JP2012201676A - デヒドロアビエチン酸誘導体及びその製造方法、並びに１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法 - Google Patents
デヒドロアビエチン酸誘導体及びその製造方法、並びに１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】植物由来の化合物に由来する主骨格を有する重合体を形成可能な１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法、並びにこれに用いられるデヒドロアビエチン酸誘導体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸することで１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を製造する。
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す）
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸することで１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を製造する。
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す）
【選択図】なし
Description
本発明は、デヒドロアビエチン酸誘導体及びその製造方法、並びに１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法に関する。
近年、地球環境保護の観点から、資源の脱石油化が検討され、様々な天然資源が注目されている。プラスチックの分野でも脱石油化が図られ、グルコースの発酵により得られる乳酸を原料としたポリ乳酸が包装材料等に用いられている。ポリ乳酸は透明性に優れるが、耐熱性が低いため、射出成型等による成型品への適用は高温に曝されない限定的用途に留まっている。
ところで、天然物（好ましくは植物）由来の成分として、松脂等から採取できるロジンがある。このロジンは種々のカルボン酸から構成されるが、そのカルボン酸のうちアビエチン酸を高分子材料に利用することが知られている。例えば、アビエチン酸をフェノール樹脂又はエポキシ樹脂の末端部に修飾することにより、ロジン変性フェノール樹脂及びロジン変性エポキシ酸樹脂として塗料等の結合剤とすることが開示されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
しかしながら、特許文献１又は２に記載の樹脂は、フェノール樹脂又はエポキシ樹脂を主骨格としているため、石油依存の原料であり、地球環境保護の観点に至っていない。
本発明は、上記課題に鑑み、植物由来の化合物に由来する主骨格を有する重合体を形成可能な１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法、並びにこれに用いられるデヒドロアビエチン酸誘導体及びその製造方法を提供することを課題とする。
前記課題を解決するための具体的手段は以下の通りである。
＜１＞ 下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体。
＜１＞ 下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体。
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す）
＜２＞ 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１は水素原子、炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を示し、Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又は炭素数２〜５のアシルオキシメチレン基を示す、前記＜１＞に記載のデヒドロアビエチン酸誘導体。
＜３＞ 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１は水素原子、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又は炭素数２〜４のアシルオキシメチレン基を示す、前記＜１＞に記載のデヒドロアビエチン酸誘導体。
＜４＞ 下記一般式（Ｉ）で表わされるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸する工程を含む、下記一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法。
（一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す）
＜５＞ 下記一般式（III）で表される化合物と下記一般式（ＩＶ）で表される化合物とを反応させる工程を含む、下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法。
（一般式（Ｉ）、一般式（III）及び一般式（ＩＶ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す。Ｙは水素原子又は脱離基を示す）
本発明によれば、植物由来の化合物に由来する主骨格を有する重合体を形成可能な１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法、並びにこれに用いられるデヒドロアビエチン酸誘導体及びその製造方法を提供することができる。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
また本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
また本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。
本発明のデヒドロアビエチン酸誘導体は、下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする。
かかる特定構造の置換基を有することで、酸化及び脱炭酸という簡便な工程で、植物由来の化合物に由来する主骨格を有する重合体を形成可能な１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を、高純度に且つ優れた収率で製造することができる。
かかる特定構造の置換基を有することで、酸化及び脱炭酸という簡便な工程で、植物由来の化合物に由来する主骨格を有する重合体を形成可能な１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を、高純度に且つ優れた収率で製造することができる。
さらに一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、Ｘがヒドロキシメチレン基である化合物は乳酸様の部分構造を有している。従って例えば、特許４２３７０４号公報等に記載されているように、単独重合または乳酸等との共重合によりポリ乳酸様の重合体を形成することができる。
また一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、Ｘがカルボニル基である化合物は、α，β−ジケトン構造を有している。従ってα，β−ジケトン構造を利用して簡便にヘテロ環形成することが可能である。例えば、国際公開２００８／３３９９９号パンフレット等の記載に準じて、デヒドロアビエチン酸骨格にヘテロ環を導入することができる。
また一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、Ｘがカルボニル基である化合物は、α，β−ジケトン構造を有している。従ってα，β−ジケトン構造を利用して簡便にヘテロ環形成することが可能である。例えば、国際公開２００８／３３９９９号パンフレット等の記載に準じて、デヒドロアビエチン酸骨格にヘテロ環を導入することができる。
一般式（Ｉ）中、Ｒ１は水素原子、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す。
Ｒ１におけるアリール基としては、炭素数６〜１５のアリール基であることが好ましく、炭素数６〜１２のアリール基であることがより好ましい。アリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基等を挙げることができる。中でも、フェニル基又はビフェニル基あることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
Ｒ１における炭素数１〜１０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基、デシル基及び２−エチルヘキシル基等を挙げることができる。中でも炭素数１〜８の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜３の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ１における炭素数１〜１０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれであってもよい。具体的には例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、エチルヘキシル基、デシル基及び２−エチルヘキシル基等を挙げることができる。中でも炭素数１〜８の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜６の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１〜３の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ１におけるアリール基及びアルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基等のアリール基、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のアシルオキシ基、炭素数１〜１０のアミド基などを挙げることができる。
またＲ１における置換基は、一般式（Ｉ）で表される化合物に由来する基、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基及び酸素原子からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される置換基であってもよい。ここで、一般式（Ｉ）で表される化合物に由来する基とは一般式（Ｉ）で表される化合物から水素原子を１個取り除いて構成される基であり、水素原子が取り除かれる位置は特に制限されない。
尚、Ｒ１におけるアルキル基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
またＲ１における置換基は、一般式（Ｉ）で表される化合物に由来する基、炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基及び酸素原子からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成される置換基であってもよい。ここで、一般式（Ｉ）で表される化合物に由来する基とは一般式（Ｉ）で表される化合物から水素原子を１個取り除いて構成される基であり、水素原子が取り除かれる位置は特に制限されない。
尚、Ｒ１におけるアルキル基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
Ｒ２における炭素数１〜１０のアルキル基は、Ｒ１における炭素数１〜１０のアルキル基と同義である。中でも炭素数１〜４のアルキル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましい。
Ｘは、カルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を表す。これらの２価の基は、Ｘに結合しているカルボキシル基又はエステル基と共に、酸化及び脱炭酸反応によりカルボキシル基に変換可能な官能基（以下、「特定官能基」ともいう）を構成するものである。一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン誘導体が、１２位に特定官能基を有することで、一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン誘導体から簡便に且つ効率よく１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を製造することができる。
特定官能基を有する一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、具体的には下記一般式（Ａ）又は一般式（Ｂ）で表される。
特定官能基を有する一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、具体的には下記一般式（Ａ）又は一般式（Ｂ）で表される。
式中、Ｒ１及びＲ２は一般式（Ｉ）におけるＲ１及びＲ２とそれぞれ同義である。Ｒ３は水素原子又はアシル基を表す。
Ｒ３におけるアシル基の炭素数は特に制限されない。例えば炭素数１〜３０とすることができ、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜４であることがより好ましく、炭素数１〜３であることが更に好ましい。
