JP2012140345A - 高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンおよびその製造方法 - Google Patents
高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012140345A JP2012140345A JP2010292586A JP2010292586A JP2012140345A JP 2012140345 A JP2012140345 A JP 2012140345A JP 2010292586 A JP2010292586 A JP 2010292586A JP 2010292586 A JP2010292586 A JP 2010292586A JP 2012140345 A JP2012140345 A JP 2012140345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bis
- aminophenyl
- propane
- aniline
- purity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】 水の存在下にアセトンとアニリン塩酸塩を縮合させた後、アルカリ処理して得られる反応液から、1)未反応のアセトン、抽出溶媒およびアニリンを主とする2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンよりも低沸点成分を留去する工程と、2)芳香族炭化水素系溶媒を添加して加熱溶解後、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを冷却晶析させる工程からなる2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法を用いる。
【選択図】 なし
Description
[1]純度99%以上の高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン。
[2]前記2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンが粉体である。
[3]水の存在下にアセトンとアニリン塩酸塩を縮合させた後、アルカリ処理して得られる反応液から、1)未反応のアセトン、抽出溶媒およびアニリンを主とする2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンよりも低沸点成分を留去する工程と、2)芳香族炭化水素系溶媒を添加して加熱溶解後、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを冷却晶析させる工程からなることを特徴とする高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
[4]留去する工程において、留去後の釜残混合物が100〜180℃の温度範囲で溶液状態であることを特徴とする2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
[5]100〜180℃の温度範囲で溶液状態である留去後の釜残混合物に、芳香族炭化水素系溶媒を徐々に添加して、70〜150℃の均一溶液を調製した後、冷却晶析することを特徴とする2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
[6]芳香族炭化水素系溶媒が、トルエン、キシレン、およびメシチレンから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
ガスクロマトグラフィー分析装置:島津製作所製 GC−2014
合成例1
<2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの合成>
1Lオートクレーブ中に、アニリン塩酸塩500g、水199g、アセトン80gを加えた後、攪拌下、160℃に昇温して18時間反応させた。放冷後、3Lの分液ロートに移液し、酢酸エチル1600g、水200gを加えて希釈した。次に、48重量%水酸化ナトリウム水溶液356gを加えアルカリ処理し、分液して得られた有機層を水745gで洗浄した。この有機層をノルマル−ヘキサデカンを内部標準とするガスクロマトグラフィー分析により定量した結果、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンが249g(収率80%−アセトン仕込みモル基準)生成していた。
合成例1で得られた2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを含む有機層の1/3量を使用して精製を行った。未反応のアセトン、抽出溶媒の酢酸エチルおよびアニリンを、釜温度が室温〜130℃の範囲で、かつ30〜2Torrの減圧下で留去した後、さらに温度を150℃まで上げて、5〜2Torrで2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンよりも低沸点成分を留去した。その後、110℃まで温度を下げ、窒素で減圧を解除した。釜残をガスクロマトグラフィー分析により分析した結果、アニリンは検出限界以下であった。次に、トルエンを2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの仕込み純分に対して3重量倍添加し、加熱して90℃の均一溶液を調製した。その後、温度を20〜30℃までゆっくり下げて、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを晶析させた。得られた晶析体は減圧ろ過により取得でき、60℃で真空乾燥して目的の2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを純度99.5%の白色〜微黄色の粉体として76g得た(精製収率92%、単離収率74%)。
合成例1で得られた2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを含む有機層の1/3量を使用して精製を行った。まずエバポレーターにより未反応のアセトンおよび抽出溶媒の酢酸エチルを留去し、アニリンと2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを含む溶液を得た。次に、トルエンを2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの仕込み純分に対して3重量倍添加し、加熱して90℃の均一溶液を調製した。その後、温度を20〜30℃までゆっくり下げて2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを晶析させた。得られた晶析体は減圧ろ過により取得でき、60℃で真空乾燥して目的の2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを純度98.1%の黄色粉体として38g得た(精製収率39%、単離収率27%)。
合成例1で得られた2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを含む有機層の1/3量を使用して精製を行った。未反応のアセトン、抽出溶媒の酢酸エチルおよびアニリンを、釜温度が室温〜130℃の範囲で、かつ30〜2Torrの減圧下で留去した後、さらに温度を200〜250℃まで上げ、3.5〜0.5Torrで2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを留去した(トップ温度185〜195℃)。その際、蒸留塔および留出部をリボンヒーターで150℃以上に保温しながら行った。留出した2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンは130℃以下に冷えると直ぐに固化し、淡黄色の塊状物となった。得られた塊状物の純度は85.8%であった(蒸留収率70%、単離収率56%)。
Claims (6)
- 純度99%以上の高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン。
- 粉体であることを特徴とする請求項1に記載の2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン。
- 水の存在下にアセトンとアニリン塩酸塩を縮合させた後、アルカリ処理して得られる反応液から、1)未反応のアセトン、抽出溶媒およびアニリンを主とする2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンよりも低沸点成分を留去する工程と、2)芳香族炭化水素系溶媒を添加して加熱溶解後、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンを冷却晶析させる工程からなることを特徴とする請求項1または2に記載の高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
- 留去する工程において、留去後の釜残混合物が100〜180℃の温度範囲で溶液状態であることを特徴とする請求項3に記載の2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
