JP2012109314A - パワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。
【選択図】図１
Description
この発明は、半導体素子が搭載される回路層を備えたパワーモジュール用基板、このパワーモジュール基板を備えた冷却器付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール、及び、このパワーモジュール用基板の製造方法に関するものである。
半導体素子の中でも電力供給のためのパワー素子は発熱量が比較的高いため、これを搭載する基板としては、例えば、ＡｌＮ（窒化アルミ）からなるセラミックス基板上にＡｌ（アルミニウム）の金属板がＡｌ−Ｓｉ系のろう材を介して接合されたパワーモジュール用基板が広く用いられている。
この金属板は回路層とされ、回路層の上には、はんだ材を介してパワー素子としての半導体素子が搭載される。なお、セラミックス基板の下面にも放熱のためにＡｌ等の金属板が接合されて金属層とされ、この金属層を介して冷却器が接合されたものが提案されている。
この金属板は回路層とされ、回路層の上には、はんだ材を介してパワー素子としての半導体素子が搭載される。なお、セラミックス基板の下面にも放熱のためにＡｌ等の金属板が接合されて金属層とされ、この金属層を介して冷却器が接合されたものが提案されている。
ここで、アルミニウムからなる回路層においては、表面にアルミニウムの酸化皮膜が形成されるため、はんだ材との接合を良好に行うことができない。
そこで、従来は、例えば特許文献１に開示されているように、回路層の表面に無電解めっき等によってＮｉめっき膜を形成し、このＮｉめっき膜上にはんだ材を配設して半導体素子を接合していた。
また、特許文献２には、はんだ材を用いずにＡｇナノペーストを用いて半導体素子を接合する技術が提案されている。
そこで、従来は、例えば特許文献１に開示されているように、回路層の表面に無電解めっき等によってＮｉめっき膜を形成し、このＮｉめっき膜上にはんだ材を配設して半導体素子を接合していた。
また、特許文献２には、はんだ材を用いずにＡｇナノペーストを用いて半導体素子を接合する技術が提案されている。
ところで、特許文献１に記載されたように、回路層表面にＮｉめっき膜を形成したパワーモジュール用基板においては、半導体素子を接合するまでの過程においてＮｉめっき膜の表面が酸化等によって劣化し、はんだ材を介して接合した半導体素子との接合信頼性が低下するおそれがあった。
また、パワーモジュール用基板に冷却器をろう付けで接合する場合には、回路層表面にＮｉめっき膜を形成した後にろう付け等を行うとＮｉめっき膜が劣化してしまうため、パワーモジュール用基板と冷却器とをろう付けして冷却器付パワーモジュール用基板を形成した後に、めっき浴内にこの冷却器付パワーモジュール用基板全体を浸漬させていた。このため、回路層以外の部分にもＮｉめっき膜が形成されることになる。ここで、冷却器がアルミニウム及びアルミニウム合金で構成されていた場合には、アルミニウムからなる冷却器とＮｉめっき膜との間で電食が進行するおそれがある。このため、Ｎｉめっき工程においては、冷却器部分にＮｉめっき膜が形成されないようにマスキング処理を行う必要があった。このように、マスキング処理をした上でめっき処理をすることになるため、回路層部分にＮｉめっき膜を形成するのには多大な労力が必要であり、パワーモジュールの製造コストが大幅に増加するといった問題があった。
また、パワーモジュール用基板に冷却器をろう付けで接合する場合には、回路層表面にＮｉめっき膜を形成した後にろう付け等を行うとＮｉめっき膜が劣化してしまうため、パワーモジュール用基板と冷却器とをろう付けして冷却器付パワーモジュール用基板を形成した後に、めっき浴内にこの冷却器付パワーモジュール用基板全体を浸漬させていた。このため、回路層以外の部分にもＮｉめっき膜が形成されることになる。ここで、冷却器がアルミニウム及びアルミニウム合金で構成されていた場合には、アルミニウムからなる冷却器とＮｉめっき膜との間で電食が進行するおそれがある。このため、Ｎｉめっき工程においては、冷却器部分にＮｉめっき膜が形成されないようにマスキング処理を行う必要があった。このように、マスキング処理をした上でめっき処理をすることになるため、回路層部分にＮｉめっき膜を形成するのには多大な労力が必要であり、パワーモジュールの製造コストが大幅に増加するといった問題があった。
一方、特許文献２に開示されたように、はんだ材を使用せずにＡｇナノペーストを用いて半導体素子を接合する場合には、Ａｇナノペーストからなる層がはんだ材に比べて厚みが薄く形成されるため、熱サイクル負荷時の応力が半導体素子に作用しやすくなり、半導体素子自体が破損してしまうおそれがあった。
また、前述のように、アルミニウムからなる回路層においては、表面にアルミニウムの酸化皮膜が形成されており、特許文献２に記載されたＡｇナノペーストのみを用いて半導体素子を接合することはできず、やはり、アルミニウム表面にＡｇやＮｉからなる介在層を形成する必要があった（特許文献２段落番号００１４参照）。
また、前述のように、アルミニウムからなる回路層においては、表面にアルミニウムの酸化皮膜が形成されており、特許文献２に記載されたＡｇナノペーストのみを用いて半導体素子を接合することはできず、やはり、アルミニウム表面にＡｇやＮｉからなる介在層を形成する必要があった（特許文献２段落番号００１４参照）。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供することを目的とする。
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明のパワーモジュール用基板は、絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板であって、前記回路層の一方の面には、無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層が形成されていることを特徴としている。
この構成のパワーモジュール用基板によれば、回路層の一方の面に、無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層が形成されているので、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層の表面に形成されている酸化皮膜を除去することができ、Ａｇ焼成層を介してアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層上にはんだ材を介して半導体素子を接合することが可能となる。つまり、Ｎｉめっき膜の代替としてＡｇ焼成層を形成しており、このＡｇ焼成層がはんだ下地層とされているのである。よって、パワーモジュール用基板をめっき液等に浸漬する必要がなく、マスキング処理等の面倒な作業を削減することができる。 また、半導体素子の接合にはんだ材を用いていることから、はんだ材の厚みを厚く形成することが可能となり、熱サイクル負荷時の応力が半導体素子に作用することを抑制でき、半導体素子自体の破損を防止することができる。
ここで、前記Ａｇ焼成層は、前記回路層上に形成された無鉛ガラス層と、この無鉛ガラス層の上に形成されたＡｇ層と、を備えていることが好ましい。
この場合、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層の表面に形成されているアルミニウムの酸化皮膜を無鉛ガラス層に反応させて除去することができ、回路層と半導体素子とをはんだ材を介して確実に接合することができる。
この場合、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層の表面に形成されているアルミニウムの酸化皮膜を無鉛ガラス層に反応させて除去することができ、回路層と半導体素子とをはんだ材を介して確実に接合することができる。
また、前記Ａｇ焼成層は、その厚さ方向における電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下に設定されていることが好ましい。