またアシル基は、飽和脂肪族アシル基、不飽和脂肪族アシル基及び芳香族アシル基のいずれであってもよい。中でも炭素数１〜６の飽和脂肪族アシル基又は炭素数３〜８の不飽和脂肪族アシル基であることが好ましく、炭素数１〜４の飽和脂肪族アシル基又は炭素数３〜４の不飽和脂肪族アシル基であることがより好ましく、炭素数１〜３の飽和脂肪族アシル基又は炭素数３の不飽和脂肪族アシル基であることが更に好ましい。
Ｒ３におけるアシル基の炭素数は特に制限されない。例えば炭素数１〜３０とすることができ、炭素数１〜１０であることが好ましく、炭素数１〜４であることがより好ましく、炭素数１〜３であることが更に好ましい。
またアシル基は、飽和脂肪族アシル基、不飽和脂肪族アシル基及び芳香族アシル基のいずれであってもよい。中でも炭素数１〜６の飽和脂肪族アシル基又は炭素数３〜８の不飽和脂肪族アシル基であることが好ましく、炭素数１〜４の飽和脂肪族アシル基又は炭素数３〜４の不飽和脂肪族アシル基であることがより好ましく、炭素数１〜３の飽和脂肪族アシル基又は炭素数３の不飽和脂肪族アシル基であることが更に好ましい。
Ｒ３で表されるアシル基の具体例としては、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、（メタ）アクリル基、クロトノイル基、ベンゾイル基及びシンナモイル基等を挙げることができる。
中でも、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基及び（メタ）アクリル基からなる群より選ばれるアシル基であることが好ましい。
特にアシル基が（メタ）アクリル基等の不飽和脂肪族アシル基である場合には、デヒドロアビエチン酸骨格を有するアクリル系重合体の形成に好適に適用することができる。
中でも、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基及び（メタ）アクリル基からなる群より選ばれるアシル基であることが好ましい。
特にアシル基が（メタ）アクリル基等の不飽和脂肪族アシル基である場合には、デヒドロアビエチン酸骨格を有するアクリル系重合体の形成に好適に適用することができる。
以下に、一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体の具体例を示すが本発明はこれらに限定されない。
＜デヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法＞
一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、デヒドロアビエチン酸又はそのエステル誘導体から製造することができる。またデヒドロアビエチン酸は、ロジンから調製することができる。
ロジンは松脂から採取される樹脂成分であり、採取の方法により、代表的なものとして「ガムロジン」、「トールロジン」及び「ウッドロジン」の３種がある。ロジンに含まれる構成成分は、これら採取の方法、松の産地等により異なるが、一般的には、以下にその構造を示す、アビエチン酸（１）、ネオアビエチン酸（２）、パラストリン酸（３）、レボピマール酸（４）、デヒドロアビエチン酸（５）、ピマール酸（６）、イソピマール酸（７）等のジテルペン系樹脂酸の混合物である。
一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、デヒドロアビエチン酸又はそのエステル誘導体から製造することができる。またデヒドロアビエチン酸は、ロジンから調製することができる。
ロジンは松脂から採取される樹脂成分であり、採取の方法により、代表的なものとして「ガムロジン」、「トールロジン」及び「ウッドロジン」の３種がある。ロジンに含まれる構成成分は、これら採取の方法、松の産地等により異なるが、一般的には、以下にその構造を示す、アビエチン酸（１）、ネオアビエチン酸（２）、パラストリン酸（３）、レボピマール酸（４）、デヒドロアビエチン酸（５）、ピマール酸（６）、イソピマール酸（７）等のジテルペン系樹脂酸の混合物である。
これらのジテルペン系樹脂酸のうち、（１）から（４）で表される各化合物は、例えばアパタイト系等の触媒存在下、加熱処理することにより不均化を起こし、デヒドロアビエチン酸（５）と下記構造のジヒドロアビエチン酸（８）に変性することができる。変性は例えば、特開２００２−２８４７３２号公報等を参考に行うことができる。
一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、下記一般式（III）で表される化合物（デヒドロアビエチン酸及びそのエステル誘導体）と下記一般式（ＩＶ）で表される化合物とを反応させる工程を含み、必要に応じてその他の工程を含む製造方法によって製造することができる。
かかる製造方法であることで、一般式（III）で表される化合物に対して、優れた収率で且つ位置選択的に特定官能基を導入することができる。
かかる製造方法であることで、一般式（III）で表される化合物に対して、優れた収率で且つ位置選択的に特定官能基を導入することができる。
一般式（Ｉ）、一般式（III）及び一般式（ＩＶ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す。またＹは水素原子又は脱離基を示す。
Ｒ１、Ｒ２及びＸの詳細は既述の通りであり、好ましい態様も同様である。
Ｙにおける脱離基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルキル及びアリールスルホニルオキシ基、並びにアルキル及びアリールアミノスルホニルオキシ基等を挙げることができる。中でも、Ｙにおける脱離基としては、反応性と生産性の観点から、ハロゲン原子であることが好ましい。
Ｒ１、Ｒ２及びＸの詳細は既述の通りであり、好ましい態様も同様である。
Ｙにおける脱離基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、アルキル及びアリールスルホニルオキシ基、並びにアルキル及びアリールアミノスルホニルオキシ基等を挙げることができる。中でも、Ｙにおける脱離基としては、反応性と生産性の観点から、ハロゲン原子であることが好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（ＩＶ）で表される化合物とを反応させる工程は、いわゆる芳香族求電子置換反応である。芳香族求電子置換反応の反応条件には特に制限はなく、一般式（ＩＶ）で表される化合物の構造等に応じて、通常用いられる反応条件から、適宜選択することができる。例えば、酸性条件下で、一般式（III）で表される化合物と一般式（ＩＶ）で表される化合物と混合する方法等を挙げることができる。
