JP2010282997A - 太陽電池、太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池、太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010282997A
JP2010282997A JP2009132839A JP2009132839A JP2010282997A JP 2010282997 A JP2010282997 A JP 2010282997A JP 2009132839 A JP2009132839 A JP 2009132839A JP 2009132839 A JP2009132839 A JP 2009132839A JP 2010282997 A JP2010282997 A JP 2010282997A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode layer
lower electrode
layer
solar cell
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009132839A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Denda
敦 傳田
広美 ▲斎▼藤
Hiromi Saito
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009132839A priority Critical patent/JP2010282997A/ja
Priority to US12/788,584 priority patent/US20100300514A1/en
Priority to CN2010101964542A priority patent/CN101908565A/zh
Publication of JP2010282997A publication Critical patent/JP2010282997A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/10—Semiconductor bodies
    • H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
    • H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
    • H10F77/1694—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including Group I-III-VI materials, e.g. CIS or CIGS
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
    • H10F77/215—Geometries of grid contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/70—Surface textures, e.g. pyramid structures
    • H10F77/707—Surface textures, e.g. pyramid structures of the substrates or of layers on substrates, e.g. textured ITO layer on a glass substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】高効率の太陽電池を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された下部電極層と、前記下部電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された上部電極層と、を備え、前記下部電極層は、前記基板上に形成された第１下部電極層と、前記第１下部電極層上に形成された第２下部電極層と、で構成され、前記第１下部電極層は、前記第２下部電極層に比べ、電気抵抗率が低い材料で構成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、太陽電池、太陽電池の製造方法に関する。
太陽電池は、光エネルギーを電気エネルギーに変換するものであり、使用される半導体によって様々な種類の構成が提案されている。近年では、製造工程が簡単で、高い変換効率が期待できるＣＩＧＳ型の太陽電池が注目されている。ＣＩＧＳ型の太陽電池は、例えば、基板上に形成された第１電極膜と、第１電極膜上に形成された化合物半導体（銅−インジウム−ガリウム−セレン化合物）層を含む薄膜と、当該薄膜上に形成された第２電極膜と、で構成されている。そして、薄膜の一部が除去された溝内に第２電極膜が形成されており、第１電極膜と第２電極膜とが電気的に接続されている。（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−３１９６８６号公報
ところで、上記した太陽電池では、単一セルで得られる開放電圧が小さいため、複数の小型セルを直列に接続することにより、モジュール化して起電力を高めている。ところが、このモジュール化に伴い、電流経路が増加（直列抵抗の増加）するため、導電経路を流れる電流が損失してしまう、という課題があった。
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる太陽電池は、基板と、前記基板上に形成された下部電極層と、前記下部電極層上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された上部電極層と、を備え、前記下部電極層は、第１下部電極層と、第２下部電極層と、で構成され、前記第１下部電極層は、前記第２下部電極層に比べ、電気抵抗率が低い材料で構成されたことを特徴とする。
この構成によれば、下部電極層は、第１下部電極層と第２下部電極層とで構成されており、第１下部電極層は、第２下部電極層よりも電気抵抗率が低い電極層である。このように、下部電極を２層構造として、例えば、下部電極層のうち、一方の第２下部電極層の電気抵抗率が比較的高い場合であっても、電気抵抗率の低い第１下部電極層を補助的に組み合わせて形成することにより、下部電極層全体としての電気的効率を下げることができる。すなわち、下部電極層のシート抵抗を下げることができる。これにより、太陽電池内を流れる電流の損失を低減することができる。