前記Ａｇ焼成層の厚さ方向における電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下とされているので、Ａｇ焼成層及びはんだ材を介して半導体素子と回路層との間で電気を確実に導通することが可能となり、信頼性の高いパワーモジュールを構成することができる。さらに、半導体素子と回路層との間の電気の導通を確保するためには、前記Ａｇ焼成層の厚さ方向における電気抵抗値Ｐを０．２Ω以下とすることが好ましい。
なお、本発明においては、Ａｇ焼成層の厚さ方向における電気抵抗値Ｐは、Ａｇ焼成層の上面と回路層の上面との間の電気抵抗としている。これは、回路層を構成するアルミニウムの電気抵抗がＡｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗に比べて非常に小さいためである。なお、この電気抵抗値Ｐの測定は、Ａｇ焼成層の上面中央点と、Ａｇ焼成層の上面中央点からＡｇ焼成層端部までの距離Ｈとした場合にＡｇ焼成層端部からＨだけ離れた回路層上の点と、の間で行うこととした。
前記Ａｇ焼成層の厚さ方向における電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下とされているので、Ａｇ焼成層及びはんだ材を介して半導体素子と回路層との間で電気を確実に導通することが可能となり、信頼性の高いパワーモジュールを構成することができる。さらに、半導体素子と回路層との間の電気の導通を確保するためには、前記Ａｇ焼成層の厚さ方向における電気抵抗値Ｐを０．２Ω以下とすることが好ましい。
なお、本発明においては、Ａｇ焼成層の厚さ方向における電気抵抗値Ｐは、Ａｇ焼成層の上面と回路層の上面との間の電気抵抗としている。これは、回路層を構成するアルミニウムの電気抵抗がＡｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗に比べて非常に小さいためである。なお、この電気抵抗値Ｐの測定は、Ａｇ焼成層の上面中央点と、Ａｇ焼成層の上面中央点からＡｇ焼成層端部までの距離Ｈとした場合にＡｇ焼成層端部からＨだけ離れた回路層上の点と、の間で行うこととした。
また、前記無鉛ガラスのガラス組成が、Ｂｉ２Ｏ３：６８質量％以上９３質量％以下、ＺｎＯ：１質量％以上２０質量％以下、Ｂ２Ｏ３：１質量％以上１１質量％以下、ＳｉＯ２：５質量％以下、Ａｌ２Ｏ３：５質量％以下、Ｆｅ２Ｏ３：５質量％以下、ＣｕＯ：５質量％以下、ＣｅＯ２：５質量％以下、ＺｒＯ２：５質量％以下、アルカリ金属酸化物：２質量％以下、アルカリ土類金属酸化物：７質量％以下、とされていることが好ましい。
これらの酸化物を含有した無鉛ガラスは、その軟化温度が比較的低くなり、低温でＡｇペーストを焼成することが可能となり、Ａｇペーストの焼成時の熱によってアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が劣化することを防止できる。
ここで、アルカリ金属酸化物の含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ金属の酸化物の合計量とする。
また、アルカリ土類金属酸化物の含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属の酸化物の合計量とする。
これらの酸化物を含有した無鉛ガラスは、その軟化温度が比較的低くなり、低温でＡｇペーストを焼成することが可能となり、Ａｇペーストの焼成時の熱によってアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が劣化することを防止できる。
ここで、アルカリ金属酸化物の含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ金属の酸化物の合計量とする。
また、アルカリ土類金属酸化物の含有量は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属の酸化物の合計量とする。
さらに、前記絶縁層が、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３から選択されるセラミックス基板であることが好ましい。
ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３から選択されるセラミックス基板は、絶縁性及び強度に優れており、パワーモジュール用基板の信頼性の向上を図ることができる。また、このセラミックス基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板をろう付けすることによって、容易に回路層を形成することが可能となる。
ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３から選択されるセラミックス基板は、絶縁性及び強度に優れており、パワーモジュール用基板の信頼性の向上を図ることができる。また、このセラミックス基板上にアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板をろう付けすることによって、容易に回路層を形成することが可能となる。
本発明に係る冷却器付パワーモジュール用基板は、前述のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記絶縁層の他方の面側に配設された冷却器と、を備えていることを特徴としている。
この構成の冷却器付パワーモジュール用基板によれば、回路層上に前述のＡｇ焼成層が形成されているので、はんだ材を介して半導体素子を接合することができる。
なお、冷却器は、絶縁層の他方の面に直接接合する必要はなく、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層やアルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材（例えばＡｌＳｉＣ等）からなる緩衝層を介して、絶縁層の他方の面側に接合されていればよい。
この構成の冷却器付パワーモジュール用基板によれば、回路層上に前述のＡｇ焼成層が形成されているので、はんだ材を介して半導体素子を接合することができる。
なお、冷却器は、絶縁層の他方の面に直接接合する必要はなく、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層やアルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材（例えばＡｌＳｉＣ等）からなる緩衝層を介して、絶縁層の他方の面側に接合されていればよい。
本発明に係るパワーモジュールは、前述のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記回路層の一方の面側に配設された半導体素子と、を備え、前記半導体素子は、はんだ層を介して接合されていることを特徴としている。
この構成のパワーモジュールにおいては、はんだ材を介して半導体素子が接合されていることから、熱サイクル負荷時の応力がはんだ材によって緩和され、半導体素子の破損を抑制することができる。よって、熱サイクル信頼性を大幅に向上させることができる。また、Ｎｉめっき膜を形成する必要がないため、生産コストの大幅な削減を図ることができる。
この構成のパワーモジュールにおいては、はんだ材を介して半導体素子が接合されていることから、熱サイクル負荷時の応力がはんだ材によって緩和され、半導体素子の破損を抑制することができる。よって、熱サイクル信頼性を大幅に向上させることができる。また、Ｎｉめっき膜を形成する必要がないため、生産コストの大幅な削減を図ることができる。
本発明に係るパワーモジュール用基板の製造方法は、絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板の製造方法であって、前記回路層の一方の面にＺｎＯ含有の無鉛ガラス粉末を含有するＡｇペーストを塗布する塗布工程と、Ａｇペーストを塗布した状態で加熱処理して前記Ａｇペーストを焼成する焼成工程と、を備え、前記回路層の一方の面に、無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層を形成することを特徴としている。