- 100〜180℃の温度範囲で溶液状態である留去後の釜残混合物に、芳香族炭化水素系溶媒を徐々に添加して、70〜150℃の均一溶液を調製した後、冷却晶析することを特徴とする請求項4に記載の2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
- 芳香族炭化水素系溶媒が、トルエン、キシレン、およびメシチレンから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一項に記載の2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010292586A JP5707935B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010292586A JP5707935B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012140345A true JP2012140345A (ja) | 2012-07-26 |
| JP5707935B2 JP5707935B2 (ja) | 2015-04-30 |
Family
ID=46677033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010292586A Active JP5707935B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5707935B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022014425A1 (ja) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | セントラル硝子株式会社 | ポリアミド、ポリアミドイミド及びこれらの誘導体、光学フィルム及び表示装置、ならびにこれらの製造方法 |
| CN115368244A (zh) * | 2021-05-17 | 2022-11-22 | 北京鼎材科技有限公司 | 2-芳基-2-(4-胺基苯基)丙烷的合成方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4177211A (en) * | 1978-04-21 | 1979-12-04 | The Upjohn Company | Process for the preparation of bis(aminophenyl)alkanes |
| US4351957A (en) * | 1979-06-29 | 1982-09-28 | The Upjohn Company | Process for preparing diaminodiphenyl-alkanes |
| JPS5927855A (ja) * | 1982-07-17 | 1984-02-14 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | ビス(アミノシクロヘキシル)ジアルキルメタンの製法 |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010292586A patent/JP5707935B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4177211A (en) * | 1978-04-21 | 1979-12-04 | The Upjohn Company | Process for the preparation of bis(aminophenyl)alkanes |
| US4351957A (en) * | 1979-06-29 | 1982-09-28 | The Upjohn Company | Process for preparing diaminodiphenyl-alkanes |
| JPS5927855A (ja) * | 1982-07-17 | 1984-02-14 | バスフ アクチェン ゲゼルシャフト | ビス(アミノシクロヘキシル)ジアルキルメタンの製法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JPN6014038873; Journal of Polymer Science, Polymer Chemistry Edition 22(11, Pt.2), 1984, p.3359-3365 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2022014425A1 (ja) | 2020-07-13 | 2022-01-20 | セントラル硝子株式会社 | ポリアミド、ポリアミドイミド及びこれらの誘導体、光学フィルム及び表示装置、ならびにこれらの製造方法 |
| CN115368244A (zh) * | 2021-05-17 | 2022-11-22 | 北京鼎材科技有限公司 | 2-芳基-2-(4-胺基苯基)丙烷的合成方法 |
| CN115368244B (zh) * | 2021-05-17 | 2025-08-08 | 北京鼎材科技有限公司 | 2-芳基-2-(4-胺基苯基)丙烷的合成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5707935B2 (ja) | 2015-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102174040B (zh) | 一种电子级异氰尿酸三缩水甘油酯的制备方法 | |
| KR101292329B1 (ko) | 알킬락테이트의 제조방법 및 이를 이용한 락타미드의 제조방법 | |
| KR102219152B1 (ko) | 2,2'-비스(2-하이드록시에톡시)-1,1'-비나프탈렌의 결정 다형체 및 그 제조 방법 | |
| TWI787515B (zh) | 2,2'-雙(羧甲氧基)-1,1'-聯萘的結晶體 | |
| CN114835661A (zh) | 一种a-乙酰基-r-丁内酯工业制备方法 | |
| JP5707935B2 (ja) | 高純度2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパンおよびその製造方法 | |
| JP5568558B2 (ja) | フルオレン誘導体の非晶質体およびその製造方法 | |
| CN112142658A (zh) | 一种低伯胺防老剂tmq的制备方法 | |
| CN112479938B (zh) | 一种n-环己基-2-氨基乙磺酸的制备方法 | |
| CN112441973B (zh) | 一种低伯胺tmq的制备方法 | |
| CN105612161A (zh) | 糖醇酐的纯化方法、糖醇酐及树脂 | |
| CN109942392B (zh) | 一种六氯丙酮的制备方法 | |
| WO2012119507A1 (zh) | 3-巯基丙酸酯的制备 | |
| CN107200691B (zh) | 取代类对苯二胺盐酸盐的制备方法 | |
| KR20160029026A (ko) | 2-에틸헥사날 및 3-헵틸 포르메이트를 함유하는 혼합물로부터의 3-헵타놀의 제조 방법 | |
| JP2009001506A (ja) | トリヒドロキシベンゾフェノンの製造方法 | |
| KR101704563B1 (ko) | 락타이드 정제공정을 이용한 락타이드 제조방법 및 제조장치 | |
| CN116283504A (zh) | 一种2,4-二枯基酚的合成方法 | |
| KR20190135475A (ko) | cis,cis-1,2,4-시클로헥산트리카르본산결정의 제조방법 | |
| EP3046898B1 (en) | Improved manufacturing process for dihydroxydiphenylmethane with high selectivity for 2,4'- dihydroxydiphenylmethane | |
| JPH08119939A (ja) | 高純度エーテル型ビスマレイミドの製造方法 | |
| CN118103358A (zh) | 结晶性组合物、苯并噁嗪化合物的结晶、苯并噁嗪化合物的制造方法、新型化合物 | |
| JPH0475224B2 (ja) | ||
| JP2006257026A (ja) | 高純度の4,4’−ビスフェノールfと汎用純度のビスフェノールfの併産方法 | |
| CN104876804B (zh) | 一种高4,4’‑异构体含量双酚f的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140916 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150203 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150216 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5707935 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |