JP2011111355A - 薄膜製造方法および薄膜素子 - Google Patents

Abstract

【課題】低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法であって、基板２０の第１主面２０ａ上に形成させる薄膜の原料溶液中に、基板を配置する配置工程と、第１主面２０ａ側から光を照射することにより、基板２０の第１主面２０ａ上に薄膜を形成する形成工程とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、薄膜製造方法および薄膜素子に関する。

従来、圧電素子などの薄膜形成方法として、化学溶液堆積法（ＣＳＤ法）が知られている。ＣＳＤ法では、基板上に原料溶液を塗布、乾燥させることにより、基板表面に薄膜を形成する。例えば特許文献１には、金属酸化物前駆体と色素を含む金属酸化物前駆体溶液を用いた誘電体薄膜の形成方法が開示されている。

しかしながら、ＣＳＤ法では、金属酸化物前駆体溶液の塗布乾燥工程において非常に大きな労力を要しコスト高となっていた。さらに、乾燥工程においては、薄膜に亀裂が入りやすいという問題もあった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、低コストで安定した品質の薄膜を製造することができる薄膜製造方法および薄膜素子を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、薄膜製造方法であって、基板の第１主面上に形成させる薄膜の原料溶液中に、前記基板を配置する配置工程と、前記第１主面側から光を照射することにより、前記基板の第１主面上に前記薄膜を形成する形成工程とを有することを特徴とする。

また、本発明の他の形態は、薄膜製造方法であって、基板の第１主面上に形成させる薄膜の原料溶液中に、前記基板を配置する配置工程と、前記基板の裏面である第２主面側から光を照射することにより、前記基板の第１主面上に前記薄膜を形成する形成工程とを有することを特徴とする。

また、本発明の他の形態は、薄膜素子であって、基板の第１主面上に形成させる薄膜の原料溶液中に、前記基板を配置する配置工程と、前記第１主面側から光を照射することにより、前記基板の第１主面上に前記薄膜を形成する形成工程とを有する薄膜製造方法により製造された前記薄膜を用いたことを特徴とする。

また、本発明の他の形態は、薄膜素子であって、基板の第１主面上に形成させる薄膜の原料溶液中に、前記基板を配置する配置工程と、前記基板の裏面である第２主面側から光を照射することにより、前記基板の第１主面上に前記薄膜を形成する形成工程とを有する薄膜製造方法により製造された前記薄膜を用いたことを特徴とする。

本発明によれば、低コストで安定した品質の薄膜を製造することができるという効果を奏する。

図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法を説明するための図である。 図２は、薄膜パターン３０を示す図である。 図３は、レーザ光の照射位置を説明するための図である。 図４は、本実施の形態にかかる薄膜製造方法により形成された薄膜を活性層として用いた圧電素子５０を示す図である。 図５は、第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法の第１の変更例を説明するための図である。 図６は、電極層４０の第１主面４０ａ上に形成された薄膜パターン３０を示す図である。 図７は、第１の実施の形態の第４の変更例を説明するための図である。 図８は、第２の実施の形態にかかる薄膜製造方法を説明するための図である。 図９は、第２の実施の形態の第１の変更例を示す図である。 図１０は、第３の実施の形態にかかる薄膜製造方法を説明するための図である。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる薄膜製造方法および薄膜素子の一実施の形態を詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法を説明するための図である。なお、本実施の形態においては、圧電素子に利用される薄膜にかかる薄膜製造方法を例に説明する。図１に示すように、反応容器１０に保持台１１を設置し、保持台１１上に薄膜を形成させる基板２０を配置する。反応容器１０には、金属酸化物前駆体溶液１２が満たされている。基板２０の上方、すなわち、基板２０の第１主面２０ａ側には、光源１３が設置されている。光源１３は、金属酸化物前駆体溶液１２の上方からレーザ光を照射する。