この構成のパワーモジュール用基板の製造方法によれば、ＺｎＯ含有の無鉛ガラス粉末を含有するＡｇペーストを塗布する塗布工程と、Ａｇペーストを塗布した状態で加熱処理して前記Ａｇペーストを焼成する焼成工程と、を備えているので、回路層の一方の面にＡｇ焼成層を形成することができる。また、ＺｎＯ含有の無鉛ガラス粉末を含有するＡｇペーストを使用しているので、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層の表面に形成されている酸化皮膜を除去することが可能となり、回路層上にＡｇ焼成層を確実に形成することができる。
ここで、前記焼成工程における焼成温度が、３５０℃以上６４５℃以下であることが好ましい。
焼成工程における焼成温度が３５０℃以上とされているので、Ａｇペーストを焼成してＡｇ焼成層を確実に形成することができる。また、焼成温度が６４５℃以下とされているので、焼成工程におけるアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層の劣化を防止することができる。
焼成工程における焼成温度が３５０℃以上とされているので、Ａｇペーストを焼成してＡｇ焼成層を確実に形成することができる。また、焼成温度が６４５℃以下とされているので、焼成工程におけるアルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層の劣化を防止することができる。
本発明によれば、回路層上に形成した無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層に半導体素子を、容易に、かつ、確実にはんだ接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供することができる。
以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。図１に本発明の実施形態であるパワーモジュールを示す。
このパワーモジュール１は、回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の表面にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３と、冷却器４０とを備えている。
このパワーモジュール１は、回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０と、回路層１２の表面にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３と、冷却器４０とを備えている。
パワーモジュール用基板１０は、絶縁層を構成するセラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層１２と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層１３とを備えている。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミ）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
セラミックス基板１１は、回路層１２と金属層１３との間の電気的接続を防止するものであって、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミ）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６３５ｍｍに設定されている。
回路層１２は、セラミックス基板１１の一方の面に、導電性を有する金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層１２は、純度が９９．９９％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）の圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板１１に接合されることにより形成されている。
金属層１３は、セラミックス基板１１の他方の面に、金属板が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、金属層１３は、回路層１２と同様に、純度が９９．９９％以上のアルミニウム（いわゆる４Ｎアルミニウム）の圧延板からなるアルミニウム板がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。
冷却器４０は、前述のパワーモジュール用基板１０を冷却するためのものであり、パワーモジュール用基板１０と接合される天板部４１と、この天板部４１から下方に向けて垂設された放熱フィン４２と、冷却媒体（例えば冷却水）を流通するための流路４３とを備えている。冷却器４０（天板部４１）は、熱伝導性が良好な材質で構成されることが望ましく、本実施形態においては、Ａ６０６３（アルミニウム合金）で構成されている。
また、本実施形態においては、冷却器４０の天板部４１と金属層１３との間には、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材（例えばＡｌＳｉＣ等）からなる緩衝層１５が設けられている。
そして、図１に示すパワーモジュール１においては、回路層１２の表面（図１において上面）に、後述するＡｇペーストを焼成して形成されたＡｇ焼成層３０が形成されており、このＡｇ焼成層３０の表面に、はんだ層２を介して半導体チップ３が接合されている。ここで、はんだ層２を形成するはんだ材としては、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系が挙げられる。
なお、Ａｇ焼成層３０は、図１に示すように、回路層１２の表面全体には形成されておらず、半導体チップ３が配設される部分にのみ選択的に形成されている。
なお、Ａｇ焼成層３０は、図１に示すように、回路層１２の表面全体には形成されておらず、半導体チップ３が配設される部分にのみ選択的に形成されている。
図２及び図３に、はんだ層２を介して半導体チップ３を接合する前のパワーモジュール用基板１０を示す。
このパワーモジュール用基板１０においては、回路層１２の表面（図２及び図３において上面）に、前述のＡｇ焼成層３０が形成されている。このＡｇ焼成層３０は、はんだ層２を介して半導体チップ３を接合する前の状態では、図３に示すように、回路層１２側に形成された無鉛ガラス層３１と、この無鉛ガラス層３１上に形成されたＡｇ層３２と、を備えている。そして、この無鉛ガラス層３１内部には、粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子３３が分散されている。この導電性粒子３３は、Ａｇ又はＡｌの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされている。なお、無鉛ガラス層３１内の導電性粒子３３は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いることで観察されるものである。
このパワーモジュール用基板１０においては、回路層１２の表面（図２及び図３において上面）に、前述のＡｇ焼成層３０が形成されている。このＡｇ焼成層３０は、はんだ層２を介して半導体チップ３を接合する前の状態では、図３に示すように、回路層１２側に形成された無鉛ガラス層３１と、この無鉛ガラス層３１上に形成されたＡｇ層３２と、を備えている。そして、この無鉛ガラス層３１内部には、粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子３３が分散されている。この導電性粒子３３は、Ａｇ又はＡｌの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされている。なお、無鉛ガラス層３１内の導電性粒子３３は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いることで観察されるものである。
さらに、このＡｇ焼成層３０の厚さ方向の電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下に設定されている。ここで、本実施形態においては、Ａｇ焼成層３０の厚さ方向における電気抵抗値Ｐは、Ａｇ焼成層３０の上面と回路層１２の上面との間の電気抵抗値としている。これは、回路層１２を構成する４Ｎアルミニウムの電気抵抗がＡｇ焼成層３０の厚さ方向の電気抵抗に比べて非常に小さいためである。なお、この電気抵抗の測定の際には、図４及び図５に示すように、Ａｇ焼成層３０の上面中央点と、Ａｇ焼成層３０の上面中央点からＡｇ焼成層３０端部までの距離Ｈに対してＡｇ焼成層３０端部からＨだけ離れた回路層１２上の点と、の間の電気抵抗を測定することとしている。
