JP2011237349A - 試験装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の半導体装置への電源電圧の印加を行うとともに、半導体装置の電源電流の測定を独立して行う。
【解決手段】試験装置は、複数の電源端子を有する半導体装置に電源電圧を印加する電源ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電圧線と、前記半導体装置の電源電流を測定する電流測定ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電流線と、前記電圧線を導通状態又は非導通状態にする第１リレー回路と、前記電流線を導通状態又は非導通状態にする第２リレー回路と、を備え、前記電圧線は分岐して、複数の前記半導体装置の前記電源端子に接続され、前記電流線は分岐して、前記半導体装置の複数の前記電源端子に接続される。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置の試験を行う試験装置に関する。

半導体装置の電気的試験には、半導体試験装置（テスタ）が使用されている。半導体装置の電気的試験の際には、半導体試験装置から半導体装置に電源電圧が印加される。半導体試験装置が有する電源ユニットの物理的な数は限りがあるため、半導体装置に多数の電源電圧の印加を行う場合、電源ユニットの数が足りなくなり、半導体装置の電気的試験が行えない場合がある。

また、信号数が少ない半導体装置の電気的試験の場合、信号数に関しては同時測定数を増やすことができるが、電源ユニットの数が不足する場合、半導体装置の電気的試験が行えない。この場合、半導体試験装置の信号リソースを十分に活用できなくなる。

実用新案登録第２５７９８８３号公報

電源ユニットを増加又は拡張する方法として、半導体試験装置の電源リソースを増設する構造や、電源電圧を分配して半導体装置に供給する技術が提案されている。しかし、半導体試験装置の電源リソースを増設する場合、半導体試験装置の開発が必要となるため、コストの増大が著しい。電源電圧を分配して半導体装置に供給する場合、電源分配用の電源ユニットを用いて半導体装置の電源電流の測定が行われるため、複数個の結果がマージされてしまい、品質の高い試験が実現できない。本件は、複数の半導体装置への電源電圧の印加を行うとともに、半導体装置の電源電流の測定を独立して行う技術を提供することを目的とする。

本件の一観点による試験装置は、複数の電源端子を有する半導体装置に電源電圧を印加する電源ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電圧線と、前記半導体装置の電源電流を測定する電流測定ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電流線と、前記電圧線を導通状態又は非導通状態にする第１スイッチと、前記電流線を導通状態又は非導通状態にする第２スイッチと、を備え、複数の前記電圧線は分岐して、複数の前記半導体装置の前記電源端子に接続され、複数の前記電流線は分岐して、前記半導体装置の複数の前記電源端子に接続される。

本件によれば、複数の半導体装置への電源電圧の印加を行うとともに、半導体装置の電源電流の測定を独立して行うことができる。

従来の半導体試験システムの説明図である。 従来の半導体試験システムの説明図である。 本実施形態に係る半導体試験システムの構成図である。 機能試験を実施する場合の説明図である。 電源電流を測定する場合の説明図である。 電源電流を測定する場合の説明図である。 測定治具１０をウェハ試験用パフォーマンスボード（ＰＴボード）に設置した場合の一例を示す図である。 測定治具１０が設置されたＰＴボード８０２の例を示す図である。 測定治具１０をウェハ試験用パフォーマンスボード（ＰＴボード）内に組み込んだ場合の一例を示す図である。 測定治具１０をプローブカード内に組み込んだ場合の一例を示す図である。 測定治具１０を最終試験用パフォーマンスボード（ＦＴボード）に設置した場合の一例を示す図である。 測定治具１０を最終試験用パフォーマンスボード（ＦＴボード）内に組み込んだ場合の一例を示す図である。

図１は、従来の半導体試験システムの説明図である。図１に示す半導体試験システムでは、ＤＵＴ（device under test）１Ａ〜１Ｃが、測定治具２を介して、半導体試験装置
（テスタ）が備えるテストヘッド３に接続されている。ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃは、被検査デバイスであり、例えば、半導体ウェハに形成された半導体素子や半導体チップ等の半導体装置である。

テストヘッド３は、電源リソースであるＤＰＳ（device power supply）４Ａ〜４Ｆを
有している。ＤＰＳ４Ａ〜４Ｆは、被検査デバイスに電源電圧を印加する電源ユニットとして機能する。

ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を使用してＤＰＳ４ＡからＤＵＴ１Ａに電源電圧が印加され、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を使用してＤＰＳ４ＢからＤＵＴ１Ａに電源電圧が印加される。ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を使用してＤＰＳ４ＣからＤＵＴ１Ｂに電源電圧が印加され、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を使用してＤＰＳ４ＤからＤＵＴ１Ｂに電源電圧が印加される。ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を使用してＤＰＳ４ＥからＤＵＴ１Ｃに電源電圧が印加され、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を使用してＤＰＳ４ＦからＤＵＴ１Ｃに電源電圧が印加される。したがって、複数の被検査デバイスに対して同時に試験を行う場合、電源ユニットの数は、（被検査デバイスの電源の数）×（被検査デバイスの台数）の分だけ必要となる。

図２は、従来の半導体試験システムの説明図である。図２に示す半導体試験システムでは、被検査デバイスであるＤＵＴ１Ａ〜１Ｃが、測定治具５を介して、半導体試験装置（テスタ）が備えるテストヘッド６に接続されている。

