JP2011199103A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】端子部と配線を電気的に接続する導電層の腐食や配線自体の腐食が抑制される配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１は、絶縁性基板１０と、絶縁性基板１０の第１の主面１０ａに形成された配線２０と、平面視において配線２０と重複するように、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂに形成された端子部３０と、配線２０と絶縁性基板１０とを貫通し、端子部３０の裏面３０ｂを底とする非貫通のバイアホール４０と、バイアホール４０の内面に形成され、配線２０と端子部３０とを電気的に接続する導電層５０と、バイアホール４０を塞ぐように、導電層５０上に形成された絶縁層６０と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、端子部を有する配線基板及びその製造方法に関するものである。

配線パターンと端子部とをスルーホールで電気的に接続し、配線パターンをカバー絶縁層で覆った配線回路基板が知られている（例えば特許文献１参照）。

特開２００８−２９４３５１号公報

上記の配線回路基板では、スルーホールの開口が塞がれていないので、スルーホール内にめっき用の電解液等が残留する等して、配線パターンやスルーホールの保護めっき層等が腐食する恐れがあった。

本発明が解決しようとする課題は、配線と端子部を電気的に接続する導電層の腐食や配線自体の腐食が抑制される配線基板及びその製造方法を提供することである。

本発明に係る配線基板は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、平面視において前記配線と重複するように、前記絶縁性基板の第２の主面に形成された端子部と、前記配線と前記絶縁性基板とを貫通し、前記端子部の裏面を底とする非貫通のバイアホールと、前記バイアホールの内面に形成され、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する導電層と、前記バイアホールを塞ぐように、前記導電層上に形成された絶縁層と、を備えたことを特徴とする。

上記発明において、前記導電層は、金属めっきからなるものであってもよい。

上記発明において、前記導電層は、硬化した導電性ペーストからなるものであってもよい。

上記発明において、前記バイアホールは、前記絶縁性基板をレーザ加工することで形成されていてもよい。

本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、前記絶縁性基板の第２の主面に形成され、前記配線と電気的に接続される端子部と、を有する配線基板の製造方法であって、前記配線が形成される導体層に第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、前記第１の貫通孔と連通して前記端子部の裏面に至る第２の貫通孔を、前記絶縁性基板にレーザ加工によって形成する第２の貫通孔形成工程と、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔の内面を金属めっきして、前記導体層と前記端子部とを電気的に接続する導電層を形成する導電層形成工程と、前記１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を塞ぐように、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、前記絶縁性基板の第２の主面に形成され、前記配線と電気的に接続される端子部と、を有する配線基板の製造方法であって、前記配線に第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、前記第１の貫通孔と連通して前記端子部の裏面に至る第２の貫通孔を、前記絶縁性基板にレーザ加工によって形成する第２の貫通孔形成工程と、前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔の内面に導電性ペーストを印刷して硬化させることで、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する導電層を形成する導電層形成工程と、前記１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を塞ぐように、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明に係る配線基板の製造方法は、絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、前記絶縁性基板の第２の主面に形成され、前記配線と電気的に接続される端子部と、を有する配線基板の製造方法であって、前記絶縁性基板の前記第１の主面から前記端子部の裏面に至る貫通孔を、前記絶縁性基板にレーザ加工によって形成する貫通孔形成工程と、前記絶縁性基板の前記第１の主面に導電性ペーストを印刷して硬化させることで、前記配線を形成する配線形成工程と、前記貫通孔の内面に前記導電性ペーストを印刷して硬化させることで、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する導電層を形成する導電層形成工程と、前記貫通孔を塞ぐように、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えており、前記配線形成工程と、前記導電層形成工程と、を同時に行うことを特徴とする。

本発明によれば、前記配線と前記絶縁性基板とを貫通し、前記端子部の裏面を底とする非貫通のバイアホールと、バイアホールを塞ぐ絶縁層と、を備えているので、導電層や配線自体の腐食が抑制される。