［適用例２］上記適用例にかかる太陽電池の前記第１下部電極層は、前記基板上に、銀、または、銀を主成分とする化合物によって形成され、前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上に、モリブデンによって形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、基板上には、銀、または、銀を主成分とする化合物からなる第１下部電極層が形成され、第１下部電極層上に、モリブデンからなる第２下部電極層が形成される。ところで、例えば、ＣＩＧＳ型の太陽電池では、下部電極層の材料としてモリブデンが使用されている。下部電極層にモリブデンが使用される理由は以下の通りである。ＣＩＧＳ型の太陽電池の半導体層（ＣＩＧＳ）は、その製造過程において、下部電極層のモリブデン上に、銅−ガリウム（Ｃｕ−Ｇａ）合金層とインジウム（Ｉｎ）層からなる積層プリカーサーを形成し、当該積層プリカーサーをセレン化水素雰囲気で加熱（セレン化）することにより、半導体層（ＣＩＧＳ）を形成している。ところが、このセレン化処理において、下部電極層の材料が、例えば、セレンと容易に合金を形成するものであると、合金形成の結果、半導体層に膨張が生じ、この膨張により、半導体層にクラックや剥離等が生じる場合がある。そこで、耐セレン性に優れたモリブデンが下部電極層の材料として採用されている。しかし、下部電極層のシート抵抗は、モリブデンの電気的特性に依存することになる。そこで、本発明では、モリブデンよりも電気抵抗率の低い銀、または、銀を主成分とする化合物を用いた第１下部電極層を形成し、モリブデンを含む第２下部電極層とともに下部電極層を構成した。これにより、下部電極層のシート抵抗を下げることができる。
［適用例３］上記適用例にかかる太陽電池において、前記第１下部電極層は、凹凸部を有することを特徴とする。
この構成によれば、第１下部電極層は、凹凸部を有するため、太陽電池に入射した光のうち、第１下部電極層まで達した光は、凹凸部で散乱し、半導体層に吸収される。すなわち、光の閉じ込め効果が向上する。このため、太陽電池の変換効率を向上させることができる。
［適用例４］上記適用例にかかる太陽電池の前記第１下部電極層は、前記基板上に形成された、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層であり、前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上に、モリブデンによって形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、モリブデンよりも電気抵抗率の低い、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層を第１下部電極層として、モリブデンを含む第２下部電極層とともに下部電極層を構成することにより、下部電極層全体のシート抵抗を下げることができる。
［適用例５］上記適用例にかかる太陽電池において、前記基板は、透明性を有する基板であり、前記第１下部電極層は、前記基板上に、銀、または、銀を主成分とする化合物によって、格子状、または、ライン状に形成され、前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上および前記基板上に形成された透明性を有する導電体であることを特徴とする。
この構成によれば、例えば、透明性を有する基板と、透明性を有する導電体の下部電極を備えることにより、基板面側からの受光が可能となる。但し、下部電極を単一層とした場合、下部電極層のシート抵抗は、透明性の導電体の電気的特性に依存することになる。そこで、本発明では、透明性を有する導電体よりも電気抵抗率の低い、銀、または、銀を主成分とする化合物を用いて第１下部電極層を形成した。そして、透明性を有する導電体の第２下部電極層とともに下部電極層が構成される。これにより、下部電極層全体のシート抵抗を下げることができる。さらに、第１下部電極層は、格子状またはライン状に形成されるため、光の入射を遮断させることなく、換言すれば、光透過率を確保しつつ、受光した光を半導体層に到達させることができる。
［適用例６］上記適用例にかかる太陽電池において、前記基板は、透明性を有する基板であり、前記第１下部電極層は、前記基板上に、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層であり、前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上および前記基板上に形成された透明性を有する導電体であることを特徴とする。
この構成によれば、透明性を有する導電体よりも電気抵抗率の低い、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層の第１下部電極層が形成され、透明導電体を含む第２下部電極とともに下部電極層を形成することにより、下部電極層全体のシート抵抗を下げることができる。さらに、光が受光する開口率を確保するようにナノワイヤー層を形成することにより、光の入射を遮断させることなく、受光した光を半導体層に到達させることができる。
［適用例７］上記適用例にかかる太陽電池の製造方法は、基板上に下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、前記下部電極層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層上に上部電極層を形成する上部電極層形成工程と、を有し、前記下部電極層形成工程は、前記基板上に第１下部電極層を形成する第１下部電極層形成工程と、前記第１下部電極層上に第２下部電極層を形成する第２下部電極形成工程と、を含み、前記第１下部電極層形成工程では、前記第２下部電極層に比べ、電気抵抗率が低い前記第１下部電極層を形成することを特徴とする。
この構成によれば、基板上に、下部電極層が形成される。当該下部電極層は、第１下部電極層と第２下部電極層とで構成され、第１下部電極層形成工程では、第２下部電極層よりも電気抵抗率が低い電極層を形成する。このように、下部電極を２層構造に形成することにより、例えば、下部電極層のうち、一方の第２下部電極層の電気抵抗率が比較的高い場合であっても、電気抵抗の低い第１下部電極層を補助的に組み合わせて形成することにより、下部電極層全体としてのシート抵抗を下げることができる。これにより、太陽電池内を流れる電流の損失を低減することができる。
第１実施形態にかかる太陽電池の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は一部拡大した断面図。 第１実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図。 第１実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図。 第２実施形態にかかる太陽電池の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ），（ｃ）は一部破断図。 第２実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図。 第２実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図。
［第１実施形態］
以下、本発明を具体化した第１実施形態について図面に従って説明する。なお、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮小を異ならせて図示している。