また、本実施形態では、回路層１２が純度９９．９９％のアルミニウムで構成されていることから、回路層１２の表面（図３において上面）には、大気中で自然発生したアルミニウム酸化皮膜１２Ａが形成されているが、前述のＡｇ焼成層３０が形成された部分においては、このアルミニウム酸化皮膜１２Ａが除去されており、回路層１２上に直接、Ａｇ焼成層３０が形成されている。つまり、回路層１２を構成するアルミニウムと無鉛ガラス層３１とが直接接合されているのである。
ここで、回路層１２上に自然発生するアルミニウム酸化皮膜１２Ａの厚さｔｏが、４ｎｍ≦ｔｏ≦６ｎｍとされている。また、本実施形態においては、無鉛ガラス層３１の厚さｔｇが０．０１μｍ≦ｔｇ≦５μｍ、Ａｇ層３２の厚さｔａが１μｍ≦ｔａ≦１００μｍ、Ａｇ焼成層３０全体の厚さｔｇ＋ｔａが１．０１μｍ≦ｔｇ＋ｔａ≦１０５μｍとなるように構成されている。
次に、Ａｇ焼成層３０を構成するＡｇペーストについて説明する。
このＡｇペーストは、Ａｇ粉末と、ＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、分散剤と、を含有しており、Ａｇ粉末と無鉛ガラス粉末とからなる粉末成分の含有量が、Ａｇペースト全体の６０質量％以上９０質量％以下とされており、残部が樹脂、溶剤、分散剤とされている。なお、本実施形態では、Ａｇ粉末と無鉛ガラス粉末とからなる粉末成分の含有量は、Ａｇペースト全体の８５質量％とされている。
また、このＡｇペーストは、その粘度が１０Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下に調整されている。
このＡｇペーストは、Ａｇ粉末と、ＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末と、樹脂と、溶剤と、分散剤と、を含有しており、Ａｇ粉末と無鉛ガラス粉末とからなる粉末成分の含有量が、Ａｇペースト全体の６０質量％以上９０質量％以下とされており、残部が樹脂、溶剤、分散剤とされている。なお、本実施形態では、Ａｇ粉末と無鉛ガラス粉末とからなる粉末成分の含有量は、Ａｇペースト全体の８５質量％とされている。
また、このＡｇペーストは、その粘度が１０Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下に調整されている。
Ａｇ粉末は、その粒径が０．０５μｍ以上１．０μｍ以下とされており、本実施形態では、平均粒径０．８μｍのものを使用した。
無鉛ガラス粉末は、主成分としてＢｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を含むものとされており、そのガラス転移温度が３００℃以上４５０℃以下、軟化温度が６００℃以下、結晶化温度が４５０℃以上とされている。また、Ａｇ粉末の重量Ａと無鉛ガラス粉末の重量Ｇとの重量比Ａ／Ｇは、８０／２０から９９／１の範囲内に調整されており、本実施形態では、Ａ／Ｇ＝８０／５とした。
無鉛ガラス粉末は、主成分としてＢｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を含むものとされており、そのガラス転移温度が３００℃以上４５０℃以下、軟化温度が６００℃以下、結晶化温度が４５０℃以上とされている。また、Ａｇ粉末の重量Ａと無鉛ガラス粉末の重量Ｇとの重量比Ａ／Ｇは、８０／２０から９９／１の範囲内に調整されており、本実施形態では、Ａ／Ｇ＝８０／５とした。
溶剤は、沸点が２００℃以上のものが適しており、本実施形態では、ジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いている。
樹脂は、Ａｇペーストの粘度を調整するものであり、５００℃以上で分解されるものが適している。本実施形態では、エチルセルロースを用いている。
また、本実施形態では、ジカルボン酸系の分散剤を添加している。なお、分散剤を添加することなくＡｇペーストを構成してもよい。
樹脂は、Ａｇペーストの粘度を調整するものであり、５００℃以上で分解されるものが適している。本実施形態では、エチルセルロースを用いている。
また、本実施形態では、ジカルボン酸系の分散剤を添加している。なお、分散剤を添加することなくＡｇペーストを構成してもよい。
ここで、本実施形態において用いられる無鉛ガラス粉末について詳細に説明する。本実施形態における無鉛ガラス粉末のガラス組成は、
Ｂｉ２Ｏ３：６８質量％以上９３質量％以下、
ＺｎＯ：１質量％以上２０質量％以下、
Ｂ２Ｏ３：１質量％以上１１質量％以下、
ＳｉＯ２：５質量％以下、
Ａｌ２Ｏ３：５質量％以下、
Ｆｅ２Ｏ３：５質量％以下、
ＣｕＯ：５質量％以下、
ＣｅＯ２：５質量％以下、
ＺｒＯ２：５質量％以下、
アルカリ金属酸化物：２質量％以下、
アルカリ土類金属酸化物：７質量％以下、
とされている。
Ｂｉ２Ｏ３：６８質量％以上９３質量％以下、
ＺｎＯ：１質量％以上２０質量％以下、
Ｂ２Ｏ３：１質量％以上１１質量％以下、
ＳｉＯ２：５質量％以下、
Ａｌ２Ｏ３：５質量％以下、
Ｆｅ２Ｏ３：５質量％以下、
ＣｕＯ：５質量％以下、
ＣｅＯ２：５質量％以下、
ＺｒＯ２：５質量％以下、
アルカリ金属酸化物：２質量％以下、
アルカリ土類金属酸化物：７質量％以下、
とされている。
すなわち、Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｂ２Ｏ３を必須成分とし、これに、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属酸化物が、必要に応じて適宜添加されたものである。ここで、これらの酸化物を上述の範囲内とした理由を以下に示す。
（Ｂｉ２Ｏ３）
Ｂｉ２Ｏ３は、無鉛ガラス粉末の主原料となるものであり、融点を低くするために必須の成分である。Ｂｉ２Ｏ３の含有量が６８質量％未満であると、軟化温度が高くなってしまう。一方、Ｂｉ２Ｏ３の含有量が９３質量％を超えると、結晶化温度が低くなってしまう。このため、Ｂｉ２Ｏ３の含有量を６８質量％以上９３質量％以下とした。
Ｂｉ２Ｏ３は、無鉛ガラス粉末の主原料となるものであり、融点を低くするために必須の成分である。Ｂｉ２Ｏ３の含有量が６８質量％未満であると、軟化温度が高くなってしまう。一方、Ｂｉ２Ｏ３の含有量が９３質量％を超えると、結晶化温度が低くなってしまう。このため、Ｂｉ２Ｏ３の含有量を６８質量％以上９３質量％以下とした。
（ＺｎＯ）
ＺｎＯは、Ｂｉ２Ｏ３を含有する無鉛ガラスの結晶化を抑制する効果を有する。ＺｎＯの含有量が１質量％未満であると、結晶化抑制の効果を十分に奏功せしめることができない。一方、ＺｎＯの含有量が２０質量％を超えると、軟化温度が高くなってしまう。このため、ＺｎＯの含有量を１質量％以上２０質量％以下とした。
ＺｎＯは、Ｂｉ２Ｏ３を含有する無鉛ガラスの結晶化を抑制する効果を有する。ＺｎＯの含有量が１質量％未満であると、結晶化抑制の効果を十分に奏功せしめることができない。一方、ＺｎＯの含有量が２０質量％を超えると、軟化温度が高くなってしまう。このため、ＺｎＯの含有量を１質量％以上２０質量％以下とした。
（Ｂ２Ｏ３）
Ｂ２Ｏ３は、ガラス化のために必須の成分である。Ｂ２Ｏ３の含有量が１質量％未満であると、ガラス化が不十分となり、容易に結晶化してしまう。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が１１質量％を超えると、軟化温度が高くなってしまう。このため、Ｂ２Ｏ３の含有量を１質量％以上１１質量％以下とした。
Ｂ２Ｏ３は、ガラス化のために必須の成分である。Ｂ２Ｏ３の含有量が１質量％未満であると、ガラス化が不十分となり、容易に結晶化してしまう。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が１１質量％を超えると、軟化温度が高くなってしまう。このため、Ｂ２Ｏ３の含有量を１質量％以上１１質量％以下とした。
（ＳｉＯ２）
ＳｉＯ２は、ガラスの化学的耐久性や結晶化を抑制する効果を有する。ＳｉＯ２の含有量が５質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、低温での焼成を行うことができなくなる。このため、ＳｉＯ２の含有量は５質量％以下とした。