図１は、本発明の第１実施形態における配線基板の平面図である。 図２は、図１のII-II線に沿った断面図である。 図３は、本発明の第１実施形態における配線基板の第１変形例を示す断面図である。 図４は、本発明の第１実施形態における配線基板の第２変形例を示す断面図である。 図５は、本発明の第１実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャートである。 図６Ａは、図５の端子部形成工程及び第１の貫通孔形成工程を示す断面図である。 図６Ｂは、図６Ａに示す配線基板を裏側から見た平面図である。 図６Ｃは、図５の第２の貫通孔形成工程を示す断面図である。 図６Ｄは、図５の導電層形成工程を示す断面図である。 図６Ｅは、図５の配線形成工程を示す断面図である。 図６Ｆは、図５の絶縁層形成工程を示す断面図である。 図７は、本発明の第２実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャートである。 図８Ａは、図７の端子部形成工程及び第１の貫通孔／配線形成工程を示す断面図である。 図８Ｂは、図７の導電層形成工程を示す断面図である。 図９は、本発明の第３実施形態における配線基板の断面図である。 図１０は、本発明の第３実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャートである。 図１１は、図１０の配線／導電層形成工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

<<第１実施形態>>
図１は本実施形態における配線基板の平面図、図２は図１のII-II線に沿った断面図、図３及び図４は本実施形態における配線基板の変形例を示す断面図である。

本実施形態における配線基板１は、例えば、コネクタ等と嵌合された状態や、異方性導電フィルム（ACF：Anisotropic Conductive Film）を介してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる液晶パネルの透明電極等と圧着された状態で、携帯電話等の電子機器に組み込まれている。この配線基板１としては、フレキシブルプリント配線板（FPC：Flexible Printed Circuit）やリジッドプリント配線板（Rigid Printed Wiring Board）等を挙げることができる。

配線基板１は、図１及び図２に示すように、絶縁性基板１０と、配線２０と、端子部３０と、バイアホール４０と、導電層５０と、絶縁層６０と、を備えている。

絶縁性基板１０は、例えば、ポリイミド（Polyimide）等の電気絶縁性を有する材料で構成されている。なお、配線基板１がリジッドプリント配線板である場合には、絶縁性基板１０を、ガラスエポキシ樹脂等で構成する。この絶縁性基板１０の第１の主面１０ａには、配線２０が形成されている。一方で、絶縁性基板１０において第１の主面１０ａとは反対側に位置する第２の主面１０ｂには、端子部３０が形成されている。

配線２０は、例えば銅で構成されている。なお、配線２０の材料は、特に限定されず、この配線２０を金や銀等で構成してもよい。また、本実施形態では、図１に示すように、３本の配線２０が絶縁性基板１０上に形成されているが、配線２０の数も特に限定されない。

端子部３０は、配線基板１０において他の電子部品（例えば、上述のコネクタや液晶パネル等）との電気的な接点となる部分であり、例えば銅で構成されている。なお、端子部３０の材料は、特に限定されず、金や銀等の金属材料で構成してもよい。

この端子部３０は、図１に示す平面視において、配線２０と部分的に重複するように、絶縁性基板１０の第１の主面１０ａ上に配置されている。なお、本実施形態では、端子部３０が矩形状となっているが、特に限定されない。また、本実施形態では、同図に示すように、３個の端子部３０が絶縁性基板１０に形成されているが、端子部３０の数も特に限定されない。端子部３０の数は、他の電子部品の端子数や配線２０の数に応じて適宜設定することができる。

この端子部３０の表面３０ａは、図２に示すように、導電性を有する端子保護層３１で被覆されている。この端子保護層３１は、ニッケル（Ni）めっきからなる第１の端子保護層と、金（Au）めっきからなる第２の端子保護層と、から構成されている。なお、特に図示しないが、第１の端子保護層が端子部３０を直接的に被覆しており、第２の端子保護層は、第１の端子保護層を介して端子部３０を被覆している。

本実施形態では、端子保護層３１を、第１の端子保護層と第２の端子保護層の２層で構成しているが、特に限定されず、端子保護層３１を１層で構成してもよい。例えば、端子保護層３１を第１の端子保護層のみで構成してもよい。また、端子保護層３１を、ニッケルめっきや金めっきに代えて、はんだめっき、銀(Ag)めっき、錫（Sn）めっき等の金属めっきで構成してもよい。或いは、端子保護層３１を、カーボンペーストや銀ペーストを印刷して硬化させることで形成してもよい。

