JP2011237207A - Probe - Google Patents
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Abstract
【課題】プローブ接合時のレーザー照射によってはんだが飛散するのを防ぐことが可能なプローブを提供することを目的とする。
【解決手段】基板に実装されるプローブであって、実装部を有するプローブ本体と、前記実装部の底面に設けられたはんだからなり、前記実装部の両側面に、実装部の底面から突出し、前記はんだを挟み込むはんだカバーがそれぞれ設けられ、前記はんだカバーおよび前記プローブ本体は導電性材料からなる。
【選択図】 図1An object of the present invention is to provide a probe capable of preventing solder from being scattered by laser irradiation during probe joining.
A probe mounted on a substrate, comprising a probe body having a mounting portion and solder provided on the bottom surface of the mounting portion, protruding from the bottom surface of the mounting portion on both side surfaces of the mounting portion, A solder cover for sandwiching the solder is provided, and the solder cover and the probe body are made of a conductive material.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、プローブカードなどの配線基板に実装されるプローブに関する。 The present invention relates to a probe mounted on a wiring board such as a probe card.
半導体の検査には、基板に複数のプローブが実装されたプローブカードを用いている。基板上には複数のプローブが狭ピッチで配置されているが、プローブは基板に設けられた電極に接合されてプローブカードに実装されている。 For semiconductor inspection, a probe card having a plurality of probes mounted on a substrate is used. A plurality of probes are arranged on the substrate at a narrow pitch, but the probes are bonded to electrodes provided on the substrate and mounted on a probe card.
プローブの実装方法には幾つかの方法があるが、その1つとして、特許文献1に記載されているように、プローブのベース部に設けられた2つの突出部をはんだによって電極パッドに接合する方法が用いられている。 There are several methods for mounting the probe, and as one of them, as described in Patent Document 1, two protrusions provided on the base portion of the probe are joined to the electrode pad by soldering. The method is used.
上述のように、2つの突出部をはんだを用いて電極パッドに接合する際に、プローブのはんだバンプが形成されているベース部(実装部)にレーザーを照射することではんだバンプに熱を加えて溶融させて電極パッドにプローブを接合する。 As described above, when joining the two protruding parts to the electrode pad using solder, heat is applied to the solder bumps by irradiating the base part (mounting part) where the solder bumps of the probe are formed with a laser. The probe is fused to the electrode pad.
レーザー照射によってプローブの実装部に加えられた熱が突出部に伝わりはんだバンプを溶融するが、この時レーザーの一部が直接はんだバンプに照射されると、はんだが飛散することがある。飛散したはんだの粒が電極パッド間をブリッジするとショートするという問題が生じる。 Heat applied to the mounting portion of the probe by laser irradiation is transferred to the protruding portion and melts the solder bump. At this time, if a part of the laser is directly irradiated onto the solder bump, the solder may be scattered. When the scattered solder particles bridge between the electrode pads, a short circuit occurs.
本発明はこのような従来の問題点を解消し、プローブ接合時にはんだが飛散するのを防止することが可能なプローブを提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a probe that can solve such conventional problems and prevent solder from being scattered during probe joining.
本発明のプローブは、基板に実装されるプローブであって、実装部を有するプローブ本体と、前記実装部の底面に設けられたはんだからなり、前記実装部の両側面に、実装部の底面から突出し、前記はんだを挟み込むはんだカバーがそれぞれ設けられ、前記はんだカバーおよび前記プローブ本体は導電性材料からなることを特徴とする。 The probe of the present invention is a probe mounted on a substrate, and is composed of a probe body having a mounting portion and solder provided on the bottom surface of the mounting portion, and on both side surfaces of the mounting portion from the bottom surface of the mounting portion. A solder cover that protrudes and sandwiches the solder is provided, and the solder cover and the probe main body are made of a conductive material.
