JP2012507167A

JP2012507167A - 半導体薄膜のスタックを製造する方法

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Publication number: JP2012507167A
Application number: JP2011533726A
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Inventors: ディディエランドリュー，
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Filing date: 2009-10-29
Publication date: 2012-03-22
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Abstract

ＵＴＢＯＸのような積層半導体構造を製造する方法であって、ａ）ドナー基板上に電気絶縁層を形成するステップと、ｂ）絶縁層を通してドナー基板に元素を導入するステップと、ｃ）最終の基板として知られる第２の基板上に電気絶縁層を形成するステップと、ｄ）２つの基板を結合するステップであって、２つの絶縁層が水の拡散を制限し且つ５０ｎｍ未満の厚さの、２つの基板の間に埋め込まれた絶縁層を形成し、ドナー酸化物層が、結合中、結合酸化物層の厚さに少なくとも等しい厚さを有する前記ステップとを含む。
【選択図】図３

Description

技術分野と背景技術

半導体材料の薄膜と最終の基板の間に含有する埋め込み酸化物の薄膜（１μｍ未満）を備えるＳＯＩのような構造を製造する分野において、酸化物層の寸法を小さくする際に生じる主な問題は、結合接合部における欠陥の形成である。

これらの欠陥の存在は、最終の半導体構造に致命的なものとなる。これらの欠陥の一部、つまり水素ブリスターは、温度アニーリング時に現れる（Ｓ. Ｍａｃｋｅｔａｌ. ＪｏｕｒｎａｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Sｏｃｉｅｔｙ. Ｖｏｌ. １４４, ｐ.１１０６, １９９７）。

２つの基板のどちらの半導体材料とも接触して、分子結合中の結合接合部にもたらされる水の分子は、基板の材料と反応しようとし、半導体材料に結合した、水素、又は他のいずれかの反応残留物種を生成する。４００℃より高い温度でのアニーリング中に、結合された水素は、脱着しガス状になる。温度の増加とともに、圧力が増加し、ブリスターが形成される。この後、水とブリスターを形成し得る基板の１つとの間における反応残留物は、「水素」の意味として一緒にグループ化されるが、他のガスも関係し得る。

ブリスターの形成は、埋め込み酸化物層と、埋め込み酸化物層のいずれかの側に配置される基板が大きくあるいは著しい厚さを有するときには、ＳＯＩ型構造の品質がほとんど重大ではない。他方、これらの欠陥の形成は、例えば、５０ｎｍ又は２５ｎｍ又は１５ｎｍより薄い超薄埋め込み酸化物（ＢＯＸ）を有するＵＴＢＯＸ（超薄埋め込み酸化物）型構造の形成に対しては実に重大なものとなる。

これは図４に示され、そこには試料の３つの集団について、“ＢＯＸ”として知られる酸化物層の厚さの関数（Ｘ軸）としてＳＯＩのような構造に対して得られる欠陥の計測値が示されている。曲線Ａに集められた計測値の集団は、先行技術の方法に関し、他の２つの集団（曲線ＢとＣ）は本発明の方法に関する。曲線ＢとＣは、以後、本発明の説明によって解釈される。

曲線Ａを参照するデータに対して、５０ｎｍの“ＢＯＸ”酸化物厚さを有する試料は、埋め込み酸化物がほぼ１４０ｎｍになるものよりわずかに多くの欠陥を有している。この厚さが更に低減され、１５ｎｍに近くなるとき、欠陥密度は大変重大なものとなる。これは、先行技術から既知の方法のＵＴＢＯＸ構造の製造が３０ｎｍ以下程度の酸化物の厚さに対して難しくなることを示している。

この問題の解決のために用いられる１つの解決法は、厳密に４００℃より高い温度Ｔで処理を行わないことである。

しかし、この解決法は、４００℃より高い温度、一般に約７００℃〜１３００℃の温度で行われなければならない結合接合部の強化を妨げることになる。更に、この方法は、それによって得られるデバイスの工業使用中に許容されるプロセスの種類を制限するので、これによりこのようなＵＴＢＯＸデバイスの用途が制限される。ゆえに、この問題を解決する方法が求められている。

本発明の目的は、上で述べた問題を克服することであり、すなわち、特にブリスター型欠陥の形成に関して、組み立て後のＵＴＢＯＸ型の構造の欠陥を改善することである。

この目的を達成するために、本発明は、水が反応して、水素のようなガス状反応生成物を形成する基板材料から、結合接合部に現れる水の層を取り除くことを提唱する。これは、結合前に、水の拡散に対してバリアの特性を有する絶縁材料の層を形成するか、あるいはこれらの絶縁層が結合接合部にあり、次に埋め込み絶縁層を形成する、結合された基板の各々について、この拡散を制限することによって行われる。ＳｉＯ_２に対して埋め込み酸化物を有するＵＴＢＯＸ構造の場合、この埋め込み絶縁層は、このとき埋め込み酸化物層に対応する。