ＳｉＯ２は、ガラスの化学的耐久性や結晶化を抑制する効果を有する。ＳｉＯ２の含有量が５質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、低温での焼成を行うことができなくなる。このため、ＳｉＯ２の含有量は５質量％以下とした。
（Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２）
Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２は、ガラスの化学的耐久性や結晶化を抑制する効果を有する。Ａｌ２Ｏ３の含有量、あるいは、ＺｒＯ２の含有量が５質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、ガラス化が困難となる。このため、Ａｌ２Ｏ３の含有量、ＺｒＯ２の含有量をそれぞれ５質量％以下とした。
Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２は、ガラスの化学的耐久性や結晶化を抑制する効果を有する。Ａｌ２Ｏ３の含有量、あるいは、ＺｒＯ２の含有量が５質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、ガラス化が困難となる。このため、Ａｌ２Ｏ３の含有量、ＺｒＯ２の含有量をそれぞれ５質量％以下とした。
（Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＣｅＯ２）
Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＣｅＯ２は、Ｂｉ２Ｏ３を含有する無鉛ガラスの結晶化を抑制する効果を有する。Ｆｅ２Ｏ３の含有量、ＣｕＯの含有量、ＣｅＯ２の含有量がそれぞれ５質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、ガラス化が困難となる。このため、Ｆｅ２Ｏ３の含有量、ＣｕＯの含有量、ＣｅＯ２の含有量をそれぞれ５質量％以下とした。
Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＣｅＯ２は、Ｂｉ２Ｏ３を含有する無鉛ガラスの結晶化を抑制する効果を有する。Ｆｅ２Ｏ３の含有量、ＣｕＯの含有量、ＣｅＯ２の含有量がそれぞれ５質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、ガラス化が困難となる。このため、Ｆｅ２Ｏ３の含有量、ＣｕＯの含有量、ＣｅＯ２の含有量をそれぞれ５質量％以下とした。
（アルカリ金属酸化物）
アルカリ金属酸化物は、原料由来成分として含有されるものである。アルカリ金属酸化物の含有量の合計が２質量％を超えると、結晶化しやすくなり、ガラス化が困難となる。このため、アルカリ金属酸化物の含有量の合計を２質量％以下とした。
アルカリ金属酸化物は、原料由来成分として含有されるものである。アルカリ金属酸化物の含有量の合計が２質量％を超えると、結晶化しやすくなり、ガラス化が困難となる。このため、アルカリ金属酸化物の含有量の合計を２質量％以下とした。
（アルカリ土類金属酸化物）
アルカリ土類金属酸化物は、ガラスの物性を微調整するために含有されるものである。アルカリ土類金属酸化物の含有量の合計が７質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、ガラス化が困難となる。このため、アルカリ土類金属酸化物の含有量の合計を７質量％以下とした。
アルカリ土類金属酸化物は、ガラスの物性を微調整するために含有されるものである。アルカリ土類金属酸化物の含有量の合計が７質量％を超えると、ガラス転移温度が高くなり、ガラス化が困難となる。このため、アルカリ土類金属酸化物の含有量の合計を７質量％以下とした。
このようなＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末は、次のようにして製造される。原料として、上述の各種酸化物、炭酸塩もしくはアンモニウム塩を用いる。この原料を、白金坩堝、アルミナ坩堝または石英坩堝等に装入して、溶解炉にて溶融する。溶融条件に特に制限はないが、原料が全て液相で均一に混合されるように、９００℃以上１３００℃以下、３０分以上１２０分以下の範囲内とすることが好ましい。
得られた溶融物を、カーボン、スチール、銅板、双ロール、水等に投下して急冷することにより、均一なガラス塊を製出する。
このガラス塊を、ボールミル、ジェットミル等で粉砕し、粗大粒子を分級することにより、無鉛ガラス粉末が得られる。ここで、本実施形態では、無鉛ガラス粉末の中心粒径ｄ５０を０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内としている。
得られた溶融物を、カーボン、スチール、銅板、双ロール、水等に投下して急冷することにより、均一なガラス塊を製出する。
このガラス塊を、ボールミル、ジェットミル等で粉砕し、粗大粒子を分級することにより、無鉛ガラス粉末が得られる。ここで、本実施形態では、無鉛ガラス粉末の中心粒径ｄ５０を０．１μｍ以上５．０μｍ以下の範囲内としている。
次に、Ａｇペーストの製造方法について、図６に示すフロー図を参照して説明する。まず、前述したＡｇ粉末と無鉛ガラス粉末とを混合して混合粉末を生成する（混合粉末形成工程Ｓ１）。また、溶剤と樹脂とを混合して有機混合物を生成する（有機物混合工程Ｓ２）。
そして、混合粉末と有機混合物と分散剤とをミキサーによって予備混合する（予備混合工程Ｓ３）。次に、予備混合物をロールミル機を用いて練り込みながら混合する（混錬工程Ｓ４）。得られた混錬をペーストろ過機によってろ過する（ろ過工程Ｓ５）。このようにして、前述のＡｇペーストが製出されることになる。
そして、混合粉末と有機混合物と分散剤とをミキサーによって予備混合する（予備混合工程Ｓ３）。次に、予備混合物をロールミル機を用いて練り込みながら混合する（混錬工程Ｓ４）。得られた混錬をペーストろ過機によってろ過する（ろ過工程Ｓ５）。このようにして、前述のＡｇペーストが製出されることになる。
次に、本実施形態であるパワーモジュール１の製造方法について、図７に示すフロー図を参照して説明する。
まず、回路層１２となるアルミニウム板及び金属層１３となるアルミニウム板を準備し、これらのアルミニウム板を、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材を介して積層し、加圧・加熱後冷却することによって、前記アルミニウム板とセラミックス基板１１とを接合する（回路層接合工程Ｓ１１）。なお、このろう付けの温度は、６４０℃〜６５０℃に設定されている。
まず、回路層１２となるアルミニウム板及び金属層１３となるアルミニウム板を準備し、これらのアルミニウム板を、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面にそれぞれろう材を介して積層し、加圧・加熱後冷却することによって、前記アルミニウム板とセラミックス基板１１とを接合する（回路層接合工程Ｓ１１）。なお、このろう付けの温度は、６４０℃〜６５０℃に設定されている。
次に、金属層１３の他方の面側に、緩衝層１５を介して冷却器４０（天板部４１）をろう材を介して接合する（冷却器接合工程Ｓ１２）。なお、冷却器４０のろう付けの温度は、５９０℃〜６１０℃に設定されている。
そして、回路層１２の表面に、前述のＡｇペーストを塗布する（Ａｇペースト塗布工程Ｓ１３）。なお、Ａｇペーストを塗布する際には、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、感光性プロセス等の種々の手段を採用することができる。本実施形態では、スクリーン印刷法によってＡｇペーストをパターン状に形成した。
回路層１２表面にＡｇペーストを塗布した状態で、加熱炉内に装入してＡｇペーストの焼成を行う（焼成工程Ｓ１４）。なお、このときの焼成温度は、３５０℃〜６４５℃に設定されている。
この焼成工程Ｓ１４により、無鉛ガラス層３１とＡｇ層３２とを備えたＡｇ焼成層３０が形成される。このとき、無鉛ガラス層３１によって、回路層１２の表面に自然発生していたアルミニウム酸化皮膜１２Ａが溶融除去されることになり、回路層１２に直接無鉛ガラス層３１が形成される。また、無鉛ガラス層３１の内部に、粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子３３が分散されることになる。この導電性粒子３３は、Ａｇ又はＡｌの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされており、焼成の際に無鉛ガラス層３１内部に析出したものと推測される。
この焼成工程Ｓ１４により、無鉛ガラス層３１とＡｇ層３２とを備えたＡｇ焼成層３０が形成される。このとき、無鉛ガラス層３１によって、回路層１２の表面に自然発生していたアルミニウム酸化皮膜１２Ａが溶融除去されることになり、回路層１２に直接無鉛ガラス層３１が形成される。また、無鉛ガラス層３１の内部に、粒径が数ナノメートル程度の微細な導電性粒子３３が分散されることになる。この導電性粒子３３は、Ａｇ又はＡｌの少なくとも一方を含有する結晶性粒子とされており、焼成の際に無鉛ガラス層３１内部に析出したものと推測される。
こうして、回路層１２の表面にＡｇ焼成層３０が形成されたパワーモジュール用基板１０及び冷却器付パワーモジュール用基板が製出される。
そして、Ａｇ焼成層３０の表面に、はんだ材を介して半導体チップ３を載置し、還元炉内においてはんだ接合する（はんだ接合工程Ｓ１５）。このとき、はんだ材によって形成されるはんだ層２には、Ａｇ焼成層３０のＡｇ層３２の一部又は全部が溶融することになる。
これにより、はんだ層２を介して半導体チップ３が回路層１２上に接合されたパワーモジュール１が製出される。
これにより、はんだ層２を介して半導体チップ３が回路層１２上に接合されたパワーモジュール１が製出される。
以上のような構成とされた本実施形態であるパワーモジュール用基板１０及びパワーモジュール１においては、純度９９．９９％以上のアルミニウム板をセラミックス基板１１にろう付けして構成された回路層１２の表面に、無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されているので、このＡｇ焼成層３０上にはんだ層２を形成して半導体チップ３を接合することができる。つまり、従来のようにＮｉめっき膜を形成する必要がなく、比較的簡単に、かつ、確実に回路層１２上に半導体チップ３を接合することが可能となるのである。よって、Ｎｉめっき膜を形成した場合に生じる不具合が無くなり、パワーモジュール１を良好に製出することができる。
ここで、Ａｇ焼成層３０が、図３に示すように、無鉛ガラス層３１と、この無鉛ガラス層３１の上に形成されたＡｇ層３２と、を備えているので、回路層１２の表面に自然発生したアルミニウム酸化皮膜１２Ａを無鉛ガラス層３１中に溶融させて除去することができ、回路層１２表面に直接無鉛ガラス層３１（Ａｇ焼成層３０）を形成することができる。
そして、この無鉛ガラス層３１内部には、粒径が数ナノメートル程度とされた微細な導電性粒子３３が分散されているので、無鉛ガラス層３１においても導電性を確保することができる。具体的には、本実施形態では、無鉛ガラス層３１を含めたＡｇ焼成層３０の厚さ方向の電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下に設定されているのである。
したがって、Ａｇ焼成層３０及びはんだ層２を介して半導体チップ３と回路層１２との間で電気を確実に導通することが可能となり、信頼性の高いパワーモジュール１を構成することができる。
そして、この無鉛ガラス層３１内部には、粒径が数ナノメートル程度とされた微細な導電性粒子３３が分散されているので、無鉛ガラス層３１においても導電性を確保することができる。具体的には、本実施形態では、無鉛ガラス層３１を含めたＡｇ焼成層３０の厚さ方向の電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下に設定されているのである。
したがって、Ａｇ焼成層３０及びはんだ層２を介して半導体チップ３と回路層１２との間で電気を確実に導通することが可能となり、信頼性の高いパワーモジュール１を構成することができる。
また、Ａｇ焼成層３０を構成するＡｇペーストが、Ａｇ粉末と、ＺｎＯを含有する無鉛ガラス粉末と、を含有しており、無鉛ガラス粉末の軟化温度が６００℃以下に設定されているので、比較的低温でＡｇペーストを焼成することが可能となる。具体的には、焼成温度を３５０℃以上６４５℃以下に設定することができる。よって、Ａｇペーストの焼成に伴う回路層１２の劣化や回路層１２とセラミックス基板１１との接合強度の低下等のトラブルを未然に防止することができ、高品質のパワーモジュール用基板１０及びパワーモジュール１を製出することが可能となる。
さらに、Ａｇペーストの粘度が１０Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上３００Ｐａ・ｓ以下に調整されているので、回路層１２表面にＡｇペーストを塗布するＡｇペースト塗布工程Ｓ１３において、スクリーン印刷法等を適用することが可能なり、Ａｇ焼成層３０を半導体チップ３が配設される部分のみに選択的に形成することができる。よって、Ａｇペーストの使用量を削減することが可能となり、このパワーモジュール用基板１０及びパワーモジュール１の製造コストを大幅に削減することができる。
また、本実施形態においては、絶縁層として絶縁性及び強度に優れたＡｌＮ（窒化アルミ）からなるセラミックス基板１１を用いているので、パワーモジュール用基板１０の信頼性の向上を図ることができる。また、このセラミックス基板１１上にアルミニウム板をろう付けすることによって、容易に回路層１２を形成することができる。
さらに、本実施形態では、セラミックス基板１１の他方側（図１において下側）に、金属層１３および緩衝層１５を介して冷却器４０が配設されているので、半導体チップ３からの発熱によってパワーモジュール１が高温となることを防止することができる。
さらに、本実施形態では、セラミックス基板１１の他方側（図１において下側）に、金属層１３および緩衝層１５を介して冷却器４０が配設されているので、半導体チップ３からの発熱によってパワーモジュール１が高温となることを防止することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、回路層及び金属層を構成する金属板を純度９９．９９％の純アルミニウムの圧延板としたものとして説明したが、これに限定されることはなく、純度９９％のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）であってもよく、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていればよい。
例えば、回路層及び金属層を構成する金属板を純度９９．９９％の純アルミニウムの圧延板としたものとして説明したが、これに限定されることはなく、純度９９％のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）であってもよく、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されていればよい。
また、Ａｇペーストの原料、配合量については、実施形態に記載されたものに限定されることはなく、他の無鉛ガラス粉末、樹脂、溶剤、分散剤を用いてもよい。軟化温度がアルミ二ウムの融点以下、より好ましくは６００℃以下とされていればよい。
また、樹脂としては、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を用いてもよい。さらに、溶剤としては、α―テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート等を用いても良い。
また、樹脂としては、アクリル樹脂、アルキッド樹脂等を用いてもよい。さらに、溶剤としては、α―テルピネオール、ブチルカルビトールアセテート等を用いても良い。
また、形成されるＡｇ焼成層における無鉛ガラス層とＡｇ層の厚さ比は、図３に例示したものに限定されることはない。
さらに、絶縁層としてＡｌＮからなるセラミックス基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Ｓｉ３Ｎ４やＡｌ２Ｏ３等からなるセラミックス基板を用いても良いし、絶縁樹脂によって絶縁層を構成してもよい。