本発明のプローブは、基板に実装されるプローブであって、実装部を有するプローブ本体と、前記実装部の底面に設けられたはんだからなり、前記実装部の両側面に、実装部の底面から突出し、前記はんだを挟み込むはんだカバーがそれぞれ設けられ、前記はんだカバーおよび前記プローブ本体は導電性材料からなることにより、実装部にレーザを照射した時に、はんだに直接レーザーが照射されるのを防止することで、はんだが飛散するのを防ぐことが可能となる。 The probe of the present invention is a probe mounted on a substrate, and is composed of a probe body having a mounting portion and solder provided on the bottom surface of the mounting portion, and on both side surfaces of the mounting portion from the bottom surface of the mounting portion. A solder cover that protrudes and sandwiches the solder is provided, and the solder cover and the probe main body are made of a conductive material, thereby preventing the laser from being directly irradiated to the solder when the mounting portion is irradiated with the laser. This makes it possible to prevent the solder from scattering.
図を用いて本発明のプローブ1を以下に詳細に説明する。図1が本発明のプローブ1の側面図であり、図2がプローブ1の断面図である。 The probe 1 of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view of the probe 1 of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view of the probe 1.
本発明のプローブ1は、図1に示すように、プローブカード13(図8参照)のプローブ基板14上に設けられた電極15に接合される底面5を有する実装部2、前記実装部2の後方から前方へと延在しバネ性を有するアーム部3、および、前記アーム部3の先端に設けられ検査対象物の電極に接触する先端部4からなる本体と、前記実装部2の底面5に設けられたはんだ6から構成され、前記実装部2の両側面には、前記底面5から下方へと突出するはんだカバー7がそれぞれ設けられ、前記はんだ6が2つのはんだカバー7に挟まれた状態となっている。 As shown in FIG. 1, the probe 1 of the present invention includes a mounting portion 2 having a bottom surface 5 bonded to an electrode 15 provided on a probe substrate 14 of a probe card 13 (see FIG. 8). A main body composed of an arm portion 3 extending from the rear to the front and having a spring property, a tip portion 4 provided at the tip of the arm portion 3 and in contact with an electrode of the inspection object, and a bottom surface 5 of the mounting portion 2 The solder covers 7 are provided on both side surfaces of the mounting portion 2 so as to protrude downward from the bottom surface 5, and the solder 6 is sandwiched between two solder covers 7. It is in a state.
また、前記プローブ1は、図2の断面図に示すように、中間層11を2つの外層12,12’で挟み込んだ3層構造である。前記中間層11および前記外層12,12’は、各々上述の実装部2、アーム部3、および先端部4の形状に形成されており、前記外層12,12’の外側に、前記はんだカバー7が形成されている。前記外層12’に設けられたはんだカバー7は前記外層12’に埋め込まれて形成されており、前記外層12に設けられたはんだカバー7は前記外層12の表面に貼りついた状態で形成されている。この違いは後述するはんだカバー7の形成方法によるものである。 The probe 1 has a three-layer structure in which an intermediate layer 11 is sandwiched between two outer layers 12 and 12 'as shown in the sectional view of FIG. The intermediate layer 11 and the outer layers 12 and 12 ′ are respectively formed in the shape of the mounting portion 2, the arm portion 3 and the tip portion 4, and the solder cover 7 is formed outside the outer layers 12 and 12 ′. Is formed. The solder cover 7 provided on the outer layer 12 ′ is formed so as to be embedded in the outer layer 12 ′, and the solder cover 7 provided on the outer layer 12 is formed in a state of being attached to the surface of the outer layer 12. Yes. This difference is due to a method of forming the solder cover 7 described later.
