JP2012256743A5 - - Google Patents

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上述のような処理空間を形成することにより得られる利点として、主に以下の2つの利点が考えられる。1つは、外部から隔離されていることにより、処理空間内の雰囲気が外部に出るのを防ぐことができ、かつ、外部の雰囲気が処理空間内に入るのを防ぐことができるという利点である。もう1つは、処理空間が閉空間となっていることにより、処理が実施される空間の容積を小さくすることができ、これによって、処理の効率を上げることができるという利点である。例えば、処理の際に処理空間内の清浄ガスへの置換効率を上げることができるという利点である。
図9Cに示すように、バーノズル66においては、各吐出口66aに対応して、硫酸通路66bに1つの硫酸吐出路66dが、過酸化水素水通路66cに一つの過酸化水素水吐出路66eがそれぞれ接続されている。また図9Cに示すように、硫酸吐出路66dが終端する吐出口66aよりも手前の位置で、過酸化水素水吐出路66eが硫酸吐出路66dに合流している。従って、各吐出口66aから、硫酸と過酸化水素水とを混合することにより生成された直後のSPM液が吐出される。このように各吐出口66aの近傍において硫酸と過酸化水素水とを混合することにより、混合に起因する化学反応によって温度上昇した直後のSPM液を各吐出口66aから吐出することができる。
その後、基板保持部21におけるリフトピンプレート22および処理液供給管28を図6に示す位置から上方に移動させ、また、シャッター94を移動させて開口94aを形成する。次に、液処理装置10の外部からウエハWが搬送アーム104により開口94aを介してチャンバ20内に搬送され、このウエハWがリフトピンプレート22のリフトピン23上に載置される。この際、カップ外周筒50は図6に示すようなカップ下降位置に位置している。また、各ノズル支持アーム82はチャンバ20から退避したノズル退避位置に位置している。すなわち、各ノズル支持アーム82は待機室80内で待機している。また、エアフード31からクリーンエア等の清浄ガスが常にダウンフローで送られ、この清浄ガスが排気部48により排気されることにより、チャンバ20内の雰囲気の置換が行われる。
<スピン乾燥処理>
第2のDIWリンス処理を所定時間実行した後、ノズル82aからのDIWの吐出を停止する。次いで、引き続きウエハWを回転させたまま(回転速度を増大させることが好ましい)、エアフード31により、クリーンエア等の清浄ガスをダウンフローでウエハWの上面に吹き付ける。これにより、ウエハWの面上に残留していたDIWが遠心力により振り切られるとともに、清浄ガスにより乾燥が促進される。
また上記の実施形態によれば、上述の第2のDIWリンス処理またはスピン乾燥処理の際、カップ外周筒50の上部の開口がエアフード31により封止される。このため、エアフード31およびカップ外周筒50の内側に、外部から隔離された処理空間が形成されている。この処理空間の容積は、チャンバ20の容積よりも小さくなっている。このような処理空間において第2のDIWリンス処理およびスピン乾燥処理を実施することにより、清浄ガスの置換効率を向上させることができ、これによって、処理効率を高めることができる。このため、ウエハWを汚染させることなく様々な処理を実施することが可能となる。またカップ外周筒50とエアフード31との間にはOリング50cが介在されている。このため、エアフード31およびカップ外周筒50により形成される処理空間をより強固に外部から隔離することができる。
その後、洗浄ノズル32bからの洗浄液32fの吐出を停止させ、次に、図14(c)に示すように、洗浄用容器32の乾燥手段32dを用いて、天板61の端部のうち待機室80側の端部と反対側の端部の近傍にエア32gを吹き付ける。次に、乾燥手段32dを用いて天板61に向けてエア32gを吐出しながら、洗浄用容器32を含む遮蔽機構30を、待機室80に向けて、すなわち上述の退避位置に向けて移動させる(図14(c)の矢印参照)。例えば、図14(d)に示すように、乾燥手段32dからのエア32gが、天板61の端部のうち待機室80側の端部の近傍に到達するようになるまで、洗浄用容器32を含む遮蔽機構30を退避位置に向けて移動させる。これによって、天板61の下面に付着した洗浄液が全域にわたってエア32gにより除去される。このようにして、洗浄液32fにより洗浄された後の天板61を乾燥させることができる。
<DHF洗浄処理>
また、SPM洗浄処理の前に、さらなる洗浄液、例えばフッ酸を純水で希釈した希フッ酸(DHF液)を用いてウエハWを洗浄するDHF洗浄処理が実施されてもよい。この場合、DHF洗浄処理は、第2のDIWリンス処理およびスピン乾燥処理の場合と同様に、カバー機構60が上昇位置にあり、遮蔽機構30が進出位置にあり、かつカップ外周筒50がカップ上昇位置にある状態で実施される。すなわちDHF洗浄処理は、ウエハWの周囲の空間がエアフード31およびカップ外周筒50によって強固に隔離されている状態で実施される。またDHF液は、待機室80で待機している4つのノズル支持アーム82のうちDHF液を供給するためのノズル82aからウエハWに向けて吐出される。DHF液の排液は、処理液回収タンク46a〜46dのうちDHF液用のタンク46bに貯留され排液される。
<SC−1洗浄処理>
また、第2のDIWリンス処理とスピン乾燥処理との間に、さらなる洗浄液、例えばアンモニアと過酸化水素と水の混合溶液(SC−1液)を用いてウエハWを洗浄するSC−1洗浄処理が実施されてもよい。この場合、SC−1洗浄処理は、第2のDIWリンス処理およびスピン乾燥処理の場合と同様に、カバー機構60が上昇位置にあり、遮蔽機構30が進出位置にあり、かつカップ外周筒50がカップ上昇位置にある状態で実施される。すなわちSC−1洗浄処理は、ウエハWの周囲の空間がエアフード31およびカップ外周筒50によって強固に隔離されている状態で実施される。またSC−1液は、待機室80で待機している4つのノズル支持アーム82のうちSC−1液を供給するためのノズル82aからウエハWに向けて吐出される。SC−1液の排液は、処理液回収タンク46a〜46dのうちSC−1液用のタンク46cに貯留される。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6191954B2 (ja) * 2013-09-02 2017-09-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102239421B1 (ko) * 2013-09-02 2021-04-12 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6188139B2 (ja) * 2013-09-02 2017-08-30 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6191953B2 (ja) * 2013-09-02 2017-09-06 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6240450B2 (ja) * 2013-09-27 2017-11-29 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
TWI569349B (zh) 2013-09-27 2017-02-01 斯克林集團公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP6329428B2 (ja) * 2014-05-09 2018-05-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の付着物除去方法、及び記憶媒体
JP6706564B2 (ja) * 2016-09-23 2020-06-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN115369372A (zh) * 2021-05-17 2022-11-22 鑫天虹(厦门)科技有限公司 可减少微尘的基板处理腔室及其遮挡机构
JP2024176384A (ja) * 2023-06-08 2024-12-19 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08257524A (ja) * 1995-03-27 1996-10-08 Toshiba Corp スピンコータ
JP3643954B2 (ja) * 2001-08-29 2005-04-27 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置
JP4191009B2 (ja) * 2003-11-05 2008-12-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5390808B2 (ja) * 2008-08-27 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法

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