JP2012155708A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2012155708A5
JP2012155708A5 JP2011282742A JP2011282742A JP2012155708A5 JP 2012155708 A5 JP2012155708 A5 JP 2012155708A5 JP 2011282742 A JP2011282742 A JP 2011282742A JP 2011282742 A JP2011282742 A JP 2011282742A JP 2012155708 A5 JP2012155708 A5 JP 2012155708A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
transistor
node
configuration
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011282742A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5987206B2 (ja
JP2012155708A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US13/013,220 external-priority patent/US8482266B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2012155708A publication Critical patent/JP2012155708A/ja
Publication of JP2012155708A5 publication Critical patent/JP2012155708A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5987206B2 publication Critical patent/JP5987206B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (14)

  1. 電圧調整回路において、
    入力ノードにおける入力電圧基準に基づき出力ノードにおいて調整された出力電圧を供給するように構成された電圧調整構成であって、前記出力ノードと第1ノードとの間に接続された第1トランジスタを含み、該第1トランジスタは、電流が前記第1ノードから前記出力ノードに流れることを可能にするように構成されている、電圧調整構成と、
    前記電圧調整構成に接続された位相補償構成であって、前記電圧調整構成の位相マージンを増加するように構成されている、位相補償構成と、
    記第1トランジスタに接続された第1カレントミラー構成であって、該第1カレントミラー構成を流れる基準電流を取得するべく前記第1トランジスタを前記第1ノードから前記出力ノードに流れる電流をミラーするように構成されている、第1カレントミラー構成と
    記第1カレントミラー構成に接続されている検出回路と、を備え
    前記検出回路は、閾値未満の前記出力ノードにおける出力電流を表す基準電流を検出することに応答して前記位相補償構成を無効化するように構成される、電圧調整回路。
  2. 前記検出回路は、
    第2トランジスタであって、前記第2トランジスタに亘る電圧が前記基準電流によって影響されるように前記第1カレントミラー構成を流れる前記基準電流をミラーするように構成される、第2トランジスタと;
    前記第2トランジスタに亘る電圧が前記閾値電圧よりも大きい時に、前記位相補償構成を無効化するための第1信号を生成するように構成された比較器と
    を備え、
    前記閾値電圧は、前記閾値未満の前記出力ノードにおける出力電流を表す
    請求項記載の電圧調整回路。
  3. 前記電圧調整回路はさらに、前記位相補償構成と電気的に並列に構成されたスイッチング素子を備え、
    前記比較器によって生成された前記第1信号は、前記位相補償構成を無効化するために前記スイッチング素子を起動する、
    請求項記載の電圧調整回路。
  4. 前記比較器は、前記第2トランジスタに亘る電圧が閾値電圧未満の時に、前記位相補償構成を有効化するための第2信号を生成するように構成される、
    請求項記載の電圧調整回路。
  5. 前記電圧調整回路はさらに、第2カレントミラー構成を備え、
    前記第2カレントミラー構成は、前記第1カレントミラー構成を流れる前記基準電流をミラーするように構成され、
    前記第2カレントミラー構成は、前記電圧調整構成に接続され、且つ前記基準電流によって影響される方法で調整された出力電圧を増加するように構成される、
    請求項記載の電圧調整回路。
  6. 前記電圧調整構成は、
    前記出力ノードと前記第1ノードとの間に接続されたパスデバイスであって、前記出力電流は、前記第1ノードから前記出力ノードに前記パスデバイスを流れる電流の少なくとも一部分を含む、パスデバイスと;
    前記出力ノードと第2ノードとの間に接続された電圧分割構成であって、前記電圧分割構成はフィードバック電圧ノードにおいてフィードバック電圧を確立するように構成される、電圧分割構成と;
    前記入力ノード、フィードバック電圧ノード、および前記パスデバイスに接続された増幅構成であって、前記増幅構成は、前記フィードバック電圧と前記入力電圧基準との間の差に基づき前記パスデバイスを流れる電流を調整するように構成される、増幅構成と
    を備える、
    請求項記載の電圧調整回路。
  7. 前記検出回路は、前記閾値よりも大きな、前記出力ノードにおける出力電流を検出することに応答して、前記位相補償構成を有効化するように構成される、