さらに、絶縁層としてＡｌＮからなるセラミックス基板を用いたものとして説明したが、これに限定されることはなく、Ｓｉ３Ｎ４やＡｌ２Ｏ３等からなるセラミックス基板を用いても良いし、絶縁樹脂によって絶縁層を構成してもよい。
また、回路層となるアルミニウム板をセラミックス基板にろう付けするとともに、冷却器をろう付けした後に、回路層上にＡｇ焼成層を形成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、アルミニウム板をセラミックス基板にろう付けする前や、冷却器をろう付けする前に、Ａｇ焼成層を形成してもよい。
また、冷却器の天板部と金属層との間に、アルミニウム又はアルミニウム合金若しくはアルミニウムを含む複合材（例えばＡｌＳｉＣ等）からなる緩衝層を設けたものとして説明したが、この緩衝層がなくてもよい。
さらに、冷却器の天板部をアルミニウムで構成したものとして説明したが、アルミニウム合金、又はアルミニウムを含む複合材等で構成されていてもよい。さらに、冷却器として、放熱フィン及び冷却媒体の流路を有するもので説明したが、冷却器の構造に特に限定はない。
さらに、冷却器の天板部をアルミニウムで構成したものとして説明したが、アルミニウム合金、又はアルミニウムを含む複合材等で構成されていてもよい。さらに、冷却器として、放熱フィン及び冷却媒体の流路を有するもので説明したが、冷却器の構造に特に限定はない。
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
本発明例１として、前述の実施形態に記載されたパワーモジュール用基板を準備した。すなわち、純度９９．９９％以上のアルミニウム板からなる回路層上にＡｇ焼成層を形成したものを本発明例１とした。なお、このときの無鉛ガラス粉末として、Ｂｉ２Ｏ３を９０．６質量％、ＺｎＯを２．６質量％、Ｂ２Ｏ３を６．８質量％、を含む無鉛ガラス粉末を用いた。また、樹脂としてエチルセルロースを、溶剤としてジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いた。さらに、ジカルボン酸系の分散剤を添加した。
従来例として、前述の実施形態に記載されたパワーモジュール用基板において、Ａｇ焼成層の代わりに、回路層表面に厚さ５μｍのＮｉめっき膜を形成したものを準備した。
本発明例１として、前述の実施形態に記載されたパワーモジュール用基板を準備した。すなわち、純度９９．９９％以上のアルミニウム板からなる回路層上にＡｇ焼成層を形成したものを本発明例１とした。なお、このときの無鉛ガラス粉末として、Ｂｉ２Ｏ３を９０．６質量％、ＺｎＯを２．６質量％、Ｂ２Ｏ３を６．８質量％、を含む無鉛ガラス粉末を用いた。また、樹脂としてエチルセルロースを、溶剤としてジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いた。さらに、ジカルボン酸系の分散剤を添加した。
従来例として、前述の実施形態に記載されたパワーモジュール用基板において、Ａｇ焼成層の代わりに、回路層表面に厚さ５μｍのＮｉめっき膜を形成したものを準備した。
これら本発明例１と従来例について、はんだ濡れ性を評価した。はんだ濡れ性の評価は、ＪＩＳ Ｚ ３１９７に規定された広がり試験によって評価した。広がり率Ｓは、試料（Ａｇ焼成層又はＮｉめっき膜）上に直径ｄのボール状のはんだ材を載置し、これを所定温度に加熱して形成されたはんだ層の高さｈを測定し、（ｄ−ｈ）／ｄ×１００で算出される指標である。この広がり率Ｓが大きいほど、はんだ材との濡れ性が良く、はんだ層を介して半導体チップを強固に接合できることになる。
ここで、本実施例では、はんだ材としてＰｂ−１０ｗｔ％Ｓｎ材を用いて、３５０℃で０．１時間保持後のはんだ層の高さを測定した。結果を表１に示す。
ここで、本実施例では、はんだ材としてＰｂ−１０ｗｔ％Ｓｎ材を用いて、３５０℃で０．１時間保持後のはんだ層の高さを測定した。結果を表１に示す。
Ｎｉめっき膜を形成した従来例においては、広がり率Ｓが６７〜７０％とされている。これに対して、Ａｇ焼結層を形成した本発明例１においては、広がり率Ｓが７０〜７２％とされており、従来例と同等以上のはんだ濡れ性を有していることが確認される。
したがって、回路層上にＡｇ焼成層を設けた本発明例１においても、Ｎｉめっき膜を形成した従来例と同様に、はんだ層を介して半導体チップを接合してパワーモジュールを構成することが可能であることが確認された。
したがって、回路層上にＡｇ焼成層を設けた本発明例１においても、Ｎｉめっき膜を形成した従来例と同様に、はんだ層を介して半導体チップを接合してパワーモジュールを構成することが可能であることが確認された。
次に、前述の実施形態に記載されたパワーモジュール用基板において、Ａｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗値Ｐを測定した結果を説明する。
Ａｇ焼成層のＡｇ層厚さｔａ、無鉛ガラス層厚さｔｇを変更するとともに、Ａｇ粉末の重量Ａと無鉛ガラス粉末の重量Ｇとの重量比Ａ／Ｇを変更し、本発明例２〜６を製出した。なお、無鉛ガラス粉末として、Ｂｉ２Ｏ３を９０．６質量％、ＺｎＯを２．６質量％、Ｂ２Ｏ３を６．８質量％、を含む無鉛ガラス粉末を用いた。また、樹脂としてエチルセルロースを、溶剤としてジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いた。さらに、ジカルボン酸系の分散剤を添加した。また、Ａｇ焼成層を上面視して一辺の長さが１５ｍｍの正方形状に成形した。
このようにして得られた本発明例２〜６の試料について、図４及び図５に記載された方法により、テスタ（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製：２０１０ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ）を用いて、Ａｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗値Ｐを測定した。測定結果を表２に示す。
Ａｇ焼成層のＡｇ層厚さｔａ、無鉛ガラス層厚さｔｇを変更するとともに、Ａｇ粉末の重量Ａと無鉛ガラス粉末の重量Ｇとの重量比Ａ／Ｇを変更し、本発明例２〜６を製出した。なお、無鉛ガラス粉末として、Ｂｉ２Ｏ３を９０．６質量％、ＺｎＯを２．６質量％、Ｂ２Ｏ３を６．８質量％、を含む無鉛ガラス粉末を用いた。また、樹脂としてエチルセルロースを、溶剤としてジエチレンクリコールジブチルエーテルを用いた。さらに、ジカルボン酸系の分散剤を添加した。また、Ａｇ焼成層を上面視して一辺の長さが１５ｍｍの正方形状に成形した。
このようにして得られた本発明例２〜６の試料について、図４及び図５に記載された方法により、テスタ（ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製：２０１０ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ）を用いて、Ａｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗値Ｐを測定した。測定結果を表２に示す。
本発明例２〜６のいずれにおいても、Ａｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下とされていることが確認された。また、無鉛ガラス粉末の比率を小さく、かつ、無鉛ガラス層の厚さｔｇを薄く形成することにより、Ａｇ焼成層の厚さ方向の電気抵抗値Ｐが小さくなることが確認された。
次に、無鉛ガラス粉末の組成を変更して、無鉛ガラス粉末の軟化温度、結晶化温度、ガラス転移温度を調整した。これらの無鉛ガラス粉末を用いて、Ａｇペーストを構成した。
Ａｇ粉末の重量Ａと無鉛ガラス粉末の重量Ｇとの重量比Ａ／Ｇを９７．５／２．５とした。また、Ａｇ粉末と、無鉛ガラス粉末と、樹脂（エチルセルロース）と、溶剤（ジエチレンクリコールジブチルエーテル）と、を混合した。本実施例では、Ａｇ粉末と無鉛ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が８５質量％、樹脂が３質量％、溶剤が１２質量％となるように、粉末成分、樹脂および溶剤の添加量を調整した。