これにより、図２に示すように、レーザ光の照射位置に応じた、基板２０の第１主面２０ａ上の位置に、金属酸化物前駆体から得られた金属酸化物アモルファスまたは金属酸化物結晶の薄膜パターン３０、すなわち金属酸化物薄膜が形成される。光源１３は基板２０の第１主面２０ａ上の各位置に応じた位置にレーザ光を照射することができる。これにより、基板２０の第１主面２０ａ上の所望の位置に、薄膜パターン３０を形成することができる。なお、基板２０に照射する光としては、金属酸化物前駆体溶液１２に応じて薄膜形成に適切な波長の光を選択すればよく、レーザ光に限定されるものではない。

光源１３からのレーザ光の照射位置としては、図３に示すように、金属酸化物前駆体溶液１２の表面１２ａ、金属酸化物前駆体溶液１２の溶液中１２ｂ、基板２０の第１主面２０ａ上、基板２０の内部２０ｃ、基板２０の第１主面２０ａの裏面である第２主面２０ｂの５通りが可能である。レーザ光の焦点を調整することにより、各照射位置への光照射を行う。なお、金属酸化物前駆体溶液１２を照射位置とした場合に、照射位置と、第１主面２０ａ上の薄膜が形成される位置のずれが生じない程度に、基板２０の第１主面２０ａの位置が金属酸化物前駆体溶液１２の比較的浅い位置となるように基板２０を配置することとする。各照射位置と、その効果とを表１に示す。

ケースＡでは、金属酸化物前駆体溶液１２の水面を照射位置、すなわち加熱位置とする。この場合、光エネルギーは、金属酸化物前駆体溶液１２において数十％吸収され、残りは基板２０に到達し、吸収され、もしくは透過する。溶液反応形態としては溶液の直接加熱である。ケースＢでは、金属酸化物前駆体溶液１２の溶液中を加熱位置とする。この場合の光エネルギーは、金属酸化物前駆体溶液１２において吸収される。溶液反応形態は、直接加熱である。

ケースＣでは、金属酸化物前駆体溶液１２と基板２０の境界面、すなわち基板２０の第１主面２０ａを加熱位置とする。ケースＤでは、基板２０の内部２０ｃを加熱位置とする。ケースＥでは、基板２０の第２主面２０ｂを加熱位置とする。ケースＣ，Ｄ，Ｅの場合、ほとんどの光エネルギーは、金属酸化物前駆体溶液１２を透過し、基板２０において数％吸収される。ケースＣ，Ｄ，Ｅの溶液反応形態は、基板２０を加熱することによる金属酸化物前駆体溶液１２の間接加熱である。直接加熱の場合には、波長４００ｎｍ以下の光を照射し、間接加熱の場合には、波長４００ｎｍ以上の光を照射することとする。

不純物の少ない薄膜形成（ａ）については、直接加熱のケースＡ，Ｂが優れている。ケースＡ，Ｂでは、光エネルギーが直接金属酸化物前駆体溶液１２内の炭素と酸素の間の結合を切ることができる。このため、残留炭素や煤などが発生し難い。したがって、不純物のない高品質な薄膜を製造することができる。一方、ケースＣ，Ｄ，Ｅでは、間接加熱のため、金属酸化物前駆体溶液１２の不完全な熱分解が起こりやすい。このため、残留炭素や煤の発生が問題となる。

基板２０へのダメージ（ｂ）についても、ケースＡ，Ｂが優れている。ケースＡ，Ｂでは、基板２０に光エネルギーがほとんど到達しないため、基板２０へのダメージを低く抑えることができる。一方、ケースＣ，Ｄ，Ｅでは、基板２０を加熱するため、基板２０に熱的なダメージを与える可能性がある。