（太陽電池の構成）
まず、太陽電池の構成について説明する。なお、本実施形態では、ＣＩＧＳ型の太陽電池の構成について説明する。図１は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示し、同図（ａ）は断面図、（ｂ）は一部拡大した断面図である。
図１（ａ）に示すように、太陽電池１は、基板１０と、基板１０上に形成された下地層１１と、下地層１１上に形成された下部電極層１２と、下部電極層１２上に形成された半導体層１３と、半導体層１３上に形成された上部電極層１４とからなるセル４０の集合体で構成されている。
隣接するセル４０間は、第３分割溝３３によって分割されている。また、下部電極層１２は、第１分割溝３１によってセル４０単位で分割され、隣接するセル４０間を跨ぐように形成されている。そして、下部電極層１２と上部電極層１４とが、第２分割溝３２を介して接続され、各セル４０の上部電極層１４が、隣接する他のセル４０の下部電極層１２と接続されることによって、各セル４０が直列接続されている。このように、直列接続されたセル４０の数を適宜設定することにより、太陽電池１における所望の電圧を任意に設計変更することが可能となる。
基板１０は、少なくとも下部電極層１２側の表面が絶縁性を有した基板である。具体的には、例えば、ガラス（青板ガラス等）基板、ステンレス基板、ポリイミド基板、雲母基板等を用いることができる。
下地層１１は、基板１０上に形成された絶縁性を有する層であり、例えば、ＳｉＯ2（酸化珪素）を主成分とする絶縁層やフッ化鉄層を設けることができる。当該下地層１１は、絶縁性を有するとともに、基板１０と基板１０上に形成された下部電極層１２との密着性を確保する機能、および、基板１０が青板ガラスの場合は、ガラス基板から下部電極層１２へのＮａ拡散を防止する機能を併せ持つ。なお、基板１０自体に上記特性を有している場合には、下地層１１を省略することができる。
下部電極層１２は、第１下部電極層１２ａと第２下部電極層１２ｂとで構成されている。本実施形態では、第１下部電極層１２ａは、基板１０（下地層１１）上に形成され、第１下部電極層１２ａ上に第２下部電極層１２ｂが形成されている。そして、第１下部電極層１２ａは、第２下部電極層１２ｂに比べ、電気抵抗率が低い材料で形成されている。具体的には、第２下部電極層１２ｂに、耐セレン化に優れたモリブデンが用いられた場合には、第１下部電極層１２ａは、モリブデンよりも電気抵抗率が低い材料、例えば、銀、または、銅、シリコン、ニッケル、マンガン等を含む銀を主成分とした化合物で形成されている。このように、第１下部電極層１２ａに、電気抵抗率の低い材料を用いることにより、電流流路における抵抗を下げることができる。従って、第１下部電極層１２ａは、下部電極層１２全体としてシート抵抗を低下させる補助的機能を備えた補助電極層と言うこともできる。
さらに、第１下部電極層１２ａは、凹凸部２０を備えている。本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、第１下部電極層１２ａの半導体層１３方向の表面のほぼ全面に、多数の微細な凹凸部２０が密に形成されている。凹凸部２０は、表面粗さ０．５μｍ以上の凹凸を有し、例えば、角錐形状、三角溝形状、矩形溝形状、ドット形状、メッシュ形状等、或いはこれらの形状を組み合わせて形成される。なお、各凹凸部２０の寸法や配置等は均一に設けてもよいし、ランダムに設けてもよい。当該凹凸部２０を設けることにより、太陽電池１に入射した光が凹凸部２０で散乱し、散乱した光を半導体層１３で吸収さることができる。これにより、太陽電池１の変換効率を向上させることができる。
半導体層１３は、第１半導体層１３ａと第２半導体層１３ｂとで構成される。第１半導体層１３ａは、下部電極層１２上に形成され、銅（Ｃｕ）・インジウム（Ｉｎ）・ガリウム（Ｇａ）・セレン（Ｓｅ）を含むｐ型半導体層（ＣＩＧＳ半導体層）である。
第２半導体層１３ｂは、第１半導体層１３ａ上に形成され、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化インジウム（ＩｎＳ）等のｎ型半導体層である。
上部電極層１４は、第２半導体層１３ｂ上に形成された透明性を有する電極層であり、例えば、ＺｎＯＡｌ等の透明電極体（ＴＣＯ：Transparent Conducting Oxides）、ＡＺＯ等である。
上記のように構成されたＣＩＧＳ型の太陽電池１に、太陽光等の光が入射されると、半導体層１３内で電子（−）と正孔（＋）の対が発生し、電子（−）と正孔（＋）は、ｐ型半導体層（第１半導体層１３ａ）とｎ型半導体層（第２半導体層１３ｂ）との接合面で、電子（−）がｎ型半導体に集まり、正孔（＋）がｐ型半導体に集まる。その結果、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に起電力が発生する。この状態で、下部電極層１２と上部電極層１４に外部導線を接続することにより、電流を外部に取り出すことができる。
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、ＣＩＧＳ型の太陽電池の製造方法について説明する。図２及び図３は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
図２（ａ）の下地層形成工程では、青板ガラス等のガラス基板１０の一方面にＳｉＯ2からなる下地層１１を形成する。ＳｉＯ2からなる下地層１１は、ガラス基板１０にスパッタ法、ＣＶＤ法等により形成することができる。本下地層１１は、青板ガラス基板１０から下部電極層１２へのＮａ拡散を防止すると共に、青板ガラス基板１０と下部電極層１２の密着力を高める効果を併せ持つ。なお、ガラス基板１０自体に上記下地層の機能を有している場合には、下地層形成工程を省略することができる。
図２（ｂ），（ｃ）の下部電極層形成工程では、下地層１１が形成されたガラス基板１０上に下部電極層１２を形成する。下部電極層形成工程は、第１下部電極層形成工程と第２下部電極層形成工程を含み、図２（ｂ）の第１下部電極層形成工程では、下地層１１上に第１下部電極層１２ａを形成する。次いで、図２（ｃ）の第２下部電極層形成工程では、第１下部電極層１２ａ上に第２下部電極層１２ｂを形成する。
図２（ｂ）の第１下部電極層形成工程では、下地層１１上に、第１下部電極層１２ａとなる銀（Ａｇ）をスパッタリング法、蒸着法、インクジェット法、ナノインクプリント法、印刷法等を用いて形成する。なお、第１下部電極層１２ａの材料としては、銀の他に、銅、シリコン、ニッケル、マンガン等を含む銀を主成分とした化合物を用いて形成してもよい。
さらに、第１下部電極層形成工程では、凹凸部２０を有するように第１下部電極層１２ａを形成する。凹凸部２０は、表面粗さ０．５μｍ以上の凹凸を有し、例えば、角錐形状、三角溝形状、矩形溝形状、ドット形状、メッシュ形状等、或いはこれらの組み合わせた形状に形成される。なお、各凹凸部２０の寸法や配置等は均一に形成してもよいし、ランダムに形成してもよい。また、一旦、表面が平坦な第１下部電極層１２ａを形成した後に、化学処理やメカニカル処理により凹凸部２０を形成してもよい。