前記はんだカバー7は、前記実装部2の側面から前記底面5の下方に突出する形で形成されており、その長さ(図1の左右方向の長さ)は、前記実装部2の前端から後端に向かって、接合強度が確保されるはんだ6を確保することができる所定の長さで形成されている。また、その厚みはできるだけ薄くすることが好ましく、特に5μm以下とすることが好ましい。 The solder cover 7 is formed so as to protrude from the side surface of the mounting portion 2 to below the bottom surface 5, and its length (the length in the left-right direction in FIG. 1) is from the front end of the mounting portion 2. Toward the rear end, it is formed with a predetermined length that can ensure the solder 6 with which the bonding strength is ensured. Further, the thickness is preferably as thin as possible, particularly preferably 5 μm or less.
前記実装部2の前記はんだ6の上方となる部分に、レーザを照射することによってはんだ6を加熱するが、加えられた熱が前記実装部2全体に拡散することを十分に防ぎきれない場合も想定される。これを防止するために、前記実装部2にスリット8を設ける。レーザーを照射する部分よりも後方に縦方向に設けておき、レーザー照射によって加えられた熱が、実装部2の後方へと伝達されるのを防ぎ、加えられた熱は逃げることなく、前記はんだ6へと伝えられる。 Although the solder 6 is heated by irradiating a laser on a portion of the mounting portion 2 above the solder 6, it may not be possible to sufficiently prevent the applied heat from diffusing throughout the mounting portion 2. is assumed. In order to prevent this, the mounting portion 2 is provided with a slit 8. It is provided in the longitudinal direction behind the portion to be irradiated with the laser to prevent the heat applied by the laser irradiation from being transmitted to the rear of the mounting portion 2, and the applied heat does not escape and the solder It is told to 6.
さらに、前記はんだカバー7だけでは前記プローブ1を実装する際の位置決めが難しいので、前記実装部2の後方の底面5から下方に突出した支持部9を設けている。前記支持部9にははんだバンプを設けていないので、前記支持部9は単にプローブカード13の電極15と接触するだけで接合されることはない。 Further, since the positioning when mounting the probe 1 is difficult with only the solder cover 7, a support portion 9 protruding downward from the bottom surface 5 behind the mounting portion 2 is provided. Since the support portion 9 is not provided with solder bumps, the support portion 9 is simply brought into contact with the electrode 15 of the probe card 13 and is not joined.
前記プローブ本体および前記はんだカバー7は導電性材料からなり、前記プローブカード13(図8参照)のプローブ基板14上に設けられた電極15に接合されたプローブ1は、前記はんだカバー7が前記電極15と接合され、前記プローブカード13と前記プローブ1との導通は前記はんだカバー7を通じて行われる。 The probe main body and the solder cover 7 are made of a conductive material, and the probe 1 bonded to the electrode 15 provided on the probe substrate 14 of the probe card 13 (see FIG. 8) has the solder cover 7 attached to the electrode. The probe card 13 and the probe 1 are electrically connected through the solder cover 7.
前記中間層11および前記外層12,12’は、全て同じ導電性材料で形成されていてもよいし、各々異なる導電性材料で形成されていてもよい。本実施形態では、前記中間層11および前記外層12,12’は、ニッケル合金からなる同一の導電性材料で形成されている。導電性材料としては、ニッケルに限らず、パラジウムコバルト(Pd−Co)などのコバルト(Co)を含む他の合金でもよく、パラジウムニッケル(Pd−Ni)、タングステン(W)、ニッケルタングステン(Ni−W)などの他の導電性材料でもよい。 The intermediate layer 11 and the outer layers 12 and 12 'may all be formed of the same conductive material, or may be formed of different conductive materials. In the present embodiment, the intermediate layer 11 and the outer layers 12 and 12 'are formed of the same conductive material made of a nickel alloy. The conductive material is not limited to nickel, but may be another alloy containing cobalt (Co) such as palladium cobalt (Pd—Co), such as palladium nickel (Pd—Ni), tungsten (W), nickel tungsten (Ni—). Other conductive materials such as W) may be used.
