JP2012243876A5 - パワー半導体素子用Ａｌ合金膜 - Google Patents
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- 金属成分として、Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、Ｓｉおよび／またはＧｅとを含み、かつＡｌマトリックスの最大粒径が８００ｎｍ以下であることを特徴とするパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 膜厚が５００ｎｍ〜５μｍである請求項１に記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 更に、Ｎｉおよび／またはＣｏを含む請求項１または２に記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 更に、Ｃｕを含む請求項１〜３のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 前記Ｘ群元素の含有量は、０．１〜５原子％である請求項１〜４のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 前記Ｓｉおよび／またはＧｅの含有量は、０．１〜３原子％である請求項１〜５のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 前記Ｎｉおよび／またはＣｏの含有量は、０．１〜３原子％である請求項３〜６のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 前記Ｃｕの含有量は、０．１〜２原子％である請求項４〜７のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜。
- 請求項１〜８のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、
Ｔａ、Ｎｂ、Ｒｅ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｈｆ、Ｔｉ、ＣｒおよびＰｔよりなる群（Ｘ群）から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）を０．１〜５原子％含むと共に、Ｓｉおよび／またはＧｅを０．１〜３原子％含み、残部がＡｌおよび不可避的不純物であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 - 更に、Ｎｉおよび／またはＣｏを０．１〜３原子％含むものである請求項９に記載のスパッタリングターゲット。
- 更に、Ｃｕを０．１〜２原子％含むものである請求項９または１０に記載のスパッタリングターゲット。
- 基板上に少なくとも、請求項１〜８のいずれかに記載のパワー半導体素子用Ａｌ合金膜を備えたパワー半導体構造であって、
前記基板と前記Ａｌ合金膜が直接接触していることを特徴とするパワー半導体構造。 - 前記基板は、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板、またはＧａＮ基板である請求項１２に記載のパワー半導体構造。
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