図２（ｃ）の第２下部電極層形成工程では、第１下部電極層１２ａ上に、スパッタ法によって第２下部電極層１２ｂとなるモリブデン（Ｍｏ）層を形成する。これにより、第１下部電極層１２ａと第２下部電極層１２ｂとで構成された下部電極層１２が形成される。
図２（ｄ）の第１分割工程では、下部電極層１２の一部をレーザー光照射等によって除去し、下部電極層１２を厚み方向に分割する。レーザー光照射等によって下部電極層１２が除去された部分には、第１分割溝３１が形成される。
図２（ｅ）の第１半導体層形成工程では、まず、下部電極層１２上および第１分割溝３１内に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）をスパッタ法等で付着させ、プリカーサーを形成する。そして、当該プリカーサーをセレン化水素雰囲気で加熱（セレン化）して、第１半導体層１３ａとなるｐ型の半導体層（ＣＩＧＳ）を形成する。
図３（ｆ）の第２半導体層形成工程では、第１半導体層１３ａ上にＣｄＳ、ＺｎＯやＩｎＳ等により第２半導体層１３ｂとなるｎ型の半導体層を形成する。第２半導体層１３ｂは、スパッタ法等によって形成することができる。
図３（ｇ）の第２分割工程では、レーザー光照射や金属針等により、半導体層１３の一部を除去し、半導体層１３を厚み方向に分割する。レーザー光照射等によって半導体層１３が除去された部分には、第２分割溝３２が形成される。
図３（ｈ）の上部電極層形成工程では、半導体層１３上に上部電極層１４を形成する。例えば、上部電極層となるＡＺＯ(Ａｌドープ酸化亜鉛)等の透明電極（ＴＣＯ）をスパッタ法等で形成する。
図３（ｉ）の第３分割工程では、レーザー光照射や金属針等により、上部電極層１４及び半導体層１３の一部を除去し、上部電極層１４及び半導体層１３を厚み方向に分割する。レーザー光照射等によって上部電極層１４及び半導体層１３が除去された部分には、第３分割溝３３が形成され、一のセル４０が形成される。
上記の工程を経ることより、複数のセル４０が同一のガラス基板１０上で直列接続されたＣＩＧＳ型の太陽電池１が形成される。
従って、上記の第１実施形態によれば、以下に示す効果がある。
（１）基板１０（下地層１１）上に、第１下部電極層１２ａと第２下部電極層１２ｂとからなる下部電極層１２を形成した。第２下部電極層１２ｂは、モリブデン（Ｍｏ）を含む電極層であり、第１下部電極層１２ａは、モリブデンよりも電気抵抗率が低い材料（Ａｇ等）を用いて電極層を形成した。これにより、第１下部電極層１２ａが補助的に電気抵抗率を下げるので、下部電極層１２全体としてのシート抵抗を下げることができる。これにより、複数のセル４０を流れる電流の損失が低減され、高効率の太陽電池１を提供することができる。
（２）第１下部電極層１２ａの第１半導体層１３ａ方向の表面に、凹凸部２０を形成した。これにより、太陽電池１に入射した光が、凹凸部２０において散乱し、散乱した光が半導体層１３に吸収されるので、太陽電池１の変換効率を向上させることができる。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について図面に従って説明する。具体的には、両面から受光可能なＣＩＧＳ型の太陽電池について説明する。なお、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材ごとに縮小を異ならせて図示し、また、各部材には同様の符号を付している。
（太陽電池の構成）
まず、太陽電池の構成について説明する。図４は、本実施形態にかかる太陽電池の構成を示し、同図（ａ）は断面図、（ｂ），（ｃ）は一部破断図である。
図４（ａ）に示すように、太陽電池１ａは、基板１０と、基板１０上に形成された下地層１１と、下地層１１上に形成された下部電極層１２と、下部電極層１２上に形成された半導体層１３と、半導体層１３上に形成された上部電極層１４とからなるセル４０の集合体で構成されている。なお、隣接するセル４０間の構成および太陽電池１ａの動作方法については、第１実施形態と同様なので説明を省略する。
基板１０は、透明性を有する基板であり、例えば、ガラス基板、ＰＥＴ、有機系透明基板等である。透明性を有する基板を用いることにより、基板１０面からの受光が可能となる。本実施形態では、基板としての青板ガラス基板１０を備えている。
下地層１１は、青板ガラス基板１０上に形成された絶縁性を有する層であり、例えば、ＳｉＯ2（酸化珪素）を主成分とする絶縁層である。ＳｉＯ2からなる下地層１１は、ガラス基板１０にスパッタ法、ＣＶＤ法等により形成することができる。本下地層１１は青板ガラス基板１０から下部電極層１２へのＮａ拡散を防止すると共に、青板ガラス基板１０と下部電極層１２の密着力を高める効果を併せ持つ。なお、青板ガラス基板１０自体に上記特性を有している場合には、下地層１１を省略することができる。
下部電極層１２は、第１下部電極層１２ａと第２下部電極層１２ｂとで構成されている。本実施形態では、第１下部電極層１２ａは、青板ガラス基板１０（下地層１１）上に形成され、第１下部電極層１２ａ上に第２下部電極層１２ｂが形成されている。第２下部電極層１２ｂは、透明性を有する電極層であり、例えば、ＡＺＯ(Ａｌドープ酸化亜鉛)等の透明電極（ＴＣＯ：Transparent Conducting Oxides）層である。透明性を有する電極層を形成することにより、青板ガラス基板１０側からの入射した光を透過させることができる。
また、第１下部電極層１２ａは、第２下部電極層１２ｂに比べ、電気抵抗率が低い材料で形成される。具体的には、第２下部電極層１２ｂの透明電極体（ＴＣＯ）よりも電気抵抗率が低い材料、例えば、銀を用いることができる。他の例としては、銅、シリコン、ニッケル、マンガン等を含む銀を主成分とした化合物を用いることもできる。このように、電気抵抗率が低い材料を用いることにより、第１下部電極層１２ａは、電気的抵抗を下げることができる。その結果として、下部電極層１２としてのシート抵抗を低下させることができる。従って、第１下部電極層１２ａは、下部電極層１２のシート抵抗を補助的に低下させる機能を備えた補助電極層と言うこともできる。
さらに、図４（ｂ）に示すように、第１下部電極層１２ａは、格子状に形成される。青板ガラス基板１０方向から入射した光を効果的に透過させるためである。そのため、光が透過するための開口率が９０％以上となるように、格子状の第１下部電極層１２ａを形成することが好ましい。なお、図４（ｃ）に示すように、ライン状の第１下部電極層１２ａを形成してもよい。このようにしても、青板ガラス基板１０方向から入射した光を透過させることができる。この場合にも、上記同様に、光が透過するための開口率が９０％以上となるように、ライン状の第１下部電極層１２ａを形成する。
半導体層１３は、第１半導体層１３ａと第２半導体層１３ｂとで構成され、第１半導体層１３ａは、下部電極層１２上に形成され、銅（Ｃｕ）・インジウム（Ｉｎ）・ガリウム（Ｇａ）・セレン（Ｓｅ）を含むｐ型半導体層（ＣＩＧＳ半導体層）である。