テストヘッド６は、電源リソースであるＤＰＳ４Ｇ及び４Ｈを有している。ＤＰＳ４Ｇは、被検査デバイスに電源電圧を印加する電源ユニットとして機能する。ＤＰＳ４Ｈは、被検査デバイスの電源電流を測定する電流測定ユニットとして機能する。ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１及びＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いて、ＤＵＴ１Ａ、ＤＵＴ１Ｂ及びＤＵＴ１Ｃに電源電圧が印加される。この場合、ＤＰＳ４Ｇから電源電圧が分配されて、ＤＵＴ１Ａ、ＤＵＴ１Ｂ及びＤＵＴ１Ｃに電源電圧が印加される。

図２に示す半導体試験システムによれば、同一の電源ユニットを用いて、複数の被検査デバイスに電源電圧を印加することができる。しかし、ＤＰＳ４Ｈを用いて、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定するため、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの総和の電源電流値が測定されるこ
とになる。この場合、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの全部が良品又は不良品であるかの判定を行うことができるが、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃのそれぞれについて良品又は不良品であるかの判定を行うことができない。

上記の課題を解決するための実施形態について、以下、図面を参照して説明する。以下の実施形態の構成は例示であり、本発明は、実施形態の構成に限定されない。図３〜図６を参照して、本実施形態に係る半導体試験システムを説明する。

図３は、本実施形態に係る半導体試験システムの構成図である。本実施形態に係る半導体試験システムでは、被検査デバイスであるＤＵＴ１Ａ〜１Ｃが、測定治具１０を介して、半導体試験装置（テスタ）が備えるテストヘッド１１に接続されている。

テストヘッド１１は、電源リソースであるＤＰＳ１０１〜１３２、測定治具１０を制御する制御部１５１及び被検査デバイスの機能試験を実施するための信号を発生する信号部１５２を有している。制御部１５１及び信号部１５２は、例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）であり、ＲＡＭ（Random Access Memory）及びＲＯＭ（Read Only Memory
）等の記録媒体に格納されたプログラムをＣＰＵが読み込むことにより、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに対する試験を行う。

ＤＰＳ１０１〜１３２は、被検査デバイスに電源電圧を印加する電源ユニットとして機能するとともに、被検査デバイスの電源電流を測定する電流測定ユニットとして機能する。また、ＤＰＳ１０１〜１１６として、被検査デバイスに電源電圧を印加する機能を有するが、被検査デバイスの電源電流を測定しないユニットを用いてもよい。ＤＰＳ１１７〜１３２として、被検査デバイスの電源電流を測定する機能を有するが、被検査デバイスに電源電圧を印加しないユニットを用いてもよい。図３〜図６では、ＤＰＳ１０３〜１１６及びＤＰＳ１２０〜１３２の図示を省略している。

ＤＰＳ１０１には電圧線２０１が接続され、ＤＰＳ１０２には電圧線２０２が接続されている。ＤＰＳ１０３〜１１６には、電圧線２０３〜２１６が接続されているが、図３〜図６では、電圧線２０３〜２１６の図示を省略している。

電圧線２０１は測定治具１０内で分岐しており、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に分岐した電圧線２０１Ａが接続され、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に分岐した電圧線２０１Ｂが接続され、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に分岐した電圧線２０１Ｃが接続されている。したがって、ＤＰＳ１０１からＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに対して、電源電圧が分配して印加（供給）される。

電圧線２０２は測定治具１０内で分岐しており、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に分岐した電圧線２０２Ａが接続され、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に分岐した電圧線２０２Ｂが接続され、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に分岐した電圧線２０２Ｃが接続されている。したがって、ＤＰＳ１０２からＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに対して、電源電圧が分配して印加（供給）される。

電圧線２０１Ａにはリレー回路３０１Ａが設けられ、電圧線２０１Ｂにはリレー回路３０１Ｂが設けられ、電圧線２０１Ｃにはリレー回路３０１Ｃが設けられている。リレー回路３０１Ａ〜３０１Ｃは、有接点の機械式リレーであってもよいし、無接点の半導体リレーであってもよい。

制御部１５１からリレー回路３０１Ａをオンにする信号がリレー回路３０１Ａに送られると、リレー回路３０１Ａがオン状態となり、電圧線２０１Ａが導通状態となる。制御部
１５１からリレー回路３０１Ａをオフにする信号がリレー回路３０１Ａに送られると、リレー回路３０１Ａがオフ状態となり、電圧線２０１Ａが非導通状態となる。

制御部１５１からリレー回路３０１Ｂをオンにする信号がリレー回路３０１Ｂに送られると、リレー回路３０１Ｂがオン状態となり、電圧線２０１Ｂが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路３０１Ｂをオフにする信号がリレー回路３０１Ｂに送られると、リレー回路３０１Ｂがオフ状態となり、電圧線２０１Ｂが非導通状態となる。

制御部１５１からリレー回路３０１Ｃをオンにする信号がリレー回路３０１Ｃに送られると、リレー回路３０１Ｃがオン状態となり、電圧線２０１Ｃが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路３０１Ｃをオフにする信号がリレー回路３０１Ｃに送られると、リレー回路３０１Ｃがオフ状態となり、電圧線２０１Ｃが非導通状態となる。