    請求項1記載の電圧調整回路。
  8. 請求項1記載の電圧調整回路を含むシステムであって、前記調整された出力電圧を受けるために前記電圧調整回路の前記出力ノードに接続された電子デバイスを含む、システム。
  9. 電圧調整回路であって、
    入力電圧基準を受けるように構成された入力ノードと;
    出力ノードと;
    第1ノードと;
    第2ノードと;
    前記第1ノードと前記出力ノードとの間に接続された第1トランジスタであって、前記第1トランジスタは、前記出力ノードにおける出力電流が前記第1ノードから前記出力ノードに前記第1トランジスタを介して流れることを可能にするように構成される、第1トランジスタと;
    前記出力ノードと前記第2ノードとの間に接続された電圧分割構成であって、前記電圧分割構成は、フィードバック電圧ノードにおいてフィードバック電圧を確立するように構成される、電圧分割構成と;
    前記入力ノード、前記フィードバック電圧ノード、および前記第1トランジスタに接続された増幅構成であって、前記増幅構成および前記第1トランジスタは、前記フィードバック電圧と前記入力電圧基準との間の差に基づき前記出力ノードにおける出力電圧を調整するように協働的に構成される、増幅構成と;
    前記増幅構成に接続された位相補償構成と;
    前記位相補償構成と電気的に並列に構成された第2トランジスタと、
    前記第2トランジスタに接続された検出回路であって、閾未満の出力電流を検出することに応答して、前記位相補償構成を無効化するべく前記第2トランジスタを起動するように構成される、検出回路と
    を備える、電圧調整回路。
  10. 前記位相補償構成は、前記増幅構成のユニティゲイン周波数における位相マージンを最適化するように構成される、
    請求項記載の電圧調整回路。
  11. 前記電圧調整回路はさらに、基準電流を取得するために前記第1トランジスタを介して前記出力電流をミラーするように構成された第1カレントミラー構成を備え、
    前記検出回路は、
    前記第1カレントミラー構成を通して前記基準電流をミラーするように構成された第3トランジスタであって、前記第3トランジスタに亘る電圧は前記基準電流によって影響される、第3トランジスタと;
    第1入力、第2入力、および出力を有する比較器であって、前記第1入力は前記第3トランジスタに亘る前記電圧を受けるように構成され前記第2入力は、前記閾値未満の出力電流を表す比較器基準電圧を受けるように構成され、前記出力は、前記第2トランジスタのゲート端子に接続される、比較器と、を備え、前記比較器は、前記第3トランジスタに亘る前記電圧が前記比較器基準電圧よりも大きい時に、前記第2トランジスタを起動するために出力における出力信号を生成するように構成される、
    請求項記載の電圧調整回路。
  12. 前記第1ノードは、供給電圧を受けるように構成され、
    前記第2ノードは、接地電圧を受けるように構成され、
    前記第1トランジスタは、前記第1ノードに接続されたソース端子および前記出力ノードに接続されたドレイン端子を備え、
    前記増幅構成は、
    前記入力ノードに接続されたゲート端子および前記第1トランジスタのゲート端子に接続されたドレイン端子を有する第トランジスタと;
    前記第トランジスタのドレイン端子に接続されたドレイン端子および前記第1ノードに接続されたソース端子を有する第トランジスタと;
    前記フィードバック電圧ノードに接続されたゲート端子および前記第トランジスタのゲート端子に接続されたドレイン端子を有する第トランジスタと
    を備え、
    前記位相補償構成は、
    前記第トランジスタのソース端子と前記第トランジスタのソース端子との間に接続された容量性素子と;
    前記第トランジスタの前記ソース端子と前記第トランジスタのソース端子との間に接続された抵抗素子と
    を備える、
    請求項記載の電圧調整回路。
  13. 前記電圧調整回路はさらに、前記第トランジスタの前記ソース端子に接続されたドレイン端子および前記第トランジスタのソース端子に接続されたソース端子を有する第トランジスタを備え、
    前記検出回路は、前記位相補償構成を無効化するために前記閾値未満の前記出力電流を検出することに応答して前記第トランジスタを起動するように構成される、
    請求項12記載の電圧調整回路。
  14. 前記電圧調整回路はさらに、基準電流を取得するために前記第1トランジスタを介して前記出力電流をミラーするように構成された第1カレントミラー構成を備え、
    前記検出回路は、
    前記第2ノードに接続されたソース端子および前記基準電流をミラーするために前記第1カレントミラー構成に接続されたゲート端子を有する第トランジスタと;
    前記第トランジスタのドレイン端子に接続された非反転入力、前記閾値未満の前記出力電流を表す電圧を受けるように構成された反転入力、および前記出力は第トランジスタのゲート端子に接続される出力を有する比較器と
    を備える、
    請求項13記載の電圧調整回路。
JP2011282742A 2011-01-25 2011-12-26 電圧調整回路機構および関連する動作方法 Active JP5987206B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/013220 2011-01-25
US13/013,220 US8482266B2 (en) 2011-01-25 2011-01-25 Voltage regulation circuitry and related operating methods