より詳しくは、本発明は、第１に、ＵＴＢＯＸのような積層半導体構造を製造する方法であって、
ａ）ドナー基板上に、水の拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限することができる、ドナー酸化物層として知られる第１の電気絶縁層を形成するステップと、
ｂ）ドナー酸化物層の形成に先立ってあるいは続いて、ドナー基板に元素を導入し、弱くなった層を形成するステップと、
ｃ）最終の基板として知られる第２の基板上に、水の拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限することができる第２の電気絶縁層を形成するステップと、
ｄ）２つの基板を結合するステップであって、２つの電気絶縁層が接触されており、且つ、２つの基板の間に埋め込み酸化物層として知られる埋め込み絶縁層を一緒に形成し、絶縁層が、結合中、ドナー酸化物層が結合酸化物層の厚さと少なくとも等しい厚さを有するようなものであり、
埋め込み絶縁層（ｅ_ｔ）の厚さが、結合後に、５０ｎｍ未満、有利には２０ｎｍ未満、好ましくは１５ｎｍ未満又は１２ｎｍ未満である、前記ステップと、
を備える、前記方法に関する。

本発明の方法において、絶縁層は、水の拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限する材料でできている。このことは、本発明の範囲内で、イオン注入のステップによってドナー酸化物層に課せられる劣化は別として、これらの絶縁層の水の拡散に対するバリアの品質を悪化しようとするような処理がないことを意味する。

絶縁体は、好ましくは誘電体あるいは誘電体のような絶縁体であり、これは窒化物層であってもよく、有利には酸化物層、例えば、酸化シリコンであってもよい。以下の説明において、酸化物の例が用いられる。

このようにして行われる絶縁体・絶縁体の結合は、水素の生成速度を低減させるので、ブリスターの形成を制限させることを可能にする。実際、組み立て中に、結合接合部に導入されるＨ_２Ｏの分子が２つの絶縁層の間に含まれ、基板の１つの材料と反応して、水素基を形成する前に、水の分子はこれらの絶縁層を通過しなければならない。従って、Ｈ_２Ｏの拡散に対するバリアの特性を有するかあるいはこの拡散を制限する酸化物層は、水素、そしてブリスターの形成を鈍化させ、それにより形成される半導体構造の信頼性を向上させる。

絶縁層の少なくとも一方（ドナー酸化物及び／又は結合酸化物）は、絶縁体の堆積によってあるいは基板の少なくとも一方の面と反応することによって形成され得る。

本発明の方法において、ドナー基板への元素の導入は、ドナー酸化物層を通して行われ、そのとき、結合酸化物層は、有利にはドナー酸化物層より厳密に薄い。

実際に、本発明の方法において、最終の酸化物層、あるいは埋め込み酸化物層は、接触させた２つの酸化物層から構成されている。結合ステップ中に、本発明の方法において、組み立てるべき酸化物層の厚さの比は、ドナー酸化物層に由来する酸化物層の相対厚さが厳密には組み立てるべき酸化物層の累積厚さの５０％より大きく、また７０％以下又は８０％以下又は８５％以下又は９５％以下である。

有利には、組み立てるべきドナー酸化物層の相対厚さは、組み立てるべき酸化物層の累積厚さの６０％と８５％の間である。好ましくは、この相対厚さは、最終の酸化物層の７０％と８０％の間、例えば、７５％である。

本発明の方法において、基板の少なくとも１つ、好ましくは双方の基板の洗浄のステップの後に、酸化物層と基板の組立体とを接触させることができる。次に、酸化物のエッチングが行われ、処理された酸化物層の厚さの低減にもつながり得る。酸化物層の厚さのこの低減を相殺するために、本発明の酸化物層の初期の厚さは、本発明の、特に上述の比率に従った酸化物の厚さを得るように洗浄後に選択される。そのとき、初期に形成される２つの酸化物の累積厚さは、最終のデバイスの埋め込み酸化物の厚さよりも厚くなる。このような洗浄後、絶縁材料の構造は変わらず、酸化物は常に水の拡散に対してバリアを形成する材料でできている。言い換えると、結合酸化物層とドナー酸化物層は、好ましくは、埋め込み酸化物層の厚さより全体の厚さが大きく形成され、洗浄のステップが洗浄された基板上に存在する絶縁体の層の厚さを低減させる。

本発明の方法において、ドナー基板及び／又は最終の基板は半導体材料、例えば、シリコンでできている。２つの基板の少なくとも一方、できればこれらの双方が水晶、又はサファイア、又はポリマーでできていてもよい。最終の基板は、ドナー基板の材料と異なる材料、例えば、半導体材料でできていてもよい。これはドナー基板の一方と異なる熱膨張係数（ＴＥＣ）をもつ材料でできているかあるいはＨ_２Ｏ＋Ｘ→ＸＯ_２＋Ｈ_２タイプの反応があるか、あるいはガス状反応性生物を形成する他の材料Ｘでできていてもよい。

次に、ドナー基板は、例えば、Ｓｍａｒｔ−Ｃｕｔ（登録商標）の名称で知られる種類の、基板の破断により薄層化され得る。この方法は、例えば、Ｓ.Ｓ. ＩｙｅｒａｎｄＡ．Ｊ．Ａｕｂｅｒｔｏｎ−Ｈｅｒｖeによって編集されたＢ. ＡｓｐａｒａｎｄＡ.Ｊ. Ａｕｂｅｒｔｏｎ−Ｈｅｒｖe「ＳｉｌｉｃｏｎＷａｔｅｒＢｏｎｄｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＶＬＳＴａｎｄＭＥＭＳａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」, ２００２, Ｌｏｎｄｏｎ, Ｃｈａｐｔｅｒ３,ｐａｇｅ３５−５２の論文に記載されている条件下で行われ得る。