電圧線２０２Ａにはリレー回路３０２Ａが設けられており、電圧線２０２Ｂにはリレー回路３０２Ｂが設けられており、電圧線２０２Ｃにはリレー回路３０２Ｃが設けられている。リレー回路３０２Ａ〜３０２Ｃは、有接点の機械式リレーであってもよいし、無接点の半導体リレーであってもよい。

制御部１５１からリレー回路３０２Ａをオンにする信号がリレー回路３０２Ａに送られると、リレー回路３０２Ａがオン状態となり、電圧線２０２Ａが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路３０２Ａをオフにする信号がリレー回路３０２Ａに送られると、リレー回路３０２Ａがオフ状態となり、電圧線２０２Ａが非導通状態となる。

制御部１５１からリレー回路３０２Ｂをオンにする信号がリレー回路３０２Ｂに送られると、リレー回路３０２Ｂがオン状態となり、電圧線２０２Ｂが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路３０２Ｂをオフにする信号がリレー回路３０２Ｂに送られると、リレー回路３０２Ｂがオフ状態となり、電圧線２０２Ｂが非導通状態となる。

制御部１５１からリレー回路３０２Ｃをオンにする信号がリレー回路３０２Ｃに送られると、リレー回路３０２Ｃがオン状態となり、電圧線２０２Ｃが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路３０２Ｃをオフにする信号がリレー回路３０２Ｃに送られると、リレー回路３０２Ｃがオフ状態となり、電圧線２０２Ｃが非導通状態となる。

リレー回路３０１Ａは、電圧線２０１Ａを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路３０１Ｂは、電圧線２０１Ｂを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路３０１Ｃは、電圧線２０１Ｃを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。すなわち、リレー回路３０１Ａ〜３０２Ｃは、ＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ａ〜１Ｃとの間を電気的に接続又は非接続とするスイッチとして機能する。

リレー回路３０２Ａは、電圧線２０２Ａを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路３０２Ｂは、電圧線２０２Ｂを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路３０２Ｃは、電圧線２０２Ｃを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。すなわち、リレー回路３０２Ａ〜３０２Ｃは、ＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ａ〜１Ｃとの間を電気的に接続又は非接続とするスイッチとして機能する。

ＤＰＳ１１７には電流線４０１が接続され、ＤＰＳ１１８には電流線４０２が接続され、ＤＰＳ１１９には電流線４０３が接続されている。ＤＰＳ１２０〜１３２には、電流線４０４〜４１６が接続されているが、図３〜図６では、電流線４０４〜４１６の図示を省
略している。

なお、ＤＰＳ１０１〜１３２に接続されている配線を、電圧線２０１〜２１６及び電流線４０１〜４１６と表記しているが、本実施形態はこれに限定されるものではない。例えば、電圧線２０１〜２１６を、第１配線２０１〜２１６とし、電流線４０１〜４１６を、第２配線４０１〜４１６としてもよい。

電流線４０１は測定治具１０内で分岐しており、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に分岐した電流線４０１Ａが接続され、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に分岐した電流線４０１Ｂが接続されている。電流線４０２は測定治具１０内で分岐しており、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に分岐した電流線４０２Ａが接続され、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に分岐した電流線４０２Ｂが接続されている。電流線４０３は測定治具１０内で分岐しており、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に分岐した電流線４０３Ａが接続され、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に分岐した電流線４０３Ｂが接続されている。

電流線４０１Ａにはリレー回路５０１Ａが設けられ、電流線４０１Ｂにはリレー回路５０１Ｂが設けられている。電流線４０２Ａにはリレー回路５０２Ａが設けられ、電流線４０２Ｂにはリレー回路５０２Ｂが設けられている。電流線４０３Ａにはリレー回路５０３Ａが設けられ、電流線４０３Ｂにはリレー回路５０３Ｂが設けられている。リレー回路５０１Ａ、５０１Ｂ、５０２Ａ、５０２Ｂ、５０３Ａ及び５０３Ｂは、有接点の機械式リレーであってもよいし、無接点の半導体リレーであってもよい。

制御部１５１からリレー回路５０１Ａをオンにする信号がリレー回路５０１Ａに送られると、リレー回路５０１Ａがオン状態となり、電流線４０１Ａが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路５０１Ａをオフにする信号がリレー回路５０１Ａに送られると、リレー回路５０１Ａがオフ状態となり、電流線４０１Ａが非導通状態となる。

制御部１５１からリレー回路５０１Ｂをオンにする信号がリレー回路５０１Ｂに送られると、リレー回路５０１Ｂがオン状態となり、電流線４０１Ｂが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路５０１Ｂをオフにする信号がリレー回路５０１Ｂに送られると、リレー回路５０１Ｂがオフ状態となり、電流線４０１Ｂが非導通状態となる。

制御部１５１からリレー回路５０１Ｃをオンにする信号がリレー回路５０１Ｃに送られると、リレー回路５０１Ｃがオン状態となり、電流線４０１Ｃが導通状態となる。制御部１５１からリレー回路５０１Ｃをオフにする信号がリレー回路５０１Ｃに送られると、リレー回路５０１Ｃがオフ状態となり、電流線４０１Ｃが非導通状態となる。