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012155708A JP2012155708A (ja) 2012-08-16
JP2012155708A5 true JP2012155708A5 (ja) 2015-02-05
JP5987206B2 JP5987206B2 (ja) 2016-09-07

Family

ID=46543709

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011282742A Active JP5987206B2 (ja) 2011-01-25 2011-12-26 電圧調整回路機構および関連する動作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8482266B2 (ja)
JP (1) JP5987206B2 (ja)
CN (1) CN102622026B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101090032B1 (ko) * 2010-02-08 2011-12-05 삼성전기주식회사 전원 제어 시스템 및 이를 이용한 전력 증폭 시스템
EP2533126B1 (en) * 2011-05-25 2020-07-08 Dialog Semiconductor GmbH A low drop-out voltage regulator with dynamic voltage control
US9323263B2 (en) * 2012-09-25 2016-04-26 Intel Corporation Low dropout regulator with hysteretic control
US10698432B2 (en) 2013-03-13 2020-06-30 Intel Corporation Dual loop digital low drop regulator and current sharing control apparatus for distributable voltage regulators
TWI506394B (zh) * 2013-03-21 2015-11-01 Silicon Motion Inc 低壓差穩壓裝置及使用在低壓差穩壓裝置的方法
CN103383582B (zh) * 2013-07-05 2015-02-11 成都锐成芯微科技有限责任公司 动态补偿低压差线性稳压器的相位裕度的系统
KR102188059B1 (ko) 2013-12-23 2020-12-07 삼성전자 주식회사 Ldo 레귤레이터, 전원 관리 시스템 및 ldo 전압 제어 방법
US9413297B2 (en) * 2014-03-09 2016-08-09 National Chiao Tung University Constant transconductance bias circuit
US9791881B2 (en) 2014-07-22 2017-10-17 Infineon Technologies Austria Ag Self-driven synchronous rectification for a power converter
US9287830B2 (en) 2014-08-13 2016-03-15 Northrop Grumman Systems Corporation Stacked bias I-V regulation
KR20170019672A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
FR3042066B1 (fr) * 2015-10-01 2017-10-27 Stmicroelectronics Rousset Procede de lissage d'un courant consomme par un circuit integre et dispositif correspondant
US10133287B2 (en) * 2015-12-07 2018-11-20 Macronix International Co., Ltd. Semiconductor device having output compensation
US9984624B2 (en) 2015-12-28 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, driver IC, and electronic device
JP2018063613A (ja) * 2016-10-14 2018-04-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2018163021A1 (en) 2017-03-07 2018-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Ic, driver ic, display system, and electronic device
TWI633733B (zh) * 2017-04-18 2018-08-21 立積電子股份有限公司 電源供應器及電源供應器的操作方法
CN107703344B (zh) * 2017-10-30 2020-08-14 杭州洪芯微电子科技有限公司 自适应电流监测电路
JP7042658B2 (ja) * 2018-03-15 2022-03-28 エイブリック株式会社 ボルテージレギュレータ
US10928846B2 (en) 2019-02-28 2021-02-23 Apple Inc. Low voltage high precision power detect circuit with enhanced power supply rejection ratio
JP7237774B2 (ja) 2019-08-27 2023-03-13 株式会社東芝 電流検出回路
KR102949305B1 (ko) * 2020-04-16 2026-04-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
EP3951551B1 (en) * 2020-08-07 2023-02-22 Scalinx Voltage regulator and method
CN114167929B (zh) * 2020-09-11 2023-03-24 兆易创新科技集团股份有限公司 电压产生电路及电子装置
US11397444B2 (en) * 2020-11-19 2022-07-26 Apple Inc. Voltage regulator dropout detection
JP2022083085A (ja) * 2020-11-24 2022-06-03 株式会社東芝 半導体集積回路
JP7542506B2 (ja) * 2021-09-22 2024-08-30 株式会社東芝 定電圧回路
US12184175B2 (en) * 2022-11-16 2024-12-31 Shanghai Dn Semiconductors Co., Ltd. Voltage regulator with boost current control circuitry
CN115756058B (zh) * 2022-11-25 2026-04-07 圣邦微电子(北京)股份有限公司 低压差线性稳压器以及用于其的使能控制电路