端子部３０の裏面３０ｂは、同図に示すように、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂと接している。なお、バイアホール４０内では、裏面３０ｂが絶縁性基板１０から露出して、導電層５０と接している。

バイアホール４０は、配線２０と端子部３０とを電気的に接続するために、絶縁性基板１０を貫通するが、端子部３０までは貫通しない非貫通のバイアホール（Via Hole）である。このバイアホール４０は、図１に示す平面視のように、配線基板１において、配線２０と端子部３０とが重複する位置に配置されている。

バイアホール４０は、図２に示すように、第１の貫通孔４１と、第２の貫通孔４２と、底面４３と、で構成されている。

第１の貫通孔４１は、配線２０に形成されており、第２の貫通孔４２と連通している。この第１の貫通孔４１は、エッチングにより形成されている。

第２の貫通孔４２は、絶縁性基板１０に形成され、端子部３０の裏面３０ｂに至っている。この第２の貫通孔４２は、例えば、レーザ加工によって形成されている。なお、第２の貫通孔４２を、ウェットエッチングによって形成してもよい。

底面４３は、端子部３０の裏面３０ｂで構成されており、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂ側で第２の貫通孔４２を塞いでいる。

このように、本実施形態におけるバイアホール４０は、絶縁性基板１０と配線２０を貫通し、端子部３０の裏面３０ｂを底とする非貫通の穴（有底穴）となっている。

導電層５０は、図２に示すように、配線２０からバイアホール４０の内面（底面４３を含む。）全体に亘って積層されており、配線２０と端子部３０とを電気的に接続している。この導電層５０は、例えば銅めっきで構成されている。なお、導電層５０の材料は、特に限定されない。例えば、導電層５０を、はんだめっき、銀めっき、錫めっき等の金属めっきで構成してもよいが、配線２０の材料と実質的に同一の材料であることが好ましい。

絶縁層６０は、図２に示すように、バイアホール４０を塞ぐように、導電層５０に積層されている。この絶縁層６０としては、例えばカバーレイフィルムを挙げることができる。

この絶縁層６０は、絶縁性フィルム６１と、接着層６２と、を有している。

絶縁性フィルム６１は、配線２０及び導電層５０を保護している。この絶縁性フィルム６１は、例えばポリイミドで構成されている。

接着層６２は、絶縁性フィルム６１と導電層５０とを接着している。また、この接着層６２は、バイアホール４０内に進入して、バイアホール４０を塞いでいる。このような接着層６２は、例えばエポキシ系樹脂からなる接着剤で構成されている。

ここで、本実施形態における配線基板１は、１枚の絶縁性基板１０に、配線２０と端子部３０とを形成した構成となっているが、特に限定されない。例えば、図３に示すように、配線基板１Ｂを、端子部３０を表面に配置させた多層プリント基板で構成してもよい。この場合には、絶縁層６０の絶縁性フィルムを設けず、接着層６２のみで絶縁層６０を構成し、この接着層６２に他の絶縁性基板１２を接着させてもよい。

以上のように本実施形態における配線基板１は、配線２０及び絶縁性基板１０を貫通して、端子部３０の裏面３０ｂを底とする非貫通のバイアホール４０と、バイアホール４０を塞ぐ絶縁層６０と、を備えている。このため、めっきの際に用いられる電解液や電子機器を取り扱う際の汗等がバイアホール４０内に侵入し難くなっており、配線２０や導電層５０の腐食が抑制されている。これにより、配線２０と端子部３０との間の電気的接続の信頼性を向上させることができる。

また、本実施形態では、配線２０と導電層５０が何れも同一の材料（本例では銅）で構成されているので、配線２０と導電層５０とを同時にエッチングすることができる。

また、本実施形態では、端子部３０の表面３０ａが端子保護層３１で被覆されているので、端子部３０の腐食が抑制されている。

また、本実施形態では、絶縁性基板１０をレーザ加工することで、非貫通のバイアホール４０が形成されている。このため、バイアホール４０を、比較的小さい径で形成することができ、端子部３０の小型化及び狭ピッチ化を図ることができる。