リレー回路５０１Ａは、電流線４０１Ａを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路５０１Ｂは、電流線４０１Ｂを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。すなわち、リレー回路５０１Ａ及び５０１Ｂは、ＤＰＳ１１７とＤＵＴ１Ａとの間を電気的に接続又は非接続とするスイッチとして機能する。

リレー回路５０２Ａは、電流線４０２Ａを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路５０２Ｂは、電流線４０２Ｂを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。すなわち、リレー回路５０２Ａ及び５０２Ｂは、ＤＰＳ１１８とＤＵＴ１Ｂとの間を電気的に接続又は非接続とするスイッチとして機能する。

リレー回路５０３Ａは、電流線４０３Ａを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。リレー回路５０３Ｂは、電流線４０３Ｂを導通状態又は非導通状態にするスイッチとして機能する。すなわち、リレー回路５０３Ａ及び５０３Ｂは、ＤＰＳ１１９と
ＤＵＴ１Ｃとの間を電気的に接続又は非接続とするスイッチとして機能する。

電圧線２０１Ａにはクランプ回路６０１Ａが設けられ、電圧線２０１Ｂにはクランプ回路６０１Ｂが設けられ、電圧線２０１Ｃにはクランプ回路６０１Ｃが設けられている。クランプ回路６０１Ａ〜６０１Ｃは、高速な過度電流変動に対してアラームを発生する機能を有する。すなわち、クランプ回路６０１Ａ〜６０１Ｃは、所定のクランプ値以上の電圧が発生した場合、所定のクランプ値でＤＵＴ１Ａ〜１Ｃへの電源電圧の印加を遮断する。所定のクランプ値は、電圧線２０１Ａ〜２０１Ｃにおいて独立に設定することが可能である。

電圧線２０２Ａにはクランプ回路７０１Ａが設けられ、電圧線２０２Ｂにはクランプ回路７０１Ｂが設けられ、電圧線２０２Ｃにはクランプ回路７０１Ｃが設けられている。クランプ回路７０１Ａ〜７０１Ｃは、高速な過度電流変動に対してアラームを発生する機能を有する。すなわち、クランプ回路７０１Ａ〜７０１Ｃは、所定のクランプ値以上の電圧が発生した場合、所定のクランプ値でＤＵＴ１Ａ〜１Ｃへの電源電圧の印加を遮断する。所定のクランプ値は、電圧線２０２Ａ〜２０２Ｃにおいて独立に設定することが可能である。

図４は、機能試験を実施する場合の説明図である。ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの機能試験を実施する場合、ＤＰＳ１０１及びＤＰＳ１０２を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧が印加される。したがって、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの機能試験を実施する場合、ＤＰＳ１０１及びＤＰＳ１０２は、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧を印加する電源ユニットとして機能する。

ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧が印加された状態で、信号部１５２が発生する所定信号をＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに入力することにより、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの機能試験が実施される。制御部１５１は、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃからの応答信号を受信し、受信した応答信号と信号発生部が出力する期待値とを比較することにより、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの良又は不良を検出する。

リレー回路３０１Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ａを導通状態とする。リレー回路３０１Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ｂを導通状態とする。リレー回路３０１Ｃをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ｃを導通状態とする。これにより、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの各電源端子ＶＤ１を介して、ＤＰＳ１０１からＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧が印加される。

リレー回路３０２Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ａを導通状態とする。リレー回路３０２Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ｂを導通状態とする。リレー回路３０２Ｃをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ｃを導通状態とする。これにより、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの各電源端子ＶＤ２を介して、ＤＰＳ１０１からＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧が印加される。

リレー回路５０１Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０１Ａを非導通状態とする。リレー回路５０２Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０１Ｂを非導通状態とする。ＤＵＴ１Ａの機能試験を実施する場合、電流線４０１Ａ及び４０１Ｂを非導通状態にすることにより、ＤＰＳ１１７とＤＵＴ１Ａとを電気的に遮断する。

リレー回路５０２Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に接続
された電流線４０２Ａを非導通状態とする。リレー回路５０２Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０２Ｂを非導通状態とする。ＤＵＴ１Ｂの機能試験を実施する場合、電流線４０２Ａ及び４０２Ｂを非導通状態にすることにより、ＤＰＳ１１８とＤＵＴ１Ｂとを電気的に遮断する。

リレー回路５０３Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０３Ａを非導通状態とする。リレー回路５０３Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０３Ｂを非導通状態とする。ＤＵＴ１Ｃの機能試験を実施する場合、電流線４０３Ａ及び４０３Ｂを非導通状態にすることにより、ＤＰＳ１１９とＤＵＴ１Ｂとを電気的に遮断する。

例えば、ＤＰＳ１０１〜１１６を電源ユニットとして使用し、ＤＰＳ１０１〜１１６に接続された電圧線２０１〜２１６を分岐すれば、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに対して、それぞれ１６個の電源電圧を印加することが可能となる。また、例えば、４個以上の被検査デバイスの機能試験を実施する場合、電圧線２０１を４本以上に分岐するとともに、電圧線２０２を４本以上に分岐することにより、４個以上の被検査デバイスに電源電圧を印加することが可能となる。