より具体的には、一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、一般式（Ａ）で表される化合物は、例えば以下のような合成経路で合成することができる。
以下の一般式中、Ｒ１及びＲ２は、一般式（Ｉ）におけるＲ１及びＲ２とそれぞれ同義である。またＲ４とこれが結合するカルボニル基から構成されるアシル基は、一般式（Ａ）のＲ３におけるアシル基と同義である。
以下の一般式中、Ｒ１及びＲ２は、一般式（Ｉ）におけるＲ１及びＲ２とそれぞれ同義である。またＲ４とこれが結合するカルボニル基から構成されるアシル基は、一般式（Ａ）のＲ３におけるアシル基と同義である。
一般式（III）で表される化合物において、Ｒ１が水素原子である化合物はデヒドロアビエチン酸自体である。またＲ１が水素原子以外である化合物は、デヒドロアビエチン酸及びＲ１に対応するアルコールから、通常用いられるエステル化方法によって製造することができる。
一般式（III）で表される化合物に、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸の存在下に、一般式（ＩＶａ）で表されるグリオキシル酸誘導体を反応させることで、一般式（Ａ１）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を製造することができる。反応条件は、通常の芳香族求電子置換反応に適用される反応条件から適宜選択することができる。例えば、一般式（Ｖ）で表わされるカルボン酸を溶媒として、濃硫酸等の強酸の存在下に反応を行なうことができる。
尚、一般式（Ａ１）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、一般式（Ａ）においてＲ３がアシル基であるデヒドロアビエチン酸誘導体に相当する。
尚、一般式（Ａ１）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、一般式（Ａ）においてＲ３がアシル基であるデヒドロアビエチン酸誘導体に相当する。
一般式（III）で表される化合物に、一般式（ＩＶａ）で表されるグリオキシル酸誘導体を反応させる工程において、一般式（III）で表される化合物に対する、一般式（ＩＶａ）で表されるグリオキシル酸誘導体の使用量は特に制限されない。例えば１当量以上とすることができ、１当量以上５当量以下であることが好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（ＩＶａ）で表されるグリオキシル酸誘導体とを反応させる工程においては、触媒を用いてもよい。触媒としては例えば、塩化鉄及び塩化亜鉛等を挙げることができる。
また触媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して０．０１当量以上とすることができ、０．０１当量以上３当量以下であることが好ましい。
また触媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して０．０１当量以上とすることができ、０．０１当量以上３当量以下であることが好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（ＩＶａ）で表されるグリオキシル酸誘導体とを反応させる工程においては、溶媒を用いてもよい。溶媒としては一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸の他、酢酸エチル等のカルボン酸エステル、塩化メチレン及びクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素などを挙げることができる。
反応に溶媒を用いる場合、溶媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して５０質量％以上とすることができ、５０質量％以上２０００質量％以下であることが好ましい。
また反応温度は特に制限されず、例えば、−２０〜１００℃とすることができ、０〜８０℃であることが好ましい。
反応に溶媒を用いる場合、溶媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して５０質量％以上とすることができ、５０質量％以上２０００質量％以下であることが好ましい。
また反応温度は特に制限されず、例えば、−２０〜１００℃とすることができ、０〜８０℃であることが好ましい。
一般式（Ａ２）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、一般式（Ａ１）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を、エステル加水分解反応に付する製造することができる。エステル加水分解反応の反応条件は所望の化合物が得られる限り特に制限されず、通常用いられるエステル加水分解反応の反応条件から適宜選択することができる。例えば、アルカリ性水溶液を用いた一般的な加水分解反応条件等を挙げることができる。
尚、一般式（Ａ２）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体、一般式（Ａ）においてＲ３が水素原子であるデヒドロアビエチン酸誘導体に相当する。
尚、一般式（Ａ２）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体、一般式（Ａ）においてＲ３が水素原子であるデヒドロアビエチン酸誘導体に相当する。
一般式（Ａ１）で表される化合物を加水分解する工程においては、溶媒を用いてもよい。溶媒としては特に制限されず、一般式（Ａ１）で表される化合物の溶解性等に応じて適宜選択することができる。具体的には、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。
また反応温度は特に制限されず、例えば、１０〜２００℃とすることができ、２０〜１５０℃であることが好ましい。
また反応温度は特に制限されず、例えば、１０〜２００℃とすることができ、２０〜１５０℃であることが好ましい。
また一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、一般式（Ｂ）で表される化合物は、例えば以下のような合成経路で合成することができる。
以下の一般式中、Ｒ１及びＲ２は、一般式（Ｉ）におけるＲ１及びＲ２とそれぞれ同義である。またＬＧは脱離基を表し、一般式（ＩＶ）のＹにおける脱離基と同義である。
以下の一般式中、Ｒ１及びＲ２は、一般式（Ｉ）におけるＲ１及びＲ２とそれぞれ同義である。またＬＧは脱離基を表し、一般式（ＩＶ）のＹにおける脱離基と同義である。
一般式（III）で表される化合物に、一般式（ＩＶｂ）で表されるオキサリル酸誘導体を反応させることで、一般式（Ｂ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を製造することができる。反応条件は、通常の芳香族求電子置換反応に適用される反応条件から適宜選択することができる。例えば、一般的なフリーデルクラフツ型の反応条件を選択することができる。