薄層化は温度３５０℃又は４００℃未満の熱処理中に行われる。

有利には、基板の破断は、例えば、４００℃より低い温度の低温熱処理中に行われ得る。詳細を以下に示す。

７００℃と１３００℃の間、好ましくは９００℃と１２００℃の間の温度で、１０℃／秒より大きいあるいは有利には２０℃／秒より大きい温度増加勾配で、アニーリングとして知られる熱処理が、薄層化の後に、結合接合部を強固にし、且つ、ブリスターの形成速度が高く、最終の半導体構造の品質に少なくとも好ましい温度範囲に対応する、４００℃と７００℃の間、有利には４００℃と９００℃の間の温度へのデバイスの露出時間を最小にするように適用され得る。

７００℃より高くあるいは好ましくは９００℃より高い温度でのアニーリングは、半導体材料の拡散によって、結合接合部に、あるいは基板と酸化物層の間の接合部に存在する、閉じ込められた水素の排出を可能にする。

シリコンに対する４００℃−９００℃の温度間隔において、ガス状水素の放出によりブリスターが形成される。生じる圧力は、２つの結合基板の材料を変形させ、ブリスターを形成させ、続いての処理中に又は基板の破断熱処理もしくは圧密処理中に最終構造の破断を生じさせ得る。上で述べたように、高い温度勾配（少なくとも１０℃／秒）はこの臨界的な温度間隔の通過を最短させることを可能にするので、ブリスター内の圧力が回復不可能なまでにデバイスを弱める前に、半導体材料中の水素の拡散の温度（ほぼ９００℃）を得ることを可能にする。

上述の臨界的な温度間隔が主に表面の層の厚さと材料の種類に左右されることは留意されるべきである。例えば、１０ｎｍ未満のシリコンの表面の層の厚さに対しては、この臨界的な間隔は１０ｎｍと２０ｎｍの間の酸化物層をもつデバイスについては、４００℃−９００℃の間隔の代わりに、３５０℃と７００℃の間であり得る。この間隔は、また、用いられる基板がＳｉＧｅあるいはＡｓＧａあるいは他の半導体材料に基づく場合には、変動するものである。しかし、ここではまた以下のことにも向けられる。
・酸化物拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限する絶縁層の厚さの分布を最適化すること、
・臨界的な温度間隔に含まれる熱処理時間を最短にすること。

本発明の方法が適用される場合には、より正確に臨界的な温度間隔を特定する試験が可能であり得る。

本発明の方法の第１の実施形態を表す図である。本発明の方法の第１の実施形態を表す図である。本発明の方法の第１の実施形態を表す図である。本発明の方法の第１の実施形態を表す図である。本発明の方法の第１の実施形態を表す図である。本発明の方法の第１の実施形態を表す図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。本発明の方法の第２の実施形態を表し、最終のデバイスに必要な厚さより大きい酸化物層の厚さが形成される図である。ＳｉＯ_２とシリコン基板の場合、酸化物の最終の厚さに比較して、酸化物層の厚さの比率の関数として本発明者らによって得られた欠陥実験の結果を示すグラフである。本発明者らによって得られる最終の酸化物層の厚さの関数として欠陥実験の結果を示し、酸化物層の厚さが小さいＵＴＢＯＸ構造を生成させる本発明の方法の効率を示す図である。

本発明は、積層ＳＯＩ型半導体層のシステム、より詳細には、ＵＴＢＯＸ型、言い換えると埋め込み絶縁層の超薄厚さを持つシステムを製造する方法に関する。

図１Ａ〜図１Ｆと図２Ａ〜図２Ｇの２つの実施形態の方法が示され、いずれの参照符合も異なる図において同じ要素に対応している。

第１の実施形態（図１Ａ〜図１Ｆ）は、５０ｎｍより薄い埋め込み絶縁薄層を有するＳＯＩ構造を製造する方法に関し、有利にはこの絶縁層は２０ｎｍ未満、好ましくは１５ｎｍ未満であり、また、１０ｎｍ未満又は７ｎｍ未満であり得る。

絶縁体は、好ましくは、電気絶縁体であり、これは窒化物層であってもよく、有利には酸化物層、例えば酸化シリコンであってもよい。説明の以下の部分においては、酸化物層の例がとられているが、これは限定するものではない。前に説明したように、本発明の方法において、結合中、絶縁層は水の拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限することができる材料でできている。

本発明の方法の第１の実施形態によれば、酸化物薄層４は、例えば、半導体材料、有利にはシリコンでできたドナー基板２として知られる基板（図１Ａ）の表面に形成される。ドナー酸化物層として知られるこの酸化物層は、厚さｅｌを有し、例えば、ドナー基板２の熱酸化あるいは必要ならば酸化物堆積によって形成され得る。