被検査デバイスの機能試験において、不良が検出された被検査デバイスと電源ユニットとを切り離すことで、不良が検出された被検査デバイスへの電源電圧の印加を停止することができる。例えば、ＤＰＳ１０１の不良が検出された場合、リレー回路３０１Ａ及びリレー回路３０２Ａをオフ状態にして、電圧線２０１Ａ及び電圧線２０２Ａを非導通状態とする。これにより、ＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ａとを電気的に遮断し、ＤＵＴ１Ａへの電源電圧の印加を停止する。

図５及び図６は、電源電流を測定する場合の説明図である。ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定する場合、ＤＰＳ１０１及びＤＰＳ１０２を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧が印加され、ＤＰＳ１１７〜Ｓ１１９を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流が測定される。ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定する場合、ＤＰＳ１０１及びＤＰＳ１０２は、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧を印加する電源ユニットとして機能する。また、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定する場合、ＤＰＳ１１７〜１１９は、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定する電流測定ユニットとして機能する。

図５を参照して、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定する場合における測定治具１０の動作を説明する。

まず、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ａに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ａの電源電流を測定する場合について説明する。

リレー回路３０２Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ａを導通状態とし、リレー回路５０１Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０１Ｂを非導通状態とする。電圧線２０２Ａが導通状態である場合、電圧線２０２Ａ及びＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を介してＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ａとが電気的に接続される。このように、リレー回路３０２Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を用いてＤＰＳ１０２からＤＵＴ１Ａに電源電圧が印加される。

リレー回路３０１Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ａを非導通状態とする。電圧線２０１Ａが非導通状態である場合、Ｄ
ＰＳ１０１とＤＵＴ１Ａとは電気的に接続されない。リレー回路５０１Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０１Ａを導通状態とする。電流線４０１Ａが導通状態である場合、電流線４０１Ａ及びＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を介してＤＰＳ１１７とＤＵＴ１Ａとが電気的に接続される。このように、リレー回路５０１Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を用いてＤＰＳ１１７によってＤＵＴ１Ａの電源電流が測定される。

次に、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ｂに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ｂの電源電流を測定する場合について説明する。

リレー回路３０２Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ｂを導通状態とし、リレー回路５０２Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０２Ｂを非導通状態とする。電圧線２０２Ｂが導通状態である場合、電圧線２０２Ｂ及びＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を介してＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ｂとが電気的に接続される。このように、リレー回路３０２Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を用いてＤＰＳ１０２からＤＵＴ１Ｂに電源電圧が印加される。

リレー回路３０１Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ｂを非導通状態とする。電圧線２０１Ｂが非導通状態である場合、ＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ｂとは電気的に接続されない。リレー回路５０２Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０２Ａを導通状態とする。電流線４０２Ａが導通状態である場合、電流線４０２Ａ及びＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を介してＤＰＳ１１８とＤＵＴ１Ｂとが電気的に接続される。このように、リレー回路５０２Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を用いてＤＰＳ１１８によってＤＵＴ１Ｂの電源電流が測定される。

更に、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ｃに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ｃの電源電流を測定する場合について説明する。

リレー回路３０２Ｃをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ｃを導通状態とし、リレー回路５０３Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０３Ｂを非導通状態とする。電圧線２０２Ｃが導通状態である場合、電圧線２０２Ｃ及びＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を介してＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ｃとが電気的に接続される。このように、リレー回路３０２Ｃをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を用いてＤＰＳ１０２からＤＵＴ１Ｃに電源電圧が印加される。

リレー回路３０１Ｃをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ｃを非導通状態とする。電圧線２０１Ｃが非導通状態である場合、ＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ｃとは電気的に接続されない。リレー回路５０３Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０３Ａを導通状態とする。電流線４０３Ａが導通状態である場合、電流線４０３Ａ及びＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を介してＤＰＳ１１９とＤＵＴ１Ｃとが電気的に接続される。このように、リレー回路５０３Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いてＤＰＳ１１９によってＤＵＴ１Ｃの電源電流が測定される。

図６を参照して、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を測定する場合における測定治具１０の動作を説明する。

まず、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ａに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ａの電源電流を測定する場合について説明する。

リレー回路３０１Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ａを導通状態とし、リレー回路５０１Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０１Ａを非導通状態とする。電圧線２０１Ａが導通状態である場合、電圧線２０１Ａ及びＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を介してＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ａとが電気的に接続される。このように、リレー回路３０１Ａをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ１を用いてＤＰＳ１０１からＤＵＴ１Ａに電源電圧が印加される。

リレー回路３０２Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ａを非導通状態とする。電圧線２０２Ａが非導通状態である場合、ＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ａとは電気的に接続されない。リレー回路５０１Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０１Ｂを導通状態とする。電流線４０１Ｂが導通状態である場合、電流線４０１Ｂ及びＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を介してＤＰＳ１１７とＤＵＴ１Ａとが電気的に接続される。このように、リレー回路５０１Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ａの電源端子ＶＤ２を用いてＤＰＳ１１７によってＤＵＴ１Ａの電源電流が測定される。

次に、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ｂに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ｂの電源電流を測定する場合について説明する。

リレー回路３０１Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ｂを導通状態とし、リレー回路５０２Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０２Ａを非導通状態とする。電圧線２０１Ｂが導通状態である場合、電圧線２０１Ｂ及びＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を介してＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ｂとが電気的に接続される。このように、リレー回路３０１Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ１を用いてＤＰＳ１０１からＤＵＴ１Ｂに電源電圧が印加される。

