００の非発光領域に対応する一つまたはそれ以上の他のキャビティ１４２ｂを定義することができる。

実施形態はそれに限定されず、例えば、キャビティ（例えば１４２ａ、１４２ｂ）の結果として生じる発光素子１００の複数個の領域のうち一つ、一部、または全部は、例えば発光素子１００の発光領域に該当することができる。突起１４１は、例えば、逆さのＵ字形態または逆さのＶ字形態を含み得る。

また、一部の実施形態において、第１電極１４０の一部１４０ｃは、発光パターン１１４のレベル上部に、例えばｚ方向に対して発光パターン１１４のレベルよりさらに高いレベルに延長することができる。すなわち、例えば、図１を参照すると、発光構造体１１０の少なくとも一部は、側面の部分１４０ｂによって定義されるキャビティ１４２ａ、例えば、ボウル（ｂｏｗｌ）形態のキャビティ内に配置することができる。より具体的には、例えば、発光パターン１１４および第２導電パターン１１６がキャビティ１４２ａ以内に完全に位置することができる。一部の実施形態においては、第１電極１４０の一部１４０ｃは、第１導電パターン１１２の一部内に埋め込まれる（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）。一部の実施形態においては、第１電極１４０が完全にまたは実質的に平たいこともある。すなわち、第１電極１４０がいかなる側面の部分１４０ｂまたは突起１４１を含まなくてもよい。

第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０上に、例えば直接上部に位置することができる。図１を参照すると、第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０の形態に沿う。より具体的には、図１の実施形態において、第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０の突起１４１に対応する少なくとも一つの突起１２１を含む。また、図１を参照すると、第１ブロックパターン１２０の突起は、ｚ方向に対して第１電極１４０の突起と同一またはさらに高いレベルに位置している。第１ブロックパターン１２０の少なくとも一部は、発光パターン１１４より低いレベルに位置し、第１電極１４０と同一またはさらに高いレベルに位置する。第１ブロックパターン１２０の少なくとも一部は、発光パターン１１４と第１電極１４０との間に位置する。図１に図示する実施形態において、第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０の側面の部分１４０ｂを完全に覆い、下面の部分１４０ａを部分的に覆う。すなわち第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０の下面の部分１４０ａを部分的に露出させる。

図１を参照すると、第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０の一部分またはそれ以上の部分を露出させるようにパターンすることができる。例えば、図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃを参照すると、第１ブロックパターン１２０は、図２Ａに図示するようにラインパターン、図２Ｂに図示するようにメッシュ（ｍｅｓｈ）パターン、図２Ｃに図示するようにドットパターンなどを含み得る。一部の実施形態において、発光パターン１１４より下のレベルにある第１ブロックパターン１２０の少なくとも一部、例えば第１電極１４０の下面の部分１４０ａと重複する部分は、第１電極１４０を露出させるためにパターンすることができる。より具体的には、一部の実施形態において、発光素子１００から光が発散される平面、例えばｘ−ｙ平面、と実質的にまたは完全に平行するように延長する第１ブロックパターン１２０の少なくとも一部は、第１電極１４０の部分を露出させるようにパターンすることができ、第１電極１４０の他の部分、例えば１４０ｂ、１４０ｃは、第１ブロックパターン１２０によって完全に覆うことができる。

第１ブロックパターン１２０は、例えば、絶縁物質を含み得る。例えば、第１ブロックパターン１２０は、窒化膜、酸化膜、および／またはより具体的には、酸窒化膜、アルミニウム酸化膜、アルミニウム窒化膜などを含み得る。

図３Ａおよび３Ｂを参照すると、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６は、それぞれに対してオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）されるように、例えば相補的に配列され得る。例えば、図３Ａを参照すると、第１ブロックパターン１２０がラインパターンを有し、第２ブロックパターン１０６がラインパターンを有する実施形態において、第１ブロックパターン１２０のラインは、第２ブロックパターン１０６のラインの間の空間と少なくとも部分的にまたは完全に重複することができる。または、第２ブロックパターン１０６のラインは、第１ブロックパターン１２０のラインの間の空間と少なくとも部分的にまたは完全に重複することができる。より具体的には、例えば、実施形態において、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６は完全に互いに相補的であり得る。したがって、発光パターン１１４と関連するブロックパターンの結合、例えば、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６の結合は、発光パターン１１４と完全に重複することができる。

また他の実施形態として図３Ｂを参照すると、第１ブロックパターン１２０がドットパターンを有し、第２ブロックパターン１０６がドットパターンを有する実施形態において、第１ブロックパターン１２０のドットは、第２ブロックパターン１０６のドットの間の空間と少なくとも部分的にまたは完全に重複することができる。または、第２ブロックパターン１０６のドットは、第１ブロックパターン１２０のドットの間の空間と少なくとも部分的に重複することができる。実施形態はそれに限定されるものではなく、例えば、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６のそれぞれのパターンは相補的ではないパターンを有することもできる。