基板薄膜の接着性（ｃ）については、ケースＣ，Ｄ，Ｅが優れている。ケースＣ，Ｄ，Ｅでは、基板２０の第１主面２０ａ付近において溶液を相変化させるため、基板２０と薄膜の密着性を高めることができる。一方、ケースＡ，Ｂでは、金属酸化物前駆体溶液１２の表面１２ａまたは金属酸化物前駆体溶液１２の溶液の溶液中１２ｂで相変化させるため、基板２０と薄膜の接着性は比較的低くなる。

高精度・高解像度パターニング（ｄ）については、ケースＡ，Ｂが優れている。ケースＡ，Ｂでは、光エネルギースポット径に準じた高精度、高解像度のパターニングが可能である。一方、ケースＣ，Ｄ，Ｅでは、基板２０の熱特性により、加熱領域が光エネルギースポット径に比べて広がる可能性があり、ケースＡ，Ｂに比べて劣る。

基板材料の選択性（ｅ）については、いずれのケースも優れている。基板２０としては、例えばシリコン基板を用いることができる。また、光源（ｆ）については、ケースＡ，Ｂでは、照射する光は、波長４００ｎｍ以下と低波長であり、例えばＵＶレーザなど高価で取り扱いの難易度の高い装置を用いる必要がある。これに対し、ケースＣ，Ｄ，Ｅで照射する光は、波長４００ｎｍ以上と長波長なので例えばＣＯ_２レーザなど比較的安価であり、また一般的に加工用途での利用実績のある装置を用いることができる。

なお、基板を金属酸化物前駆体溶液に浸す以外の工程は、従来のゾル−ゲル法による薄膜形成プロセスと同様であり、金属酸化物前駆体溶液も、ゾル−ゲル法において、基板に添付される金属酸化物前駆体溶液と同様である。

金属酸化物前駆体溶液１２中で薄膜を形成した後、基板２０を金属酸化物前駆体溶液１２から取り出す際には、溶剤による超音波洗浄またはリンス洗浄を行う。溶剤としては、比較的揮発しやすく液中水分量の少ないものが好ましい。具体的には、アセトン、エタノール、ＩＰＡなどを用いることができる。これにより、金属酸化物前駆体溶液１２中の金属アルコキシドが基板上に残り残渣を生じるのを防ぐことができる。

さらに、上記洗浄後、形成された薄膜の状態(主に結晶形態の違い)によって、適宜、熱処理を施す。薄膜が結晶の場合には、乾燥の意味合いで結晶形に変化を与えない範囲の温度で３〜１０分の加熱工程を行う。加熱温度は例えば１００〜１５０℃程度とする。雰囲気は、通常は大気雰囲気である。ただし、薄膜の性質に応じ、適宜、適切な雰囲気を用いる。例えば、薄膜に潮解性がある場合には残留水分の少ない不活性ガス雰囲気とする。また、薄膜が非晶質の場合に、例えばピエゾ材料のように、材料によっては結晶化させないと機能を発現しない材料もある。このような材料の場合には、結晶化のための加熱工程を行う。加熱温度、時間は材料に依存するが、ＰＺＴの場合は概ね６００〜８００℃で時間は１〜１０分加熱する。

具体的には、金属酸化物前駆体としては、金属酸化物薄膜を形成可能な物質、すなわち金属酸化物アモルファスまたは金属酸化物結晶を形成可能な物質を用いることができる。具体的には、金属アルコキシド、β−ジケトナート錯体、および金属キレートなどの金属錯体、金属カルボンサン塩などがある。溶媒としては、エタノール系の有機溶媒を用いることができる。

金属アルコキシドとしては、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｇａ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｖ，Ｎａ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｗ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｎｂ，Ｐｂ，Ｌｉ，Ｋ，Ｓｎ，Ａｌ，Ｓｍなどの金属のアルコキシドが挙げられる。さらに、ＯＣＨ_３，ＯＣ_２Ｈ_５，ＯＣ_３Ｈ_７，ＯＣ_４Ｈ_９，ＯＣ_２Ｈ_４ＯＣＨ_３などのアルコキシル基を有する金属アルコキシドを用いることができる。