リレー回路３０２Ｂをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ｂを非導通状態とする。電圧線２０２Ｂが非導通状態である場合、ＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ｂとは電気的に接続されない。リレー回路５０２Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０２Ｂを導通状態とする。電流線４０２Ｂが導通状態である場合、電流線４０２Ｂ及びＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を介してＤＰＳ１１８とＤＵＴ１Ｂとが電気的に接続される。このように、リレー回路５０１Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｂの電源端子ＶＤ２を用いてＤＰＳ１１８によってＤＵＴ１Ｂの電源電流が測定される。

更に、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いてＤＵＴ１Ｃに電源電圧を印加し、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を用いてＤＵＴ１Ｃの電源電流を測定する場合について説明する。

リレー回路３０１Ｃをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に接続された電圧線２０１Ｃを導通状態とし、リレー回路５０３Ａをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１に接続された電流線４０３Ａを非導通状態とする。電圧線２０１Ｃが導通状態である場合、電圧線２０１Ｃ及びＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を介してＤＰＳ１０１とＤＵＴ１Ｃとが電気的に接続される。このように、リレー回路３０１Ｃをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ１を用いてＤＰＳ１０１からＤ
ＵＴ１Ｃに電源電圧が印加される。

リレー回路３０２Ｃをオフ状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２に接続された電圧線２０２Ｃを非導通状態とする。電圧線２０２Ｃが非導通状態である場合、ＤＰＳ１０２とＤＵＴ１Ｃとは電気的に接続されない。リレー回路５０３Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ２Ｃの電源端子ＶＤ２に接続された電流線４０３Ｂを導通状態とする。電流線４０３Ｂが導通状態である場合、電流線４０３Ｂ及びＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を介してＤＰＳ１１９とＤＵＴ１とが電気的に接続される。このように、リレー回路５０３Ｂをオン状態とすることにより、ＤＵＴ１Ｃの電源端子ＶＤ２を用いてＤＰＳ１１９によってＤＵＴ１Ｃの電源電流が測定される。

図５及び図６に示す測定治具１０の動作例によれば、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を同時に測定することができる。また、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃに対して、ＤＰＳ１１７〜１１９を独立して接続しているため、ＤＵＴ１Ａ〜１Ｃの電源電流を独立して測定することができる。

例えば、ＤＰＳ１０１及びＤＰＳ１０２を電源ユニットとして使用し、電圧線２０１及び電圧線２０２をそれぞれ１６本に分岐すれば、１６個の被検査デバイスに電源電圧を印加することができる。そして、ＤＰＳ１１７〜１３２を電流測定ユニットとして使用することにより、１６個の被検査デバイスの電源電流を独立して測定することができる。

本実施形態によれば、電圧線２０１〜２１６を測定治具１０内で分岐させて、被検査デバイスに接続させることにより、半導体試験装置が備える電源リソースを拡張して、被検査デバイスに電源電圧を印加（供給）することができる。本実施形態によれば、半導体試験装置が備える電源リソースを拡張して、被検査デバイスに電源電圧を印加（供給）することができるため、電源リソースが少ない場合でも、複数の被検査デバイスの機能試験を実施することができる
本実施形態によれば、半導体試験装置が備える電源リソースを、被検査デバイスの電源電圧印加用と、被検査デバイスの電流測定用とに分けることが可能となる。そして、本実施形態によれば、被検査デバイスの電流測定用の電源リソースを、被検査デバイス毎に接続させることで、個々の被検査デバイスに対して電源電流を独立して測定することが可能となる。これにより、被検査デバイスに対して高品質の試験を行うことが可能となる。また、本実施形態によれば、半導体試験装置が備える電源リソースを拡張して、被検査デバイスに電源電圧を印加（供給）することができるため、複数の被検査デバイスの電源電流を同時かつ独立して測定することが可能となる。

図７は、測定治具１０をウェハ試験用パフォーマンスボード（ＰＴボード）に設置した場合の一例を示す図である。図７に示す半導体試験装置（テスタ）８００は、試験治具１０と、テストヘッド１１と、ポゴ部８０１と、ＰＴボード８０２と、フロッグリング部８０３と、プローバ８０４と、プローブカード８０５とを備える。

テストヘッド１１は、ＤＰＳ１０１〜１３２を有している。図７では、ＤＰＳ１０２〜１１６、１１８〜１３２の図示を省略している。テストヘッド１１と、ＰＴボード８０２とは、ポゴ部８０１を介して電気的に接続されている。ＰＴボード８０２に試験治具１０が設置されている。図７に示す半導体試験装置８００においては、測定治具１０は、ＰＴボード８０２の外部モジュールとして機能する。

ＰＴボード８０２と、プローブカード８０５とは、フロッグリング部８０３を介して電気的に接続されている。プローバ８０４にはプローブカード８０５が固定されている。プローバ８０４は、半導体ウェハ８０６をその内部に収容する。プローブカード８０５に取
り付けられたプローブ（試験短針）８０７が、半導体ウェハ８０６上のＤＵＴが有するボンディングパッドに接触する。ＤＵＴは、被検査デバイスであり、例えば、半導体ウェハ８０６上に形成された半導体素子や半導体チップ等の半導体装置である。