また、配線基板１Ｃにおいて、図４に示すように、第１の主面１０ａ上の配線２０を、非貫通のバイアホール４０とは異なるバイアホール８０を介して第２の主面１０ｂ上に形成された配線９０と導通させてもよい。なお、このバイアホール８０は、配線２０,９０を導通させることができればよく、貫通していても非貫通であってもよい。或いは、バイアホール８０に代えて、スルーホールで配線２０,９０を導通させてもよい。

この配線基板１Ｃにおいては、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂにおいて、配線９０のみに絶縁層６０ａが積層され、端子部３０が露出している。このため、端子部３０の表面３０ａを全て端子保護層３１で被覆することができるので、端子部３０におけるマイグレーションを抑制することができる。

次に本実施形態における配線基板１の製造方法について説明する。

図５は本実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャート、図６Ａは図５の端子部形成工程及び第１の貫通孔形成工程を示す断面図、図６Ｂは図６Ａに示す配線基板を裏側から見た平面図、図６Ｃは図５の第２の貫通孔形成工程を示す断面図、図６Ｄは図５の導電層形成工程を示す断面図、図６Ｅは図５の配線形成工程を示す断面図、図６Ｆは図５の絶縁層形成工程を示す断面図である。

本実施形態における配線基板１の製造方法は、図５に示すように、端子部形成工程Ｓ１０と、第１の貫通孔形成工程Ｓ１１と、第２の貫通孔形成工程Ｓ１２と、導電層形成工程Ｓ１３と、配線形成工程Ｓ１４と、絶縁層形成工程Ｓ１５と、端子保護層形成工程Ｓ１６と、を備えている。なお、配線基板１の製造の際には、まず、絶縁性基板１０の両面に導体層（銅箔）が積層された両面銅張積層板を用意する。

端子部形成工程Ｓ１０では、図６Ａに示すように、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂに積層された導体層をエッチングすることで、端子部３０を形成する。なお、この導体層は、例えば銅で構成されている。

このエッチングの詳細について説明すると、まず、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂに積層された導体層に紫外線硬化型のレジストを積層する。次いで、端子部３０のパターン（開口）が形成されたマスクを通してレジストを露光する。次いで、現像して、端子部３０となる部分以外に積層されたレジストを除去する。次いで、当該導体層において端子部３０となる部分以外を、金属腐食性のある薬品でエッチングすることで、端子部３０を形成する。最後に、端子部３０上に残っているレジストを除去する。

第１の貫通孔形成工程Ｓ１１では、図６Ａに示すように、端子部形成工程Ｓ１０と同様の要領で、絶縁性基板１０の第１の主面１０ａに積層された導体層１１（銅箔）をエッチングすることで、第１の貫通孔４１を形成する。なお、この第１の貫通孔形成工程Ｓ１１では、図６Ｂに示す平面視において、第１の貫通孔４１が端子部３０と重複するように、第１の貫通孔４１を導体層１１に形成する。

第２の貫通孔形成工程Ｓ１２では、図６Ｃに示すように、レーザ照射装置７０によって絶縁性基板１０に、第１の貫通孔４１と連通して端子部３０の裏面３０ｂに至る第２の貫通孔４２を形成する。これにより、配線基板１に非貫通のバイアホール４０が形成される。

このレーザ加工の詳細について説明すると、同図に示すように、第１の貫通孔４１によって露出した絶縁性基板１０に、レーザ照射装置７０によってレーザ光を照射する。なお、この際のレーザ光の出力は、絶縁性基板１０の材料（例えばポリイミド）を加工可能ではあるが、配線２０や端子部３０の材料（例えば銅）を加工不可能な強さとする。これにより、導体層１１がマスクとして機能し、絶縁性基板１０において第１の貫通孔４１によって露出した部分のみが加工される。また、第２の貫通孔４２が形成されて、レーザ光が端子部３０の裏面３０ｂに至ると、端子部３０がストッパとして機能し、それ以上の加工を抑制する。