一般式（III）で表される化合物に、一般式（ＩＶｂ）で表されるオキサリル酸誘導体を反応させる工程において、一般式（III）で表される化合物に対する、一般式（ＩＶｂ）で表されるオキサリル酸誘導体の使用量は特に制限されない。例えば１当量以上とすることができ、１当量以上３当量以下であることが好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（ＩＶｂ）で表されオキサリル酸誘導体とを反応させる工程においては、触媒を用いてもよい。触媒としては例えば、塩化鉄及び塩化亜鉛等を挙げることができる。
また触媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して０．０１当量以上とすることができ、０．０１当量以上３当量以下であることが好ましい。
また触媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して０．０１当量以上とすることができ、０．０１当量以上３当量以下であることが好ましい。
一般式（III）で表される化合物と一般式（ＩＶｂ）で表されるオキサリル酸誘導体とを反応させる工程においては、溶媒を用いてもよい。溶媒としては所望の化合物が得られる限り特に制限されない。例えば、塩化メチレン及びクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素などを挙げることができる。
反応に溶媒を用いる場合、溶媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して５０質量％以上とすることができ、５０質量％以上２０００質量％以下であることが好ましい。
また反応温度は特に制限されず、例えば、−２０〜１００℃とすることができ、−１０〜５０℃であることが好ましい。
反応に溶媒を用いる場合、溶媒の使用量は特に制限されない。例えば一般式（III）で表される化合物に対して５０質量％以上とすることができ、５０質量％以上２０００質量％以下であることが好ましい。
また反応温度は特に制限されず、例えば、−２０〜１００℃とすることができ、−１０〜５０℃であることが好ましい。
本発明の一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法は、生成物の単離工程をさらに含むことが好ましい。
単離工程としては所望の生成物が得られる限り特に制限されず、通常用いられる単離方法から適宜選択して適用することができる。例えば、反応中に析出した生成物の結晶を単純に濾取する方法；反応後、反応液に氷水を注いで析出した生成物を濾取する方法；反応液に氷水を注いだ後、水層を分離し、さらに洗液がほぼ中性になるまで水洗した後、有機層の溶媒を減圧留去して生成物を得る方法等を挙げることができる。
得られた生成物はさらに精製工程に付してもよい。生成物の精製方法としては特に制限されない。例えば、再結晶、再沈殿、カラムクロマト等の通常用いられる精製方法から適宜選択することができる。
単離工程としては所望の生成物が得られる限り特に制限されず、通常用いられる単離方法から適宜選択して適用することができる。例えば、反応中に析出した生成物の結晶を単純に濾取する方法；反応後、反応液に氷水を注いで析出した生成物を濾取する方法；反応液に氷水を注いだ後、水層を分離し、さらに洗液がほぼ中性になるまで水洗した後、有機層の溶媒を減圧留去して生成物を得る方法等を挙げることができる。
得られた生成物はさらに精製工程に付してもよい。生成物の精製方法としては特に制限されない。例えば、再結晶、再沈殿、カラムクロマト等の通常用いられる精製方法から適宜選択することができる。
＜１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法＞
本発明の下記一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法は、下記一般式（Ｉ）で表わされるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸する工程を含み、必要に応じてその他の工程を含んで構成される。一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を出発物質とすることで、簡便に且つ優れた収率で、一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を製造することができる。
本発明の下記一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法は、下記一般式（Ｉ）で表わされるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸する工程を含み、必要に応じてその他の工程を含んで構成される。一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を出発物質とすることで、簡便に且つ優れた収率で、一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を製造することができる。
一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す。
Ｒ１、Ｒ２及びＸの詳細は既述の通りであり、好ましい態様も同様である。
Ｒ１、Ｒ２及びＸの詳細は既述の通りであり、好ましい態様も同様である。
一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体は、酸化工程及び脱炭酸工程を経ることで、一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体に変換される。
酸化工程及び脱炭酸工程は、１つの工程として適用してもよく、またそれぞれ独立した工程として順次適用してもよい。
酸化工程及び脱炭酸工程は、１つの工程として適用してもよく、またそれぞれ独立した工程として順次適用してもよい。
酸化工程及び脱炭酸工程を１つの工程として適用する場合、その反応条件としては、例えば、アルカリ条件下に過酸化水素で処理する方法、弱酸性条件下にタングステン酸ナトリウム触媒存在下にて過酸化水素で処理する方法、弱酸性条件下に次亜塩素酸/亜塩素酸で処理する方法、貴金属触媒存在下にて過ヨウ素酸で処理する方法等を挙げることができる。
また酸化工程及び脱炭酸工程を別々独立した工程として適用する場合、その適用順は一般式（Ｉ）におけるＸの種類等に応じて適宜選択することができる。
酸化工程における反応条件としては、特に制限されず通常用いられる酸化反応条件から適宜選択することができる。例えば、過酸化水素等の過酸化物を用いる方法や次亜塩素酸等を用いる方法などを挙げることができる。