ＤＰＳ１０１に接続された電圧線２０１は、試験治具１０内で分岐して半導体ウェハ８０６上のＤＵＴの電源端子に接続される。また、ＤＰＳ１１７に接続された電流線４０１は、試験治具１０内で分岐して半導体ウェハ８０６上のＤＵＴの電源端子に接続される。なお、図７では、ＤＰＳ１０２〜１１６に接続された電圧線２０１及びＤＰＳ１１８〜１３２に接続された電流線４０１の図示を省略している。

図７では、複数の測定治具１０をＰＴボード８０２に設置しているが、本実施形態はこれに限定されず、一つの測定治具１０をＰＴボード８０２に設定してもよい。そして、図３〜図６と同様に、電圧線２０１及び電流線４０１を一つの測定治具１０内で分岐させてもよい。

図８は、測定治具１０が設置されたＰＴボード８０２の例を示す図である。図８の（Ａ）は、Square型のＰＴボード８０２に測定治具１０を設置した場合の例を示している。図８の（Ｂ）は、円盤型のＰＴボード８０２に測定治具１０を設置した場合の例を示している。

図９は、測定治具１０をウェハ試験用パフォーマンスボード（ＰＴボード）内に組み込んだ場合の一例を示す図である。図９に示す半導体試験装置（テスタ）８１０は、テストヘッド１１と、ポゴ部８０１と、ＰＴボード８１１と、フロッグリング部８０３と、プローバ８０４と、プローブカード８０５とを備える。図９に示す半導体試験装置８１０においては、ＰＴボード８１１内に測定治具１０が組み込まれている。ＰＴボード８１１として、例えば、Square型ＦＴボード又は円盤型ＦＴボードを用いてもよい。

テストヘッド１１は、ＤＰＳ１０１〜１３２を有している。図９では、ＤＰＳ１０２〜１１６、１１８〜１３２の図示を省略している。ポゴ部８０１、フロッグリング部８０３、プローバ８０４、プローブカード８０５、半導体ウェハ８０６及びプローブ８０７は、図７と同様である。

ＤＰＳ１０１に接続された電圧線２０１は、ＰＴボード８１１内で分岐して半導体ウェハ８０６上のＤＵＴの電源端子に接続される。また、ＤＰＳ１１７に接続された電流線４０１は、ＰＴボード８１１内で分岐して半導体ウェハ８０６上のＤＵＴの電源端子に接続される。なお、図９では、ＤＰＳ１０２〜１１６に接続された電圧線２０２〜２１６及びＤＰＳ１１８〜１３２に接続された電流線４０２〜４１６の図示を省略している。

図１０は、測定治具１０をプローブカード内に組み込んだ場合の一例を示す図である。図１０に示す半導体試験装置（テスタ）８２０は、テストヘッド１１と、ポゴ部８０１と、ＰＴボード８２１と、フロッグリング部８０３と、プローバ８０４と、プローブカード８２２とを備える。ＰＴボード８２１として、例えば、Square型ＦＴボード又は円盤型ＦＴボードを用いてもよい。図１０に示す半導体試験装置８２０においては、プローブカード８２２内に測定治具１０が組み込まれている。

テストヘッド１１は、ＤＰＳ１０１〜１３２を有している。図１０では、ＤＰＳ１０２〜１１６、１１８〜１３２の図示を省略している。ポゴ部８０１、フロッグリング部８０３、プローバ８０４、半導体ウェハ８０６及びプローブ８０７は、図７と同様である。プローバ８０４にプローブカード８２２が固定され、プローブカード８２２にプローバ８０７が取り付けられている。

ＤＰＳ１０１に接続された電圧線２０１は、プローブカード８２２内で分岐して半導体ウェハ８０６上のＤＵＴの電源端子に接続される。また、ＤＰＳ１１７に接続された電流線４０１は、プローブカード８２２内で分岐して半導体ウェハ８０６上のＤＵＴの電源端子に接続される。なお、図１０では、ＤＰＳ１０２〜１１６に接続された電圧線２０２〜２１６及びＤＰＳ１１８〜１３２に接続された電流線４０２〜４１６の図示を省略している。

図１１は、測定治具１０を最終試験用パフォーマンスボード（ＦＴボード）に設置した場合の一例を示す図である。図１１に示す半導体試験装置（テスタ）８３０は、試験治具１０と、テストヘッド１１と、ポゴ部８３１と、ＦＴボード８３２と、ソケット８３３とを備える。

テストヘッド１１は、ＤＰＳ１０１〜１３２を有している。図１１では、ＤＰＳ１０２〜１１６、１１８〜１３２の図示を省略している。テストヘッド１１と、ＦＴボード８３２とは、ポゴ部８３１を介して電気的に接続されている。ＦＴボード８３２には、試験治具１０及びソケット８３３が設置されている。ＦＴボード８３２として、例えば、Square型ＦＴボードを用いてもよい。図１１に示す半導体試験装置８３０においては、測定治具１０は、ＦＴボード８３２の外部モジュールとして機能する。

ソケット８３３上にＤＵＴ８４０が載置され、ソケット８３３が備えるコンタクトプローブと、ＤＵＴ８４０が有するボンディングパッドに接触する。ＤＵＴ８４０は、被検査デバイスであり、例えば、パッケージ化された半導体チップ等の半導体装置である。一つのＤＵＴ８４０をソケット８３３上に載置してもよいし、複数のＤＵＴ８４０をソケット８３３上に載置してもよい。また、ＦＴボード８３２に複数のソケット８３３を設置してもよい。

