JP2012507152A5

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Info

Publication number: JP2012507152A5
Application number: JP2011533411A
Authority: JP
Filing date: 2009-10-26
Publication date: 2016-11-24
Anticipated expiration: 2029-10-26

Description

いくつかの実施形態において、反射電極は、金属アノードのような基板を含む。いくつかの実施形態において、電極は、スチール、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｉｎ、およびこれらの混合物または合金から選択される低仕事関数の金属（a low work function metal）を含む。

いくつかの実施形態において、反射電極１１０は金属アノードなどの電極を含みうる。いくつかの実施形態において、反射電極１１０は、スチール、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｉｎ、およびそれらの混合物または合金から選択される低仕事関数の金属（low work function metal）を含む。いくつかの実施形態において、電極は、ベースとしてひとつの金属を含み、電極物質としてひとつの金属、たとえば、上部にＡｇを有しているか有していないかに関わらず、Ｔｉ、ステンレス、スチール、またはＡｌシートを含む。

Claims

金属アノードを含む反射電極を備え；
前記反射電極上に、少なくとも紫外オゾン（ＵＶ−Ｏ_３）による表面処理を施し；
前記反射電極の上に有機ドナー−アクセプターヘテロ接合を形成し；および
前記有機ドナー−アクセプターヘテロ接合の上にカソードとしての透明電極を形成する、
ことを含む、反転型感光性デバイスの製造方法。
前記反射電極を基板上に配置する、請求項１に記載の方法。
前記有機ドナー−アクセプターヘテロ接合のドナーが、フタロシアニン、ポルフィリン、サブフタロシアニン、およびこれらの誘導体または遷移金属複合体から選択される材料を含む、請求項１または２に記載の方法。
前記ドナー−アクセプターヘテロ接合のドナーが、銅フタロシアニンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
前記有機ドナー−アクセプターヘテロ接合のアクセプターが、重合または非重合ペリレン、ナフタレン、およびフラーレンから選択される材料を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
前記有機ドナー−アクセプターヘテロ接合のアクセプターが、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ビス−ベンズイミダゾールを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
前記透明電極が、透明酸化物および金属または金属置換体から選択される材料を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
前記透明電極が、少なくとも約５０％の周囲の電磁放射を、前記電極を介して伝達する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
前記透明電極が、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物、および亜鉛インジウムスズ酸化物から選択される材料を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
励起子阻止層を備える工程をさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
前記励起子阻止層が、前記反射電極と前記透明電極との間に配置される、請求項１０に記載の方法。
前記励起子阻止層が、前記有機ドナー−アクセプターヘテロ接合のアクセプターと前記透明電極との間に配置される、請求項１０または１１に記載の方法。
前記励起子阻止層が、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−α−ナフチルベンジジン、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム、カルバゾールビフェニル、バトクプロイン、およびトリス（アセチルアセトナト）ルテニウム（ＩＩＩ）から選択される材料を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
前記有機ドナー−アクセプターヘテロ接合が、平面ヘテロ接合、バルクヘテロ接合、ナノ結晶性バルクヘテロ接合、ハイブリッド平面混合ヘテロ接合、および混合ヘテロ接合から選択される構造を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
前記反射電極に、前記紫外オゾン処理に加えてプラズマ表面処理を施す、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
前記プラズマ表面処理が、酸素プラズマ処理およびアルゴンプラズマ処理の少なくとも一方である請求項１５に記載の方法。
前記金属アノードが、ニッケル、銀、アルミニウム、マグネシウム、インジウムおよびこれらの混合物または合金を含む、請求項１に記載の方法。