JP2010077303A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 融点が30℃以上、150℃以下である結晶性エポキシ樹脂(A)、多官能エポキシ樹脂(B)、多官能フェノール樹脂(C)、球状無機充填材(D)、鱗片状無機充填材(E)、硬化促進剤(F)を含有するエポキシ樹脂組成物であって、該樹脂組成物の175℃でのスパイラスフローが50cm以上であり、該樹脂組成物の175℃における測定開始後30秒のキュラストトルク値が10N・m以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【選択図】なし
Description
求したCSP(チップ・サイズ・パッケージ、Chip Size Package)が代表的であるが、
これらは従来QFP(クワッド・フラット・パッケージ、Quad Flat Package)、SOP
(スモール・アウトライン・パッケージ、Small Out−line Package)に代表される表面
実装型半導体装置では限界に近づいている多ピン化・高速化への要求に対応するために開発されたものである。構造としては、ビスマレイミド・トリアジン(以下、「BT」ともいう。)樹脂/銅箔回路基板に代表される回路基板の片面上に半導体素子を搭載し、その半導体素子搭載面、即ち基板の片面のみにエポキシ樹脂組成物等の樹脂層が形成されている。半導体素子搭載面では数百μmから数mm程度の樹脂層が形成されるため、実質的に片面樹脂層となっている。
このような片面樹脂層が形成されるものとしては、半導体素子を直接封止するものや、フリップチップを実装し、第一の樹脂として液状アンダーフィルで素子の回路面を保護し、その周囲に第二の樹脂として樹脂層を形成するもの等がある。
ある。−X−は−C(R3)2−、−O−、−S−の中から選択される基である。R3は水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。)
ある。n7の平均値は0又は10以下の正数である。)
本発明のエポキシ樹脂組成物は、融点が30℃以上、150℃以下である結晶性エポキシ樹脂(A)、多官能エポキシ樹脂(B)、多官能フェノール樹脂(C)、球状無機充填材(D)、鱗片状無機充填材(E)、硬化促進剤(F)を含有するエポキシ樹脂組成物で
あって、該エポキシ樹脂組成物の175℃でのスパイラスフローが50cm以上であり、該エポキシ樹脂組成物の175℃における測定開始後30秒のキュラストトルク値が10N・m以上であることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、上述のエポキシ樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、結晶性エポキシ樹脂(A)を含む。本発明で用いられる結晶性エポキシ樹脂(A)は成形時の流動性を発現させるために用いる。公知の結晶性エポキシ樹脂を用いることができるが、成形性、生産性等を考慮し融点が30℃以上、150℃以下の範囲であるものが好ましい。上記下限値以上のものであれば、エポキシ樹脂組成物の製造時において搬送装置等への付着、タブレット同士の固着といった不具合を引き起こさず、安定した生産が可能となる。また、上記上限値以下のものであれば、エポキシ樹脂組成物の溶融時に樹脂の溶解が不均一になることがなく、均質な樹脂組成物を得ることができる。
ある。−X−は−C(R3)2−、−O−、−S−の中から選択される基である。R3は水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。)
ことが好ましい。当量比がこの範囲であると、エポキシ樹脂組成物の成形時に充分な硬化性を得ることができる。また、当量比がこの範囲であると、ガラス転移温度が適正な範囲となり樹脂硬化物における良好な物性を得ることができる。
トキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−6−(アミノヘキシル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−(トリメトキシシリルプロピル)−1,3−ベンゼンジメタナン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−(3,4エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシランン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどが挙げられる。その中でもアミノシラン系カップリング剤で処理することが流動性、硬化性改善のためより好ましい。
いるカップリング剤、その他のカップリング剤以外に、さらに必要に応じて、カーボンブラックに代表される着色剤;天然ワックス及び合成ワックス等の離型剤;低応力性を発現させるための低応力剤;難燃剤等が適宜配合可能である。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の従来からの成形方法で硬化成形すればよい。