ＤＰＳ１０１に接続された電圧線２０１は、試験治具１０内で分岐し、ソケット８３３を介して、ＤＵＴ８４０の電源端子に接続される。また、ＤＰＳ１１７に接続された電流線４０１は、試験治具１０内で分岐し、ソケット８３３を介して、ＤＵＴ８４０のＤＵＴの電源端子に接続される。なお、図１１では、ＤＰＳ１０２〜１１６に接続された電圧線２０２〜２１６及びＤＰＳ１１８〜１３２に接続された電流線４０２〜４１６の図示を省略している。

図１２は、測定治具１０を最終試験用パフォーマンスボード（ＦＴボード）内に組み込んだ場合の一例を示す図である。図１２に示す半導体試験装置（テスタ）８４０は、テストヘッド１１と、ポゴ部８３１と、ソケット８３３と、ＦＴボード８４１と、を備える。

テストヘッド１１は、ＤＰＳ１０１〜１３２を有している。図１２では、ＤＰＳ１０２〜１１６、１１８〜１３２の図示を省略している。ポゴ部８３１及びソケット８３３は、図１１と同様である。テストヘッド１１と、ＦＴボード８４１とは、ポゴ部８３１を介して電気的に接続されている。図１２に示す半導体試験装置８４０においては、ＦＴボード８４１内に測定治具１０が組み込まれている。ＦＴボード８４１として、例えば、Square型ＦＴボードを用いてもよい。

ソケット８３３上にＤＵＴ８４０が載置され、ソケット８３３が備えるコンタクトプローブと、ＤＵＴ８４０が有するボンディングパッドに接触する。ＤＵＴ８４０は、被検査デバイスであり、例えば、パッケージ化された半導体チップ等の半導体装置である。一つのＤＵＴ８４０をソケット８３３上に載置してもよいし、複数のＤＵＴ８４０をソケット８３３上に載置してもよい。また、ＦＴボード８３２に複数のソケット８３３を設置して
もよい。

ＤＰＳ１０１に接続された電圧線２０１は、ＦＴボード８４１内で分岐し、ソケット８３３を介して、ＤＵＴ８４０の電源端子に接続される。また、ＤＰＳ１１７に接続された電流線４０１は、ＦＴボード８４１内で分岐し、ソケット８３３を介して、ＤＵＴ８４０のＤＵＴの電源端子に接続される。なお、図１２では、ＤＰＳ１０２〜１１６に接続された電圧線２０２〜２１６及びＤＰＳ１１８〜１３２に接続された電流線４０２〜４１６の図示を省略している。

本実施形態において、半導体試験装置が備えるテストヘッドは、電源リソースを拡張させるための特別の構造を採用する必要がない。したがって、テストヘッド１１に依存しない汎用性を有する半導体試験システムを構築することが可能となる。これにより、半導体装置、テストヘッド毎に特別の機構を開発する必要がなくなり、納期面及びコスト面においてメリットが見込まれる。

１０ 測定治具
１１ テストヘッド
２０１〜２１６ 電圧線
４０１〜４１６ 電流線
３０１Ａ〜５０３Ｂ リレー回路
１５１ 制御部
１５２ 信号部

Claims (4)

1. 複数の電源端子を有する半導体装置に電源電圧を印加する電源ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電圧線と、
   前記半導体装置の電源電流を測定する電流測定ユニットと前記半導体装置とを接続する複数の電流線と、
   前記電圧線を導通状態又は非導通状態にする第１スイッチと、
   前記電流線を導通状態又は非導通状態にする第２スイッチと、
   を備え、
   複数の前記電圧線は分岐して、複数の前記半導体装置の前記電源端子に接続され、
   複数の前記電流線は分岐して、前記半導体装置の複数の前記電源端子に接続されることを特徴とする試験装置。
2. 前記半導体装置が有する前記電源端子の一方に接続された前記電圧線に設けられた前記第１スイッチをオン状態とすることにより、オン状態の前記第１スイッチが設けられた前記電圧線を導通状態にし、前記半導体装置が有する前記電源端子の一方に接続された前記電流線に設けられた前記第２スイッチをオフ状態とすることにより、オフ状態の前記第２スイッチが設けられた前記電流線を非導通状態にして、前記半導体装置に電源電圧を印加し、
   前記半導体装置が有する前記電源端子の他方に接続された前記電圧線に設けられた前記第１スイッチをオフ状態とすることにより、オフ状態の前記第１スイッチが設けられた前記電圧線を非導通状態にし、前記半導体装置が有する前記電源端子の他方に接続された前記電流線に設けられた前記第２スイッチをオン状態とすることにより、オン状態の前記第２スイッチが設けられた前記電流線を導通状態にして、前記半導体装置の電源電流を測定する請求項１に記載の試験装置。
3. 前記第１スイッチの全部をオン状態とすることにより前記電圧線の全部を導通状態にし、前記第２スイッチの全部をオフ状態とすることにより前記電流線の全部を非導通状態にして、前記半導体装置に電源電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の試験装置。
4. 前記半導体装置に印加される電源電圧をクランプするクランプ回路を更に備える請求項１から３の何れか一項に記載の試験装置。

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