このように、第２の貫通孔形成工程Ｓ１２において、絶縁性基板１０をレーザ加工することで、配線２０や端子部３０を加工することなく第２の貫通孔４２を形成することができ、比較的小さな径のバイアホール４０を形成することができる。なお、このようなレーザ加工に用いることができるレーザとしては、例えばＣＯ_２レーザ、ＹＡＧレーザ(YAG:Yttrium Aluminum Garnet)、エキシマレーザ(Excimer Laser)等を挙げることができる。

導電層形成工程Ｓ１３では、図６Ｄに示すように、導体層１１から第２の貫通孔４２（バイアホール４０）内の端子部３０の裏面３０ｂに亘って、銅からなる導電層５０を積層する。これにより、端子部３０と導体層１１とが電気的に接続される。なお、本実施形態では、めっき法によりバイアホール４０の内面に導電層５０を形成する。

配線形成工程Ｓ１４では、図６Ｅに示すように、端子部形成工程Ｓ１０と同様の要領で、導電層５０が積層された導体層１１をエッチングして、配線２０を形成する。なお、導電層５０を、配線２０を構成する材料と実質的に同一の材料（本例では銅）で構成することで、この配線形成工程Ｓ１４において、導体層５０と導電層１１を同時にエッチングすることができ、生産性が向上する。

絶縁層形成工程Ｓ１５では、図６Ｆに示すように、絶縁性フィルム６１と接着層６２からなるカバーレイフィルムを、バイアホール４０を塞ぐように導電層５０に積層して、絶縁層６０を形成する。これにより、配線２０及び導電層５０が保護されると共に、バイアホール４０が、端子部３０と絶縁層６０によって完全に塞がれた状態となる。なお、上述した図３に示すように、配線基板１Ｂを多層化する場合には、接着層６２のみを導電層５０に積層して、絶縁層６０を形成する。

端子保護層形成工程Ｓ１６では、端子部３０の表面３０ａに端子保護層３１を形成する。具体的には、端子部３０の表面３０ａを、ニッケルめっきからなる第１の端子保護層で被覆して、さらに第１の端子保護層を、金めっきからなる第２の端子保護層で被覆して、端子保護層３１を形成する。本実施形態では、端子部３０の表面３０ａ全体が端子保護層３１で被覆されているので、端子部３０における腐食やマイグレーションが抑制されている。

この端子保護層形成工程Ｓ１６は、絶縁層形成工程Ｓ１５前に実施してもよいが、端子保護層形成工程Ｓ１６を、絶縁層形成工程Ｓ１５においてバイアホール４０が完全に塞がれた後に行った方が、めっき工程の際に用いられる電解液等がバイアホール４０内へ侵入し難くなり、配線２０や導電層５０の腐食が抑制されるので好ましい。

次に、第２実施形態について説明する。

<<第２実施形態>>
本実施形態における配線基板１Ｄでは、導電層５０ａの構成が第１実施形態と相違しているが、それ以外の構成については第１実施形態と同様である。以下に、第１実施形態と相違する点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態における配線基板１Ｄの導電層５０ａ（図８Ｂ参照）は、硬化した導電性ペーストで構成されている。この導電性ペーストとしては、銅ペースト、銀ペースト、カーボンペースト等を挙げることができる。なお、特に図示しないが、導電性ペーストをバイアホール４０内に充填させて、導電層５０ａを形成してもよい。

次に、本実施形態における配線基板１Ｄの製造方法について説明する。

図７は本実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャート、図８Ａは図７の端子部形成工程及び第１の貫通孔／配線形成工程を示す断面図、図８Ｂは図７の導電層形成工程を示す断面図である。

本実施形態における配線基板１Ｄの製造方法は、端子部形成工程Ｓ２０と、第１の貫通孔／配線形成工程Ｓ２１と、第２の貫通孔形成工程Ｓ２２と、導電層形成工程Ｓ２３と、絶縁層形成工程Ｓ２４と、端子保護層形成工程Ｓ２５と、を備えている。なお、配線基板１Ｄの製造の際には、まず、絶縁性基板１０の両面に導体層（銅箔）が積層された両面銅張積層板を用意する。