また、β−ジケトナート錯体としては、例えば、金属とアセチルアセトン，ベンゾイルアセトン，ベンゾイルトリフルオロアセトン，ベンゾイルジフルオロアセトン，ベンゾイルフルオロアセトン等を用いることができる。

金属カルボン酸塩としては、例えば、酢酸バリウム，酢酸銅（ＩＩ），酢酸リチウム，酢酸マグネシウム，酢酸鉛，シュウ酸バリウム，シュウ酸カルシウム，シュウ酸銅（ＩＩ），シュウ酸マグネシウム，シュウ酸スズ（ＩＩ）等を用いることができる。溶媒としては、アルコール系の有機溶媒を用いることができる。溶液の濃度は、０．１〜１ｍｏｌ／ｌが望ましく、更に望ましくは０．３〜０．７ｍｏｌ／ｌである。なお、濃度の上限は、液の安定性の観点より規定される値である。濃度の下限は、薄膜の堆積速度より規定される値である。

本実施の形態においては、金属酸化物前駆体溶液１２に基板２０を浸した状態でレーザ光を照射するため、レーザ光が照射された部分にのみ薄膜が形成される。したがって、従来のゾル−ゲル法における、金属酸化物前駆体溶液の添付乾燥の工程、金属酸化物前駆体を取り除くためのドライエッチングまたはウェットエッチングの工程を不要とすることができる。これらの工程は、非常にコストのかかる工程であり、本実施の形態にかかる薄膜製造方法においては、これらの工程を不要とすることにより、大幅なコスト減を実現することができる。

さらに、成膜反応が金属酸化物前駆体溶液１２中において行われるため、成膜反応の間金属酸化物前駆体溶液１２が常に供給されることとなり、薄膜中に亀裂が生じ難くなる。

本実施の形態にかかる薄膜製造方法により形成された薄膜は、例えば、超音波圧電素子、不揮発性メモリ素子、アクチュエータ素子などに利用することができる。アクチュエータ素子は、例えばインクジェットプリンタの記録ヘッドに利用される。

図４は、本実施の形態にかかる薄膜製造方法により形成された薄膜を活性層として用いた圧電素子５０を示す図である。圧電素子５０は、圧電体膜５１と、圧電体膜５１の第１主面５１ａ上に形成された第１電極５２と、圧電体膜５１の第２主面５１ｂ上に形成された第２電極５３とを有している。圧電体膜５１は、薄膜製造方法により形成された薄膜である。第１電極５２および第２電極５３は、例えば白金（Ｐｔ）や、光透過性の高いランタンニッケルオキサイド、ストロンチウムルテニウムオキサイドなど導電性を有する材料で構成される。第１電極５２および第２電極５３は、例えばスパッタ法または真空蒸着法により形成することができる。

図５は、第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法の第１の変更例を説明するための図である。第１の変更例にかかる薄膜製造方法では、第１主面２０ａに既に電極層４０が形成された基板２０を用いる。電極層４０は、導電性を有する材料で構成され、スパッタ法等により形成される。なお、電極層４０はパターン化された状態で基板２０に積層されていてもよい。

電極層４０が形成された基板２０を金属酸化物前駆体溶液１２に浸すことにより、図６に示すように電極層４０の第１主面４０ａ上に薄膜パターン３０が形成される。なお、これ以外の工程は、第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法と同様である。また、表１を参照しつつ説明した、各照射位置への光照射の効果等も電極層４０が積層されていない場合と同様である。なお、ケースＣでは、第１主面２０ａへの照射にかえて、電極層４０の第１主面４０ａにレーザ光が照射される。

また、第２の変更例としては、基板２０の第１主面２０ａに電極層４０に替えて、光源１３から照射される特定の波長のレーザ光を吸収する光吸収層が形成された基板２０を用いてもよい。また、光吸収層は、パターン化された状態で基板２０に積層されていてもよい。光吸収層としては、レーザ光の波長に依存するが、例えば、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ、ＴｉＯ_２、ＳiＣ等の金属酸化物、窒化物、炭化物を用いることができる。