そして、前記はんだカバー7も前記中間層11あるいは前記外層12,12’と同じ、あるいは異なる導電性材料を用いる。さらに、前記はんだ6は、前記中間層11、前記外層12,12’および前記はんだカバー7よりも融点の低い導電性材料を用いることで、図3に示すようにレーザー照射されると加熱されたはんだ6だけが溶融し、前記プローブ1が前記電極15に接合される。 The solder cover 7 is also made of the same or different conductive material as the intermediate layer 11 or the outer layers 12 and 12 '. Furthermore, the solder 6 was heated when irradiated with a laser as shown in FIG. 3 by using a conductive material having a melting point lower than that of the intermediate layer 11, the outer layers 12, 12 ′ and the solder cover 7. Only the solder 6 is melted and the probe 1 is joined to the electrode 15.
この時、溶融されたはんだ6の一部は、図4に示すように、前後に流出するが、プローブ1の側面方向への流出は、図3に示すように、前記はんだカバー7によって阻止されている。これにより、前記電極15上に拡がるはんだの量は従来よりも少なくすることができるので、従来よりも少ないはんだ量で充分な接合強度を確保することが可能となる。また、従来よりも電極15との接合面積が少なくなるので、プローブ1を電極15から剥離する際に、電極15が剥離するのを減らすことができる。 At this time, a part of the melted solder 6 flows back and forth as shown in FIG. 4, but the flow of the probe 1 in the side direction is blocked by the solder cover 7 as shown in FIG. ing. As a result, the amount of solder spreading on the electrode 15 can be reduced as compared with the prior art, so that sufficient bonding strength can be ensured with a smaller amount of solder than in the prior art. In addition, since the bonding area with the electrode 15 is smaller than that in the prior art, the peeling of the electrode 15 when the probe 1 is peeled from the electrode 15 can be reduced.
さらに、前記はんだカバー7がはんだ6と接する部分は、プローブ1とはんだ6との接合面積にプラスされることとなるので、プローブ1とはんだ6との接合強度が上がり、より強固にプローブ1は電極15に接合される。また、従来のようなレーザ照射時のはんだの飛散は前記はんだカバー7によって防止されるので、隣接する電極15同士が飛散したはんだによってブリッジされてショートする問題が解消される。 Furthermore, since the portion where the solder cover 7 is in contact with the solder 6 is added to the joint area between the probe 1 and the solder 6, the joint strength between the probe 1 and the solder 6 is increased, and the probe 1 is more firmly Bonded to the electrode 15. Further, since the solder cover 7 prevents the conventional solder from being scattered during the laser irradiation, the problem that the adjacent electrodes 15 are bridged by the scattered solder and short-circuited is solved.
はんだカバー7とはんだ6の形状については、図1,2に示すものに限定するのではなく、例えば、図5(a)に示すように、はんだ6がはんだカバー7の下方に突出する形状とすることもできる。また、はんだカバー7の1つが外層12’に埋め込まれた状態(図2参照)ではなく、図5(b)に示すように、両方のはんだカバー7を外層12,12’の表面に形成することもできる。 The shapes of the solder cover 7 and the solder 6 are not limited to those shown in FIGS. 1 and 2. For example, as shown in FIG. 5A, the solder 6 protrudes below the solder cover 7. You can also Further, not one of the solder covers 7 is embedded in the outer layer 12 ′ (see FIG. 2), but as shown in FIG. 5B, both solder covers 7 are formed on the surfaces of the outer layers 12, 12 ′. You can also.
図5(a)に示すプローブ1では、図4に示した前後への流出量を十分に確保することが可能となる。また、図5(b)に示すプローブ1では、はんだカバー7が正面から見た時に左右対称に配置され、また、プローブ1の本体も正面から見た時に左右対称の形状となるので、片側のはんだカバー7を埋め込む場合よりもバランスが良くなり、プローブ1を実装する際の作業性がよくなるという効果を奏する。 In the probe 1 shown in FIG. 5A, it is possible to ensure a sufficient amount of outflow before and after shown in FIG. Further, in the probe 1 shown in FIG. 5B, the solder cover 7 is disposed symmetrically when viewed from the front, and the body of the probe 1 is also symmetrical when viewed from the front. The balance is better than when the solder cover 7 is embedded, and the workability when mounting the probe 1 is improved.