第１オームパターン１３０は、第１電極１４０と発光構造体１１０とを電気的に接続する。第１オームパターン１３０は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、Ｚｎ、ＺｎＯ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｃｕ、ＷおよびＰｔのうち少なくとも一つを含み得る。第１オームパターン１３０は、第１ブロックパターン１２０のパターンにより定義された開口部を少なくとも部分的に埋めることができる。図１を参照すると、第１オームパターン１３０と第１ブロックパターン１２０とは、発光素子１００内で共に一つの層、例えば連続する層またはパターンを形成する。すなわち、例えば、一部の実施形態において、第１オームパターン１３０は第１ブロックパターン１２０によって定義された空間を占める。

図１を参照すると、発光構造体１１０は、連続的に積層される第１導電パターン１１２、発光パターン１１４および第２導電パターン１１６を含む。第２導電パターン１１６は、第１ブロックパターン１２０および／または第１オームパターン１３０上に位置することができる。発光パターン１１４は、第２導電パターン１１６上に位置することができる。発光パターン１１４は、第１電極１４０と同一のレベルまたは第１電極１４０の少なくとも一部よりさらに高いレベルに位置することができ、第２電極１５０よりさらに低いレベルに位置することができる。第１導電パターン１１２は、発光パターン１１４上に位置することができる。

前述したように、一部の実施形態において、第１電極１４０は、側面の部分１４０ｂおよび／または突起１４１を含み得る。このような実施形態において、例えば、発光構造体１１０の下面の部分は、側面の部分１４０ｂおよび／または突起１４１に対応する形態を含み得る。例えば、図１を参照すると、側面の部分１４０ｂおよび／または突起１４１は、発光構造体１１０のそれぞれの部分の間で延長することができる。より具体的には、例えば、突起１４１は、キャビティ１４２ａ内の発光構造体１１０の部分とキャビティ１４２ｂ内の発光構造体１１０のまた他の部分の間で延長することができる。図１を参照すると、突起１４１は、第２導電パターン１１６および発光パターン１１４のレベルの上部まで延長することができ、第１導電パターン１１２内部に部分的にのみ、すなわち第１導電パターン１１２の上部面の下のレベルまで延長することができる。

第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、および第２導電パターン１１６は、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１）を含み得る。より具体的には、例えば、第１導電パターン１１２、発光パターン１１４、および第２導電パターン１１６は、ＧａＮ、例えば、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、などを含み得る。実施形態において、第１導電パターン１１２は、ｎ型またはｐ型のうち一つであり、第２導電パターン１１６は、ｎ型またはｐ型のうち残り一つである。発光パターン１１４は、第１パターン１１２および第２導電パターン１１６のキャリアの再結合の結果として光が発生する発光素子１００の一定の領域に該当することができる。また、第１導電パターン１１２の表面は光抽出効率を上げるためにテクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）を形成することができる。実施形態はそれに限定されるものではなく、例えば、一部の実施形態においては発光構造体１１０が有機電界発光構造体を形成する複数個の有機層を含み得る

第２ブロックパターン１０６は、第１導電パターン１１２上または第１導電パターン１１２内に位置することができる。第２ブロックパターン１０６は、発光パターン１１４よりさらに高いレベルに位置することができ、第２電極１５０と同一のレベルまたは第２電極１５０よりさらに低いレベルに位置することができる。

第２ブロックパターン１０６は、第１導電パターン１１２の一部を露出させるようにパターンすることができる。例えば、図２Ａ、２Ｂおよび２Ｃを参照すると、第２ブロックパターン１０６は、図２Ａに図示するようにラインパターン、図２Ｂに図示するようにメッシュパターン、図２Ｃに図示するようにドットパターンなどを含み得る。第２ブロックパターン１０６は、例えば、絶縁物質を含み得る。例えば、第２ブロックパターン１０６は、窒化膜、酸化膜、および／またはより具体的には、酸窒化膜、アルミニウム酸化膜、および／またはアルミニウム窒化膜を含み得る。

より具体的には、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６は、第１電極１４０と第２電極１５０との間に流れる電流のパス（ｐａｔｈ）内に配置することができる。すなわち、例えば、実施形態において、第１電極１４０または第２電極１５０の一方から第２電極１５０および第１電極１４０の他方への電流の流れが、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６をそれぞれ通過して流れる。より具体的には、例えば、第１電極１４０と第２電極１５０との間に流れる電流のパスは、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６の少なくとも一部を通過して流れる。その結果、前記電流パスに沿って流れる電流は、発光パターン１１４に到達する前に第１ブロックパターン１２０および／または第２ブロックパターン１０６のうち少なくとも一つを通過して流れる。例えば、第２電極１５０が第１電極１４０より高いレベルに位置し、発光パターン１１４が第１電極１４０と同一のレベルまたは第１電極１４０より高いレベルであり第２電極１５０より低いレベルに位置するとき、第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０と同一のレベルまたは第１電極１４０より高いレベルに位置し、第１ブロックパターン１２０の少なくとも一部は発光パターン１１４より低いレベルに位置し、第２ブロックパターン１０６の少なくとも一部は、発光パターン１１４より高いレベルおよび第２電極１５０と同一レベルまたは第２電極１５０より低いレベルに位置する。仮に第１ブロックパターン１２０の全てが第１電極１４０より低いレベルに位置すると、第１ブロックパターン１２０は、第１電極１４０と第２電極１５０との間に流れる電流の流れに影響を及ぼすことができないであろう。