光吸収層が形成された基板２０を金属酸化物前駆体溶液１２に浸すことにより、光吸収層の第１主面上に薄膜パターンが形成される。なお、これ以外の工程は、電極層４０の第１主面４０ａ上に薄膜を形成する場合と同様である。光吸収層を設けることにより、基板２０の光吸収率を向上させ、より多くのエネルギーを吸収させることができる。

また、第３の変更例としては、第１の変更例において説明した電極層４０は光吸収層を兼ねるものであってもよい。光吸収層を兼ねる電極層４０としては、電極としても機能する材料、すなわちＬａＮｉ０_３、ＳｒＲｕＯ_３、ＩＴＯ等の酸化物電極を用いることができる。また例えばＣＳＤ法による、ランタンニッケルオキサイド溶液を用いた導電膜の形成において、光吸収率を高める材料、例えば色素などを金属酸化物前駆体溶液１２内に混ぜて、光吸収層を兼ねた導電膜を形成することができる。

また、第４の変更例としては、図７に示すように、基板２０の裏面である第２主面２０ｂに光反射層６０が形成された状態で、基板２０を金属酸化物前駆体溶液１２に浸してもよい。これにより、光反射層６０により反射された光が再び基板２０に入射するので、成膜反応を促進することができる。光反射層６０としては、使用するレーザ光の波長に依存するが、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、等の金属を用いることができる。

また、第５の変更例としては、本実施の形態においては、圧電素子として利用される薄膜を形成する例について説明したが、形成される薄膜の種類は実施の形態に限定されるものではなく、上記薄膜製造方法により、各種薄膜を形成することができる。なお薄膜製造に際しては、各薄膜の原料となる原料溶液中に、基板を浸せばよく、原料溶液および基板の材料は実施の形態に限定されるものではない。

本実施の形態にかかる薄膜製造方法により製造される薄膜の一例としては、透光性および電気光学効果を有する薄膜が挙げられる。透光性および電気光学効果を有する薄膜は、光導波路、光スイッチ、空間変調素子および画像メモリ等に利用することができる。

（第２の実施の形態）
図８は、第２の実施の形態にかかる薄膜製造方法を説明するための図である。図８に示すように、本実施の形態においては、光源１３は、基板２０の第２主面２０ｂ側に配置されており、第２主面２０ｂ側からレーザ光を照射する。この場合にも、第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法と同様に、金属酸化物前駆体溶液１２または基板２０の加熱により第１主面２０ａ上に薄膜が形成される。なお、基板２０、保持台１１および反応容器１０は、光源１３からの光を透過する材料で構成されている。

光源１３からのレーザ光の照射位置は、第１の実施の形態において図３を参照しつつ説明した５通りが可能である。各照射位置と、その効果とを表２に示す。

ケースＦ，Ｇ，Ｈでは、光エネルギーは基板２０を透過し、金属酸化物前駆体溶液１２で吸収される。溶液反応形態は、直接加熱である。ケースＩ，Ｊでは、光エネルギーは基板２０で吸収される。溶液反応形態は、間接加熱である。なお、この場合においても、第１の実施の形態と同様に、直接加熱の場合には、波長４００ｎｍ以下の光を照射し、間接の場合には、波長４００ｎｍ以上の光を照射することとする。

不純物の少ない薄膜形成（ａ）については、直接加熱のケースＦ，Ｇ，Ｈが優れている。但し、ケースＨにおいては、基板２０の第１主面２０ａに到達する前に、レーザ光の一部が金属酸化物前駆体溶液１２に吸収されることにより、不純物が発生する可能性があり、この点でケースＦ，Ｇに比べて劣る。