脱炭酸工程における反応条件としては、特に制限されず通常用いられる脱炭酸反応条件から適宜選択することができる。例えば、酸性条件下で処理する方法や光照射する方法等を挙げること挙げることができる。
酸化工程における反応条件としては、特に制限されず通常用いられる酸化反応条件から適宜選択することができる。例えば、過酸化水素等の過酸化物を用いる方法や次亜塩素酸等を用いる方法などを挙げることができる。
脱炭酸工程における反応条件としては、特に制限されず通常用いられる脱炭酸反応条件から適宜選択することができる。例えば、酸性条件下で処理する方法や光照射する方法等を挙げること挙げることができる。
一般式（Ｉ）で表される化合物が一般式（Ｂ）で表される場合、酸化工程及び脱炭酸工程に供される一般式（Ｂ）で表される化合物におけるＲ１及びＲ２は特に制限されない。中でも反応効率の観点から、Ｒ２が水素原子であることが好ましい。
Ｒ２が水素原子である一般式（Ｂ）で表される化合物は、酸化工程及び脱炭酸工程に供する前に予めＲ２が水素原子以外である一般式（Ｂ）で表される化合物からエステル加水分解反応等により調製してもよい。またＲ２が水素原子以外である一般式（Ｂ）で表される化合物におけるＲ２を水素原子に変換する工程と、酸化工程及び脱炭酸工程とを連続的に行なってもよい。
Ｒ２が水素原子である一般式（Ｂ）で表される化合物は、酸化工程及び脱炭酸工程に供する前に予めＲ２が水素原子以外である一般式（Ｂ）で表される化合物からエステル加水分解反応等により調製してもよい。またＲ２が水素原子以外である一般式（Ｂ）で表される化合物におけるＲ２を水素原子に変換する工程と、酸化工程及び脱炭酸工程とを連続的に行なってもよい。
また一般式（Ｉ）で表される化合物が一般式（Ａ）で表される場合、酸化工程及び脱炭酸工程に供される一般式（Ａ）で表される化合物におけるＲ１、Ｒ２及びＲ３は特に制限されない。
例えば、Ｒ３が水素原子である一般式（Ａ）で表される化合物は、酸化工程及び脱炭酸工程に供する前に予めＲ３がアシル基である一般式（Ａ）で表される化合物からエステル加水分解反応等により、調製することができる。またＲ３がアシル基である一般式（Ａ）で表される化合物におけるＲ３を水素原子に変換する工程と、酸化工程及び脱炭酸工程とを連続的に行ってもよい。
例えば、Ｒ３が水素原子である一般式（Ａ）で表される化合物は、酸化工程及び脱炭酸工程に供する前に予めＲ３がアシル基である一般式（Ａ）で表される化合物からエステル加水分解反応等により、調製することができる。またＲ３がアシル基である一般式（Ａ）で表される化合物におけるＲ３を水素原子に変換する工程と、酸化工程及び脱炭酸工程とを連続的に行ってもよい。
一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体は、植物由来の骨格を有するジカルボン酸化合物である。一般にジカルボン酸化合物は、ポリエステル重合体、ポリアミド重合体及びポリウレタン重合体の構成要素の一部として用いることができる。従って一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体は、植物由来の骨格を主鎖に有するポリエステル重合体、ポリアミド重合体及びポリウレタン重合体の製造に用いることができる。
具体的には例えば、国際公開２０１０／１５０８４７号明細書等に記載されたポリエステル重合体の製造に好適に適用することができる。
具体的には例えば、国際公開２０１０／１５０８４７号明細書等に記載されたポリエステル重合体の製造に好適に適用することができる。
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。
＜実施例１＞
例示化合物(Ａ-１)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−１）を合成した。
例示化合物(Ａ-１)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−１）を合成した。
９２％デヒドロアビエチン酸（以下、「ＤＨＡ」ともいう；荒川化学工業社製）１．００Ｋｇと塩化メチレン２Ｌの混合物に、塩化オキサリル０．４５Ｋｇを室温で滴下した。５時間撹拌した後、溶媒を減圧留去し、そこにメタノール０．５５Ｋｇを滴下した。室温で５時間撹拌後、過剰のメタノールを減圧留去し、デヒドロアビエチン酸メチルエステル（ＤＨＡ−Ｍｅ）の白色結晶１．１０Ｋｇを得た。
１５℃に冷却した氷酢酸１．５Ｌに濃硫酸５００mlを系内の温度を２５℃以下に保ちつつ、ゆっくりと滴下した。上記で得られたＤＨＡ−Ｍｅ３１４g及びグリオキシル酸水和物１３６gを加えて、４０℃にて４時間３０分攪拌した後、系内を１０℃まで冷却した。系内の溶液を氷冷した水を攪拌しながら添加し、析出した結晶を濾取することで、白色結晶として例示化合物（Ａ−１）５００gを得た。
得られた例示化合物（Ａ−１）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図１に示す。
得られた例示化合物（Ａ−１）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図１に示す。
＜実施例２＞
例示化合物(Ａ−８)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−８）を合成した。
例示化合物(Ａ−８)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−８）を合成した。
実施例１で合成した例示化合物（Ａ−１）１１７．７gのテトラヒドロフラン５００ｍＬ溶液に、５０ｗｔ／ｖ％の水酸化ナトリウム水溶液６０ｍＬを滴下した。そのまま室温まで昇温し、一晩放置した。酢酸エチル５００ｍＬ、氷水２００ｍＬを加えて濃塩酸にて中和し、分液、水洗浄を行い、有機層を減圧留去することで、白色結晶が析出した。ヘキサンにて分散洗いを行った後、乾燥することで、例示化合物（Ａ−８）の白色結晶９５．２gを得た。
例示化合物（Ａ−８）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）一例を図２に示す。
例示化合物（Ａ−８）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）一例を図２に示す。
＜実施例３＞
例示化合物(Ａ−６)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−６）を合成した。
例示化合物(Ａ−６)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−６）を合成した。