さらに、図5(c)に示すように、中間層11の底面5を外層12,12’よりも下方へと突出させ、さらにはんだ6よりも下方へと突出させた突出部10とすることで、前記突出部10によってプローブ1とプローブカード13の電極15とを導通することも可能である。この場合、前記突出部10を位置合わせに用いることでプローブ1を実装する際の位置決めが容易になると共に、導通が確保されるという効果を奏する。前記突出部10にはんだの濡れ性のよい材質を用いることで、はんだ6が加熱された際に、はんだ6が溶融されて突出部10を辿って実装面へと移動するようにすることが好ましい。このように、はんだ6をはんだカバー7で挟み込む構造として様々な形状を用いることで、より優れた効果をもたらすことが可能である。 Furthermore, as shown in FIG. 5C, the bottom surface 5 of the intermediate layer 11 protrudes downward from the outer layers 12 and 12 ′, and further, the protrusion 10 protrudes downward from the solder 6. It is also possible to conduct the probe 1 and the electrode 15 of the probe card 13 by the protrusion 10. In this case, by using the protrusion 10 for alignment, the positioning when mounting the probe 1 is facilitated, and there is an effect that conduction is ensured. It is preferable to use a material with good solder wettability for the protrusion 10 so that when the solder 6 is heated, the solder 6 is melted and traces the protrusion 10 and moves to the mounting surface. . As described above, by using various shapes as the structure in which the solder 6 is sandwiched between the solder covers 7, it is possible to provide a more excellent effect.
本発明のプローブ1の形成方法について説明する。まず初めに、プローブ形成用の基板21上に銅(Cu)からなる犠牲層22を形成し、図6(a)に示すように、犠牲層22上に導電性材料であるニッケル合金によってはんだカバー7を所定の位置に形成する。その後、図6(b)に示すように、犠牲層22上に感光性有機物質からなるフォトレジストを塗布してレジスト層23を形成し、プローブ1の外層12’の形状に合わせて所定の箇所に開口24を設けておく。そして、図6(c)に示すように、電気めっきによりニッケル合金を前記開口24に充填し、1層目となる外層12’を形成する。 A method for forming the probe 1 of the present invention will be described. First, a sacrificial layer 22 made of copper (Cu) is formed on a probe-forming substrate 21, and a solder cover is formed on the sacrificial layer 22 with a nickel alloy, which is a conductive material, as shown in FIG. 7 is formed at a predetermined position. After that, as shown in FIG. 6B, a photoresist layer 23 is formed on the sacrificial layer 22 by applying a photoresist made of a photosensitive organic material, and a predetermined portion is formed in accordance with the shape of the outer layer 12 ′ of the probe 1. An opening 24 is provided in the front. Then, as shown in FIG. 6C, the opening 24 is filled with a nickel alloy by electroplating to form an outer layer 12 'as the first layer.
その後、図6(d)に示すように、前記レジスト層23を除去する。前記レジスト層23を除去して露出した前記犠牲層22と前記外層12’を覆うように銅からなる犠牲層25を形成し、図6(e)に示すように、前記外層12’が露出するまで前記犠牲層25の表面を研磨する。 Thereafter, as shown in FIG. 6D, the resist layer 23 is removed. A sacrificial layer 25 made of copper is formed so as to cover the exposed sacrificial layer 22 and the outer layer 12 ′ by removing the resist layer 23, and the outer layer 12 ′ is exposed as shown in FIG. The surface of the sacrificial layer 25 is polished.