ドナー酸化物層４の形成に先立ってあるいはそれに続いて、ドーピング元素がドナー基板に導入され、弱くなった層２１を形成し、有利にはこれが原子元素あるいはイオン元素の注入、例えば、ヘリウムと水素の共注入（図１Ｂ）によって、例えば、ドナー酸化物層４を通して行われる。

この弱くなった層２１は、有利には、基板破断による薄層化を予想して導入される。本発明の実施形態に対して、また、以下の実施形態に対して、基板破断のこの方法は「ＳｍａｒｔＣｕｔ^ＴＭ」基板破断法の類のものであってもよい。この方法は、例えば、Ｂ. ＡｓｐｅｒａｎｄＡ.Ｊ. Ａｕｂｅｒｔｏｎ−Ｈｅｒｖe「ＳｉｌｉｃｏｎＷａｆｅｒＢｏｎｄｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｆｏｒＶＬＳＩａｎｄＭＥＭＳａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」, ｅｄｉｔ. Ｓ.Ｓ. ＩｙｅｒａｎｄＡ.Ｊ. Ａｕｂｅｒｔｏｎ−Ｈｅｒｖe, ２００２, ＩＮＳＰＥＣ, Ｌｏｎｄｏｎ, Ｃｈａｐｔｅｒ３, ｐａｇｅ３５−５２に記載されている。

導入されるドーピング元素の各々の密度は、有利には１×１０^＋１６原子ｃｍ^−３と１×１０^＋１９原子ｃｍ^−３の間であり得る。次に用いられる１×１０^＋１４原子ｃｍ^−２〜１×１０^＋１６原子ｃｍ^−２程度の注入ドーズは、ドナー酸化物層の厚さｅｌ、各ドーピング元素に対して計画される密度、また、破断後の半導体材料に要求される厚さに適合される。

次に、あるいは同時に、あるいは前述の動作の前に、結合酸化物層として知られる酸化物薄層５が最終の基板３として知られる第２の基板上に、例えば、最終の基板３の熱酸化によってあるいは必要ならばこの酸化物の堆積によって形成される。この酸化物層は、ドナー酸化物層の厚さ以下の厚さｅ２を有している。この基板は、有利には、半導体材料でできているが、他の材料、例えば、水晶又は結合反応がＨ_２Ｏ＋材料Ｘ→ＸＯ_２＋Ｈ_２の型の酸化、又は他のいずれかのガス状反応生成物につながる材料Ｘからできている基板のいずれかの種類でできていてもよい。

次に、２つの基板２と基板３が組み立てられ、ドナー酸化物層４と結合酸化物層５が接触されている（図１Ｄ）。次に酸化物・酸化物型の結合が行われ、２つの基板２と基板３の間に位置し、ドナー酸化物４と結合酸化物５から構成される最終の酸化物層あるいは埋め込み酸化物層として知られる酸化物層が生成する（図１Ｆにおいて、この複合層は埋め込み酸化物層４５によって表されている）。

従って、それによって得られた埋め込み酸化物層は、５０ｎｍ以下、有利には２０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下、例えば、１１．７ｎｍの厚さｅ_ｔを有している。組み立てるべき酸化物層の厚さの分布は、ドナー酸化物層４に由来する埋め込み酸化物層４５の部分の相対厚さが５０％に等しいか、ドーピング元素の導入がドナー酸化物層を通して行われる場合、厳密に５０％より大きく、組み立るべき酸化物層の累積厚さが９５％以下であり得る。

本発明の範囲内で、「埋め込み酸化物層に比較したドナー酸化物層の相対厚さ」はドナー酸化物層の厚さと埋め込み酸化物層の厚さの間の比率を示す。詳細が示されない場合、層Ａの相対厚さは、埋め込み酸化物層に比較した層Ａの相対厚さのことである。

本発明の方法において、酸化物層は、制御された酸化のステップ、例えば、基板を酸素を豊富に含む環境で高温にさらすことによるか、あるいは酸素の堆積、例えば、ＣＶＤ又はＡＬＤによるいずれかのステップよって形成される。

逆に、周囲の雰囲気に基板を単にさらすことに由来する自然酸化物層は、それほど適していない。実際に、この酸化物は、相対的に多孔質であり、効率的な拡散バリア層を形成することができない。それにもかかわらず、高密度化アニーリングとして知られるアニーリングを、例えば、中性雰囲気下、２００℃と８００℃の間で数分〜数時間延長し得る時間、行うことによって、「拡散バリア」のこの特性をこの自然酸化物層に与えることが予想され得る。一般的に言えば、自然酸化物に対して、また、効率的な水拡散バリアを形成することができない多孔性のレベルを有し得るある種の堆積酸化物に対して、この高密度化アニーリングを行うことが好ましい。

ドーピング元素の導入がドナー酸化物層を通して行われる場合、ドナー酸化物層に由来する埋め込み酸化物層４５の部分のこの相対厚さは、有利には、結合中に組み立てられる酸化物層の累積厚さ、言い換えれば埋め込み酸化物層の厚さの６０％と９５％の間、好ましくは７０％と８０％の間にある。例えば、組み立てるべき結合酸化物５の厚さｅ２が３．３ｎｍである場合には、組み立てるドナー酸化物層４の厚さｅｌは８．４ｎｍである。本発明の方法において、埋め込み酸化物層の厚さは、１０ｎｍ未満又は７ｎｍ未満であってもよい。