５℃に冷却したアクリル酸１５０ｍＬに濃硫酸５０ｍＬを系内の温度を１５℃以下に保ちつつ、ゆっくりと滴下した。ＤＨＡ−Ｍｅ３１．４g及びグリオキシル酸水和物１３．６gを加えて、４０℃にて５時間攪拌した後、系内を１０℃まで冷却した。系内の溶液を氷冷した水を攪拌しながら添加し、酢酸エチル５００ｍＬにて抽出した。抽出液を重曹水、水の順に洗浄した後、溶媒を留去した。得られた油状物をヘキサン／酢酸エチル混合溶媒にてカラムクロマトにて精製することで、例示化合物（Ａ−６）の油状物３２．２gを得た。
例示化合物（Ａ−６）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図３に示す。
例示化合物（Ａ−６）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図３に示す。
＜実施例４＞
例示化合物(Ｂ−１)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ｂ−１）を合成した。
例示化合物(Ｂ−１)の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ｂ−１）を合成した。
ＤＨＡ−Ｍｅ３１４gのクロロベンゼン溶液１Ｌにエチルオキサリルクロライド１６３．８gを加えた。系内の温度を５℃まで冷却し、塩化アルミニウム（III）３３３．４gを系内の温度を１０℃程度に保ちながら、３回に分けて分割添加した。そのまま２時間攪拌した後、酢酸エチル１．５Ｌを系内の温度を１５℃以下に保ちつつ添加した。その後、水１．５Ｌ／メタノール０．２Ｌの混合溶液を、系内の温度を３０℃以下に保ちつつ添加した。分液により下層の水相を除去した後、５ｍｏｌ／Ｌ塩酸水１Ｌにて洗浄した。続いて１５％食塩水にて水相のＰＨが４〜７の範囲になるまで数回繰り返し洗浄を行った。有機層を濃縮して、ヘキサンにて晶析を行うことで、例示化合物（Ｂ−１）の白色結晶３２０gを得た。
例示化合物（Ｂ−１）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図４に示す。
例示化合物（Ｂ−１）の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図４に示す。
＜実施例５＞
例示化合物（Ａ−１８）の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−１８）を合成した。
例示化合物（Ａ−１８）の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−１８）を合成した。
実施例１において、メタノールの代わりにｎ−プロピルアルコールを用いたこと以外は実施例１と同様にして、デヒドロアビエチン酸ｎ−プロピルエステル（ＤＨＡ−Ｐｒ）を得た。
得られたＤＨＡ−Ｐｒを用いたこと以外は実施例１と同様にして、例示化合物（Ａ−１８）を得た。
得られたＤＨＡ−Ｐｒを用いたこと以外は実施例１と同様にして、例示化合物（Ａ−１８）を得た。
＜実施例６＞
例示化合物（Ａ−４）の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−４）を合成した。
例示化合物（Ａ−４）の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−４）を合成した。
実施例１において、氷酢酸の代わりにプロピオン酸を用いたこと以外は実施例１と同様にして例示化合物（Ａ−４）を得た。
＜実施例７＞
例示化合物（Ａ−１３）の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−１３）を合成した。
例示化合物（Ａ−１３）の合成
下記合成経路によって例示化合物（Ａ−１３）を合成した。
９２％デヒドロアビエチン酸（荒川化学工業社製）をSongzhi Jiagong Gongyi, China Forestry Publication, Beijing, Chinese, 1998, pp. 49−51.記載の方法により精製して９９％デヒドロアビエチン酸を得た。
得られた９９％デヒドロアビエチン酸３００g、アセトキシビフェニル１３５g、酢酸ナトリウム４gを窒素下、１６０℃にて溶融させ、１時間攪拌した。その後、生成する酢酸を留去しながら、２８０度まで段階的に昇温させた。ＴＬＣにて原料の消失を確認した後、室温まで冷却した。酢酸エチルを加えて溶解させた後、水にて洗浄分液し、溶媒留去した。酢酸エチル／ヘキサンの混合溶媒にて晶析を行うことで、ＤＨＡ−Ｂｐ３４０gを得た。
１５℃に冷却した氷酢酸３００ｍｌに濃硫酸１００ｍｌを系内の温度を２５℃以下に保ちつつ、ゆっくりと滴下した。上記で得られたＤＨＡ−Ｂｐ７５g及びグリオキシル酸水和物２７gを加えて、４０℃にて５時間攪拌した後、系内を１０℃まで冷却した。系内の溶液を氷冷した水を攪拌しながら添加し、析出した結晶を濾取することで、白色結晶として例示化合物（Ａ−１３）８１gを得た。
得られた９９％デヒドロアビエチン酸３００g、アセトキシビフェニル１３５g、酢酸ナトリウム４gを窒素下、１６０℃にて溶融させ、１時間攪拌した。その後、生成する酢酸を留去しながら、２８０度まで段階的に昇温させた。ＴＬＣにて原料の消失を確認した後、室温まで冷却した。酢酸エチルを加えて溶解させた後、水にて洗浄分液し、溶媒留去した。酢酸エチル／ヘキサンの混合溶媒にて晶析を行うことで、ＤＨＡ−Ｂｐ３４０gを得た。
１５℃に冷却した氷酢酸３００ｍｌに濃硫酸１００ｍｌを系内の温度を２５℃以下に保ちつつ、ゆっくりと滴下した。上記で得られたＤＨＡ−Ｂｐ７５g及びグリオキシル酸水和物２７gを加えて、４０℃にて５時間攪拌した後、系内を１０℃まで冷却した。系内の溶液を氷冷した水を攪拌しながら添加し、析出した結晶を濾取することで、白色結晶として例示化合物（Ａ−１３）８１gを得た。
＜実施例８＞
例示化合物（Ｂ−１）を用いた１２―カルボキシデヒドロアビエチン酸の合成
例示化合物（Ｂ−１）を用いた１２―カルボキシデヒドロアビエチン酸の合成
上記で得られた例示化合物（Ｂ−１）２５４．５g、４ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液５３６ｍｌ及びエチレングリコール２１６ｍｌのスラリー溶液を内温１００℃まで加熱し、５時間攪拌した。反応系はスラリー状から透明な溶液に変化した。系の温度を１０℃まで冷却し、水７１０ｍｌを加えた後、３０％過酸化水素水８８．３gを系内温度を２５℃以下に保ちながら滴下した。系内はやや発泡が見られ、発泡がなくなった後さらに１時間攪拌した。亜硫酸ナトリウム１９．４g水溶液２００ｍｌをゆっくりと滴下した後、よう素カリウムでん粉紙にて過酸化水素の残存が無いことを確認した。メタノール７１０ｍｌを添加した後、１０ｍｏｌ／Ｌ塩酸水にて系内を中和することで、白色結晶が析出した。結晶をヌッチェでろ取し、水をかけ洗いを行った後、乾燥させることで１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸の白色結晶２１０gを得た（収率９９％、純度９９．５％）。