端子部形成工程Ｓ２０では、図８Ａに示すように、第１実施形態の端子部形成工程Ｓ１０と同様の要領で、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂに形成された導体層をエッチングして、端子部３０を形成する。

第１の貫通孔／配線形成工程Ｓ２１では、図８Ａに示すように、第１実施形態の第１の貫通孔形成工程Ｓ１１と同様の要領で、絶縁性基板１０の第１の主面１０ａに形成された導体層をエッチングして、第１の貫通孔４１を形成する。さらに、この第１の貫通孔／配線形成工程Ｓ２１では、第１実施形態の配線形成工程Ｓ１４と同様の要領で、絶縁性基板１０の第１の主面１０ａに形成された導体層をエッチングして、第１の貫通孔４１と同時に、配線２０も形成する。

第２の貫通孔形成工程Ｓ２２では、第１実施形態の第２の貫通孔形成工程Ｓ１２と同様の要領で、絶縁性基板１０をレーザ加工して第２の貫通孔４２を形成する。

導電層形成工程Ｓ２３では、図８Ｂに示すように、スクリーン印刷によって配線２０から第２の貫通孔４２（バイアホール４０）内の端子部３０の裏面３０ｂに亘って導電性ペーストを印刷する。次いで、印刷された導電性ペーストを硬化させることで、導電層５０ａを形成する。

絶縁層形成工程Ｓ２４では、第１実施形態の絶縁層形成工程Ｓ１５と同様の要領で、導電層５０ａ上に絶縁層を形成する。

端子保護層形成工程Ｓ２５では、第１実施形態の端子保護層形成工程Ｓ１６と同様の要領で、端子３０をめっきして端子保護層３１を形成する。

本実施形態における導電層形成工程Ｓ２３では、導電性ペーストをスクリーン印刷するので、配線２０及びバイアホール４０の内面のみに導電層５０ａを形成することができる。このため、導電層形成工程Ｓ２３後に、導電層５０ａをエッチングする必要がなく、生産性の向上を図ることができる。

また、本実施形態では、第１の貫通孔形成工程Ｓ２１において、第１の貫通孔４１と、配線２０と、を同時に形成することができるので、生産性の向上を図ることができる。

次に、第３実施形態について説明する。

<<第３実施形態>>
図９は本実施形態における配線基板を示す断面図である。

本実施形態における配線基板１Ｅでは、配線２０ａと、導電層５０ｂと、の構成が第１実施形態と相違しているが、それ以外の構成については第１実施形態と同様である。以下に、第１実施形態と相違する点についてのみ説明し、第１実施形態と同様の構成である部分については同一の符号を付して説明を省略する。

本実施形態における配線２０ａ及び導電層５０ｂは、硬化した導電性ペーストで構成されており、配線２０ａと導電層５０ｂが一体的に形成されている。このような、導電性ペーストとしては、銅ペースト、銀ペースト、カーボンペースト等を挙げることができる。

次に、本実施形態における配線基板１Ｅの製造方法について説明する。

図１０は本実施形態における配線基板の製造方法を示すフローチャート、図１１は図１０の配線／導電層形成工程を示す断面図である。

本実施形態における配線基板１Ｅの製造方法は、端子部形成工程Ｓ３０と、貫通孔形成工程Ｓ３１と、配線／導電層形成工程Ｓ３２と、絶縁層形成工程Ｓ３３と、端子保護層形成工程Ｓ３４と、を備えている。なお、配線基板１Ｅの製造の際には、まず、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂのみに導体層（銅箔）が積層された片面銅張積層板を用意する。

端子部形成工程Ｓ３０では、図１１に示すように、第１実施形態の端子部形成工程Ｓ１０と同様の要領で、絶縁性基板１０の第２の主面１０ｂに形成された導体層をエッチングして、端子部３０を形成する。