研磨が終わり前記外層12’が露出した状態となったら前記外層12’及び犠牲層25の上にフォトレジストを塗布してレジスト層26を形成し、図6(f)に示すように、プローブ1の中間層11の形状に合わせて所定の箇所に開口27を設ける。そして、図6(g)に示すように、電気めっきによりニッケル合金を前記開口27に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層26と中間層11を研磨して2層目となる中間層11を形成する。 When the polishing is finished and the outer layer 12 ′ is exposed, a photoresist layer 26 is formed on the outer layer 12 ′ and the sacrificial layer 25 by applying a photoresist. As shown in FIG. An opening 27 is provided at a predetermined position in accordance with the shape of the intermediate layer 11. Then, as shown in FIG. 6G, the opening 27 is filled with a nickel alloy by electroplating, and if necessary for polishing adjustment, the resist layer 26 and the intermediate layer 11 are polished to form a second intermediate layer. 11 is formed.
中間層11を形成し終えたら、前記レジスト層26を除去し、その後、中間層11及び犠牲層25の上にフォトレジストを塗布してレジスト層28を形成し、図6(h)に示すように、プローブ1の3層目となる外層12の形状に合わせて所定の箇所に開口29を設ける。そして、図7(a)に示すように、電気めっきによりニッケル合金を前記開口29に充填し、研磨調整が必要であればレジスト層28と外層12を研磨して3層目となる外層12を形成する。 When the formation of the intermediate layer 11 is completed, the resist layer 26 is removed, and then a photoresist is applied on the intermediate layer 11 and the sacrificial layer 25 to form a resist layer 28, as shown in FIG. 6 (h). In addition, an opening 29 is provided at a predetermined location in accordance with the shape of the outer layer 12 which is the third layer of the probe 1. Then, as shown in FIG. 7A, the opening 29 is filled with a nickel alloy by electroplating, and if necessary for polishing adjustment, the resist layer 28 and the outer layer 12 are polished to form a third outer layer 12. Form.
その後、図7(b)に示すように、前記レジスト層28を除去した後、3層目の外層12及び犠牲層25の上にフォトレジストを塗布してレジスト層30を形成し、図7(c)に示すように、前記レジスト層30に、プローブ1に設けるはんだ6の形状に合わせて所定の箇所に開口31を設ける。さらに、図7(d)に示すように、犠牲層25のはんだ6を設ける部分をエッチングを用いて除去し、実装部2の底面5から突出しているはんだカバー7の上にはんだ6を形成するためのスペース32を設ける。そして、前記スペース32に電気めっきを用いてはんだ6を形成する。 Thereafter, as shown in FIG. 7B, after removing the resist layer 28, a photoresist is applied on the third outer layer 12 and the sacrificial layer 25 to form a resist layer 30, and FIG. As shown in c), the resist layer 30 is provided with an opening 31 at a predetermined location in accordance with the shape of the solder 6 provided on the probe 1. Further, as shown in FIG. 7D, the portion of the sacrifice layer 25 where the solder 6 is provided is removed by etching, and the solder 6 is formed on the solder cover 7 protruding from the bottom surface 5 of the mounting portion 2. A space 32 is provided. Then, the solder 6 is formed in the space 32 using electroplating.
その後、図7(e)に示すように、3層目の外層12が露出し、前記外層12とはんだ6の表面が面一になるまで、前記レジスト層30とはんだ6の研磨を行う。そして、最後に、図7(f)に示すように、前記外層12および前記はんだ6の表面にニッケル合金によってはんだカバー7を形成する。この時、前記はんだ6の全てを覆うようにはんだカバー7を形成する。これにより、前記はんだ6は2つのはんだカバー7に挟まれた状態となる。はんだカバー7の形成が終了したら、前記レジスト層30を除去し、犠牲層22,25からプローブ1を剥離すると、図7(g)に示すように、プローブ1の形成が完了する。 Thereafter, as shown in FIG. 7E, the resist layer 30 and the solder 6 are polished until the third outer layer 12 is exposed and the surfaces of the outer layer 12 and the solder 6 are flush with each other. Finally, as shown in FIG. 7 (f), a solder cover 7 is formed of nickel alloy on the outer layer 12 and the surface of the solder 6. At this time, the solder cover 7 is formed so as to cover all of the solder 6. As a result, the solder 6 is sandwiched between the two solder covers 7. When the formation of the solder cover 7 is completed, the resist layer 30 is removed and the probe 1 is peeled off from the sacrificial layers 22 and 25, thereby completing the formation of the probe 1 as shown in FIG.