第１ブロックパターン１２０および／または第２ブロックパターン１０６は、第１電極１４０および／または第２電極１５０に印加されるバイアス電流（ｂｉａｓ ｃｕｒｒｅｎｔ）を調節することができる。第１ブロックパターン１２０および／または第２ブロックパターン１０６は、発光構造体１１０の光効率を増加させることができる。例えば、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６は、少なくとも発光素子１００の発光領域以内にある、例えば、少なくとも部分的に発光素子１００の発光領域に対応するキャビティ１４２ａ内にある発光パターン１１４の全ての領域または実質的に全ての領域を通過する電流流れを容易にすることによって光効率を増加させることができる。より具体的には、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６を相補的に配列することによって、発光パターン１１４の全ての領域または実質的に全ての領域を通過する電流流れを容易にすることができる。

図１を参照すると、バッファ層１０４は、第１導電パターン１１２および第２ブロックパターン１０６上に位置する。後述するが、バッファ層１０４は、ＬＬＯ（ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ ｏｆｆ）方法を用いるあいだ第２ブロックパターン１０６を保護する。バッファ層１０４は、第１導電パターン１１２を形成するあいだ、例えば成長させるあいだシード層（ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）としても役割を果たす。バッファ層１０４は、第１導電パターン１１２、発光パターン１１４および／または第２導電パターン１１６の決定性を向上させることができる。バッファ層１０４は、シード層として役割を果たすことができるいかなる物質も含み得る。例えば、バッファ層１０４は、Ｉｎ_xＡｌ_yＧ_(1-x-y)、Ｓｉ_xＣ_yＮ_(1-x-y)（０≦ｘ≦１および０≦ｙ≦１）を含み得る。

第２オーム層１４５は、バッファ層１０４上に位置する。第２オーム層１４５は、例えば、ＩＴＯ、Ｚｎ、ＺｎＯ、Ａｇ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＳｎＯ₂、Ｃｕ、Ｗおよび／またはＰｔを含み得る。第２オーム層１４５は、電流の拡散（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）を容易にすることができ、第２電極１５０と第１導電パターン１１２との間に流れる電流の集中（ｃｒｏｗｄｉｎｇ）を予防または減少させることができる。発光構造体１１０によって生成された光が発散されるように第２オーム層１４５は、透明であり得る。

第２電極１５０は、第２オーム層１４５上に位置する。第２電極１５０は、第１導電パターン１１２と電気的に接続される。第２電極１５０は、例えば、ＩＴＯ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｍｏおよび／またはＡｇを含み得る。第２電極１５０は、例えば、ｚ方向に沿って第１電極１４０および／または発光パターン１１４より高いレベルに位置することができる。より具体的には、非発光領域および発光領域を含む実施形態において、例えば、図１の実施形態において、第２電極１５０は、非発光領域に対応するキャビティ１４２ｂと重複してもよく、発光領域に対応するキャビティ１４２ａとは重複しなくてもよい。すなわち、第２電極１５０は、発光領域から発散される光を遮断しなくてもよい。

また、発光領域１４２ａのような一つまたは複数の発光領域および非発光領域１４２ｂのような一つまたは複数の非発光領域を含む一部の実施形態において、第１ブロックパターン１２０および／または第２ブロックパターン１０６は、発光領域１４２ａ内でのみ第１電極１４０および／または第２電極１４０、１５０のそれぞれの部分を露出させるようにパターンすることができ、非発光領域１４２ｂ内ではパターンしなくてもよく、また、第１電極１４０および第２電極１５０とそれぞれ完全に重複することができる。

図４Ａおよび４Ｂを参照して、図１に図示する発光素子１００の動作中における光および電流パターンを説明する。例えば、一部の実施形態において、第１導電パターン１１２はｎ型であり、第２導電パターン１１６はｐ型である。このような実施形態において、第１バイアス（ｂｉａｓ）、例えば、ポジティブバイアス（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｂｉａｓ）（Ｖ＋またはＩ＋）が第１電極１４０および第１オームパターン１３０により第２導電パターン１１６に印加され、第２バイアス、例えば、ネガティブバイアス（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｂｉａｓ）（Ｖ−またはＩ−）が第１導電パターン１１２に印加される。順方向バイアス（ｆｏｒｗａｒｄ ｂｉａｓ）が発光構造体１１０に印加され、光が発光パターン１１４で発生する。図４Ａおよび４Ｂを参照すると、このような状態で、例えば、発光パターン１１４を通過する電流の流れは光Ｌを生成することができ、一部は第２ブロックパターン１０６によって定義された一つまたはそれ以上の開口部から直接的に発散することができ、一部は第１電極１４０によって反射して第２ブロックパターン１０６によって定義された一つまたはそれ以上の開口部を通過して発散することができる。より具体的には、図４Ｂに図示するように、順方向バイアスが印加されるあいだ、電流は第１電極１４０から第２電極１５０に流れることができる（図４Ｂの矢印参照）。第１ブロックパターン１２０および／または第２ブロックパターン１０６は、電流を調節することができる。より具体的には、例えば、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６が互いに相補的に配列された実施形態において、電流は発光パターン１１４の全ての領域および／または実質的に全ての領域を通過して流れることができる。電流が発光パターン１１４の全ての領域および／または実質的に全ての領域を通過して流れる実施形態においては、光効率が向上することができる。例えば、光効率がさらに高いこともある。