第２半導体層１３ｂは、第１半導体層１３ａ上に形成され、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化インジウム（ＩｎＳ）等のｎ型半導体層である。
上部電極層１４は、透明性を有する電極層であり、例えば、ＡＺＯ(Ａｌドープ酸化亜鉛)等の透明電極体（ＴＣＯ：Transparent Conducting Oxides）である。
上記のように構成されたＣＩＧＳ型の太陽電池１ａでは、上部電極層１４および青板ガラス基板１０側の両面からの光の受光が可能となる。
（太陽電池の製造方法）
次に、太陽電池の製造方法について説明する。なお、本実施形態では、両面から受光可能なＣＩＧＳ型の太陽電池の製造方法について説明する。図５及び図６は、本実施形態にかかる太陽電池の製造方法を示す工程図である。
図５（ａ）の下地層形成工程では、青板ガラス基板１０の一方面にＳｉＯ2からなる下地層１１を形成する。ＳｉＯ2からなる下地層１１は、ガラス基板１０にスパッタ法、ＣＶＤ法等により形成することができる。本下地層１１は青板ガラス１０から下部電極層１２へのＮａ拡散を防止すると共に、青板ガラス基板１０と下部電極層１２の密着力を高める効果を併せ持つ。なお、青板ガラス基板１０自体に上記下地層効果を有している場合には、下地層形成工程を省略することができる。
図５（ｂ），（ｃ）の下部電極層形成工程では、下地層１１が形成された青板ガラス基板１０上に下部電極層１２を形成する。下部電極層形成工程は、第１下部電極層形成工程と第２下部電極層形成工程を含み、図５（ｂ）の第１下部電極層形成工程では、下地層１１上に第１下部電極層１２ａを形成する。次いで、図５（ｃ）の第２下部電極層形成工程では、第１下部電極層１２ａ上に第２下部電極層１２ｂを形成する。
図５（ｂ）の第１下部電極層形成工程では、下地層１１上に、第１下部電極層１２ａとなる銀（Ａｇ）をスパッタリング法、蒸着法、インクジェット法、ナノインクプリント法、印刷法等を用いて形成する。なお、他の第１下部電極層１２ａの材料としては、銅、シリコン、ニッケル、マンガン等を含む銀を主成分とした化合物を用いて形成してもよい。
さらに、第１下部電極層形成工程では、図４（ｂ）または（ｃ）に示すように、格子状、または、ライン状となるように第１下部電極層１２ａを形成する。また、青板ガラス基板１０側からの受光率を確保するため、光が透過するための開口率が９０％以上となるように、第１下部電極層１２ａを形成する。
図５（ｃ）の第２下部電極層形成工程では、第１下部電極層１２ａ上に、透明性を有する第２下部電極層１２ｂを形成する。例えば、ＡＺＯ(Ａｌドープ酸化亜鉛)等の透明電極体（ＴＣＯ）をスパッタ法等で形成する。これにより、第１下部電極層１２ａと第２下部電極層１２ｂとで構成された下部電極層１２が形成される。
図５（ｄ）の第１分割工程では、下部電極層１２の一部をレーザー光照射等によって除去し、下部電極層１２を厚み方向に分割する。レーザー光照射等によって下部電極層１２が除去された部分には、第１分割溝３１が形成される。
図５（ｅ）の第１半導体層形成工程では、まず、下部電極層１２上および第１分割溝３１内に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）をスパッタ法等で付着させ、プリカーサーを形成する。そして、当該プリカーサーをセレン化水素雰囲気で加熱（セレン化）して、第１半導体層１３ａとなるｐ型の半導体層（ＣＩＧＳ）を形成する。
図６（ｆ）の第２半導体層形成工程では、第１半導体層１３ａ上にＣｄＳ、ＺｎＯやＩｎＳ等により、第２半導体層１３ｂとなるｎ型の半導体層を形成する。第２半導体層１３ｂは、スパッタ法等によって形成することができる。
図６（ｇ）の第２分割工程では、レーザー光照射や金属針等により、半導体層１３の一部を除去し、半導体層１３を厚み方向に分割する。レーザー光照射等によって半導体層１３が除去された部分には、第２分割溝３２が形成される。
図６（ｈ）の上部電極層形成工程では、半導体層１３上に上部電極層１４を形成する。例えば、上部電極層となるＡＺＯ(Ａｌドープ酸化亜鉛)等の透明電極体（ＴＣＯ）をスパッタ法等で形成する。
図６（ｉ）の第３分割工程では、レーザー光照射や金属針等により、上部電極層１４及び半導体層１３の一部を除去し、上部電極層１４及び半導体層１３を厚み方向に分割する。レーザー光照射等によって上部電極層１４及び半導体層１３が除去された部分には、第３分割溝３３が形成され、一のセル４０が形成される。
上記の工程を経ることより、複数のセル４０が直列接続され、青板ガラス基板１０側および上部電極層１４側の両面から受光可能なＣＩＧＳ型の太陽電池１ａが形成される。
従って、上記の第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、以下に示す効果がある。
（１）青板ガラス基板１０（下地層１１）上に、第１下部電極層１２ａと第２下部電極層１２ｂとからなる下部電極層１２を形成した。第２下部電極層１２ｂは、透明電極体（ＴＣＯ）からなり、第１下部電極層１２ａは、透明電極体（ＴＣＯ）よりも電気抵抗率が低い材料（Ａｇ等）を用いた電極層を形成した。これにより、第１下部電極層１２ａが補助的に電気抵抗率を下げるので、下部電極層１２全体としてのシート抵抗を下げることができる。さらに、格子状、または、ライン状の第１下部電極層１２ａを形成した。これにより、青板ガラス基板１０側から入射した光は、効率良く半導体層１３に到達される。従って、両面から受光可能な高効率の太陽電池１ａを提供することができる。
なお、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。
（変形例１）上記実施形態では、銀、または、銀を主成分とする化合物を用いて第１下部電極層１２ａを形成したが、これに限定されない。例えば、第１下部電極層１２ａは、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層であってもよい。なお、青板ガラス基板１０側からも受光する場合には、光透過率を確保するため、光が透過するための開口率が９０％以上となるように上記ナノワイヤー層を形成する。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
（変形例２）上記第１実施形態では、下部電極層１２に凹凸部２０を設けたが、例えば、第２実施形態の図４（ｂ），（ｃ）に示したように、格子状、または、ライン状の第１下部電極層１２ａを形成することよって凹凸部２０を形成してもよい。このようにしても、上記同様の効果を得ることができる。
（変形例３）上記実施形態では、第１下部電極層１２ａをＣＩＧＳ型の太陽電池に適用して説明したが、これに限定されない。例えば、ＣＩＳ（銅−インジウム−セレン化合物）型太陽電池や薄膜シリコン型の太陽電池における電極層の構造に適用してもよい。このようにしても、容易に電極層のシート抵抗を下げることができる。
１，１ａ…太陽電池、１０…基板、１１…下地層、１２…下部電極層、１２ａ…第１下部電極層、１２ｂ…第２下部電極層、１３…半導体層、１３ａ…第１半導体層、１３ｂ…第２半導体層、１４…上部電極層、２０…凹凸部、３１…第１分割溝、３２…第２分割溝、３３…第３分割溝、４０…セル。

