JP2012122983A5

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Publication number: JP2012122983A5
Application number: JP2011109627A
Authority: JP
Filing date: 2011-05-16
Publication date: 2012-11-08
Anticipated expiration: 2031-05-16

Claims

筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第１の磁石との間で形成される磁界の前記第１の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間の磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界における前記搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物搬送経路の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第１の磁石との間で形成される磁界の前記第１の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板と、この多層基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
前記磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とが前記磁気抵抗効果素子を包囲する多層基板の表面から突出しないように樹脂で覆われた請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記磁気抵抗効果素子は、前記搬送方向と直交する方向に矩形状の第１の抵抗体パターンと矩形状の第２の抵抗体パターンとを直列接続して配置し、直列接続された前記第１の抵抗体パターンと前記第２の抵抗体パターンとの接続点を前記出力端子と接続する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の抵抗体パターンは前記搬送方向と直交する方向に、前記第２の抵抗体パターンは前記搬送方向に、それぞれパターンを延在させた請求項５に記載の磁気センサ装置。
前記磁気抵抗効果素子は、前記第１の抵抗体パターン及び前記第２の抵抗体パターンは、それぞれミアンダ形状である請求項５又は請求項６に記載の磁気センサ装置。
前記磁気抵抗効果素子と前記多層基板は、前記搬送方向と直交する方向に複数個アレイ状に配置され、前記磁気抵抗効果素子の前記出力端子からの抵抗値変化を前記接続パッドから外部にそれぞれ出力する請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の磁気センサ装置。
前記第１の磁石の搬送方向の両側面に一対の磁性体から成る第１のヨークを設け、前記第２の磁石の搬送方向の両側面に一対の磁性体から成る第２のヨークを設けた請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記検知物と前記第１の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する多層基板と、この多層基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記複数の磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記複数の磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第１の磁石との間で形成される磁界の搬送方向の磁界成分と対向方向の磁界成分のそれぞれに勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する多層基板と、この多層基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段と、前記複数の磁気抵抗効果素子と前記電気接続手段とを覆う樹脂とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する基板と、この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第１の磁石との間で形成される磁界の前記第１の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間の磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する基板と、この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界における前記搬送方向の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物搬送経路の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第１の磁石との間で形成される磁界の前記第１の磁石との対向方向の磁界成分と搬送方向の磁界成分のそれぞれに零点を含む勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を接続パッドから外部に出力すると共に前記磁気抵抗効果素子を包囲する基板と、この基板の接続パッドと前記磁気抵抗効果素子の出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置することにより前記第１の磁石との間で搬送方向に連続的な勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記検知物と前記第１の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する基板と、この基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記複数の磁気抵抗効果素子は前記勾配磁界の磁界強度の零点付近の弱磁界強度領域に設けられ、前記被検知物が前記勾配磁界の前記弱磁界強度領域よりも磁界強度が強い磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。
筐体と、この筐体の一方の側壁に読取り幅に亘って被検知物を挿入する細長の第１のスリット部と、この第１のスリット部に対向する前記筐体の他方の側壁に前記第１のスリット部に平行して配置した前記被検知物を排出する第２のスリット部と、前記第１のスリット部と前記第２のスリット部と接続され前記被検知物が前記第１のスリット部から前記第２のスリット部へ搬送される中空部と、前記中空部に設けられ、前記被検知物の一方の面に、搬送方向に沿って互いに磁極を交互に配置した第１の磁石と、前記被検知物の他方の面に、搬送方向に沿って前記第１の磁石の磁極と異なる磁極を対向して配置され、前記第１の磁石との間で形成される磁界の搬送方向の磁界成分と対向方向の磁界成分のそれぞれに勾配磁界を形成する第２の磁石と、前記被検知物と前記第１の磁石との間に前記読取り幅方向にアレイ状に設けられ、出力端子を有し、前記勾配磁界内を通過する前記被検知物の磁気成分を検出することにより抵抗値が変化する複数の磁気抵抗効果素子と、この複数の磁気抵抗効果素子の出力端子からの抵抗値変化を複数の接続パッドから外部に出力すると共に前記複数の磁気抵抗効果素子を一纏めに包囲する基板と、この基板のそれぞれの接続パッドと前記磁気抵抗効果素子のそれぞれの出力端子とを電気接続する電気接続手段とを備え、前記磁気抵抗効果素子は前記搬送方向の勾配磁界の磁界強度が零点付近の弱磁界強度領域であると共に前記対向方向の勾配磁界の磁界強度が強磁界強度領域である領域に設けられ、前記被検知物が前記対向方向の勾配磁界の磁界強度の強磁界強度領域を通過する磁気センサ装置。