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態による発光素子２００の断面図を図示する。全般的に、発光素子２００と図１の発光素子１００との間の差異点のみを説明する。

図５を参照すると、発光素子２００は、第１電極２４０を含む。第１電極２４０は、下面の部分２４０ａおよび側面の部分２４０ｂを含む。しかし、図１の実施形態の発光素子１００の第１電極１４０とは異なり、本実施形態の発光素子２００の第１電極２４０は、突起１４１を含まない。本実施形態の発光素子２００の第１電極２４０の側面の部分２４０ｂは、キャビティ２４２を定義することができる。より具体的には、発光素子２００の第１電極２４０は、ただ一つのキャビティ２４２を含む。すなわち、例えば、一部の実施形態において、発光素子２００は、非発光領域に対応するキャビティを含まなくてもよい。発光パターン１１４は、キャビティ２４２内に少なくとも部分的に位置することができる。第２電極１５０は、キャビティ２４２と重複することができる。

（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態による発光素子３００の断面図を図示する。全般的に、発光素子３００と図１の発光素子１００との間の差異点のみを説明する。

図６を参照すると、発光素子３００は、第１電極３４０を含む。第１電極３４０は、中間層２１０および／または中間層２１０が配置された導電基板２０２の一面の形態に沿うことができる。例えば、第１電極３４０が実質的に平面である導電基板２０２の一面上に配置されると、第１電極３４０は実質的に平面に沿って延長するものである。図１の発光素子１００の第１電極１４０とは異なり、発光素子３００の第１電極３４０は、側面の部分１４０ｂおよび突起１４１も含まなくてもよい。また、発光素子３００の第１電極３４０は、キャビティも定義しなくてもよい。本実施形態の発光素子３００において、第１電極３４０は発光構造体１１０の底に沿ってのみ配置される。

（第４実施形態）
図７Ａおよび７Ｂは、本発明の第４実施形態による発光素子４００の断面図を図示する。全般的に、発光素子４００と図１の発光素子１００との間の差異点のみを説明する。

本発明の一つまたはそれ以上の実施形態は、ラテラルタイプ（ｌａｔｅｒａｌ ｔｙｐｅ）の発光素子にも適用することができる。図７Ａを参照すると、例えば、発光素子４００は、第１電極４４０、第２導電パターンの第１部分１１６ａおよび第２導電パターンの第２部分１１６ｂ、および基板２０１を含む。基板２０１は、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃、ＺｎＯ、Ｓｉおよび／またはＳｉＣなどを含み得る。第２導電パターンの第１部分１１６ａは、基板２０１上に、例えば、直接上部に位置することができる。第１電極４４０は、第２導電パターンの第１部分１１６ａ上に、例えば発光構造体１１０の範囲を越えて突出した第２導電パターンの第１部分１１６ａ上に位置することができる。第１ブロックパターン１２０は、第２導電パターンの第１部分１１６ａと第２導電パターンの第２部分１１６ｂとの間に配置することができる。第１電極４４０の少なくとも一部は、基板２０１に対して第１ブロックパターン１２０の一部と同一のレベル上に位置することができる。発光素子４００は、基板２０１と第２導電パターンの第１部分１１６ａとの間にオームパターンを含まなくてもよい。

図７Ｂを参照して図７Ａに図示する発光素子４００の動作を説明する。例えば、一部の実施形態において、第１導電パターン１１２はｎ型であり、第２導電パターンの第１部分１１６ａおよび第２部分１１６ｂはｐ型である。このような実施形態において、第１バイアス、例えば、ポジティブバイアス（Ｖ＋またはＩ＋）が第１電極４４０により第２導電パターンの第１部分１１６ａおよび第２部分１１６ｂに印加され、第２バイアス、例えば、ネガティブバイアス（Ｖ−またはＩ−）が第１導電パターン１１２に印加される。順方向バイアス（ｆｏｒｗａｒｄ ｂｉａｓ）が発光構造体１１０に印加され、光が発光パターン１１４で発生する。順方向バイアス（ｆｏｒｗａｒｄ ｂｉａｓ）が発光構造体１１０に印加され、光が発光パターン１１４で発生することができる。順方向バイアスが印加されるあいだ、電流は第１電極４４０から第２電極１５０に流れることができる。第１ブロックパターン１２０および／または第２ブロックパターン１０６は、発光パターン１１４を通過する電流を調節することができる。より具体的には、例えば、第１ブロックパターン１２０および第２ブロックパターン１０６が互いに相補的に配列された実施形態において、電流は発光パターン１１４の全ての領域および／または実質的に全ての領域を通過して流れることができる。電流が発光パターン１１４の全ての領域および／または実質的に全ての領域を通過して流れる実施形態においては、光効率が向上することができる。例えば、光効率がさらに高いこともある。