Claims (7)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された下部電極層と、
    前記下部電極層上に形成された半導体層と、
    前記半導体層上に形成された上部電極層と、を備え、
    前記下部電極層は、第１下部電極層と、第２下部電極層と、で構成され、
    前記第１下部電極層は、前記第２下部電極層に比べ、電気抵抗率が低い材料で構成されたことを特徴とする太陽電池。
  2. 請求項１に記載の太陽電池において、
    前記第１下部電極層は、前記基板上に、銀、または、銀を主成分とする化合物によって形成され、
    前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上に、モリブデンによって形成されたことを特徴とする太陽電池。
  3. 請求項１または２に記載の太陽電池において、
    前記第１下部電極層は、凹凸部を有することを特徴とする太陽電池。
  4. 請求項１に記載の太陽電池において、
    前記第１下部電極層は、前記基板上に形成された、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層であり、
    前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上に、モリブデンによって形成されたことを特徴とする太陽電池。
  5. 請求項１に記載の太陽電池において、
    前記基板は、透明性を有する基板であり、
    前記第１下部電極層は、前記基板上に、銀、または、銀を主成分とする化合物によって、格子状、または、ライン状に形成され、
    前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上および前記基板上に形成された透明性を有する導電体であることを特徴とする太陽電池。
  6. 請求項１に記載の太陽電池において、
    前記基板は、透明性を有する基板であり、
    前記第１下部電極層は、前記基板上に、銀、または、カーボンを主成分とするナノワイヤー層であり、
    前記第２下部電極層は、前記第１下部電極層上および前記基板上に形成された透明性を有する導電体であることを特徴とする太陽電池。
  7. 基板上に下部電極層を形成する下部電極層形成工程と、
    前記下部電極層上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
    前記半導体層上に上部電極層を形成する上部電極層形成工程と、を有し、
    前記下部電極層形成工程は、
    前記基板上に第１下部電極層を形成する第１下部電極層形成工程と、前記第１下部電極層上に第２下部電極層を形成する第２下部電極形成工程と、を含み、
    前記第１下部電極層形成工程では、前記第２下部電極層に比べ、電気抵抗率が低い前記第１下部電極層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。
JP2009132839A 2009-06-02 2009-06-02 太陽電池、太陽電池の製造方法 Pending JP2010282997A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009132839A JP2010282997A (ja) 2009-06-02 2009-06-02 太陽電池、太陽電池の製造方法
US12/788,584 US20100300514A1 (en) 2009-06-02 2010-05-27 Solar cell and method for manufacturing solar cell
CN2010101964542A CN101908565A (zh) 2009-06-02 2010-06-02 太阳电池及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009132839A JP2010282997A (ja) 2009-06-02 2009-06-02 太陽電池、太陽電池の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010282997A true JP2010282997A (ja) 2010-12-16