前記プローブ1を複数実装したものがプローブカード13である。図8に示すように、テスタのポゴピンと接触して接続される外部端子18と内部配線19を有するメイン基板20と、前記メイン基板20に固定され、前記プローブ1が接合される電極15が設けられたプローブ基板14とを備える。 A probe card 13 has a plurality of the probes 1 mounted thereon. As shown in FIG. 8, a main board 20 having an external terminal 18 and an internal wiring 19 connected in contact with a pogo pin of a tester, and an electrode 15 fixed to the main board 20 and to which the probe 1 is bonded are provided. The probe board 14 is provided.
このように本発明のプローブでは、はんだが飛散することを防止することが可能となっている。なお、以上の説明ではプローブカードに実装されるプローブを例示して説明したが、ソケット用として基板に実装されるプローブについても本願発明を適用すれば同様の効果を得ることができる。 Thus, in the probe of the present invention, it is possible to prevent the solder from scattering. In the above description, the probe mounted on the probe card has been described as an example. However, the same effect can be obtained by applying the present invention to the probe mounted on the board for the socket.
1 プローブ
2 実装部
3 アーム部
4 先端部
5 底面
6 はんだ
7 はんだカバー
8 スリット
9 支持部
10 突出部
11 中間層
12、12’外層
13 プローブカード
14 プローブ基板
15 電極
18 外部端子
19 内部配線
20 メイン基板
21 基板
22、25 犠牲層
23、26、28、30、33 レジスト層
24、27、29、31、34 開口
32 スペース
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe 2 Mounting part 3 Arm part 4 Tip part 5 Bottom face 6 Solder 7 Solder cover 8 Slit 9 Support part 10 Protrusion part 11 Intermediate layer 12, 12 'outer layer 13 Probe card 14 Probe board 15 Electrode 18 External terminal 19 Internal wiring 20 Main Substrate 21 Substrate 22, 25 Sacrificial layer 23, 26, 28, 30, 33 Resist layer 24, 27, 29, 31, 34 Opening 32 Space
Claims (1)
前記実装部の両側面に、実装部の底面から突出し、前記はんだを挟み込むはんだカバーがそれぞれ設けられ、前記はんだカバーおよび前記プローブ本体は導電性材料からなることを特徴とするプローブ。 A probe mounted on a substrate, comprising a probe body having a mounting portion and solder provided on the bottom surface of the mounting portion,
A probe that protrudes from the bottom surface of the mounting portion and that sandwiches the solder is provided on each side surface of the mounting portion, and the solder cover and the probe body are made of a conductive material.
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| JP2010107111A Withdrawn JP2011237207A (en) | 2010-05-07 | 2010-05-07 | Probe |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011237207A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110951U (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | ||
| JPS60218861A (en) * | 1984-04-14 | 1985-11-01 | Katsusato Fujiyoshi | Terminal for ceramic layer package |
| JPH04144263A (en) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Toppan Printing Co Ltd | Lead frame and manufacture thereof |
| JP2008309534A (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Japan Electronic Materials Corp | Contact probe and manufacturing method thereof |
-
2010
- 2010-05-07 JP JP2010107111A patent/JP2011237207A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57110951U (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-09 | ||
| JPS60218861A (en) * | 1984-04-14 | 1985-11-01 | Katsusato Fujiyoshi | Terminal for ceramic layer package |
| JPH04144263A (en) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Toppan Printing Co Ltd | Lead frame and manufacture thereof |
| JP2008309534A (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Japan Electronic Materials Corp | Contact probe and manufacturing method thereof |
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