基板２０へのダメージ（ｂ）については、ケースＦ，Ｇ，Ｈでは、レーザ光が基板２０を透過する際に光エネルギーの一部が熱エネルギーに変換され、基板２０にダメージが生じる可能性がある。このため、第１の実施の形態において説明したケースＡ，Ｂよりは劣るものの、ケースＩ，Ｊに比べて優れている。

基板薄膜の接着性（ｃ）については、基板２０の界面付近で相変化させるケースＨ，Ｉ，Ｊが優れている。高精度・高解像度パターン（ｄ）については、直接加熱のケースＦ，Ｇ，Ｈが優れている。基板材料の選択性（ｅ）については、基板２０を加熱するケースＩ，Ｊで優れているが、ケースＦ，Ｇ，Ｈでは劣る。光エネルギーが基板２０を透過する必要があるため、基板材料の選択性が低くなるためである。

光源（ｆ）については、ケースＦ，Ｇ，Ｈでは、高価で取り扱いの難易度の高い、低波長の装置を要するのに対し、ケースＩ，Ｊでは、比較的安価で一般的に加工用途での利用実績のある高波長の装置を用いることができる。

なお、第２の実施の形態にかかる薄膜製造方法のこれ以外の工程は、第１の実施の形態にかかる薄膜製造方法と同様である。また、第１の実施の形態と同様に、電極層や光吸収層が積層された基板を用いてもよいことは言うまでもない。

図９は、第２の実施の形態の第１の変更例を示す図である。本例においては、基板２０を金属酸化物前駆体溶液１２上に配置する。なお、基板２０は、第１主面２０ａが反応容器１２の底面に対面するように設置され、金属酸化物前駆体溶液１２に接している。第２主面２０ｂは、金属酸化物前駆体溶液１２上に位置している。基板２０は、光源１３からの光を透過する材料で構成されている。さらに、基板２０は、固定部材１５により、金属酸化物前駆体溶液１２上に固定されている。

光源１３は、第２主面２０ｂ側に配置されており、第２主面２０ｂ側からレーザ光を照射する。これにより、第２主面２０ｂ側からの図３に示す５通りの照射位置への光照射を行うことができる。

以上、第１の実施の形態および第２の実施の形態において、レーザ光の照射方向および照射位置の異なるケースＡ〜Ｊについて説明したが、表中の丸を１点、三角を０．５点、バツを０点として、各項目（ａ〜ｆ）の評価の合計点により、各ケースを評価することもできる。さらに、重要視する項目に重みを与えた上で、各項目の合計点を算出し、これにより各ケースを評価してもよい。

（第３の実施の形態）
第３の実施の形態においては、図１０に示すように、反応容器１０の内壁面には、ダンパー１６を設置する。なお、ダンパー１６は、反応容器１０の内壁面の全面に設けられている。ダンパー１６としては、例えばスポンジなどポーラスな部材を用いることができる。また衝撃波を分散する観点から、金属酸化物前駆体溶液１２と同等の粘弾性特徴を有する部材を用いることができる。具体的には、同程度以上の粘度の溶液が入った樹脂でできた袋等を利用することができる。金属酸化物前駆体溶液１２の粘度は、１−３０ｍＰａｓｅｃ程度である。

金属酸化物前駆体溶液１２の表面に波が生じた場合には、光源１３から照射されたレーザ光が乱反射し、照射スポットの形状が乱れてしまう。すなわち、高精細なパターニングが困難となる。

さらに、波の発生により、金属酸化物前駆体溶液１２の高さが局所的に変化する。このため、光エネルギーの光透過深さ、焦点等が変化し、狙いの領域に効率よくエネルギーを与えることができないという問題もある。また、波の発生により、金属酸化物前駆体溶液１２の表面積が大きくなるため、金属酸化物前駆体溶液１２の蒸発速度が増すこととなる。これにより、金属酸化物前駆体溶液１２の物性（特に粘度）が変わり、膜形成特性も変わってしまうという問題がある。