本発明の方法において、次に、組み立てられた基板２と基板３から構成されるデバイス、また、異なる表面の層は、弱くなった層２１（図１Ｅ）のレベルでドナー基板を破断するようにアニーリングに供される。破断方法は、例えば、アニーリング温度が４００℃を超えず、有利には３５０℃を超えないようが適応される。

次に、破断された表面が必要ならば研磨され得る（図１Ｆ）。

結合接合部は、研磨前あるいは研磨後に、アニーリングによって強化され得る。

有利には、ドナー基板の破断の後、しかし結合接合部のいかなる強化アニーリングの前にもあるいはその代わりにも、得られる半導体構造は、７００℃と１３００℃の間、好ましくは９００℃と１２００℃の間の温度で、温度の増加が１０℃／秒より大きい、好ましくは２０℃／秒より大きい温度勾配で行われる、接合部の安定化アニーリングに供される。安定化アニーリングのこのステップは、研磨ステップの後に行われる。有利には、このアニーリングは、研磨ステップの前に基板破断ステップの後に行われる。

上で説明されたように、７００℃と１３００℃の間、好ましくは９００℃と１２００℃のこのアニーリングは、基板を通してガス状水素の拡散を可能にする。上述したように、高い温度勾配（少なくとも１０℃／秒）は、温度上昇中の４００℃−７００℃、有利には４００℃と９００℃の間の臨界的な温度間隔の通過時間を最短にすることを可能にするので、ブリスター中の圧力が回復できない方法で最終半導体構造を弱める前に、上述の水素拡散温度を得ることを可能にする。従って、アニーリングのパラメータは、４００℃−７００℃の範囲で、有利には４００℃−９００℃の範囲で露出時間を１２０秒未満に、例えば、好ましくは約３０秒あるいは３０秒未満に制限するために制御される。温度範囲内で本発明に従って許容される臨界的な時間は、最終構造の埋め込み酸化物層の厚さ４５の関数であり、これが薄いほど、ますます露出時間を制限することが目標とされる。１０ｎｍの厚さに対して、本発明の方法に従う方法について、臨界的な温度間隔の最大の露出時間は、２０秒と３０秒の間であり、１５ｎｍに対して、この時間は３０秒未満であり、２５ｎｍの酸化物の厚さに対して、臨界的時間はほぼ2分あるいはそれ以上でさえある。

本発明の第２の実施形態は、図２Ａ〜図２Ｇに記載されている。この実施形態の原理は、酸化物層４’、５’の堆積された厚さｅ１’とｅ２’の点を除けば、第１の実施形態と同じである。

本発明の実施形態において、堆積された酸化物の全厚さ（ｅ１’＋ｅ２’）は、最終構造の埋め込み酸化物層４５に対して目標とされる酸化物の最終の厚さ（ｅ_ｔ）より大きい。本発明の第１の実施形態と異なるステップのみが記載され、図２Ｇの層４５は、図２Ｄ〜図２Ｆに表され且つ酸化物層４’と５’の薄層化後に得られるドナー酸化物４の層と結合酸化物５から構成されている。

図２Ｅに示される結合ステップに先立って、それぞれが厚さｅ１’とｅ２’の酸化物層、それぞれ４’と５’を備えている基板の２、３の一方及び／又はもう一方が図２Ｄに記載される洗浄のステップに供され、洗浄は、特に、洗浄によって処理される１つ又は複数の基板の表面に存在する酸化物層４’及び／又は５’をエッチングするので、薄層化の効果を有する。

しかしながら、この洗浄に対してあるいは方法の他のいかなるステップに対しても、絶縁層は絶縁層のすべてあるいは一部において水の拡散を助ける処理に供されることはない。特に、結合中の接着性を改善するために結合前に行われるプラズマは本発明の方法において排除され、これらのステップは絶縁層を通して水の拡散を助けると思われる。

好ましくは、ドナー酸化物４’あるいは結合層５’の形成中の、初期の厚さ（ｅ１’及び／又はｅ２’）が、洗浄ステップ中に生じる薄層化を考慮し、また、ドナー酸化物４と結合層５に必要な最終の厚さｅ１とｅ２を考慮している。第１の実施形態のように、埋め込み酸化物層４５の酸化物ｅ_ｔの最終の厚さは、５０ｎｍ以下、有利には２０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下、例えば、１０ｎｍ未満又は７ｎｍ未満である。更に、最初の酸化物層の洗浄と薄層化の後、結合中に組み立てるべき酸化物層４と５の厚さｅ１とｅ２は、結合中の２つの酸化物層の累積の厚さに比較して、ドナー酸化物層に由来する酸化物層４の相対厚さが５０％及び／又は、特にドーピング元素の導入がドナー酸化物層を通して行われる場合、厳密に５０％より大きく、組み立てるべき酸化物層４、５の累積の厚さｅｔの９５％以下である。組み立てるべきドナー酸化物層のこの相対厚さは、有利には、組み立てるべき酸化物層の累積の厚さｅ_ｔの６０％と８０％の間、好ましくは７０％と８０％の間、例えば、７５％である。

