JP2010141236A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】デバイスの抗折強度を低下させずにデバイスに対してIDマークを記録できるようにする。
【解決手段】表面に突起状の電極が形成されたデバイスDが分割予定ラインSによって区画されて形成されたウェーハWの分割予定ラインSにデバイスDの仕上がり厚さに相当する深さの溝Gを形成する溝形成工程と、溝形成工程後のウェーハWの表面に保護部材2を貼着しウェーハWの裏面W2を研削して裏面W2に溝Gを表出させて個々のデバイスDに分割する裏面研削工程と、ウェーハWの裏面W2にテープTを貼着するテープ貼着工程と、テープTから各デバイスDをピックアップするピックアップ工程とを少なくとも含み、裏面研削工程の後であってピックアップ工程の前に、デバイスDの裏面に対してIDマーク5を固着するIDマーク固着工程が実施される。
【選択図】図4

Description

本発明は、ウェーハを構成するデバイスにIDマークを固着して記録する方法に関するものである。
バンプと呼ばれる電極が形成されたIC、LSI等のデバイスが分割予定ラインによって区画されて表面に複数形成されたウェーハは、ダイシング装置等の分割装置によって個々のデバイスに分割され、COF(Chip On Film)、COG(Chip On Glass)といった実装技術によってフィルム状配線基板やガラス基板にボンディングされ、各種電子機器に利用されている。
このようなデバイスについては、デバイスの特性、製造ロット、製造場所、出荷日等の固有のID情報がウェーハごとまたはデバイスごとに管理されており、ウェーハをデバイスに分割した後に個々のデバイスが識別できなくなるのを避けるために、ウェーハの分割前に、ID情報を含むIDマークをデバイスの裏面にレーザー光によって刻印し記録する技術が提案されている(例えば特許文献1参照)。
特開2008−178886号公報
しかし、デバイスの裏面にレーザー光を照射してIDマークを刻印すると、デバイスの裏面に傷がついて抗折強度が低下し、品質の低下を招くという問題がある。そこで、本発明は、デバイスの抗折強度を低下させずにデバイスに対してIDマークを記録できるようにすることを目的とする。
本発明は、表面に突起状の電極が形成されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハの分割予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、溝形成工程後のウェーハの表面に保護部材を貼着しウェーハの裏面を研削して裏面に溝を表出させて個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、ウェーハの裏面にテープを貼着するテープ貼着工程と、テープから各デバイスをピックアップするピックアップ工程とを少なくとも含むウェーハの加工方法に関するもので、裏面研削工程の後であってピックアップ工程の前に、デバイスの裏面に対してIDマークを固着するIDマーク固着工程が実施されるように構成している。
このウェーハの加工方法におけるIDマーク固着工程は、テープに予め個々のデバイスに対応したIDマークシールが敷設されておりテープ貼着工程において各デバイスの裏面にIDマークシールを貼着することによりIDマークをデバイスの裏面に固着する方法、テープにレーザー光の照射により固化してウェーハの裏面に固着される粘着層が塗布されておりテープ貼着工程の後にテープ側から各デバイスの裏面に向けてレーザー光を照射し固化した粘着層をIDマークとしてデバイスの裏面に固着する方法、裏面研削工程の後であってテープ貼着工程の前にインクジェットにより各デバイスの裏面にIDマークを固着する方法のいずれかによって実施されることが望ましい。
本発明では、ウェーハの裏面研削工程の後に、テープからデバイスの裏面にIDマークを転写したり、テープの粘着層をレーザー加工してデバイスの裏面に固化した粘着層からなるIDマークを固着したり、インクジェットによってデバイスの裏面にIDマークを固着したりするため、デバイス自体を加工する必要がなく、デバイスの裏面に傷をつけることがない。したがって、デバイスの抗折強度低下に起因する品質の低下を防止しつつ、各デバイスの識別が可能となる。
図1に示すウェーハWは、分割予定ラインSによって区画されて表面W1に複数のデバイスDが形成されて構成され、個々のデバイスDの表面には突起状の電極であるバンプが形成されている。最初に、このウェーハWの分割予定ラインSに高速回転する切削ブレード1を所定深さ切り込ませることにより、デバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝Gをすべての分割予定ラインSに形成する(溝形成工程)。なお、溝形成工程は、レーザー光の照射によっても行うことができる。
次に、図2に示すように、溝Gが形成された表面W1に保護部材2が貼着される。そして、図3に示すように、保護部材2側が研削装置のチャックテーブル3に保持され、裏面W2が露出した状態となり、その状態で、ウェーハWを保持するチャックテーブル3が回転すると共に、回転する研削砥石4が裏面W2に接触して研削が行われる。研削中は、研削砥石4の回転軌道が常にウェーハWの回転中心を通るようにすることにより、裏面W2が平面上に研削される。
こうして裏面W2が研削されると、溝Gが裏面W2から表出し、個々のデバイスDに分割される。そして、個々のデバイスDは、所定の厚さに形成される。分割後のデバイスDは、保護部材2に貼着されているため、全体としてウェーハWの形状を維持している(裏面研削工程)。
次に、図3に示したチャックテーブル3からデバイスDに分割されたウェーハW及び保護部材2を取り外して裏返し、図4に示すように、デバイスDに分割されたウェーハWの裏面W2をダイシングテープTの粘着面に貼着する。ダイシングテープTの粘着面の外周部分にはリング状のフレームFを貼着することにより、ウェーハWがダイシングテープTを介してフレームFに支持された状態となる。なお、図4の例ではダイシングテープTを使用しているが、ダイシング用でないテープを使用してもよい。また、後のピックアップ工程に支障がなければ、テープにフレームFを貼着しなくてもよい(テープ貼着工程)。
図4の例では、ダイシングテープTの粘着面にIDマークシール5がデバイスDの配置にあわせて敷設されており、ウェーハWの各デバイスDとIDマークシール5とを位置合わせしてデバイスDの裏面をダイシングテープTに貼着する。そして、図5に示すように、必要に応じてダイシングテープTの裏面側から、例えば加熱、紫外線照射、押圧といった外的刺激を加えることにより、ダイシングテープT上のIDマークシール5がデバイスDの裏面に貼着され、IDマークがデバイスDの裏面に固着される(IDマーク固着工程)。なお、表面W1に貼着されていた保護部材2は、テープ貼着工程の後に剥離する。
次に、図6に示すように、ウェーハWをピックアップ装置6の保持テーブル60に載置すると共に、フレームFをフレーム支持部61に固定する。そして、保持テーブル60を上昇させるかフレーム支持部61を下降させることによりダイシングテープTを伸張させ、隣り合うデバイス間の間隔を広げてピックアップをしやすい状態とする。そして、コレット62によって各デバイスDをピックアップしていく(ピックアップ工程)。なお、テープ貼着工程においてダイシングテープTにフレームFを貼着しなかった場合は、ダイシングテープTを水平方向に伸張させるなどしてデバイス間の間隔を広げるようにすればよい。
上記の例におけるIDマーク固着工程では、ダイシングテープTにIDマークを敷設しておきデバイスDに転写する構成としたが、IDマーク固着工程は、裏面研削工程の後であってピックアップ工程の前において、他の手法によっても実現することができる。例えば、ダイシングテープTの粘着面にレーザー光の照射を受けて固化する粘着層が塗布されている場合は、図7に示すように、ウェーハWの裏面W2をダイシングテープTの粘着層に貼着して全体を裏返し、レーザー発振器7からダイシングテープTの裏面側(粘着層が塗布されていない面)に向けてレーザー光を照射してダイシングテープTを焼き付け、粘着層の固化した部分をIDマークとしてデバイスDの裏面に形成することもできる。
また、図8に示すように、裏面研削工程の後であってピックアップ工程の前に、ウェーハWの裏面W2側にインクジェットノズル8からインクジェットによってIDマークを形成することもできる。この場合は、裏面W2にダイシングテープ等のテープを貼着した後はインクジェットによってIDマークを形成できないため、裏面研削工程で裏面W2を研削した後に、保護部材2を表面W1に貼着したままの状態でIDマークを形成する。
溝形成工程の一例を示す斜視図である。 ウェーハ及び保護部材を示す斜視図である。 裏面研削工程の一例を示す斜視図である。 IDマークシールが敷設されたダイシングテープ、フレーム及びウェーハを示す斜視図である。 IDマーク固着工程の一例を示す斜視図である。 ピックアップ工程の一例を示す説明図である。 IDマーク固着工程の第二の例を示す斜視図である。 IDマーク固着工程の第三の例を示す斜視図である。
符号の説明
W:ウェーハ
W1:表面 S:分割予定ライン D:デバイス
W2:裏面
T:ダイシングテープ F:フレーム
1:切削ブレード 2:保護部材 3:チャックテーブル 4:研削砥石
5:IDマークシール
6:ピックアップ装置 60:保持テーブル 61:フレーム支持部 62:コレット
7:レーザー発振器 8:インクジェットノズル