アウトライン・パッケージ(TSOP)、薄型クワッド・フラット・パッケージ(TQFP)、テープ・キャリア・パッケージ(TCP)、ボール・グリッド・アレイ(BGA)、チップ・サイズ・パッケージ(CSP)、フリップチップBGA、クワッド・フラット・ノンリードパッケージ(QFN)等が挙げられる。これらの中でも、低反り性や平滑性が要求される半導体装置としては、BGA、CSP、フリップチップBGA等のエリア実装型半導体装置等が挙げられる。
上記トランスファーモールドなどの成形方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは80℃から200℃程度の温度で、10分から10時間程度の時間をかけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
(エポキシ樹脂)
エポキシ樹脂1:ジャパンエポキシレジン(株)製、YL−6677。一般式(1)で表される化合物においてa=0である化合物を主成分とするエポキシ樹脂(融点110℃)25質量%と、一般式(4)で表される化合物においてd=0である化合物を主成分とするエポキシ樹脂75質量%と、の混合物。融点50℃、エポキシ当量163。)
球状無機充填剤1:球状溶融シリカ(マイクロン(株)製、S30−71。平均粒子径25μm。)
鱗片状無機充填材1:ガラスフレーク1(日本板硝子(株)製、REF−015A。組成:硼珪酸ガラス。平均粒径15μm、平均厚み5μm、アスペクト比3。アミノシラン処理品。)
鱗片状無機充填材2:ガラスフレーク2(日本板硝子(株)製、REFG−301。組成:硼珪酸ガラス。平均粒径5μm、平均厚み0.5μm、アスペクト比10。エポキシシラン処理品。)
鱗片状無機充填材3:ガラスフレーク3(日本板硝子(株)製、REFG−302。組成:硼珪酸ガラス。平均粒径5μm、平均厚み0.6μm、アスペクト比8.3。ウレイドシラン処理品。)
鱗片状無機充填材4:ガラスフレーク4(日本板硝子(株)製、REF−015。組成:硼珪酸ガラス。平均粒径15μm、平均厚み5μm、アスペクト比3。シラン処理無し品。)
鱗片状無機充填材5:マイカ(コープケミカル(株)製、ME−100。平均粒径6μm、平均厚み0.3μm、アスペクト比20。シラン処理無し品。)
硬化促進剤1:式(10)で表される化合物
硬化促進剤2:式(11)で表される化合物
硬化促進剤3:トリフェニルホスフィン
化合物G1:2,3−ジヒドロキシナフタレン
カップリング剤1:3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
着色剤1:カーボンブラック
離型剤1:カルナバワックス
エポキシ樹脂1 9.25質量部
フェノール樹脂1 5.50質量部
球状無機充填材1 64質量部
鱗片状無機充填材1 20量部
硬化促進剤2 0.45質量部
カップリング剤1 0.3質量部
着色剤1 0.3質量部
離型剤1 0.2質量部
スパイラルフロー:低圧トランスファー成形機(コータキ精機(株)製、KTS−15)を用いて、EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、保圧時間120秒の条件でエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。単位はcmである。
、温度範囲−65〜300℃で測定した。Tgは測定によって得られる温度と試料寸法とのグラフにおける30℃での接線と280℃での接線の交点とした。また、α1、α2は、測定によって得られる温度と試料寸法とのグラフにおいて、各温度域でその傾きがほぼ一定となった部分における平均値を持ってその値とした。Tgの単位は℃、α1、α2の単位はppmである。
中)に3回通し、−55℃と125℃の槽が瞬時に入れ替わる装置(ESPEC製、THERMAL SHOCK CHAMBER TSA−101S)にパッケージを10個投入し125℃30分、−55℃30分を1サイクルとして、1000サイクル温度サイクル処理を行った後のパッケージ10個について、内部の剥離、クラックを超音波探傷機(日立建機ファインテック(株)製、mi−scope hyper II)により確認し
、不良パッケージの個数を数えた。10個のパッケージのうち、不良の生じたパッケージがn個であるとき、n/10とした。
表1、表2、表3の配合に従い、実施例1と同様にエポキシ樹脂組成物を得て、実施例1と同様に評価を行った。
一方、結晶性エポキシ樹脂(A)を用いなかった比較例2では、スパイラルフローが50cmを下回ったことで、パッケージの成形段階で未充填が発生し、パッケージ特性の評価に値するサンプルを得ることができなかった。また、多官能エポキシ樹脂(B)又は多官能フェノール樹脂(C)を用いなかった比較例1、4では、ガラス転移温度が成形温度よりも低い値となり、パッケージ反り量、耐温度サイクル性等のパッケージ特性が劣る結果となった。また、鱗片状無機充填材(E)を用いなかった比較例5では、パッケージ反り量、耐温度サイクル性等のパッケージ特性が劣る結果となった。また、鱗片状無機充填
材(E)を過剰に用いた比較例6では、スパイラルフローが50cmを下回ったことで、パッケージの成形段階で未充填が発生し、パッケージ特性の評価に値するサンプルを得ることができなかった。また、比較例3に示すように、硬化促進剤の種類及び量の選択によっては、スパイラルフローが50cmを下回ることとなり、パッケージの成形段階で未充填が発生し、パッケージ特性の評価に値するサンプルを得ることができないことがわかる。