本発明の方法において、基板の組み立て中に少なくとも結合酸化物の厚さ以上のドナー酸化物の厚さと結合する酸化物−酸化物結合を用いることにより、接触している酸化物層の下に存在する水分子と材料を制限させることを可能にする。これは酸化物が水拡散バリア特性を保持する場合にのみ言えることである。すなわち、これらは水拡散バリア特性を低減させる処理を受けていないか又はドナー酸化物層あるいは双方の酸化物層が６×１０^１６原子／ｃｍ^２より少ないドーズ、あるいは３×１０^１６原子／ｃｍ^２より少ないドーズでイオン注入ステップに供されている。従って、半導体材料との反応による水素基の直接の形成が阻止され、水素基の形成は酸化物層を通して水の分子の可能な拡散によるものである。本発明の方法の有利な実施形態において、酸化物層４’、５’は、埋め込み酸化物層４５の厚さｅ_ｔに比較して、結合中にドナー酸化物層４の相対厚さが厳密には５０％より大きく、９５％以下、有利には６０％と８５％の間、好ましくは７０％と８０％の間にあるような相対厚さを有する。

ドナー基板２と受容基板３の間の埋め込み酸化物層を備える酸化物の厚さの分布は、ドナー酸化物４の側に酸化物のより高い厚さを有するようにすることを可能にする。このことはドナー酸化物４における欠陥を補償することを可能にし、この酸化物がドーピング元素の導入中に分解されると（図１Ｂと図２Ｂ）、Ｈ_２Ｏの拡散に対するバリアの特性が低下する。結合酸化物層が劣化されないバリア特性を有すると、ドナー酸化物層によって形成されるものに等価な拡散バリアを形成する高い厚さを持つことは必要としない。０．５ｎｍ〜５ｎｍ又は１０ｎｍ、例えば、１ｎｍの結合酸化物層の厚さは、効率的な拡散バリアを形成するのに充分であり得る。この場合、ドナー酸化物層４を通して注入ステップ中に導入される全体のドーピング元素のドーズを制限することは有利であり得る。従って、３×１０^１６原子／ｃｍ²未満までこの全体のドーズを制限することが可能である。

本発明に従って、結合酸化物層５より厚いドナー酸化物層を作成することによって、埋め込み酸化物層４５の最終の厚さｅ_ｔを変えることなくドナー酸化物層４に由来する埋め込み酸化物層の部分のバリア効果を上げることが可能である。従って、埋め込み酸化物層４５の最終の厚さを修正することなく最終の基板３の側にあるドナー酸化物層４と結合酸化物５に匹敵するバリア効果を得るように厚さが選ばれる。酸化物層のどれもがその製造中に劣化させられることはなく、他のプロセスステップにおいては、あれば注入ステップを通して保存している。特に、結合中、酸化物層のいずれもが活性化プラズマにかけられていない。

いかなる薄層化後にも、例えば、あるとすれば洗浄ステップから生じる、組み立てるべき層の厚さの間の分布は、以下の２つの間の水拡散バリア特性の差の関数として選ばれる：
・最終の基板３上に堆積され、接触した結合酸化物層５と、
・ドナー基板2におけるドーピング元素の導入によって潜在的に分解したドナー酸化物層４。

従って、相対厚さの選択は、用いられる注入ドーズ量と用いられる酸化物を含む材料に左右される。

本発明者らによって得られた実験の結果を図３に示し、シリコンと酸化シリコンに基づいてＵＴＢＯＸ型ＳＯＩ構造の場合に、埋め込み酸化物層として知られる、最終の酸化物層を作るドナー酸化物及び／又は結合酸化物の層の相対厚さ（Ｘ軸）の関数として、結合とアニーリング後の最終の欠陥性（Ｙ軸）が示されている。

「０」に等しい結合酸化物層の厚さと最終酸化物層の厚さの間の比率（このグラフでは下のＸ軸）は、基板の結合と組み立て前に、最終の酸化物層がドナー基板上に形成されるドナー酸化物に独自に由来する場合に対応する。

同じようにして、「１」に等しい結合酸化物層の厚さと最終酸化物層の厚さの間の比率は、最終酸化物層が結合酸化物層に全体に由来する場合に対応する。

これらの２つの極限値の間で、最終酸化物層の厚さに比較して結合酸化物層の相対厚さは増加する。

ドナー酸化物層の厚さと最終酸化物層の厚さの間の比率がグラフの最上部に表されている。この比率は、結合酸化物層の厚さと最終酸化物層の厚さ間の比率に対して逆に変動する。

結合酸化物層の厚さと最終酸化物層の厚さの間の比によって、ゾーンＩとゾーンＩＩの間の限界が約２０％にあり、ゾーンＩＩとゾーンＩＩＩの間は約５５％にある。

酸化物の厚さの比率の関数として結合後の欠陥は、３つの部分に分布され得る。パートＩにおいて、最終の酸化物層は、主に、ドナー基板上に形成されるドナー酸化物から構成され、Ｈ_２Ｏ分子が容易に最終の基板の表面に拡散するとともに、アニーリング中に、埋め込み酸化物層として知られる、最終の基板と最終の酸化物層の間の接合部で致命的欠陥を大量に形成する。