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5465011A (en) * 1992-12-14 1995-11-07 Square D Company Uninterruptible power supply with improved output regulation
US6373734B1 (en) * 2000-09-15 2002-04-16 Artesyn Technologies, Inc. Power factor correction control circuit and power supply including same
US6703815B2 (en) * 2002-05-20 2004-03-09 Texas Instruments Incorporated Low drop-out regulator having current feedback amplifier and composite feedback loop
US6700360B2 (en) * 2002-03-25 2004-03-02 Texas Instruments Incorporated Output stage compensation circuit
US7142140B2 (en) * 2004-07-27 2006-11-28 Silicon Laboratories Inc. Auto scanning ADC for DPWM
WO2006016456A1 (ja) * 2004-08-10 2006-02-16 Rohm Co., Ltd 回路の保護方法、保護回路およびそれを利用した電源装置
FR2881537B1 (fr) * 2005-01-28 2007-05-11 Atmel Corp Regulateur cmos standard a bas renvoi, psrr eleve, bas bruit avec nouvelle compensation dynamique
US7446430B2 (en) * 2005-03-31 2008-11-04 Silicon Laboratories Inc. Plural load distributed power supply system with shared master for controlling remote digital DC/DC converters
FR2893787B1 (fr) * 2005-11-22 2007-12-21 Schneider Toshiba Inverter Dispositif de correction de facteur de puissance pour variateur de vitesse
JP4757623B2 (ja) * 2005-12-21 2011-08-24 パナソニック株式会社 電源回路
US7446515B2 (en) * 2006-08-31 2008-11-04 Texas Instruments Incorporated Compensating NMOS LDO regulator using auxiliary amplifier
JP2007109267A (ja) * 2007-01-31 2007-04-26 Ricoh Co Ltd ボルテージレギュレータ
JP2011013726A (ja) * 2009-06-30 2011-01-20 Ricoh Co Ltd 定電圧回路
CN101814883B (zh) * 2010-03-29 2011-11-09 南京磁谷科技有限公司 基于位移传感器的永磁同步电机转子磁极位置检测方法
US8169203B1 (en) * 2010-11-19 2012-05-01 Nxp B.V. Low dropout regulator

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012155708A5 (ja)
JP5987206B2 (ja) 電圧調整回路機構および関連する動作方法
CN106843347B (zh) 具有输出补偿的半导体装置
CN104238613B (zh) 一种数字电路低压差线性稳压器
CN104603710B (zh) 稳压器
TWI548963B (zh) Voltage regulator
TWI643052B (zh) 電壓調節器及電子機器
TWI534582B (zh) Voltage regulator
CN104914913B (zh) 过热保护电路及稳压器
JP6316632B2 (ja) ボルテージレギュレータ
JP2012203673A5 (ja)
JP2013175263A5 (ja)
JP2015141720A5 (ja)
JP2016520241A5 (ja)
TW201244314A (en) Voltage regulator
TW201250427A (en) Voltage regulator
TWI643050B (zh) 電壓調整器
JP2012238233A5 (ja)
TW201611454A (zh) 過電流保護電路、半導體裝置、及電壓調節器
US9541934B2 (en) Linear regulator circuit
TWI643051B (zh) 電壓調節器
JP2014164702A (ja) ボルテージレギュレータ
JP6253481B2 (ja) ボルテージレギュレータ及びその製造方法
US9195249B2 (en) Adaptive phase-lead compensation with Miller Effect
CN103592991B (zh) 用于双极型线性稳压器的功率限制型保护电路