Claims (16)
- 融点が30℃以上、150℃以下である結晶性エポキシ樹脂(A)、
多官能エポキシ樹脂(B)、
多官能フェノール樹脂(C)、
球状無機充填材(D)、
鱗片状無機充填材(E)、
硬化促進剤(F)
を含有するエポキシ樹脂組成物であって、
該エポキシ樹脂組成物の175℃でのスパイラスフローが50cm以上であり、
該エポキシ樹脂組成物の175℃における測定開始後30秒のキュラストトルク値が10N・m以上であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 - 前記鱗片状無機充填材(E)のアスペクト比が2以上、10以下であることを特徴とする請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記鱗片状無機充填材(E)がカップリング剤で表面処理されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記結晶性エポキシ樹脂(A)が下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物及び下記一般式(3)で表される化合物の中から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
(ただし、上記一般式(1)において、R1は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。aは0〜4の整数である。)
(ただし、上記一般式(2)において、R2は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。bは0〜4の整数である。−X−は−C(R3)2−、−O−、−S−の中から選択される基である。R3は水素原子、又は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。)
(ただし、上記一般式(3)において、R4は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。cは0〜4の整数である。) - 前記多官能エポキシ樹脂(B)が下記一般式(4)で表される化合物、下記一般式(5)で表される化合物及び下記一般式(6)で表される化合物の中から選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
(ただし、上記一般式(4)において、R5は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。dは0〜4の整数である。n4の平均値は0又は10以下の正数である。)
(ただし、上記一般式(5)において、eは1、fは1又は0、R6は水素原子、炭素数1〜4のアルキル基の中から選択される基、又はフェニル基であり、Gはグリシジル基を示す。
(ただし、上記一般式(6)において、R7は炭素数1〜6のアルキル基の中から選択される基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよい。gは0〜4の整数である。) - 前記結晶性エポキシ樹脂(A)と多官能エポキシ樹脂(B)の合計量に対する多官能エポキシ樹脂(B)の配合割合(B)/{(A)+(B)}が質量比で0.6以上、0.9以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記結晶性エポキシ樹脂(A)と多官能エポキシ樹脂(B)とを予備混合した後、他の成分と混合及び/又は溶融混練して得られるものであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 更に芳香環を構成する2個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物(G)を含むことを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記鱗片状無機充填材(E)がガラスフレークであることを特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記ガラスフレークの組成が硼珪酸ガラスであることを特徴とする請求項12記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記鱗片状無機充填材(E)の全エポキシ樹脂組成物に対する配合割合が10質量%以上、70質量%以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項13のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 前記球状無機充填材(D)と前記鱗片状無機充填材(E)の合計量に対する前記鱗片状無機充填材(E)の配合割合(E)/{(D)+(E)}が0.1以上、0.8以下であることを特徴とする請求項1ないし請求項14のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし請求項15のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
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