パートＩＩＩにおいて、結合酸化物層の厚さは、ドナー酸化物層の厚さより大きく、その効率はバリアとして元素導入ステップによって、例えば、イオン注入ステップ中に、すでに劣化されている。多量の欠陥が見られ、ドナー酸化物層４のバリア特性が結合酸化物層より非常に劣っており、そのときにあまりに多くのＨ_２Ｏがドナー基板２に拡散させ、アニーリング中に数多くの“ブリスター“型欠陥を形成する。

最終の酸化物層の水の拡散に対するバリア特性は、図３のパートIとパートIIIによって示される２つの場合においては不充分である。

パートＩＩにおいて、結合前に組み立てられる酸化物層の厚さの分布は、ここでは結合酸化物の相対厚さ１５％と５０％の間、すなわち、それぞれ、ドナー酸化物層の相対厚さ９５％と５０％の間は、ドナー酸化物層４のバリア特性がより大きい相対厚さのために改善されるようなものである。結合酸化物層５は、このパートＩＩにおいて、最終の基板３の側にドナー基板の側に形成されるものと比較しうる効率のＨ_２Ｏの拡散に対するバリアを形成するのに充分な厚さを有している。

従って、アニーリング後の欠陥に、ひいては絶縁体・絶縁体の結合の効率に、特に酸化物・酸化物の結合の場合に、組み立て中の埋め込み酸化物層に捕捉されるＨ_２Ｏ分子の拡散を阻止し、あるいは少なくとも制限する厚さの比率の重要な効果がある。

この図のデータは、例えば、酸化物の等しい厚さにおける酸化物・酸化物の結合、あるいはより詳しくは酸化物の厚さの比率が最適化された酸化物・酸化物の結合が、Ｈ_２Ｏの拡散、特に「ブリスター」型の欠陥形成に関連する問題を解決させることが可能であることを明らかに示している。従って、本発明のこのような方法は、最終埋め込み酸化物層を備えるすべての酸化物がドナー酸化物層に由来する従来の技術の方法によって得られる構造の欠陥より受容可能な欠陥がより低いＵＴＢＯＸのようなデバイスを形成することを可能にする。これらの実験結果を得るのに用いられる条件下で、有利な間隔は６０％と８５％の間のドナー酸化物の相対厚さ対して確認されている。

このような図のプロットは、本発明の方法の範囲内で、最終の酸化物４５の所定の厚さｅ_ｔに対する酸化物の相対厚さと、所定の材料と、所定のイオン注入について最適性を図ることを可能にする。この最適性は、ここでは７０％と８０％の間のドナー酸化物、より詳しくはほぼ７５％である。

プラズマ処理が、結合前に、結合すべき双方の酸化物層上に約３３％と約５３％の結合酸化物の厚さ／最終の酸化物の厚さの比率に対して適用されるときに得られる欠陥性のレベルも表されている。同じ結合酸化物の厚さ／最終の酸化物の厚さの比率に対して、プラズマ処理がほぼ１００の倍率だけより多くの欠陥を持つ最終構造の非常に明確な悪化につながることがわかる。

本発明の効率は、シリコンと酸化シリコンに基づくＳＯＩのようなあるいはＵＴＢＯＸのような構造に対して得られる欠陥解析（図４）によって示され、酸化物・酸化物の結合による、特に酸化物厚さが同じ（曲線Ｂ）一体化方法が改善された信頼性を得ること、従って、既知の方法より薄いＵＴＢＯＸ構造を生じることを可能にすることが示されている。本発明によれば（曲線Ｃ）、前述の間隔内の分布で組み立てられる酸化物層の厚さの非対称性を含む一体化方法が用いられる場合には、埋め込み酸化物の層の寸法を小さくさせ更に／又はより少ない欠陥を得るようにすることがなお可能である。

特に、既知の方法に比較して得られる効果は、１５ｎｍ未満の埋め込み酸化物層ｅ_ｔの厚さが重要であり、１０ｎｍ未満の埋め込み酸化物の厚さが著しい。

従って、埋め込み酸化物の最終の厚さが小さいほど、本発明の方法が従来の技術の方法に相対して効果を有する。

上記の本発明の技術は、非常に良質な品質の、例えば、１０ｎｍ未満又は５ｎｍ未満の厚さの非常に薄い絶縁層、例えば、指定された厚さの酸化物層を有するＳＯＩを得るために更に改善され得る。

これを目的にして、本発明の方法の構造が製造され、絶縁体が、例えば、１０ｎｍ未満又は１５ｎｍと２０ｎｍの間の酸化物層である。

次に、この酸化物の部分的溶解がその厚さの最終要求値、１０ｎｍ未満をもたらすように行われる。

溶解技術は、Ｏ. Ｋｏｎｏｎｃｈｕｃｋｅｔａｌ. ＩｎｔｅｒｎａｌｄｉｓｓｏｌｕｔｉｏｎｏｆＢｕｒｉｅｄＯｘｉｄｅｉｎＳＯＩｗａｆｅｒｓ, ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｅｎｏｍｅｎａ, Ｖｏｌ.１３１-１３３, ｐ.１１３-１１８の論文又はＵＳ２００５／００１１８７８９から既知である。