Ａｇ粉末の重量Ａと無鉛ガラス粉末の重量Ｇとの重量比Ａ／Ｇを９７．５／２．５とした。また、Ａｇ粉末と、無鉛ガラス粉末と、樹脂（エチルセルロース）と、溶剤（ジエチレンクリコールジブチルエーテル）と、を混合した。本実施例では、Ａｇ粉末と無鉛ガラス粉末からなる粉末成分の含有量が８５質量％、樹脂が３質量％、溶剤が１２質量％となるように、粉末成分、樹脂および溶剤の添加量を調整した。
ここで、上述の無鉛ガラス粉末について、軟化温度、ガラス転移温度、結晶化温度を測定した。測定結果を表３、４に示す。
軟化温度は、理学電機社製サーモフレックスを用いて熱機械分析（ＴＭＡ）を実施し、その降伏点（屈服点）の温度とした。
ガラス転移温度、結晶化温度は、ＢＲＵＫＥＲ ＡＸＳ社製ＴＧ−ＴＤＡ２０００Ｓを用いて示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）を実施することで測定した。上記の無鉛ガラス粉末を１０℃／ｍｉｎで昇温し、熱量変化曲線に現れる吸熱ピークの温度をガラス転移温度とし、ガラス転移温度よりも高い温度領域で生じる発熱ピークの温度を結晶化温度とした。
軟化温度は、理学電機社製サーモフレックスを用いて熱機械分析（ＴＭＡ）を実施し、その降伏点（屈服点）の温度とした。
ガラス転移温度、結晶化温度は、ＢＲＵＫＥＲ ＡＸＳ社製ＴＧ−ＴＤＡ２０００Ｓを用いて示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）を実施することで測定した。上記の無鉛ガラス粉末を１０℃／ｍｉｎで昇温し、熱量変化曲線に現れる吸熱ピークの温度をガラス転移温度とし、ガラス転移温度よりも高い温度領域で生じる発熱ピークの温度を結晶化温度とした。
そして、このＡｇペーストを用いて、上述の実施形態で開示されたパワーモジュール用基板１０のＡｇ焼成層３０を形成した。なお、回路層１２の表面にＡｇペーストを塗布するＡｇペースト塗布工程Ｓ１３では、Ａｇペーストの塗布厚さを１０μｍとした。また、焼成工程Ｓ１４では、焼成温度を５７５℃、焼成時間を１０分とした。これにより、Ａｇ層３２の厚さｔａが８μｍ程度、無鉛ガラス層３１の厚さｔｇが１μｍ程度とされたＡｇ焼成層３０を形成した。
そして、Ａｇ焼成層３０の表面に、はんだ材（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系無鉛はんだ）を介して半導体チップ３を載置し、還元炉内においてはんだ接合した。
なお、本実施例では、セラミックス基板１１を３０ｍｍ×２０ｍｍとし、回路層１２を１３ｍｍ×１０ｍｍとし、半導体チップ３を１２．５ｍｍ×９．５ｍｍとした。
なお、本実施例では、セラミックス基板１１を３０ｍｍ×２０ｍｍとし、回路層１２を１３ｍｍ×１０ｍｍとし、半導体チップ３を１２．５ｍｍ×９．５ｍｍとした。
このようにして得られたパワーモジュール１の接合信頼性を評価した。接合信頼性の評価として、冷熱サイクル（−４５℃−１２５℃）を２０００回繰り返した後の接合率を比較した。結果を表３、４に示す。
なお、接合率は、以下の式で算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積のこととした。
接合率 ＝ （初期接合面積−剥離面積）／初期接合面積
接合率が８５％より大きく１００％以下を「優」
接合率が７５％より大きく８５％以下を「良」
接合率が５０％より大きく７５％以下を「可」
接合率が５０％以下を「不可」とした。
なお、接合率は、以下の式で算出した。ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積のこととした。
接合率 ＝ （初期接合面積−剥離面積）／初期接合面積
接合率が８５％より大きく１００％以下を「優」
接合率が７５％より大きく８５％以下を「良」
接合率が５０％より大きく７５％以下を「可」
接合率が５０％以下を「不可」とした。
実施例１〜８については、冷熱サイクルを２０００回繰り返した後の接合率が良好であり、十分な接合強度が得られていることが確認される。
また、試料Ａ〜Ｅにおいては、冷熱サイクルを２０００回繰り返した後の接合率が実用性は満足するものの、実施例１〜８と比較すると接合率が低くなっている。特に、無鉛ガラス粉末にＺｎＯが含有されていない試料Ｄ，Ｅでは、結晶化温度が３３０℃、４０３℃と低くなり、接合率が大幅に低下した。
また、試料Ａ〜Ｅにおいては、冷熱サイクルを２０００回繰り返した後の接合率が実用性は満足するものの、実施例１〜８と比較すると接合率が低くなっている。特に、無鉛ガラス粉末にＺｎＯが含有されていない試料Ｄ，Ｅでは、結晶化温度が３３０℃、４０３℃と低くなり、接合率が大幅に低下した。
１ パワーモジュール
２ はんだ層
３ 半導体チップ（半導体素子）
１０ パワーモジュール用基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１２Ａ アルミニウム酸化皮膜
３０ Ａｇ焼成層
３１ 無鉛ガラス層
３２ Ａｇ層
３３ 導電性粒子
４０ 冷却器
２ はんだ層
３ 半導体チップ（半導体素子）
１０ パワーモジュール用基板
１１ セラミックス基板
１２ 回路層
１２Ａ アルミニウム酸化皮膜
３０ Ａｇ焼成層
３１ 無鉛ガラス層
３２ Ａｇ層
３３ 導電性粒子
４０ 冷却器
Claims (9)
- 絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板であって、
前記回路層の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層が形成されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。 - 前記Ａｇ焼成層は、前記回路層上に形成された無鉛ガラス層と、この無鉛ガラス層の上に形成されたＡｇ層と、を備えていることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記Ａｇ焼成層は、その厚さ方向における電気抵抗値Ｐが０．５Ω以下に設定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパワーモジュール用基板。
- 前記無鉛ガラスのガラス組成が、
Ｂｉ２Ｏ３：６８質量％以上９３質量％以下、
ＺｎＯ：１質量％以上２０質量％以下、
Ｂ２Ｏ３：１質量％以上１１質量％以下、
ＳｉＯ２：５質量％以下、
Ａｌ２Ｏ３：５質量％以下、
Ｆｅ２Ｏ３：５質量％以下、
ＣｕＯ：５質量％以下、
ＣｅＯ２：５質量％以下、
ＺｒＯ２：５質量％以下、
アルカリ金属酸化物：２質量％以下、
アルカリ土類金属酸化物：７質量％以下、
とされていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。 - 前記絶縁層が、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌ２Ｏ３から選択される絶縁基板であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記絶縁層の他方の面側に配設された冷却器と、を備えていることを特徴とする冷却器付パワーモジュール用基板。
- 請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパワーモジュール用基板と、このパワーモジュール用基板の前記回路層の一方の面側に配設された半導体素子と、を備え、前記半導体素子は、はんだ層を介して接合されていることを特徴とするパワーモジュール。
- 絶縁層の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層が配設され、この回路層上にはんだ層を介して半導体素子が配設されるパワーモジュール用基板の製造方法であって、
前記回路層の一方の面に無鉛ガラスを含有するＡｇペーストを塗布する塗布工程と、Ａｇペーストを塗布した状態で加熱処理して前記Ａｇペーストを焼成する焼成工程と、を備え、
前記回路層の一方の面に、無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層を形成することを特徴とするパワーモジュール用基板の製造方法。 - 前記焼成工程における焼成温度が、３５０℃以上６４５℃以下であることを特徴とする請求項８に記載のパワーモジュール用基板の製造方法。
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