貫通孔形成工程Ｓ３１では、第１実施形態の第２の貫通孔形成工程Ｓ１２と同様の要領で、絶縁性基板１０をレーザ加工して第２の貫通孔４２を形成する。

配線／導電層形成工程Ｓ３２では、図１１に示すように、スクリーン印刷によって、導電性ペーストを、絶縁性基板１０の第１の主面１０ａに配線２０ａを形成するように印刷する。さらに、この配線／導電層形成工程Ｓ３２では、スクリーン印刷によって、第２の貫通孔４２の内面に導電性ペーストを印刷する。次いで、このように印刷された導電性ペーストを硬化させることで、配線２０ａ及び導電層５０ｂを同時に形成する。

絶縁層形成工程Ｓ３３では、第１実施形態の絶縁層形成工程Ｓ１５と同様の要領で、導電層５０ｂ上に絶縁層を形成する。

端子保護層形成工程Ｓ３４では、第１実施形態の端子保護層形成工程Ｓ１６と同様の要領で、端子３０をめっきして端子保護層を形成する。

このように、本実施形態における配線基板１Ｅの製造方法では、配線２０ａを形成する工程と導電層５０ｂを形成する工程を同時に実施するので、生産性の向上を図ることができる。

なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

１…配線基板
１０…絶縁性基板
２０…配線
３０…端子部
３０ｂ…裏面
４０…バイアホール
５０…導電層
６０…絶縁層

Claims (7)

1. 絶縁性基板と、
   前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、
   平面視において前記配線と重複するように、前記絶縁性基板の第２の主面に形成された端子部と、
   前記配線と前記絶縁性基板とを貫通し、前記端子部の裏面を底とする非貫通のバイアホールと、
   前記バイアホールの内面に形成され、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する導電層と、
   前記バイアホールを塞ぐように、前記導電層上に形成された絶縁層と、を備えたことを特徴とする配線基板。
2. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記導電層は、金属めっきからなることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１記載の配線基板であって、
   前記導電層は、硬化した導電性ペーストからなることを特徴とする配線基板。
4. 請求項１〜３の何れかに記載の配線基板であって、
   前記バイアホールは、前記絶縁性基板をレーザ加工することで形成されていることを特徴とする配線基板。
5. 絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、前記絶縁性基板の第２の主面に形成され、前記配線と電気的に接続される端子部と、を有する配線基板の製造方法であって、
   前記配線が形成される導体層に第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、
   前記第１の貫通孔と連通して前記端子部の裏面に至る第２の貫通孔を、前記絶縁性基板にレーザ加工によって形成する第２の貫通孔形成工程と、
   前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔の内面を金属めっきして、前記導体層と前記端子部とを電気的に接続する導電層を形成する導電層形成工程と、
   前記１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を塞ぐように、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、前記絶縁性基板の第２の主面に形成され、前記配線と電気的に接続される端子部と、を有する配線基板の製造方法であって、
   前記配線に第１の貫通孔を形成する第１の貫通孔形成工程と、
   前記第１の貫通孔と連通して前記端子部の裏面に至る第２の貫通孔を、前記絶縁性基板にレーザ加工によって形成する第２の貫通孔形成工程と、
   前記第１の貫通孔及び前記第２の貫通孔の内面に導電性ペーストを印刷して硬化させることで、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する導電層を形成する導電層形成工程と、
   前記１の貫通孔及び前記第２の貫通孔を塞ぐように、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
7. 絶縁性基板と、前記絶縁性基板の第１の主面に形成された配線と、前記絶縁性基板の第２の主面に形成され、前記配線と電気的に接続される端子部と、を有する配線基板の製造方法であって、
   前記絶縁性基板の前記第１の主面から前記端子部の裏面に至る貫通孔を、前記絶縁性基板にレーザ加工によって形成する貫通孔形成工程と、
   前記絶縁性基板の前記第１の主面に導電性ペーストを印刷して硬化させることで、前記配線を形成する配線形成工程と、
   前記貫通孔の内面に前記導電性ペーストを印刷して硬化させることで、前記配線と前記端子部とを電気的に接続する導電層を形成する導電層形成工程と、
   前記貫通孔を塞ぐように、前記導電層上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、を備えており、
   前記配線形成工程と、前記導電層形成工程と、を同時に行うことを特徴とする配線基板の製造方法。

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