例えば、構造は、非常に低い酸素濃度（＜１ｐｐｍ）を有する、例えば、アルゴン及び／又は水素還元雰囲気を含む中性雰囲気中で、例えば、実質的に１１００℃と１２００℃の間の温度で数分間（例えば、２分間又は５分間又は１０分間又は２０分間又は３０分間）と数時間（例えば、１時間又は２時間又は５時間又は１０時間）の間、処理される。この熱処理中、埋め込み酸化物層に存在する酸素が半導体材料の薄膜を通して処理雰囲気中に溶解する。このものは、例えば、シリコンでできており、次に、溶解した酸化物層ＳｉＯ_２が良好な品質のシリコンに変換される。

２０ｎｍの埋め込み酸化物を有し、本発明の技術の１つに従って得られるＳＯＩの場合、最終の厚さが、例えば、５ｎｍに選ばれた酸化物の薄層化を得ることができる。

有利には、中性雰囲気下で非常に低い酸素濃度でのこの熱処理は、少なくともドナー基板の側に形成される酸化物層の全体の厚さが溶解されるまで継続される。この具体的な処理は、実際に、約数ｎｍの極端に薄い埋め込み酸化物層を持つ極めて一様な高い品質の結合基板（欠陥密度に関して）の形成を誘起することができる。更に、ドナー酸化物層に由来するすべての酸化物が溶解されている、埋め込み酸化物層における結合接合部の消失は、埋め込み酸化物層の高い電気的品質を確実にすることができる。残存する酸化物層は、結合酸化物層に由来する酸化物で構成されている。

Claims

ＵＴＢＯＸのような積層半導体構造を製造する方法であって、
ａ）ドナー基板（２）上に、水の拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限することができる、ドナー酸化物層として知られる第１の電気絶縁層を形成するステップと、
ｂ）前記ドナー酸化物層（４）の形成に続いて、前記ドナー基板に元素を導入し、弱くなった層（２１）を形成するステップと、
ｃ）最終の基板として知られる第２の基板（３）上に、水の拡散に対してバリアを形成するかあるいはこの拡散を制限することができる、結合酸化物層として知られる第２の電気絶縁層（５）を形成するステップであって、該結合酸化物層が前記ドナー酸化物層（４）より厳密に薄い、前記ステップと、
ｄ）２つの前記基板を結合するステップであって、これらのいずれもがプラズマ処理にかけられてなく、２つの前記電気絶縁層が、接触されており、且つ、２つの前記基板の間に埋め込まれた埋め込み酸化物層として知られる絶縁層（４５）を一緒に形成し、該絶縁層が、前記結合中、前記ドナー酸化物層が前記結合酸化物層の厚さと少なくとも等しい厚さを有するようなものであり、
前記埋め込み酸化物層（ｅ_ｔ）の前記厚さが５０ｎｍ未満である前記ステップと、
を備える、前記方法。
前記ドナー酸化物層（４）が、結合中、前記埋め込み酸化物層と比較して、前記埋め込み酸化物層（４５）の前記厚さ（ｅ_ｔ）の厳密に５０％を超え９５％以下の相対厚さを有する、請求項１に記載の方法。
前記ドナー酸化物層（４）の結合中の前記相対厚さが、前記埋め込み酸化物層（４５）の前記厚さ（ｅ_ｔ）の６０％と８５％の間である、請求項２に記載の方法。
前記ドナー酸化物層（４）の結合中の前記相対厚さが、前記埋め込み酸化物層（４５）の前記厚さ（ｅ_ｔ）の７０％と８０％の間である、請求項３に記載の方法。
前記埋め込み酸化物層の前記厚さ（ｅ_ｔ）が、２０ｎｍ未満である、請求項１に記載の方法。
前記埋め込み酸化物層の前記厚さ（ｅ_ｔ）が、１５ｎｍ未満である、請求項５に記載の方法。
前記ドナー基板（２）が、半導体材料、例えば、シリコンでできている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
前記最終の基板（３）が、半導体材料、例えば、シリコンでできている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
結合後、最大温度が４００℃であり、前記弱くなった層（２１）で前記ドナー基板の少なくとも１つを破断するステップを含む方法に従って前記ドナー基板（２）を薄層化する請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
熱処理が９００℃と１２００℃の間の温度を有し、１０℃／秒より大きい温度上昇勾配が、前記結合後に、及び、前記薄層化があれば前記薄層化後に適用される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
堆積によってもしくは反応によって、又は自然酸化物の形成によって、前記絶縁層の少なくとも１つを形成するステップが、結合前に、これらに水拡散バリア特性を与えるか又はこれらがこの拡散を制限することができるようにする高密度化アニーリングを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
それらの形成と前記結合の間に、前記絶縁層を変性することができる処理、ドーピング元素のいかなる導入の形での保存及び／又はいかなる洗浄及び／又はいかなる高密度化アニーリングを含まない、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
結合後に及び／又はあらゆる高密度化アニーリング後に、１ｐｐｍ未満の酸素濃度を有する雰囲気中で、且つ実質的に１１００℃と１２００℃の間の温度での処理により、前記埋め込み酸化物層を薄層化するステップを更に含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。