本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光装置の実施形態について説明する。実施形態の発光装置は、前述した発光素子のうち一つを適用したものを説明するが、実施形態はそれに限定されない。本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した他の発光素子も利用され得る。

（第５実施形態）
図８は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第５実施形態による発光装置５００の断面図を図示する。

図８を参照すると、発光装置５００は、基板、例えば回路基板４０１、第１導電領域４１０、第２導電領域４２０、はんだバンプ（ｓｏｌｄｅｒ ｂｕｍｐ）４３０、および図７Ａおよび７Ｂの発光素子４００を含む。より具体的には、発光素子４００は、フリップ−チップ（ｆｌｉｐ−ｃｈｉｐ）方式で回路基板４０１と接続することができる。第１導電領域４１０は、第２導電領域４２０から電気的に分離することができる。発光素子４００の第１電極４４０は、回路基板４０１上にある第１導電領域４１０と電気的に接続され、第２電極１５０は、回路基板４０１上にある第２導電領域４２０と電気的に接続される。はんだバンプ４３０は、第１電極４４０と第１導電領域４１０および第２電極１５０と第２導電領域４２０それぞれを電気的に接続するために使用される。このような実施形態においては、第１電極４４０と第１導電領域４１０および第２電極１５０と第２導電領域４２０それぞれを電気的に接続するためのワイヤーボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）を使用しなくてもよい。

（第６実施形態）
図９Ａおよび９Ｂは、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第６実施形態による発光装置６００の断面図およびトップーサイドービューを図示する。

図９Ａおよび９Ｂを参照すると、発光装置６００は、導電基板、例えば回路基板３０１上に配置された図１の発光素子１００を含む。回路基板３０１は、第１導電領域３１０および第２導電領域３２０を含む。第１導電領域３１０は、第２導電領域３２０から電気的に分離することができる。第１導電領域３１０および第２導電領域３２０は、回路基板３０１の同一の表面または側面上に配置することができる。図９Ａおよび９Ｂに図示するように、第１導電領域３１０は、発光素子１００の導電基板２０２と電気的に接続され、第２導電領域３２０は、第２電極１５０と電気的に接続される。より具体的には、例えば、第２導電領域３２０は、ワイヤーボンディングにより第２電極１５０と電気的に接続され得る。

（第７実施形態）
図１０は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第８実施形態による発光装置７００の断面図を図示する。

図１０を参照すると、発光装置７００は、複数個の導電領域およびビア（ｖｉａ）を含む導電基板、例えば回路基板３０２を含み得る。より具体的には、発光装置７００は、回路基板３０２の第１表面または側面上にある第１導電領域３１０と第２導電領域３２０、および回路基板３０２の第２表面または側面上にある第３導電領域３１２と第４導電領域３２２を含む。第１導電領域３１０は、第２導電領域３２０から電気的に分離することができる。第３導電領域３１２は、第４導電領域３２２から電気的に分離することができる。第１導電領域３１０は、第１ビア３１６により第３導電領域３１２と電気的に接続される。第２導電領域３２０は、第２ビア３２６により第４導電領域３２２と電気的に接続される。第１導電領域３１０は、発光素子１００の導電基板２０２と電気的に接続される。第２導電領域３２０は、発光素子１００の第２電極１５０と電気的に接続される。このような実施形態において、導電領域、例えば第１導電領域３１０、第２導電領域３２０、第３導電領域３１２および／または第４導電領域３２２は、回路基板３０２の面、例えば表面と裏面である２つの面の上にあるパターンと電気的に接続される。

図１１は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第８実施形態による発光装置８００の断面図を図示する。図１２は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第９実施形態による発光装置８１０の断面図を図示する。図１３は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した第１０実施形態による発光装置８２０の断面図を図示する。より具体的には、図１１、１２および１３は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態による発光素子を利用する発光装置、例えば図９Ａおよび９Ｂの発光装置６００に利用できる蛍光層の実施形態を図示する。全般的に、図１１、１２および１３の実施形態の間の差異点のみを説明する。

（第８実施形態）
図１１を参照すると、本発明の第８実施形態による発光装置８００は、蛍光層３４１を含む。蛍光層３４１は、第１透明レジン３４２および蛍光体３４４を含む。蛍光体３４４は、蛍光層３４１内に分散することができる。より具体的には、蛍光体３４４は、第１透明レジン３４２上または第１透明レジン３４２内に分散することができる。蛍光層３４１は、発光装置６００上部に形成することができる。例えば、蛍光層３４１は、回路基板３０１上にある発光装置６００を完全に覆うことができる。第２透明レジン３５０は、蛍光層３４１上に形成することができる。第２透明レジン３５０は、回路基板３０１上にある蛍光層３４１を完全に覆うことができる。第２透明レジン３５０はレンズ形態を含み得る。第２透明レジン３５０は、発光装置６００によって生成される光を拡散させることができる。蛍光層３４１および回路基板３０１は、共に実質的に発光装置６００を囲むことができる