Claims (4)

  1. 表面に突起状の電極が形成されたデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたウェーハの該分割予定ラインにデバイスの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程後のウェーハの表面に保護部材を貼着し該ウェーハの裏面を研削して該裏面に該溝を表出させて個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、該ウェーハの裏面にテープを貼着するテープ貼着工程と、該テープから各デバイスをピックアップするピックアップ工程とを少なくとも含むウェーハの加工方法であって、
    該裏面研削工程の後であって該ピックアップ工程の前に、該デバイスの裏面に対してIDマークを固着するIDマーク固着工程が実施される
    ウェーハの加工方法。
  2. 前記テープには、予め個々のデバイスに対応したIDマークシールが敷設されており、前記テープ貼着工程において各デバイスの裏面に該IDマークシールを貼着することによりIDマークを該デバイスの裏面に固着することで前記IDマーク固着工程が実施される
    請求項1に記載のウェーハの加工方法。
  3. 前記テープには、レーザー光の照射により固化してウェーハの裏面に固着される粘着層が塗布されており、前記テープ貼着工程の後に該テープ側から各デバイスの裏面に向けてレーザー光を照射し、固化した粘着層をIDマークとして該デバイスの裏面に固着することで前記IDマーク固着工程が実施される
    請求項1に記載のウェーハの加工方法。
  4. 前記裏面研削工程の後であって前記テープ貼着工程の前に、インクジェットにより各デバイスの裏面にIDマークを固着することで前記IDマーク固着工程が実施される請求項1に記載のウェーハの加工方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH08195362A (ja) * 1995-01-17 1996-07-30 Sony Corp 部材の製造方法
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JP2000114129A (ja) * 1998-10-09 2000-04-21 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
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