Family

ID=43218837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009132839A Pending JP2010282997A (ja) 2009-06-02 2009-06-02 太陽電池、太陽電池の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20100300514A1 (ja)
JP (1) JP2010282997A (ja)
CN (1) CN101908565A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094748A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Kyocera Corp 光電変換装置
KR101219972B1 (ko) 2011-11-02 2013-01-21 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2013149950A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Kyocera Corp 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
KR101436538B1 (ko) 2012-11-06 2014-09-02 엘에스엠트론 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101436541B1 (ko) 2012-11-06 2014-09-02 엘에스엠트론 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101438877B1 (ko) * 2011-12-26 2014-09-16 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2016517183A (ja) * 2013-05-03 2016-06-09 サン−ゴバン グラス フランス 光電池又は光電池モジュール用のバックコンタクト基材
WO2019039779A1 (ko) * 2017-08-22 2019-02-28 코오롱인더스트리 주식회사 유기 태양전지

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8563351B2 (en) * 2010-06-25 2013-10-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing photovoltaic device
US8932898B2 (en) 2011-01-14 2015-01-13 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior Univerity Deposition and post-processing techniques for transparent conductive films
KR101283163B1 (ko) * 2011-01-24 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 그의 제조방법
KR101154774B1 (ko) * 2011-04-08 2012-06-18 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101338615B1 (ko) * 2011-10-04 2014-01-10 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
US8586457B1 (en) * 2012-05-17 2013-11-19 Intermolecular, Inc. Method of fabricating high efficiency CIGS solar cells
US11811360B2 (en) * 2014-03-28 2023-11-07 Maxeon Solar Pte. Ltd. High voltage solar modules
KR20170030311A (ko) * 2015-09-09 2017-03-17 주식회사 무한 박막형 태양전지 및 그 제조 방법
US11393936B2 (en) * 2019-06-26 2022-07-19 Electronics And Telecommunications Research Institute Colored transparent solar cell
EP3799134A1 (en) * 2019-09-30 2021-03-31 Fundacio Institut Recerca en Energia de Catalunya Solar module
TWI870197B (zh) * 2024-01-05 2025-01-11 位速科技股份有限公司 薄膜光伏模組