これに対し、本実施の形態のように反応容器１０の壁面にダンパー１６を設けることにより、波を打ち消すことができるので、高品質な薄膜を製造することができる。

なお、第３の実施の形態にかかる薄膜製造方法のこれ以外の工程は、他の実施の形態にかかる薄膜製造方法と同様である。

また他の例としては、ダンパー１６としては、アルミなど剛性の高いものを利用し、金属酸化物前駆体溶液１２の波の高さと位相を検知し、波の高さおよび位相に基づいて、逆位相でダンパー１６を駆動させ、波を緩和してもよい。

１０ 反応容器
１１ 保持台
１２ 金属酸化物前駆体溶液
１３ 光源
１５ 固定部材
１６ ダンパー
２０ 基板
３０ 薄膜パターン
５１ 圧電体膜
５２ 第１電極
５３ 第２電極

特許第４１０８５０２号公報

Claims (16)

1. 基板の第１主面上に形成させる薄膜の原料溶液中に、前記基板を配置する配置工程と、
   前記第１主面側から光を照射することにより、前記基板の第１主面上に前記薄膜を形成する形成工程と
   を有することを特徴とする薄膜製造方法。
2. 前記原料溶液は、金属酸化物前駆体溶液であり、前記薄膜は、金属酸化物薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜製造方法。
3. 前記形成工程において、前記第１主面側から前記原料溶液表面を照射位置として、波長４００ｎｍ以下の前記光を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜製造方法。
4. 前記形成工程において、前記第１主面側から前記原料溶液中を照射位置として、波長４００ｎｍ以下の前記光を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜製造方法。
5. 前記形成工程において、前記第１主面側から前記基板の前記第１主面を照射位置として、波長４００ｎｍ以上の前記光を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜製造方法。
6. 前記形成工程において、前記第１主面側から前記基板内部を照射位置として、波長４００ｎｍ以上の前記光を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜製造方法。
7. 前記形成工程において、前記第１主面側から前記基板の第１主面の裏面である第２主面を照射位置として、波長４００ｎｍ以上の前記光を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜製造方法。
8. 基板の第１主面上に形成させる薄膜の原料溶液中に、前記基板を配置する配置工程と、
   前記基板の前記第１主面の裏面である第２主面側から光を照射することにより、前記基板の第１主面上に前記薄膜を形成する形成工程と
   を有することを特徴とする薄膜製造方法。
9. 前記原料溶液は、金属酸化物前駆体溶液であり、前記薄膜は、金属酸化物薄膜であることを特徴とする請求項８に記載の薄膜製造方法。
10. 前記形成工程において、前記第２主面側から前記原料溶液表面を照射位置として、波長４００ｎｍ以下の前記光を照射することを特徴とする請求項８または９に記載の薄膜製造方法。
11. 前記形成工程において、前記第２主面側から前記原料溶液中を照射位置として、波長４００ｎｍ以下の光を照射することを特徴とする請求項８または９に記載の薄膜製造方法。
12. 前記形成工程において、前記第２主面側から前記基板の前記第１主面を照射位置として、波長４００ｎｍ以下の前記光を照射することを特徴とする請求項８または９に記載の薄膜製造方法。
13. 前記形成工程において、前記第２主面側から前記基板内部を照射位置として、波長４００ｎｍ以上の光を照射することを特徴とする請求項８または９に記載の薄膜製造方法。
14. 前記形成工程において、前記第２主面側から前記基板の裏面である第２主面を照射位置として、波長４００ｎｍ以上の前記光を照射することを特徴とする請求項８または９に記載の薄膜製造方法。
15. 前記反応溶液を満たす反応容器の内壁には、原料溶液に生じた波を緩和するダンパーが設けられていることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の薄膜製造方法。
16. 前記請求項１から１５のいずれか一項に記載の薄膜製造方法により製造された前記薄膜を用いたことを特徴とする薄膜素子。

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