得られた１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＤＭＳＯ−ｄ６）の一例を図５に示す。
得られた１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸の１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＤＭＳＯ−ｄ６）の一例を図５に示す。
＜実施例９＞
例示化合物（Ｂ−１）を用いた１２―カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の合成
例示化合物（Ｂ−１）を用いた１２―カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の合成
上記で得られた例示化合物（Ｂ−１）２０７g、４ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液１２５ｍｌ及びテトラヒドロフラン５００ｍｌからなる溶液を内温１５℃にて、５時間攪拌した。原料の消失を確認した後、系の温度を１０℃まで冷却した。酢酸エチルで希釈した後、塩酸を加えて中和、水洗、分液を行った。溶媒を留去した後、４ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液１Ｌに溶解させた。そこに３０％過酸化水素水７０ｇを系内温度を２５℃以下に保ちながら滴下した。系内はやや発泡が見られ、発泡がなくなった後さらに１時間攪拌した。亜硫酸ナトリウム１５ｇ水溶液１５０ｍｌをゆっくりと滴下した後、よう素カリウムでん粉紙にて過酸化水素の残存が無いことを確認した。１０ｍｏｌ／Ｌ塩酸水にて系内を中和することで、白色結晶が析出した。析出した結晶をヌッチェでろ取し、水でかけ洗いを行った後、乾燥させることで１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸メチルエステルの白色結晶１７０gを得た（収率９５％、純度９９．０％）。
得られた１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸メチルエステルの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図６に示す。
得られた１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸メチルエステルの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル（溶媒：ＣＤＣｌ３）の一例を図６に示す。
＜実施例１０＞
例示化合物（Ａ−１）を用いた１２―カルボキシデヒドロアビエチン酸の合成
例示化合物（Ａ−１）を用いた１２―カルボキシデヒドロアビエチン酸の合成
上記で得られた例示化合物（Ａ−１）８０．３g、３．２ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液３２０ｍｌのスラリー溶液を内温１００℃まで加熱し、５時間攪拌した。反応系はスラリー状から透明な溶液に変化した。系の温度を１０℃まで冷却し水７００ｍｌを加えた後、塩酸水にて中和することで、析出した粉体をろ取し、化合物（Ａ−１−２）６４．０ｇを得た。
得られた（Ａ−１−２）を、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，Ｖｏｌ．１１９，ｐ１２３８６−１２３８７に記載の方法に準じて処理して１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸を得ることができた（収率９２％、純度９９．１％）。
得られた（Ａ−１−２）を、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９９７，Ｖｏｌ．１１９，ｐ１２３８６−１２３８７に記載の方法に準じて処理して１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸を得ることができた（収率９２％、純度９９．１％）。
以上から、一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸することで、簡便に且つ優れた収率で、一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体を高純度に製造することができることが分かる。
Claims (5)
- 下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体。
（一般式（Ｉ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す） - 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１は水素原子、炭素数６〜１５のアリール基又は炭素数１〜８のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を示し、Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又は炭素数２〜５のアシルオキシメチレン基を示す、請求項１に記載のデヒドロアビエチン酸誘導体。
- 前記一般式（Ｉ）において、Ｒ１は水素原子、炭素数６〜１２のアリール基又は炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子、メチル基又はエチル基を示し、Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又は炭素数２〜４のアシルオキシメチレン基を示す、請求項１に記載のデヒドロアビエチン酸誘導体。
- 下記一般式（Ｉ）で表わされるデヒドロアビエチン酸誘導体を酸化及び脱炭酸する工程を含む、下記一般式（ＩＩ）で表される１２−カルボキシデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法。
（一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す） - 下記一般式（III）で表される化合物と下記一般式（ＩＶ）で表される化合物とを反応させる工程を含む、下記一般式（Ｉ）で表されるデヒドロアビエチン酸誘導体の製造方法。
（一般式（Ｉ）、一般式（III）及び一般式（ＩＶ）中、Ｒ１は水素原子、アリール基又は炭素数１〜１０のアルキル基を示し、Ｒ２は水素原子又は炭素数１〜１０のアルキル基を示す。Ｘはカルボニル基、ヒドロキシメチレン基又はアシルオキシメチレン基を示す。Ｙは水素原子又は脱離基を示す）
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