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172193A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜太陽電池
JP2004247104A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 酸化チタン微粒子、光電変換素子の作製方法及び光電変換素子
JP2004532501A (ja) * 2001-01-31 2004-10-21 サン−ゴバン グラス フランス 電極を備えた透明基材
JP2004296749A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Tokio Nakada 両面受光太陽電池
JP2006066278A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Bridgestone Corp 色素増感型太陽電池用電極及び色素増感型太陽電池
JP2006519712A (ja) * 2003-01-30 2006-08-31 タキロン株式会社 突出した導電層を有する成形体
JP2007212819A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器
JP2007266095A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換セル、光電変換モジュール、光電変換パネルおよび光電変換システム
JP2007317885A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Honda Motor Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP2008177021A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Electric Power Dev Co Ltd 集電用配線および色素増感型太陽電池
WO2009060717A1 (ja) * 2007-11-07 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 透明電極及び透明電極の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53138288A (en) * 1977-05-10 1978-12-02 Agency Of Ind Science & Technol Thin-film solar battery of sintered electrode type
JPH0614554B2 (ja) * 1985-03-22 1994-02-23 工業技術院長 薄膜太陽電池の製造方法
AU609424B2 (en) * 1987-07-07 1991-05-02 Schott Solar, Inc. Manufacture of solar cells with anti-reflection coating
JP2001345469A (ja) * 2000-06-01 2001-12-14 Canon Inc 光起電力素子および光起電力素子の製造方法
US20030041893A1 (en) * 2001-08-31 2003-03-06 Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. Solar cell, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
JP4635474B2 (ja) * 2004-05-14 2011-02-23 ソニー株式会社 光電変換素子、及びこれに用いる透明導電性基板
EP1724844A2 (en) * 2005-05-20 2006-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device, manufacturing method thereof and semiconductor device
US7635600B2 (en) * 2005-11-16 2009-12-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Photovoltaic structure with a conductive nanowire array electrode
SG10201502808UA (en) * 2006-10-12 2015-05-28 Cambrios Technologies Corp Nanowire-Based Transparent Conductors And Applications Thereof
US20080308145A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Guardian Industries Corp Front electrode including transparent conductive coating on etched glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same
US7875945B2 (en) * 2007-06-12 2011-01-25 Guardian Industries Corp. Rear electrode structure for use in photovoltaic device such as CIGS/CIS photovoltaic device and method of making same
KR101183041B1 (ko) * 2007-12-27 2012-09-20 파이오니아 가부시키가이샤 유기 반도체 소자, 유기 태양 전지 및 표시 패널
US20100108132A1 (en) * 2008-10-30 2010-05-06 General Electric Company Nano-devices and methods of manufacture thereof
US20110226320A1 (en) * 2010-03-18 2011-09-22 Patrick Little Solar cell having a transparent conductive oxide contact layer with an oxygen gradient

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09172193A (ja) * 1995-12-20 1997-06-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜太陽電池
JP2004532501A (ja) * 2001-01-31 2004-10-21 サン−ゴバン グラス フランス 電極を備えた透明基材
JP2006519712A (ja) * 2003-01-30 2006-08-31 タキロン株式会社 突出した導電層を有する成形体
JP2004247104A (ja) * 2003-02-12 2004-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd 酸化チタン微粒子、光電変換素子の作製方法及び光電変換素子
JP2004296749A (ja) * 2003-03-26 2004-10-21 Tokio Nakada 両面受光太陽電池
JP2006066278A (ja) * 2004-08-27 2006-03-09 Bridgestone Corp 色素増感型太陽電池用電極及び色素増感型太陽電池
JP2007212819A (ja) * 2006-02-10 2007-08-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法、並びに電子機器
JP2007266095A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換セル、光電変換モジュール、光電変換パネルおよび光電変換システム
JP2007317885A (ja) * 2006-05-25 2007-12-06 Honda Motor Co Ltd 太陽電池およびその製造方法
JP2008177021A (ja) * 2007-01-18 2008-07-31 Electric Power Dev Co Ltd 集電用配線および色素増感型太陽電池
WO2009060717A1 (ja) * 2007-11-07 2009-05-14 Konica Minolta Holdings, Inc. 透明電極及び透明電極の製造方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012094748A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Kyocera Corp 光電変換装置
KR101219972B1 (ko) 2011-11-02 2013-01-21 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
JP2013149950A (ja) * 2011-12-20 2013-08-01 Kyocera Corp 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
KR101438877B1 (ko) * 2011-12-26 2014-09-16 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101436538B1 (ko) 2012-11-06 2014-09-02 엘에스엠트론 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
KR101436541B1 (ko) 2012-11-06 2014-09-02 엘에스엠트론 주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법
JP2016517183A (ja) * 2013-05-03 2016-06-09 サン−ゴバン グラス フランス 光電池又は光電池モジュール用のバックコンタクト基材
WO2019039779A1 (ko) * 2017-08-22 2019-02-28 코오롱인더스트리 주식회사 유기 태양전지

Also Published As

Publication number Publication date
US20100300514A1 (en) 2010-12-02
CN101908565A (zh) 2010-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010282997A (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法
JP5901656B2 (ja) 太陽電池およびその製造方法｛ｓｏｌａｒｃｅｌｌａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｍｅｔｈｏｄｏｆｔｈｅｓａｍｅ｝
CN102598301A (zh) 太阳能电池及其制造方法
JP2013510426A (ja) 太陽電池及びその製造方法
CN102576762A (zh) 光伏系统及其制造方法
CN102576758A (zh) 太阳能电池设备及其制造方法
JP2010282998A (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法
CN105023966A (zh) 薄膜光伏太阳能电池的互连件及其制造方法
JP2011023442A (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法
KR101241467B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
JP5624153B2 (ja) 太陽電池及びその製造方法
JP2011023443A (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法
JP2016157807A (ja) 光電変換装置
JP2011023622A (ja) 太陽電池、太陽電池の製造方法
CN104350612B (zh) 太阳能电池及其制造方法
CN104011876B (zh) 太阳能电池装置及其制造方法
KR20110043358A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
JP2014007236A (ja) 集積化太陽電池およびその製造方法
KR101251870B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR20120085577A (ko) 태양전지 및 그의 제조방법
JP2011023623A (ja) 太陽電池の製造方法
KR101765922B1 (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
KR101349432B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
JP5988373B2 (ja) 光電変換装置および光電変換装置の製造方法
JP2014049484A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120406

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130327

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130507

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130701

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131008

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20131017

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131209

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140212