図１１を参照すると、蛍光体３４４は、第１透明レジン３４２内に分散される。蛍光体３４４は、発光装置６００によって生成された光を吸収することができ、前記光を他の波長の光、例えば他の色の光に変換することができる。蛍光体３４４は、例えば、Ｅｕ、Ｃｅなどのランタノイド系元素（ｌａｎｔｈａｎｉｄｅ）により活性化でき、例えば、窒化物界および／または酸化物界物質を含み得る。

（第９実施形態）
図１２を参照すると、本発明の第９実施形態において、例えば、発光装置８１０は、発光装置６００上にある、例えば、回路基板３０１、第２オーム層１４５および／または第２電極１５０の直接の上にある蛍光体４４４を含む。より具体的には、例えば、蛍光体４４４は、発光装置６００上に直接的でコンフォーマルに（ｃｏｎｆｏｒｍａｌｌｙ）、すなわち、発光装置６００および／または回路基板３０１のプロファイル（ｐｒｏｆｉｌｅ）に沿って形成することができる。透明レジン４５０は、蛍光体４４４および発光装置６００上部に形成することができる。

（第１０実施形態）
図１３を参照すると、本発明の第１０実施形態において、例えば、発光装置８２０は、発光装置６００上にある第１透明レジン５４２、第１透明レジン５４２上にある蛍光体５４４、および蛍光体５４４上にある第２透明レジン５５０を含む。すなわち、例えば、蛍光体５４４は、第１透明レジン５４２と第２透明レジン５５０との間に位置する。

図１４は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態による発光装置、例えば、図１１の発光装置８００に利用される第１導電領域３１０および第２導電領域３２０の一般的な概略図を図示する。より具体的には、例えば、発光素子、例えば図１の発光素子１００は回路基板３０１上にマトリックスパターンで配列される。第１導電領域３１０および第２導電領域３２０は、回路基板３０１上で延長することができ、平行するように交互に配列される。第１導電領域３１０は、発光素子１００と実質的におよび／または完全に重複することができる。第２導電領域３２０と発光素子１００の第２電極１５０とはワイヤー３３０により電気的に接続される。

図１５Ａおよび１５Ｂは、図１１の蛍光層３４１および第２透明レジン３５０の配列に対する実施形態を図示する。一部の実施形態において、蛍光層３４１および第２透明レジン３５０は、ラインタイプおよび／またはドットタイプなどである。より具体的には、図１５Ａの実施形態を参照すると、前記ラインタイプ方式で、蛍光層３４１および第２透明レジン３５０の一つのストリップ（ｓｔｒｉｐ）は、複数の発光素子１００と重複する。このような実施形態において、発光素子、例えば、図１の発光素子１００は、例えば、マトリックス方式で配列される。図１５Ｂを参照すると、ドットタイプ方式で、例えば、蛍光層３４１および第２透明レジン３５０のそれぞれの部分は、一つの発光素子１００のうち一つと重複する。

図１の実施形態の発光素子１００が図１４、１５Ａおよび１５Ｂに図示されているが、実施形態はそれに限定されなく、他の発光素子として、例えば、図５および６の発光素子２００、３００がそれぞれ利用され得る。また、図１１の実施形態の蛍光層３４１および第２透明レジン３５０が図１５Ａおよび１５Ｂに図示されているが、実施形態は、それに限定されない。例えば、図１２の実施形態の蛍光体４４４および透明レジン４５０が図１５Ａおよび１５Ｂのドットタイプおよび／またはラインタイプ方式で配置されることができる。

図１６は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子１９０を利用するバックライト実施形態の断面図を図示する。発光素子１９０は、例えば、図１の発光素子１００、図６の発光素子３００等である。前記バックライトは、発光素子１９０、パッケージボディー（ｐａｃｋａｇｅ ｂｏｄｙ）２１０、回路基板３０１、透明レジン２５０および蛍光層２６０を含む発光パッケージ１４を含む。蛍光層２６０は、例えば、図１３の蛍光体５４４と同一であり得る。図１６に図示するように、前記バックライトは、反射シート４１２、パターン４１２ａ、導光シート４１１、拡散シート４１４、プリズムシート４１６およびディスプレイパネル４５１を含む。実施形態は図１６に図示された配列に限定されない。例えば、一部の実施形態においては、反射シート４１２は導光シート４１１の前面に平行することができ、または発光素子１９０の複数個が反射シート４１２の向い側で配列することができる。

図１７は、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子を利用するプロジェクタの実施形態を図示する。図１７を参照すると、前記プロジェクタは、光源５１０、コンデンシンレンズ（ｃｏｎｄｅｎｓｉｎｇ ｌｅｎｓ）５２０、例えば回転式カラーフィルタであるカラーフィルタ５３０、シェイピングレンズ（ｓｈａｐｉｎｇ ｌｅｎｓ）５４０、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）５５０、プロジェクションレンズ（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｌｅｎｓ）５８０を含む。光源５１０から出た光は、コンデンシンレンズ５２０、カラーフィルタ５３０およびシェイピングレンズ５４０を通過してＤＭＤ５５０によって反射し、プロジェクションレンズ５８０を通過してスクリーン５９０上にイメージを形成することができる。前記プロジェクタは、スクリーン５９０上にイメージをプロジェクトすることができる。より具体的には、光源５１０は、サブマウント（ｓｕｂ ｍｏｕｎｔ）基板および本発明の一つまたはそれ以上の実施形態による発光素子、例えば図１の発光素子１００、図６の発光素子３００等を含み得る。

図１８Ａ、１８Ｂおよび１８Ｃは、本発明の一つまたはそれ以上の実施形態を適用した発光素子１９０を利用する照明装置の実施形態を図示する。より具体的には、図１８Ａ、１８Ｂおよび１８Ｃは、それぞれ自動車ヘッドランプ、街灯および照明灯を図示する。それぞれの自動車ヘッドランプ、街灯および照明灯は、光をプロジェクトするために発光素子、例えば図１の発光素子１００、図５の発光素子２００、図６の発光素子３００等のうち一つまたは多数を含み得る。

図１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ、１９Ｄ、１９Ｅ、１９Ｆ、１９Ｇ、１９Ｈおよび１９Ｉは、図１の発光素子１００を製造する方法の実施形態の段階を図示する。

図１９Ａを参照すると、発光素子１００を製造するために、犠牲層１０２が基板１０１上に形成される。バッファ層１０４が犠牲層１０２上に形成される。第２ブロックパターン１０６がバッファ層１０４上に形成される。バッファ層１０４は、ＬＬＯ方法を用いるあいだ第２ブロックパターン１０６を保護することができ、第１導電パターン１１２を成長させるためのシード層として役割を果たすことができる。第２ブロックパターン１０６は、ラインタイプ、メッシュタイプ、ドットタイプなどでパターンすることができる。

図１９Ｂを参照すると、第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａおよび第２導電層１１６ａが、バッファ層１０４上に順次に形成することができる。第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａおよび第２導電層１１６ａは、例えば、ＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、液相エピタキシー（ｌｉｑｕｉｄ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）、ハイドライド気相エピタキシー（ｈｙｄｒｉｄｅ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）、分子線エピタキシー（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａｘｙ）および／またはＭＯＶＰＥ（ｍｅｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｙ）等を用いて形成することができる。第２ブロックパターン１０６がバッファ層１０４を露出させる一つまたは多数の開口部を有するように形成することによってバッファ層１０４はシード層として使われ、第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａおよび第２導電層１１６ａは、例えば、ＬＥＯ（ｌａｔｅｒａｌ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）を用いて形成することができる。

図１９Ｃを参照すると、発光構造体１１０は、エッチングによって形成される。すなわち、第１導電層１１２ａ、発光層１１４ａおよび／または第２導電層１１６ａをエッチングし、それぞれ第１導電パターン１１２、発光パターン１１４および第２導電パターン１１６を形成することができる。一部の実施形態において、発光構造体１１０は、傾斜した側面を含む。より具体的には、図１９Ｃに図示するように、一部の実施形態において、図１９Ｂに図示する構造体は、残っている突出した構造体の底の部分が上部の部分よりさらに広いようにエッチングされる。すなわち、溝１１８の幅は、溝１１８の底に行くほど減少する。

図１９Ｄを参照すると、第１ブロック層が発光構造体１１０上に形成され、第１ブロックパターン１２０を形成するためにパターンすることができる。より具体的には、例えば、第１ブロック層は、発光構造体１１０のプロファイル上にコンフォーマルに形成することができる。また、図１９Ｄを参照すると、第１ブロック層の部分、例えば、第２導電パターン１１６の上部面の上にある第１ブロック層の上部の部分は、第１ブロックパターン１２０を形成して第２導電パターン１１６のそれぞれの部分を露出させるためにパターンすることができる。

図１９Ｅを参照すると、第１オーム層１３０が第２導電パターン１１６上に形成される。より具体的には、第１オーム層１３０は、第１ブロックパターン１２０のパターニングにより生成されたギャップ（ｇａｐ）を埋めることができる。第１電極１４０が第１ブロックパターン１２０および／または第１オーム層１３０上に形成される。

図１９Ｆを参照すると、図１９Ｅの結果、複数の構造体は、導電基板２０２上にボンディングすることができる。例えば、図１９Ｆに図示するように、図１９Ｅの結果、構造体を逆さにして導電基板２０２にボンディングすることができる。より具体的には、図１９Ｇに図示するように、図１９Ｅの結果、複数の構造体を逆さにして導電基板２０２上にある中間層２１０上にボンディングすることができる。複数の発光構造体は、ウェハレベル上に形成することができる。すなわち基板１０１、２０２がウェハ−スケール（ｗａｆｅｒ−ｓｃａｌｅ）基板であり得る。

図１９Ｈを参照すると、例えば、基板１０１および犠牲層１０２を除去するためにＬＬＯ（Ｌａｓｅｒ Ｌｉｆｔ Ｏｆｆ）方法を用いることができる。図１９Ｈに図示するように、基板１０１および犠牲層１０２の除去の結果としてバッファ層１０４が露出される。図１９Ｉを参照すると、第２オーム層１４５がバッファ層１０４上に形成される。第２電極１５０が第２オーム層１４５上に形成される。それから発光素子１００を互いに分離させるためにソーイング（ｓａｗｉｎｇ）が行われ得る。

本発明の実施形態を開示して、特定の用語を使用するが、これらは一般的で叙述的な観点から解釈されるものであり、限定的なものとして理解してはならない。したがって、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明が、その技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で、他の多様な形態で実施され得ることを理解することができる。

１００、２００、３００、４００：発光素子、１０１、２０１：基板、１０４：バッファ層、１０６：第２ブロックパターン、１１０：発光構造体、１１２：第１導電パターン、１１４：発光パターン、１１６：第２導電パターン、１１８：溝、１２０：第１ブロックパターン、１３０：第１オーム層、１４０、２４０、３４０、４４０：第１電極、１４５：第２オーム層、１５０：第２電極、２０２：導電基板、２１０：中間層、３０１、３０２：回路基板、３１０、４１０：第１導電領域、３１６、３２６：ビア、３２０、４２０：第２導電領域、３１２：第３導電領域、３２２：第４導電領域、３４１：蛍光層、３４２：第１透明レジン、３４４、４４４、５４４：蛍光体、３５０、４５０、５４２、５５０：透明レジン、４３０：はんだバンプ、５００、６００、７００、８００、８１０、８２０：発光装置

Claims (17)

1. 第１電極と、
   前記第１電極から離隔されて位置する第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間にある部分を含む発光パターンと、
   前記発光パターンと前記第１電極との間および前記第１電極と同一のレベル上の少なくとも一方にある部分を含むブロックパターンと、
   を有することを特徴とする発光素子。
2. 前記第１電極は、第１方向に沿って延長する第１部分および前記第１方向と交差する第２方向に沿って延長する第２部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１電極は、キャビティを定義する２つの突出した部分を含み、
   前記キャビティの上部の部分は、前記キャビティの下部の部分より広いことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
4. 前記第１電極は、発光領域および非発光領域を定義する複数の突起を含み、
   前記第２電極は、前記非発光領域と重複することを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
5. 前記ブロックパターンは、絶縁物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
6. 前記ブロックパターンは、酸化膜、窒化膜、酸窒化膜、アルミニウム酸化膜、およびアルミニウム窒化膜のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
7. 前記ブロックパターンの少なくとも一部は、前記第１電極の直接上部にあることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
8. 前記第１電極は、平たいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
9. 前記ブロックパターンは、第１ブロックパターンおよび第２ブロックパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
10. 前記発光パターン下部にある第１導電パターンと、
    前記発光パターン上部にある第２導電パターンと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
11. 前記第１電極と前記発光パターンとの間、および、前記第２電極と前記発光パターンとの間のうち少なくとも一方に配列されたオームパターンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
12. 前記ブロックパターンは、突起を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
13. 前記第２電極と前記ブロックパターンとの間にあるバッファ層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
14. 前記第１電極は、反射物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
15. 第１電極、前記第１電極から離隔されて位置する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間にある部分を含む発光パターン、および、前記発光パターンと前記第１電極との間および前記第１電極と同一のレベル上の少なくとも一方にある部分を含むブロックパターンを含む発光素子と、
    前記第１電極と電気的に接続され、ベース基板上にある第１導電領域と、
    前記第２電極と電気的に接続され、前記ベース基板上にある第２導電領域と、
    を備えることを特徴とする発光装置。
16. 導電基板上にある第１電極と、
    前記第１電極上にある第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間にある部分を含む発光パターンと、
    前記発光パターンを通過する電流の流れを調節する電流調節手段であって、前記電流調節手段の少なくとも一部は、前記第１電極と前記発光パターンとの間で電流パスに沿って配列され、前記第１電極から前記発光パターンに流れる全ての電流は、前記発光パターンに到達する前に前記電流調節手段の少なくとも一部を通過して流れる電流調節手段と、
    を備えることを特徴とする発光素子。
17. 基板上にブロックパターンを形成する段階と、
    前記基板上に導電パターンを形成する段階と、
    前記基板上に発光パターンを形成する段階と、
    前記基板上にまた他の導電パターンを形成する段階と、
    前記発光パターンの第１面上に第１電極を形成する段階と、
    前記発光パターンの前記第１面と異なる第２面上に第２電極を形成する段階と、を含み、
    前記ブロックパターンは、前記発光パターンと前記第１電極との間および前記第１電極と同一のレベル上の少なくとも一方にある部分を含む発光素子の製造方法。

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